【課題】高密度化された基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線３０は、過電流による発熱に応じて溶断することで当該遮断配線３０を介した接続を遮断するように構成されている。そして、基板面を被覆するソルダレジスト２８には、遮断配線３０の一部を外方に露出させるための矩形状の開口２８ａが形成されている。この開口２８ａは、遮断配線３０のうち最も発熱する部位であるその全長の中央近傍部位を外方に露出させるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】遮断部間のばらつきやヒューズエレメント間のばらつきを抑えながらも、Ｉ^２ｔ値の低減、コスト低減、小型化を図ることができる電力用ヒューズを提供する。
【解決手段】セラミック基板２０上に導電膜２２が形成されて構成され、導電膜２２による複数の放熱部２４と複数の遮断部２６とが一体的に連続形成されたヒューズエレメント１８を有する電力用ヒューズ１０において、導電膜２２は、セラミック基板２０の表面に対する１回以上の印刷による印刷層３２にて構成され、放熱部２４を構成する印刷層３２の積層数が、遮断部２６を構成する印刷層３２の積層数以上である。 （もっと読む）

【課題】基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線３０は、一側接続配線４０および他側接続配線５０を介して電源配線２３およびランド２６に接続されている。一側接続配線４０は、両側の側縁４１，４２が遮断配線３０の両側の側縁３１，３２となだらかに連続しており電源配線２３に向かうにつれて円弧状に広がるように、形成されている。また、他側接続配線５０は、両側の側縁５１，５２が遮断配線３０の両側の側縁３１，３２となだらかに連続しておりランド２６に向かうにつれて円弧状に広がるように、形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に接続された一対の導電ライン間に、電源平滑用などのコンデンサを設けてなる電子装置において、コンデンサを２個直列とすることなくコンデンサの短絡によるＦＨを適切に防止する。
【解決手段】外部と接続される第１の端子１１および第２の端子１２と、第１の端子１１および第２の端子１２に電気的に接続された回路基板２０と、回路基板２０に搭載され、第１の端子１１および第２の端子１２に電気的に接続された集積回路４０を有する半導体素子３０と、を備え、第１の端子１１に電気的に接続された第１の導電ライン８０と第２の端子１２に電気的に接続された第２の導電ライン８１との間に、コンデンサ９０とヒューズ３３ａとが直列に接続されており、ヒューズ３３ａは半導体素子３０内に形成された配線により構成され、ヒューズ３３ａの周りに、ヒューズ３３ａをヒューズ３３ａ以外の部位と非接触とする空間部３３ｂを設けている。 （もっと読む）

【課題】 作動特性を向上させることが可能なセラミックヒューズおよびセラミックヒューズ用基体を提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ１であって、複数のセラミック基板を積層して成る基体６と、基体６の最上層４ａに設けられた温度ヒューズエレメント３と、基体６内に設けられた電流ヒューズエレメント７と、基体６内に設けられ、温度ヒューズエレメント３と電流ヒューズエレメント７の両方を電気的に接続した導体接続部５と、を備え、導体接続部５の上下方向の電気抵抗は、導体接続部５の平面方向の電気抵抗よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅（Ｃｕ）からなる配線状の金属層上に、スズ（Ｓｎ）からなる低融点金属層が積層された構成の例えばチップ型薄膜であるヒューズにおいては、定格使用状態においても、銅（Ｃｕ）のスズ（Ｓｎ）中へのエレクトマイグレーション（ＥＭ）に起因する金属層の細線化、断線の障害が発生する。このＥＭの進行を抑制し同ヒューズの長寿命を図る。
【解決手段】低融点金属層（スズ）の融点より低い再結晶化温度レベルで、製作されたヒューズに対する熱処理を行うことなどにより、低融点金属層（スズ）中の平均結晶粒径の大きさを、その低融点金属層の厚さの二分の一以上にする。これにより大幅にＥＭの進行レベルが低下し、金属層厚の増加などの行うことなく、ヒューズ溶断特性を変えることなく、このチップ型薄膜ヒューズの長寿命化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ部の焼損時に確実に電路を遮断することのできるプリント配線板、電子デバイス、及びプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板１０が、孔１１ａ（開口部）を有する絶縁性の樹脂基板１１と、樹脂基板１１上に形成された、導体からなる第１端子部１２ａ及び第２端子部１２ｂと、第１端子部１２ａ及び第２端子部１２ｂを相互に電気的に接続するヒューズ部１２ｃと、を有する。ヒューズ部１２ｃの少なくとも一部は、孔１１ａ上に配置され、且つ、絶縁性を有する多孔質の無機被覆材１３で覆われている。 （もっと読む）

【課題】過電流状態における電流ヒューズ素子の溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１と、第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２と、電流ヒューズ素子用めっきパターン２３とを含んでいる。第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１は、焼成によって基体部１１の上面に形成された第１の導体層２１１を含んでいる。第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２は、焼成によって基体部１１の上面に形成された第２の導体層２２１を含んでいる。電流ヒューズ素子用めっきパターン２３は、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１の上面から第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２の上面にかけて設けられて、第１の電流ヒューズ素子用導体パターン２１および第２の電流ヒューズ素子用導体パターン２２を電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】電流ヒューズ素子用導体パターンの溶断箇所におけるジュール熱の損失を低減させて、過電流状態における電流ヒューズ素子用導体パターンの溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、電流ヒューズ素子用導体パターン２とを含んでいる。セラミック構造体１は、凹部１１２の開口部を含む上面１１１を有する基体部１１と、基体部１１の上に設けられているとともに開口部を囲んでいる枠体部１２と、枠体部１２の上に設けられた蓋体部１３とを含んでいる。電流ヒューズ素子用導体パターン２は、焼成によって基体部１１の上面１１１に形成されているとともに、開口部を跨ぐように設けられている。 （もっと読む）