【課題】埋め込み（密閉）孔の補助を用いて電力供給の動作を切断する保護素子、およびこの保護素子を用いた保護装置を提供する。
【解決手段】パッケージ基板１００、パッケージ基板１００内に設けられ、第１の溶断作用領域を有する第１の溶断ユニット１０１、パッケージ基板１００内に設けられ、第２の溶断作用領域を有し、第１の溶断ユニット１０１と隣接して設けられる第２の溶断ユニット１０２、および第１の溶断作用領域および第２溶断作用領域に対応してパッケージ基板１００内に設けられ、第１と第２の溶断作用領域の１つが溶断した時、溶断で生じたエネルギーがもう１つの溶断作用領域を切断するのを補助するように設けられた第１の埋め込み孔１０３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】遮断部間のばらつきやヒューズエレメント間のばらつきを抑えながらも、Ｉ^２ｔ値の低減、コスト低減、小型化を図ることができる電力用ヒューズを提供する。
【解決手段】セラミック基板２０上に導電膜２２が形成されて構成され、導電膜２２による複数の放熱部２４と複数の遮断部２６とが一体的に連続形成されたヒューズエレメント１８を有する電力用ヒューズ１０において、導電膜２２は、セラミック基板２０の表面に対する１回以上の印刷による印刷層３２にて構成され、放熱部２４を構成する印刷層３２の積層数が、遮断部２６を構成する印刷層３２の積層数以上である。 （もっと読む）

【課題】銅（Ｃｕ）からなる配線状の金属層上に、スズ（Ｓｎ）からなる低融点金属層が積層された構成の例えばチップ型薄膜であるヒューズにおいては、定格使用状態においても、銅（Ｃｕ）のスズ（Ｓｎ）中へのエレクトマイグレーション（ＥＭ）に起因する金属層の細線化、断線の障害が発生する。このＥＭの進行を抑制し同ヒューズの長寿命を図る。
【解決手段】低融点金属層（スズ）の融点より低い再結晶化温度レベルで、製作されたヒューズに対する熱処理を行うことなどにより、低融点金属層（スズ）中の平均結晶粒径の大きさを、その低融点金属層の厚さの二分の一以上にする。これにより大幅にＥＭの進行レベルが低下し、金属層厚の増加などの行うことなく、ヒューズ溶断特性を変えることなく、このチップ型薄膜ヒューズの長寿命化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】インパルス的なサージ電流に対するサージ電流耐量（サージＩ^２ｔ）に比較し、なるべく過電流に対する定格電流が小さなヒューズを提供する。
【解決手段】本発明のヒューズは、導体と、当該導体の電極となる端部以外の表面全体をコーティングする絶縁体膜と、からなるヒューズエレメントにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズ装置の生産性を向上させつつ過電流時における特性に関して改善すること。
【解決手段】 ヒューズ装置は、セラミック構造体１と、ヒューズ素子用導体パターン２とを含んでいる。セラミック構造体１は、ベース部１１と、ベース部１１の上に設けられたフレーム部１２と、フレーム部１２の上に設けられたカバー部１３とを含んでいる。ベース１１部とフレーム部１２とカバー部１３とは、焼成によって一体的に形成されている。ヒューズ素子用導体パターン２は、ベース部１１の上面に焼成によって形成されている。 （もっと読む）

【解決課題】本発明は、加工性、電気抵抗が改善され、且つ、約３００〜３６０℃の融点を有するヒューズ用の材料を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ａｕ−Ｇａ−Ｉｎ三元系合金からなり、これらの元素の質量濃度は、三元系状態図におけるＡ点（Ａｕ：８５％、Ｇａ：１４％、Ｉｎ：１％）、Ｂ点（Ａｕ：７４％、Ｇａ：１１％、Ｉｎ：１５％）、Ｃ点（Ａｕ：７４％、Ｇａ：６％、Ｉｎ：２０％）、Ｄ点（Ａｕ：７８％、Ｇａ：２％、Ｉｎ：２０％）、Ｅ点（Ａｕ：８６％、Ｇａ：２％、Ｉｎ：１２％）を頂点とする多角形の領域内にあるヒューズ用の材料である。本発明に係る材料は、加工性が良好であり、電気抵抗も適度に高いことから、電流ヒューズ用途として好適である。 （もっと読む）

【解決課題】本発明は、加工性、電気抵抗が改善され、且つ、約３００〜３６０℃の融点を有するヒューズ用の材料を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ａｕ−Ｇａ−Ｓｎ三元系合金からなり、これらの元素の質量濃度は、三元系状態図におけるＡ点（Ａｕ：８１％、Ｇａ：１８％、Ｓｎ：１％）、Ｂ点（Ａｕ：７３％、Ｇａ：１１％、Ｓｎ：１６％）、Ｃ点（Ａｕ：７２％、Ｇａ：４％、Ｓｎ：２４％）、Ｄ点（Ａｕ：８４％、Ｇａ：３％、Ｓｎ：１３％）、Ｅ点（Ａｕ：８５％、Ｇａ：１４％、Ｓｎ：１％）を頂点とする多角形の領域内にあるヒューズ用の材料である。本発明に係る材料は、加工性が良好であり、電気抵抗も適度に高いことから、電流ヒューズ用途として好適である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低電流が流れた場合でも溶断させることができる回路保護素子を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回路保護素子は、絶縁基板１１の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、この一対の上面電極１２を橋絡するエレメント部１３と、このエレメント部１３と前記絶縁基板１１との間の下地層１４と、前記エレメント部１３の上面と接続された端面電極１６ａとを備え、前記エレメント部１３をスパッタで形成するとともに、前記エレメント部１３を前記絶縁基板１１側から順に第１のエレメント部１７、第２のエレメント部１８、第３のエレメント部１９の３層で構成し、かつ前記第１のエレメント部１７は前記絶縁基板１１との密着性のよい材料で構成し、前記第２のエレメント部１８はアルミニウムまたはアルミニウムと銅との合金で構成し、前記第３のエレメント部１９はニッケル又はニッケルと銅との合金で構成したものである。 （もっと読む）

【課題】レアショート域の過電流が流れた場合に溶断しない溶断特性を実現するヒュージブルリンクを提供する。
【解決手段】可溶金属導体で形成される第１抵抗部１０及び第２抵抗部２０からなり、第１抵抗部１０の第２抵抗部２０との接続部近傍に過電流による温度上昇で溶融切断する溶断部１２を有するヒューズ部１と、可溶金属導体より融点が低く、過電流による温度上昇で溶融して溶断部１２に拡散して合金相を形成する低融点金属チップ３２と、溶断部１２近傍に低融点金属チップ３２を保持する保持部３０とを備え、第１抵抗部１０と第２抵抗部２０の抵抗値は、レアショート域の過電流によって温度上昇したヒューズ部１の熱集中部を溶断部１２ではない第１抵抗部１０の範囲（溶断外部１３）に移行させる比率に設定されている。 （もっと読む）

【課題】小さな故障電流が流れた場合も速やかに電気的な切離しを行なうことができる電流ヒューズを提供する。
【解決手段】可溶体11の両端部に一対の金属端子12を設ける。可溶体11の中間部に低融点合金13を溶着する。低融点合金13は、オルガノポリシロキサン系重合物などの絶縁材料14により、その周囲のみを被覆する。可溶体11の周囲には二酸化珪素を主成分とした消弧剤15を配置する。この消弧剤15は、一対の金属端子12と、アルミナを主成分とした円筒形の外囲器16とにより封止する。 （もっと読む）