半導体基材にドーピング領域を形成するための組成物、そのような組成物を作製するための方法、およびそのような組成物を用いてドーピング領域を形成するための方法を提供する。１つの実施形態では、ドーパント含有組成物は、導電性決定型不純物ドーパント、シリケートキャリア、溶媒、および水分吸着最小化成分を含む。別の実施形態では、ドーパント含有組成物は、導電性決定型不純物ドーパント、シリケートキャリア、溶媒、ならびにグリコールエーテル、アルコール、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される高沸点物質を含む。この高沸点物質は、少なくとも約１５０℃の沸点を有する。 （もっと読む）

【課題】熱拡散によって生じた半導体基板のシート抵抗の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。搬送するときに後端となる半導体基板１の上辺７は先端よりもエッチング量が多くなるので、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が増加し、面内ばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】溶液中の不純物を拡散させることによりＧａＮ系半導体へのドーピングを行う場合に、拡散量を正確に制御できるようにし、ドーピング作業を短時間で終了させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ搬送部であるスライダー３、３つの溶液槽１１、１２、１３、各溶液槽の上下に設けられたヒータ６、７、８が設けられている。スライダー３は、ＧａＮ系半導体ウエハ４を載置できるように形成されている。ヒータ６、７、８は各々独立して制御することができるようになっている。ここで、溶液槽１１はＧａＮ系半導体ウエハ４の加熱用、溶液槽１２は不純物拡散用、溶液槽１３はＧａＮ系半導体ウエハ４の冷却用である。溶液槽１２と溶液槽１１、１３とは異なる温度になるように構成されている。 （もっと読む）

本発明は、半導体構造体を製造する方法に関し、この方法は以下のステップを有する：
結晶半導体基板（１）を設けるステップ；前記結晶半導体基板（１）の表面（OF)に接して、ポーラス領域（１０）を設けるステップ；前記表面（OF)のポーラス領域（１０）に、ドーピング物質（１２）を導入するステップ；前記結晶半導体基板（１）内の前記ポーラス領域（１０）を、熱によって再結晶化するステップ、ただし前記ポーラス領域のドーピングタイプおよび／またはドーピング濃度および／またはドーピング分布は、前記結晶半導体基板のドーピングタイプおよび／またはドーピング濃度および／またはドーピング分布とは異なる。さらに本発明は、このようにして製造された半導体構造体に関する。
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本発明は、ドープ層形成のために後で高温処理に送られる、半導体基板のコーティング用ドーパント混合物に関する。更に、本発明は、この種ドーパント混合物の製造方法およびその使用にも関する。 （もっと読む）