Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ化合物半導体層（２０）の製造方法であって、その際、基板（６）が、金属前駆体像（１８）を有するコーティング（１８、１９）で被覆され（８０）、該コーティング（１８、１９）は、プロセス時間（ｔｐ）の期間、少なくとも３５０℃の温度に維持され（８４）、そして該金属前駆体層（１８）が、５００ミリバール〜１５００ミリバールの周囲圧力において、カルコゲン（１９）の存在下で、化合物半導体層（２０）に変換され（８４）、そして、該コーティング（１８、１９、２０）が、活性化時間（ｔｇ）の期間、少なくとも活性障壁温度（Ｔｇ）を達成する温度に維持され（８６）、それにより、活性障壁温度（Ｔｇ）として、少なくとも６００℃の値が選択される（８６）。
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二段階ドーピング（８８、８９）を備えた太陽電池の製造方法であって、次の方法ステップ、すなわち、第一のドーパントによって貫通され得る酸化物層（８２）を、太陽電池基材（８０）の表面の少なくとも一部の上に形成するステップ（１４、４８）、少なくとも一つの高ドーピング領域（８８）において酸化物層（８２）を除去することによって（１６；５０）この高ドーピング領域（８８）において酸化物層（８２）に開口を形成するステップ（１６； ５０）、第一のドーパントを、前記開口を通して太陽電池基材（８０）の前記少なくとも一つの高ドーピング領域（８８）中に拡散させるステップ（２８）、及び第一のドーパントを前記酸化物層（８２）を通して太陽電池基材（８０）中に拡散させるステップ（２８）を含み、ここで、前記開口及び酸化物層（８２）を通した拡散（２８）は、共通の拡散ステップにおいて同時に行われ、そして太陽電池基材（８０）は、少なくとも部分的に親水性の状態で前記の共通の拡散ステップ（２８）において拡散される（２８）、前記方法。
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本発明は、基板上の金属前駆体層を熱変換させて半導体層にする方法、およびまた、その方法を実施するおよび基板上にソーラモジュールを製造するための装置にも関する。任意の所望の基板上の金属前駆体層を半導体層に熱変換させるための促進されそして実現するのが簡単な速い方法、およびまた、その方法を実施しそしてソーラモジュールを高い効率で製造するために役に立つ装置も提示する。少なくとも金属前駆体層(10)によってあらかじめ調製した基板(4)を、複数の温度領域にセグメント化した炉(1)内で、複数の工程において大気圧で各々の場合に最終温度400°C〜600°Cまでの所定の温度に加熱しそして搬送ガスおよび蒸気状カルコゲンの混合物を含む雰囲気中で最終温度を維持しながら、半導体層に変換させる。
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本発明は、カルコゲンについて、特に100 nm〜10 mmの範囲内のカルコゲンの薄い層、またはこれらの材料の混合物を、平面基板上に適用するための非常に速くそして費用効率が高いコーティング方法およびまた、その方法を実施ために適した装置も提供することを意図する。これは、蒸着ヘッド(11)において流入側および流出側ガスカーテンを形成して輸送流路(6)を酸素の漏れないように密閉し、不活性ガスを輸送流路(6)の中に導入して大気酸素を置換し、基板(3)をプロセスチャンバー(1)の輸送流路(6)の中に導入し、源からのカルコゲン蒸気/搬送ガス混合物を、蒸着ヘッドの輸送流路(6)の中の基板(3)より上に導入しそしてPVDを用いて基板の上にセレン層を形成することによって達成される。
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本発明は、ドープ層形成のために後で高温処理に送られる、半導体基板のコーティング用ドーパント混合物に関する。更に、本発明は、この種ドーパント混合物の製造方法およびその使用にも関する。 （もっと読む）