【課題】 ビーム断面が長尺化しても、シリンドリカルレンズのコスト増を抑制することができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】複数のレーザ出射面が、相互に直交するＸ方向及びＹ方向に配列し、Ｚ方向にレーザビームを出射する。Ｘ方向に並ぶレーザ出射面の列に対応して第１のシリンドリカルレンズが配置されている。第１のシリンドリカルレンズは、レーザ出射面から出射したレーザビームを、ＹＺ面内において平行光線束にする。第１のシリンドリカルレンズを透過した複数のレーザビームが、第２のシリンドリカルレンズに入射する。第２のシリンドリカルレンズは、複数のレーザビームを、Ｘ方向に長い長尺領域に重ね合わせる。第２のシリンドリカルレンズは、Ｘ方向に配列された複数の光学部材を含ム。光学部材の各々は、Ｘ方向に平行な母線からなる柱面と、鏡面研磨されたＸ方向に垂直な端面とを含ム。相互に隣り合う光学部材の端面同士が密着している。 （もっと読む）

【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して不純物を活性化させる半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面に凹凸が形成されることを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３ａを用意し、半導体基板３ａの裏面から活性化層１２、１３を構成するための不純物をイオン注入するイオン注入工程を行う。その後、半導体基板３ａの裏面から、第１レーザ１８ａと、第１レーザ１８ａよりエネルギーが低くされていると共に波長が長くされており、第１レーザ１８ａの照射スポットと少なくとも一部が重なる照射スポットとされた第２レーザ１８ｂとを同時に照射しながら走査し、第１レーザ１８ａによって不純物を活性化させて活性化層１２、１３を形成する活性化工程を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニール工程において、レーザーの異常によりパターン端部にある非晶質シリコン膜の結晶化の状態に異常がある基板が発生した際、この異常を早期に発見し、生産ラインの生産安定性を向上させることが可能な、レーザーアニール方法および装置を提供すること。
【解決手段】相対走査される基板がレーザー照射開始位置にきて、照射を開始した直後のレーザー照射の立ち上がりの状態をモニタリングする機構を有することで、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射処理が行われる処理雰囲気を短時間で安定化するとともに、安定化された処理雰囲気を容易に維持することができるレーザ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体が収容され、該被処理体に対するレーザ照射処理がなされる処理室２と、処理室２内にガスを給気する給気ライン３と、給気ライン３に設けられ、給気ライン３における給気を調整するＭＦＣ６と、処理室２内からガスを排気する排気ライン４と、排気ライン４における小流量排気ライン４ｂに設けられ、排気ライン４における排気を調整する自動調整バルブ７と、処理室２内の圧力を測定するデジタル差圧計５と、デジタル差圧計５の測定結果を受け、該測定結果に基づき、ＭＦＣ６と自動調整バルブ７とを制御して、処理室２内の圧力を調整する制御部１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研削あるいは研磨される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を製造する半導体装置を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、デバイス後工程で薄型化させたシリコン基板の裏面側を精度よくレーザー光照射できデバイス作製面側の温度を抑制させ本発明による加熱方式を適用することにより残留応力を低減させチップ強度の低下を抑制し、デバイス活性層側への重金属の拡散を防止しデバイス特性を維持させることを可能とするシリコン基板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板面内における不純物の活性化率の均一度を高める。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ光源と、半導体基板を保持し、第１の方向と平行な方向に移動させるステージと、レーザ光源を出射したレーザビームを、ステージに保持された半導体基板上に伝搬する伝搬光学系と、ｎを３以上の整数とするとき、ステージに保持された半導体基板上に、第１の方向に沿って見た場合に画定されるｎ個の小領域に対し、レーザ光源を出射したレーザビームを、半導体基板上において第１の方向と平行な方向に走査させながら、ｎ個の小領域のうち、半導体基板の中心が属する小領域には、単位面積当たりに投入するエネルギが第１の値となるように、レーザビームを入射させ、第１の方向と平行な方向に沿って見た場合に、端にある小領域には、単位面積当たりに投入するエネルギが第１の値より小さい第２の値となるように、レーザビームを入射させる制御装置とを有するレーザアニール装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
効率的なアニール処理を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】
実施形態の半導体製造装置は、マイクロ波の照射により成長するグレインを少なくとも一部に有する基板を載置するサセプタと、前記基板に対してマイクロ波を照射する照射部と、前記照射部が照射する前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるように、前記照射部を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）