国際特許分類[H01L21/304]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断 (21,268) | 機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断 (11,020)
国際特許分類[H01L21/304]に分類される特許
11,011 - 11,020 / 11,020
塗布装置
【目的】カップに付着した塗布液を、少量の洗浄液で均一にかつ短時間で効率よく洗浄除去でき、しかも装置の構造を簡素化する。
【構成】洗浄液供給ノズル40から導入口33を通じて洗浄治具30内に洗浄液Lを供給すると共に、スピンチャック20により洗浄治具30を回転する。この回転による遠心力により洗浄液Lは貯留部35に集まり、貯留部35に形成された吐出孔36より外カップ23及び内カップ24に向けて噴射する。
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結晶切断装置
【目的】製品に傷をつけることなく、生産性の高い結晶切断装置の提供。
【構成】マルチワイヤソーのスライスベースに、スリットを設け、結晶切断後そこから洗浄液を出すことにより、ウエハ間の砥粒を完全に排出する結晶切断装置。
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半導体部材及び半導体部材の製造方法
【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。
【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。
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半導体部材及び半導体部材の製造方法
純水製造装置および半導体基板の純水処理方法
半導体ウエーハの洗浄方法
基板の冷却装置
半導体製造装置
半導体ウェーハの露出面を改質する方法
半導体ウェーハの露出面を改質する方法であって、(a)該表面を、多数の研磨剤粒子と結合剤とを所定のパターン形状で含む3次元的に加工された研磨表面を有する固定された研磨物品と接触させるステップと、(b)該ウェーハと該固定された研磨物品とを相対的に移動させて、該ウェーハの前記表面を改質するステップとを含む方法。 (もっと読む)
高分子微小エレメントを含む高分子基材
本発明は半導体デバイスを研磨又は平坦化するような、加工品の表面を変える製品又は研磨パッド(10)に関する。本製品は各高分子微小エレメント(16)が空隙スペース(22)を有する、複数の高分子微小エレメントが含浸された高分子マトリックス(14)を備える。本製品は作業面(18)および作業面に隣接する副表面を有する。本製品が作業環境に接する時、製品の作業面における高分子微小エレメント(16)は副表面に埋め込まれた高分子エレメントよりも硬さが減じる。本製品の作業面は使用の間に研削されるため、パッドの作業面は連続的に再生可能となる。別の好ましい実施例においては、作業面がミニサイズの溝またはマクロサイズの溝、あるいはその双方を備えることができる。 (もっと読む)
11,011 - 11,020 / 11,020
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