国際特許分類[H01L21/336]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程 (13,126) | 電界効果トランジスタ (13,024) | 絶縁ゲートを有するもの (10,315)
国際特許分類[H01L21/336]に分類される特許
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた表示装置、スパッタリングターゲット材
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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化合物半導体装置及びその製造方法
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半導体装置
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炭化珪素半導体装置およびその製造方法
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半導体装置の製造方法
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層選択レーザーアブレーションパターニング
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液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
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ニッケル酸ランタン膜形成用組成物及びその製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、並びに液体噴射装置の製造方法
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