【目的】比較的簡単にＬＤＤ構造で高信頼性のＭＯＳトランジスタを提供する。
【構成】ゲート絶縁膜３の上に多結晶シリコン層４とその上に高融点金属ケイ化物層５を順次形成して二層構造のゲート電極を構成する。このゲート電極において高融点金属ケイ化物層５のゲート寸法が多結晶シリコン層４の寸法よりもチャネル方向に長いひさし構造となっている。このひさし構造を利用して不純物濃度の比較的薄いＮ型ドレイン領域７及びソース領域６と、不純物濃度の比較的濃いＮ型ドレイン領域９及びソース領域８を形成することによりＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタが得られる。
【効果】上記構成とすることにより比較的簡単にＬＤＤ構造で高信頼性のＭＯＳトランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）