【課題】良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。
【解決手段】所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を、エッチング液を用いてエッチングするエッチング方法であって、成膜基板上に前記薄膜を形成し、該薄膜の表面全体を亜鉛及び／又は亜鉛酸化物を構成成分とする炭化物系化合物からなる被膜によって被覆した後エッチング処理を施し、エッチング処理の途中から前記薄膜と前記エッチング液の相対関係を動的状態とすることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチング方法とする。 （もっと読む）

ＩＩ〜ＶＩ半導体をエッチングするための新規なエッチング剤が提供される。エッチング剤は、過マンガン酸カリウム及びリン酸の水溶液を含む。このエッチング溶液は、ＩＩ〜ＶＩ半導体を高速でエッチングすることができるが、ＩＩＩ〜Ｖ半導体との反応性は非常に低い傾向があり得る。提供される剤は、ＩＩ〜ＶＩ半導体のエッチング方法において使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系半導体構造の新たなウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】
ａ）表面が＋Ｃ面のＺｎＯ系半導体構造を準備する工程と、ｂ）ＺｎＯ系半導体構造の表面を、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸との混合溶液でエッチングする工程と、ｃ）工程ｂ）の後に、ＺｎＯ系半導体構造の表面を、塩酸と硝酸の混合溶液でエッチングする工程とを含む方法で半導体構造を加工する。 （もっと読む）

【課題】 素子劣化の少ない高輝度且つ高効率な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）ＺｎＯ基板である第１の基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１の基板上に、ＭｇＺｎＯ／ＺｎＯ中間層を形成する工程と、（ｃ）前記ＭｇＺｎＯ／ＺｎＯ中間層上に、ＺｎＯ系化合物半導体素子を形成する工程と、（ｄ）前記ＭｇＺｎＯ／ＺｎＯ中間層をサイドエッチングすることにより、前記第１の基板と前記ＺｎＯ系化合物半導体素子とを分離する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、太陽光発電モジュールにおいて相互接続部を形成する方法を提供する。一態様によれば、本発明の方法は、従来の集積回路製造に行われたものと同様の処理ステップを含む。例えば、前記方法は、マスキングとエッチングをして、セルの間にアイソレーション溝を形成するステップと、追加エッチングして、セルの間に相互接続部を形成するために使用し得る溝に隣接した導電性段差を形成するステップとを含むのがよい。他の態様によれば、導電性段差を形成するための方法は、例えば、モジュールの上にミラーを位置決めして、フォトレジストを基板の下からある角度で一回以上露光し、エッチングして、導電性段差を露光することにより、自己整合させることができる。他の態様によれば、プロセスは、モジュールにおいてグリッド線を形成して、構造における電流輸送を改善する段差を含むことができる。
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【課題】水熱合成法で得られたＺｎＯ基板の表面を平坦化し、かつＬｉ濃度を低下させることができるＺｎＯ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で形成したＺｎＯからなる基板から、熱処理温度９００℃以上、かつ熱処理時間１００分以上の条件、熱処理温度１０００℃以上、かつ熱処理時間５０分以上の条件、または熱処理温度１１００℃以上、かつ熱処理時間３０分以上の条件で熱処理を行うことにより、不純物であるＬｉを除去する。不純物であるＬｉが除去された基板の表層部を、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムとエチレンジアミンとの混合液を用いてエッチングし、平坦化する。 （もっと読む）