【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のＭＯＣＶＤ装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器１２は材料ガス供給室２３，２４と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器２１と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口２５，２６を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口３１，３２を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口３１，３２から材料ガス流入開口２６，２６への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）

基板を用意する工程、該基板に、オルガノシロキサン化合物を含むフォトパターン化可能な堆積阻害材料を適用する工程、そして該堆積阻害材料をパターン化する工程を含むパターン化薄膜を形成する原子層堆積法。該薄膜は該堆積阻害材料を有さない該選択された基板領域内だけに実質的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。
【解決手段】処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。種々の型のガス供給源をシャワーヘッド電極と流体的に通じさせ、所望のプラズマを形成するガス状混合体を供給することができる。ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。予め選択されたガス状混合体は、表面プライム処理及び底反射防止被膜（ＢＡＲＣ）堆積のような異なる半導体ウェーハ処理動作のために処方することができる。 （もっと読む）