【目的】複雑で大ききシールドケースを不要とし、また、半導体素子の放熱が良好な直接伝導形式の構造とし、更に、回路モジュール単位で交換可能な構造とする。
【構成】内部に半導体素子４を収容する回路モジュール１と、母基板１０とから回路を構成し、回路モジュール１は２層の接地導体層１２とその間に挟まれた中心導体層１１を有し、一面に中心導体につながる中心導体電極と、その近傍に接地電極が配設され、他面に熱拡散板３が接合され、母基板１０は２層の接地導体層１２とその間に挟まれた中心導体層１１を有し、一面に中心導体電極と接地電極が配設され、回路モジュール１と母基板１０とは、互いの電極が相対し直結するように接合することで接続される構造とし、熱拡散板３と放熱板２０の間に熱伝導性エラストマ２１を挟み込み、熱拡散板３と熱伝導性エラストマ２１が密着するようにバネ４０により母基板１０に圧力を加える。 （もっと読む）

【目的】 シート厚み方向への放熱特性（熱伝導性）がよい放熱シートを提供することを目的としている。
【構成】 熱伝導性織布２単独、或いは前記熱伝導性織布２上に、必要に応じて電気絶縁性の部位を設ける事により、圧縮応力の吸収、電気端子との絶縁を達成させながら、シート厚み方向への放熱特性（熱伝導性）をよくすることができる。 （もっと読む）

【目的】 大電力半導体素子等の発熱の大きい半導体を搭載する半導体装置で、半導体の発熱を簡単な構造で効率よく逃がすことができる安価な装置を得る。
【構成】 セラミック絶縁体１の片面に、半導体素子３を搭載するための回路導体２Ａ，２Ｂ，２Ｃが積層して接合される。また、これとは反対側のセラミック絶縁体の片面に、裏面部材２ａ，２ｂが積層して接合される。これら回路導体と裏面部材の少なくとも一方を、内部に液体を流すことができる水路２０を有する積層型構造体によって構成する。この積層型構造体は、銅部材およびモリブデンもしくはタングステンを主成分とする合金拘束部材によって構成される。 （もっと読む）

【目的】 リードピン支持板１２，１３の剥離が生じにくく、かつ光半導体素子の熱を効率良く外部に逃し得る光半導体素子収納用パッケージを提供する。
【構成】 光半導体素子収納用パッケージ１は、表面に光半導体素子１７を固定する底体３（載置板）と、底体３の裏面に固定されたリードピン支持板１２，１３（絶縁基板）とを備えている。底体３は、高熱伝導性であり、かつ熱膨張率がリードピン支持板１２，１３の熱膨張率に実質的に等しくなるように積層された複数種の金属層（表面銅層５，裏面銅層６及びインバー合金層７）からなる。 （もっと読む）

高性能集積回路の高電力密度に対処するため、集積回路パッケージは、熱が１またはそれ以上のダイの表面からダイアモンド、ダイアモンド複合材またはグラファイトにより形成された高容量熱インターフェイスを介して集積型ヒートスプレッダー（ＩＨＳ）へ放熱される放熱構造を有する。１つの実施例では、ダイアモンド層をＩＨＳ上に成長させる。別の実施例では、ダイアモンド層を別個に成長させた後、ＩＨＳに固着する。製造方法と共にパッケージを電子組立体及び電子システムへ使用する方法も記載されている。 （もっと読む）

少なくとも１個のヒート・パイプとそれと熱連絡する成形ヒート・シンクとを含む熱管理デバイスであって、前記ヒート・シンクが約５Ｗ／ｍＫより大きい熱伝導率を有する充填剤入り樹脂組成物を含み、前記組成物が充填剤と樹脂との合計重量に基いて１０〜８０重量％の熱伝導性充填剤と約９０〜約２０重量％の樹脂とを含む前記デバイス。 （もっと読む）

露出面を有する裸のシリコンチップを搭載した回路板のための熱散逸設備を作成するための方法が開示される。熱分散体は平坦部分を有し、その内面（回路板に面する）上に１つもしくはそれ以上のジェル組成物からなるパッドがつけられる。パッドは、熱分散体が回路板に取り付けられ、チップの露出面を完全にカバーしたときに、裸のシリコンパッドの向かい側に位置決めされる。ジェル組成物は粘着強さよりも大きい凝集強さ、１．３８Ｍｐａよりも小さい圧縮係数、１．０Ｗ／ｍ−℃よりも大きい熱伝導率、および０．０８ｍｍと１．０ｍｍとの間の厚みを有する。ジェル物質の低圧縮係数は、機械的ストレスのチップへの伝達からチップを保護する。 （もっと読む）

ヒートシンク装置（１０）は、グラファイト材料からなる長短シート（１４）、（１６）が交互にサンドイッチ上に配置されてなり、長シート（１４）が短シート（１６）よりも長く伸びてフィンを形成してなる。異方性グラファイト材料の熱伝導率の高い方向は、シートの平面方向に配向している。長（１４）短（１６）シートの基底末端（１８）は、それら基底末端（１８）が全体的に平坦な基底表面（２０）を形成するように互いに整列して、前記ヒートシンク装置により冷却される電子装置（１２）と前記基底表面（２０）とが係合してなる。 （もっと読む）