【目的】 誘導負荷駆動時に誤作動を生じず、かつコンパクトな形状で充分な出力電流が得られる。
【構成】 半導体基板３内に基板の一面に開放する箱形に絶縁層４を形成して、該箱形絶縁層に囲まれた半導体層内に横型二重拡散ＭＯＳ電界効果トランジスタ２Ａ，２Ｂを形成するとともに、上記箱形絶縁層外の半導体層内に縦型二重拡散ＭＯＳ電界効果トランジスタ１Ａ，１Ｂを形成してある。誘導負荷駆動時の逆起電力により出力１，２端子の電位がアース電位を下回っても、素子分離を絶縁層によって行っているから寄生トランジスタは生じておらず、これが導通して誤作動する問題は生じない。縦型二重拡散ＭＯＳ電界効果トランジスタはＯＮ抵抗が小さいから、その形成面積を小さくしても充分な出力電流が得られる。 （もっと読む）