【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体／非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、ＴＭＲ素子では、スピン分極率が１００％近いと予想されているハ−フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々１０数％程度のＭＲしか報告されていない。
【解決手段】 少なくとも１種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Ａと磁化方向が略揃った磁化領域Ｂと、前記磁化領域Ａと前記磁化領域Ｂに挟まれた磁化接合領域Ｍがあり、前記磁化領域Ａの少なくとも一部、または前記磁化領域Ｂの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ−に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Ｍまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Ｂの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型酸化物を用いて良好なトンネル接合を実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果型素子を提供する。
【解決手段】 式L₂(A_1-zR_z)₂A_n-1M_nO_3n+3+xにより表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)₂層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、この酸化物を挟むようにこれに接して形成された一対の強磁性体と、を含む磁気抵抗効果型素子とする。ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも１種の元素を、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも１種の元素を、MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも１種の元素を、Rは希土類元素をそれぞれ示し、nは１、２または３であり、x、zは、それぞれ、−１≦x≦１、０≦z＜１により示される範囲内の数値である。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板（１１）の主表面上に、順に積層された第１の反強磁性膜（１５））、第１の強磁性膜（１６）、非磁性膜（１７）および第２の強磁性膜（１８）を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第２の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚（ｔ_２）を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第２の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜（３７）と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極（２１）と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 微小磁界動作が可能で比較的大きなＭＲ比を示す高感度磁気抵抗素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。半導体を用いない非破壊読み出しが可能な不揮発性のメモリー素子および増幅素子を提供する。
【解決手段】 基板と、その基板の上に形成された多層構造であって、硬質磁性膜と、軟磁性膜と、その硬質磁性膜とその軟磁性膜とを分離する非磁性金属膜とを含む多層構造とを有する磁気抵抗効果素子であって、その硬質磁性膜の磁化曲線は良好な角型性を有しており、その硬質磁性膜の磁化容易軸方向は検知すべき磁界の方向と実質的に一致する磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）