【課題】高性能、高品質のチャ領域を構成することができるＺｎＯ系トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｍｇ_ＺＺｎＯ基板１上に、Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３が積層されている。Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。４はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極４上にはゲート電極５が、ドナードープ部３ａ上には各々ソース電極６、ドレイン電極７が形成されている。このように、トランジスタのチャネル領域をＭｇＺｎＯ層で形成する。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体接合およびそのような接合を製造する方法が開示される。該接合は、第一のドープされた半導体層が第一の極性を有し、該第一の層が融合した半導体ナノ粒子を含むように、ドナーまたはアクセプターをドープされた、基材の上の第一の多結晶性半導体層；および、該半導体接合を形成するように、該第一の半導体層と接触する、基材の上の第二の層、を含む。 （もっと読む）

【課題】超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。これにより、常温で所定の領域にＺｎＯナノワイヤを形成できる。 （もっと読む）

架橋された、コア抜きされたデンドリマー内の金属カルコゲニドなどの半導体粒子の複合体粒子が記載されている。さらに、複合体粒子および、複合体粒子を含有する組成物の製造方法が記載されている。
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