【課題】半導体デバイスにおいて耐圧を高めること。
【解決手段】n型のシリコン基板１と、シリコン基板１の表層に形成されたp型のベース領域２と、ベース領域２の上方に形成され、シリコンよりもバンドギャップが広い半導体材料を含むn型のコレクタ層７ａとを有する半導体デバイスによる。 （もっと読む）

【解決手段】少なくとも2つの半導体の合金を含む合金化された半導体量子ドット（この
量子ドットは、均質な組成を有しかつ少なくとも2つの半導体のモル比に非線形に関連す
るバンドギャップエネルギーによって特徴付けられる）;それに関連する合金化された半
導体量子ドットのシリーズ;第1の半導体および第2の半導体の合金を含む濃度勾配量子ド
ット（第1の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に増大し、
第2の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に減少する）;それに関連する濃度勾配量子ドットのシリーズ;in vitroおよびin vivoでの使用方法;ならび
に合金化された半導体量子ドットおよび濃度勾配量子ドットならびにそれらに関連する量子ドットのシリーズを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】積層ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）は、基板と、基板上に成長する第１の酸化物半導体層と、第１の半導体層上に成長し、第１の半導体層とエネルギー・バンドギャップが異なる第２の酸化物半導体層と、を備え、また、前記第２の層は、ゲート領域と、ドレイン領域と、ソース領域と、を有し、ゲート領域、ドレイン領域、及びソース領域に対しては、ＨＦＥＴを形成するのに十分な電気的接触がもたらされる。基板は、単結晶材料を含む材料とすることができ、また、第１の半導体層がその上に成長するバッファ層材料を含有することができる。第１及び第２の半導体層の導電型ならびに各酸化物半導体層の組成は、ＨＦＥＴの所望の動作性能特性が改善されるように選択することができる。この積層構造は、半導体ＨＦＥＴデバイスの機能ならびに高周波及び高電力性能の改善に応用することができる。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、コロイド溶液においてインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子を成長させ;該インサイチュでドープされた半導体 ナノ粒子を表面に付着させ;および該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子の表面から有機配位子がボイルオフするように、該付着したインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子をアニーリングすること、を含んでなる、方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＨＥＭＴ構造に適した“大きなバンドギャップの半導体／小さなバンドギャップの半導体／基板”構造で、２次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｚｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎＯ層及びＺｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（０．１５≦ｘ≦０．４５）層のヘテロ接合を有し、Ｚｎ極性（０００１）面を有するアンドープＺｎＯ層の２次元電子ガス層をチャンネル層とすることを特徴とする高電子移動度ＺｎＯデバイスである。 （もっと読む）

本発明は、概して光起電装置若しくは太陽電池の分野に関する。より詳細には、本発明は、異なるサイズ及び組成のナノ粒子を含む光活性ナノ粒子に接続された金属酸化物ナノ構造体を用いて作製された光起電装置に関する。
（もっと読む）

【課題】通常の気体または液体センサの動作環境に耐えることができる半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスは、基板１２上に、第１の半導体酸化物材料層１４と、前記第１の半導体酸化物材料層上に形成された第２の半導体酸化物材料層１６であって、二次元電子ガスが前記第１および第２の材料間の界面に生成されるように形成された第２の半導体酸化物材料層１６と、外面上の保護層１８と、を含む構造を有し、さらに、ソース接点２０とドレイン接点２２とを含む。 （もっと読む）