【課題】電流コラプス現象を抑制し、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、導電性の基板２と、基板２の一方の主面２ａに形成されるとともに２次元電子ガス層１２ａを含む化合物半導体部３と、化合物半導体部３の表面３ａの第１の部分５１Ａに形成されたソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極６と、化合物半導体部３の表面３ａの第２の部分５１Ｂに形成された補助電極７と、ソース電極４と補助電極７とを電気的に接続する接続導体８とを備えている。化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極との接触抵抗が小さく、かつボイド等の発生がないように埋め込まれた銅のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極にコンタクトプラグが接続された半導体装置において、金属シリサイド層の電極を含む半導体素子と、半導体素子を覆うように形成された層間絶縁層と、層間絶縁層に、金属シリサイド層の表面が露出するように設けられたコンタクトホールと、コンタクトホールの内壁を覆うように形成されたバリアメタル層であって、層間絶縁層と接する領域がチタン層からなるバリアメタル層と、バリアメタル層上に形成されたルテニウムを含むシード層と、シード層上にコンタクトホールを埋め込むように形成された銅プラグ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】高電圧動作するＧａＮベースの高出力化合物半導体装置を提供する
【解決手段】化合物半導体装置は、ソース領域およびドレイン領域の間にチャネル領域を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層と、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、前記チャネル領域を覆って形成された、金属酸化物成分を含む第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域において前記ゲート絶縁膜を露出する開口部を有する第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に、前記第２のゲート絶縁膜の表面を覆って形成され、前記開口部において前記第１のゲート絶縁膜に接するゲート電極と、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上、前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれオーミック接触して形成されたソースおよびドレイン電極と、よりなる。 （もっと読む）

【課題】空乏層を用いて電流の流れを制御する半導体装置において、当該半導体装置の抵抗値の温度依存性を小さくすること。
【解決手段】ＪＦＥＴ１０は、空乏層を用いて電流の流れが制御される領域であるチャネル領域の厚みであるチャネル厚ｔ_ｃｈが、チャネル領域を構成する材料であるＳｉＣの誘電率ε_ｓ、素電荷ｑ、チャネル領域の不純物濃度であるｎ型ＳｉＣ層１７の不純物濃度Ｎ_ｃｈ、ｐ^＋イオン注入領域２１ｂの不純物濃度Ｎ_ｇ、ＪＦＥＴ１０の動作時におけるチャネル領域の温度Ｔ、ｐｎ接合のビルトインポテンシャルφ_ｂｉ（Ｔ）、基準温度Ｔ_ｒｅｆ、チャネル領域のキャリアの移動度に関する温度係数α_ｃｈ、チャネル領域の抵抗に関する温度係数α、ドレイン電極３１に印加される電圧をＶ_ｄ、０．８未満の任意の数値をｋ、としたときにＴ_ｒｅｆ＜Ｔかつｔ_{ｃｈ−ｍｉｎ}≦ｔ_ｃｈ≦ｔ_{ｃｈ−ｍａｘ}を満足する。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、改良した移動特性を有する電気デバイスおよび電気デバイスの移動特性を調整する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】 本発明の一態様によると、並列または直列に接続された少なくとも２つのトランジスタセグメント、または、少なくとも２つのトランジスタを含む電気デバイスを提供するものであって、少なくとも２つのトランジスタセグメント、または、少なくとも２つのトランジスタは異なったトポロジーおよび異なった材料特性の少なくとも１つのために、異なってはいるものの、単一の移動特性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体からなるキャリア走行層３を有する半導体層１０と、半導体層１０の主面１００上に配置され、キャリア走行層３を流れる主電流の電流経路の端部である第１の主電極２１及び第２の主電極２２と、第１の主電極２１及び第２の主電極２２を囲むように主面１００上に配置され、主面１００直下及びその近傍の半導体層１０内の電荷を制御する外周電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン上へ強磁性相を積層化したスピンエレクトロニクスデバイスを作製するにあたり、強磁性元素の鉄(Fe)から構成されるFe₃Si化合物をシリコン系半導体基板上へ結晶成長させる。
【解決手段】この際Fe₃Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe₃Si磁性相を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数が増加するのを抑制しながら、第１素子のゲート電極および第２素子の電極部のそれぞれの側面を覆うサイドウォール絶縁膜の幅を異ならせることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１００の製造方法は、シリコン基板１１の領域Ｂ上にゲート電極２８を形成する工程と、シリコン基板１１の領域Ａにスペーサ絶縁膜４２を、ゲート電極２８の側面および領域Ａを覆うように形成することにより、領域Ａを覆う保護膜と、ゲート電極２８の側面を覆う絶縁膜４２ａを形成する工程と、その後、領域Ａ上にエミッタ電極２５を形成する工程と、ゲート電極２８およびエミッタ電極２５を覆うようにシリコン酸化膜４９を形成する工程と、スペーサ絶縁膜４２およびシリコン酸化膜４９をエッチングすることにより、絶縁膜４２ａを覆う絶縁膜３０ａを形成するとともに、エミッタ電極２５の側面を覆うサイドウォール絶縁膜２６を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高性能化を実現でき、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る薄膜トランジスタは、ゲート電極７と、ゲート電極７の下にゲート絶縁膜６を介して形成されたチャネル領域４ｃ、このチャネル領域４ｃを挟むソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを有する半導体層４と、ソース領域４ａ直上に形成されたソース側−導電薄膜５ａ、ドレイン領域４ｃ直上に形成されたドレイン側−導電薄膜５ｂを有する導電薄膜５とを備え、導電薄膜５のうちの少なくともドレイン側−導電薄膜５ｂは、チャネル領域４ｂ直上まで延在されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、大きな電流を供給できる有機接合型トランジスタを提供する。
【解決手段】対向する第１の電極と第２の電極とに接するように配置された有機分子を含む半導体薄膜をもち、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれない位置に配置された第３の電極が前記半導体薄膜に接触する構造のトランジスタであって、前記第１の電極、前記第２の電極および前記第３の電極の導電帯準位が前記半導体薄膜のＬＵＭＯ準位よりＨＯＭＯ準位に近い有機接合型トランジスタ。 （もっと読む）