国際特許分類［H01L29/45］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００，５１／０５が優先；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００ (54,759) | 電極 (8,931) | 構成材料に特徴のあるもの (3,446) | オーミック電極 (2)
国際特許分類［H01L29/45］に分類される特許
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金属及びシリコンの交互層を含むコンタクト構造体並びに関連デバイスの形成方法
半導体デバイスを形成する方法であって、この方法は、半導体層を準備するステップと、半導体層上に第１の金属の第１の層を準備するステップとを含む。第１の金属の第１の層上に第２の層を準備することができる。第２の層は、シリコン層及び第２の金属の層を含むことができ、第１の金属及び第２の金属は異なり得る。第１の金属はチタンとすることができ、第２の金属はニッケルとすることができる。関連するデバイス、構造体、及び他の方法もまた説明される。 （もっと読む）
耐火ゲート金属を有する高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）
ゲート金属スタックが、ＨＥＭＴ構造内のゲート金属スタックとショットキー障壁層との間の接合部に、モリブデン（Ｍｏ）または白金（Ｐｔ）など耐火金属の追加の薄層を含むＩｎＰ高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）構造。耐火金属層は、ゲート金属と障壁層との間のショットキー接合の長期劣化を減少し、またはなくし、それにより、ディスクリートデバイスとして使用されるにせよ、集積回路内で使用されるにせよ、ＩｎＰ ＨＥＭＴの長期信頼性を劇的に改善し、しかしＨＥＭＴ性能を犠牲にしない。 
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