【課題】光の信号より早い素子を持ったＵＬＳＩを造る
【解決手段】素粒子または原子を過去に戻した時を１として戻さなかった時の間隔を０とする２進法を利用した素子でＵＬＳＩを造る。 （もっと読む）

本発明は、従来技術で見出された制限に対処するものである。第一に、本発明は、大きなデコヒーレンス源を生じさせることなくキュビットの状態を読み取るための、拡張性のある読み取り機構を提供する。第二に、本発明は、制御可能な方法でキュビットの状態をもつれさせるためのシステム及び方法を提供する。
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【課題】 回路規模が小さく偏りが少ない乱数発生素子を提供することを目的とする。乱数を発生させる速度が極めて速い乱数発生素子を提供する。
【解決手段】 並列に配置された一対の第１の電流路１及び第２の電流路２と、第１の電流路１及び第２の電流路２の近傍に配置され、相互に電荷が移動可能な一対の第１の微粒子３及び第２の微粒子４とを具備する乱数発生素子。 （もっと読む）

【課題】 ＳＥＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ）素子の製作方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 現在の半導体微細加工技術の延長では作製が困難な、単一電子素子などの微少電荷制御素子の動作部等に使用される微小電極接合部を高精度に作製すること。
【解決手段】 有機化合物で表面を被覆した金属微粒子の水溶液８で満たされた容器７の中に絶縁膜１、ソース電極２、ドレイン電極３、ゲート電極４からなる素子５を入れ、上部に白金の対電極６を配置する。 （もっと読む）

【課題】構造および特性を制御した単一電子トンネル素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】微粒子間距離が５ｎｍ以下で近接した金属あるいは半導体からなる微粒子５を、電気絶縁性薄膜４中に分散することで形成される多重トンネル接合６を有する単一電子トンネル素子。この多重トンネル接合６はスパッタリング法などで、電気絶縁性物質と金属あるいは半導体微粒子とを交互に、あるいは同時に堆積させることにより製造される。 （もっと読む）

【目的】 入力変動に対する安定出力を得ること。
【構成】 それぞれ単電子トンネル接合を有するインピーダンス素子１，２を直列接続したチャネル形成回路を有する。各インピーダンス素子１，２のトンネル抵抗をＲ₁ ，Ｒ₂ 、接合キャパシタをＣ₁ ，Ｃ₂ としたとき、Ｒ₁ ＞Ｒ₂ ，Ｃ₁≧Ｃ₂ 、又はＲ₁ ＜Ｒ₂ ，Ｃ₁ ≦Ｃ₂ を満たすようにする。これにより、アイランド部４への蓄積電荷が入力電圧に対し、ｅのほぼ整数倍に量子化され、電流電圧特性がクーロン・ステアケイスを示し、方形波状のクーロン振動特性が得られ、一定の入力電圧幅に対し一定の出力電流値が得られるようになり、各入力論理レベルに対応する電圧値のマージンを広げることが可能となる。
【効果】 入力変動に対して安定した出力が得られる。 （もっと読む）