国際特許分類[H01L31/02]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部 (20,572) | 細部 (1,946)
国際特許分類[H01L31/02]の下位に属する分類
容器;封緘
被覆
電極
装置と結合した光学素子または光学装置 (832)
特別の表面構造
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
国際特許分類[H01L31/02]に分類される特許
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光半導体装置の封止方法
【構成】 本発明は、光半導体を固定した金属フレームを、界面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる後に酸無水物系硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物で封止することを特徴とする光半導体装置の封止方法である。
【効果】 本発明の光半導体装置の封止方法によれば、光半導体は封止樹脂の応力の影響を受けることがなく、図1の実線に示されるように、輝度劣化が少ない光半導体装置を得ることができた。
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半導体光検出装置
【目的】高感度,低雑音の半導体光検出装置を提供する。
【構成】この半導体光検出装置は、大面積のフォトダイオードの光検出領域を3×3で分割した例である。この半導体光検出装置は、基板102のこの受光領域10上に、MOS構造にて、電極11〜33と、受光領域10の外側にはトランスファーゲート用電極41〜43とを備える。また、移送用電極51〜53が水平レジスタを構成するように配置され、出力ゲート用電極61,n型領域71,リセットゲ−ト電極81,n型領域のリセットドレイン91,フローティングディフュージョンアンプ171及びその負荷抵抗RL が設けられている。制御回路100は各電極に電圧を印加するものである。
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固体撮像装置およびビデオカメラ
集積回路デバイス
集積回路ダイ(322)を含む一体状にパッケージ実装された光電子工学的集積回路デバイス(310)であって、前記ダイは、放射エミッタと放射レシーバの少なくとも一方を含み、かつ、電気絶縁性の物理的保護材料で形成された上部表面と下部表面とを有し、この上部表面と下部表面との少なくとも一方(317)は放射に対して透過性であり、電気絶縁性の端縁表面(314)がパッドを有する。 (もっと読む)
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