説明

国際特許分類[H01L31/16]の内容

国際特許分類[H01L31/16]の下位に属する分類

光源および放射に感応する装置すべてが少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のある半導体装置であるもの

国際特許分類[H01L31/16]に分類される特許

1 - 7 / 7


【課題】測距対象物までの距離に比例する出力が正確に得られる位置検出誤差の少ない位置検出用受光素子を提供する。
【解決手段】N型基板1と、N型基板1表面に形成されたP型抵抗層8と、P型抵抗層8の両端側にそれぞれ接続された2つの第1アノ−ド電極4と第2アノ−ド電極5とを備える。N型基板1とP型抵抗層8とから受光部9を構成し、受光部9に入射する入射光位置に応じた光電流が第1アノ−ド電極4と第2アノ−ド電極5から出力される。P型抵抗層8は、第2アノ−ド電極5から第1アノ−ド電極4に向かって不純物濃度が高くなるよう配置された5個の異なる不純物濃度の抵抗部8a〜8eからなり、抵抗部8a〜8eの隣り合う境界部分は、不純物濃度の高い側の抵抗部の不純物濃度以下で、かつ、不純物濃度の低い側の抵抗部の不純物濃度以上である。 (もっと読む)


一態様では、本発明は、伸張され、圧縮され、曲げられ、又は別の方法で変形されたとき良好な性能を提供することができる半導体及び電子回路のような伸縮性で随意に印刷可能なコンポーネント、及びそのような伸縮性のコンポーネントを作る、又は調整する関連した方法を提供する。いくつかの応用に好ましい伸縮性半導体及び電子回路は、伸縮性であることに加えて、可撓性であるので、1つ又は複数の軸に沿ったかなりの伸張、屈曲、曲げ、又は他の変形が可能である。さらに、本発明の伸縮性半導体及び電子回路は、広い範囲のデバイス形態に適応して、十分に可撓性のある電子及び光電子デバイスを可能にする。 (もっと読む)


【課題】 位置出力のS/N比の向上および製造工程の簡易化を図ることが可能な受光素子ならびにそれを備えたセンサおよび電子機器を提供する。
【解決手段】 受光素子は、行列状に配置され、各々が、入射した光を電気信号に変換し、極性の異なるアノード電極およびカソード電極8を有する複数個の受光セルPDと、出力端子4〜7と、それぞれ、一端が受光セルPDの行列100の第1列、最終列、第1行および最終行に対応する受光セルPDのアノード電極に接続され、他端が出力端子4〜7に接続される複数個の抵抗を含む抵抗部3a〜3dと、行列100において、隣接する受光セルPDのアノード電極同士を接続する複数個の抵抗を含む抵抗部3eとを備え、行列100において各受光セルPDのカソード電極8が共通の電位に接続される。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードに入射する光の受光量と、そのフォトダイオードの受光面上の光スポットの位置とを得ることができ、その受光量と光スポットの位置に基づいて精度の高い測距センサを実現できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面抵抗を利用することにより受光面上の光スポットの位置に応じて一対の出力電流Ia,Ibの比が変動するPSD101を備える。上記PSD101から出力された一対の出力電流Ia,Ibに基づいて、加算回路104よりPSD101の受光量を表すPD信号を外部に出力する。また、PSD101から出力された一対の出力電流Ia,Ibに基づいて、除算回路105によりPSD101の受光面上の光スポットの位置を表すPSD信号を外部に出力する。 (もっと読む)


【課題】 小型化および薄型化が可能でかつ入射光の方向を正確に検出することができる方向検出素子を提供することである。
【解決手段】 基板上の4つのPINフォトダイオード上に4つの矩形のコンタクトパッド201〜204が配置されている。コンタクトパッド201〜204間には基準点Pを中心として互いに90度の角度をなして放射状に延びる壁部301〜304が設けられ、壁部301〜304上には光吸収体8が設けられる。壁部301〜304の一方の側辺に沿って凹部10が形成され、他方の側辺および端部の周囲の辺に沿って溝11が形成される。壁部301〜304に隣接するようにPINフォトダイオードの矩形の受光領域101〜104が形成される。壁部301〜304が湾曲することにより壁部301〜304が垂直に起立する。壁部301〜304に照射された光が光吸収体8により吸収され反射しない。 (もっと読む)



【目的】 より高い精度の位置検出器を提供する。
【構成】 このPSDは、p型基板101上に高抵抗n領域Gを有し、p型基板101,高抵抗n領域G及びこれらの接合面で光検出領域が形成されている。高抵抗n領域Gの左右には、高抵抗n領域SL,SR,OGL,OGR,低抵抗n領域LO,RO,高抵抗n領域RSL,RSR,低抵抗n領域RDL,RDRが順に形成されている。これらの半導体領域の上には、ポリシリコンの電極111〜114,122〜124がMOS構造で設けられ、また、低抵抗n領域LO,ROには、増幅回路115,125が接続されている。電極111,112,114,122,124には、図示せぬ制御回路から制御電圧が与えられ、電極113,123には一定の電圧が印加されている。 (もっと読む)


1 - 7 / 7