【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】このＬＥＤチップ（窒化物系半導体発光ダイオード）３０は、（０００−１）面からなる結晶成長面１２ａと、結晶成長面１２ａと対向する領域に（１１−２２）面からなる結晶成長面１２ｂとを含む発光素子層１２と、発光素子層１２に接合層３３を介して接合される支持基板３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】同じ組み合わせのドナー性不純物及びアクセプタ性不純物であっても、光の波長域を変化させたり、波長域を拡げることのできる発光ダイオード素子及びその製造方法並びに単結晶ＳｉＣ材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー性不純物及びアクセプタ性不純物が添加された単結晶ＳｉＣからなり、ポーラス状態が連続的に変化するポーラス領域２４を含み、半導体発光部の光により励起されるとドナー・アクセプタ・ペア発光により可視光を発するＳｉＣ部２と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】高出力化が容易となる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側引き出し電極と、ｎ側引き出し電極と、樹脂と、蛍光体層と、蛍光反射膜とを備えた。ｐ側引き出し電極は、ｐ側金属配線層とｐ側金属配線層上に設けられたｐ側金属ピラーとを有する。ｎ側引き出し電極は、ｎ側金属配線層とｎ側金属配線層上に設けられたｎ側金属ピラーとを有する。ｎ側金属配線層とｎ側金属ピラーとが接触する面積は、ｎ側金属配線層とｎ側電極とが接触する面積より大である。蛍光反射膜は、半導体層の第１の面と蛍光体層との間に設けられた。 （もっと読む）

電気的にポンピングされるオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の少なくとも一つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクス半導体チップが、ＩｎＧａＮを含有しているか、又は、ＩｎＧａＮから構成されている、少なくとも二つのビーム活性量子井戸（２）と、ＡｌＧａＮを含有しているか、又は、ＡｌＧａＮから構成されている、少なくとも二つのカバー層（４）とを有している。カバー層（４）はそれぞれ、ビーム活性量子井戸（２）のうちの一つに対応付けられており、また、カバー層（４）はビーム活性量子井戸（２）のｐ側にそれぞれ設けられている。ビーム活性量子井戸（２）と、対応付けられているカバー層（４）との間隔は最大で１．５ｎｍである。
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