【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体積層体１５は、第１導電型の第１半導体層１２と、半導体発光層１３と、第２導電型の第２半導体層１４がこの順に積層されている。半導体積層体１５は、第２半導体層１４および半導体発光層１３を貫通して第１半導体層１２に到る複数の柱状のトレンチ１６を有している。複数の柱状のトレンチ１６は、周期的に配列されている。半導体発光層１３から放射される光に対して透光性を有する絶縁膜２０が、トレンチ１６内に埋め込まれている。第１電極１８は、第１半導体層１２に電気的に接続されている。第２電極１９は、第２半導体層１４の上面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】このＬＥＤチップ（窒化物系半導体発光ダイオード）３０は、（０００−１）面からなる結晶成長面１２ａと、結晶成長面１２ａと対向する領域に（１１−２２）面からなる結晶成長面１２ｂとを含む発光素子層１２と、発光素子層１２に接合層３３を介して接合される支持基板３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子１１と受光素子１２とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子１１から放出された光を微細な棒状受光素子１２で受光することによって、微細な棒状受光素子１２の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子１１と微細な棒状受光素子１２との対を非常に微細にして、電子デバイス１０を非常に微細化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部１０４を基板１０１上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部１０４が、第１導電型の半導体１０７と、第２導電型の半導体１０８とを有するようにする。発光部１０４の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体１０６を、各発光部１０４の側壁に接触するように配置する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の欠陥キャビティが配列されたフォトニック結晶を用いた場合でも、モードの共振周波数の分布を抑え、発光高度の増強を高効率で行うことが可能となる発光素子を提供する。
【解決手段】活性層と、周期的な屈折率分布中に該周期的な屈折率分布を乱す欠陥部分が導入されて構成されたフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層の平均屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド層と、を有し、
前記フォトニック結晶層の欠陥部分を欠陥キャビティとして利用する発光素子であって、
前記フォトニック結晶層は、前記欠陥キャビティが複数配列された構成を備え、
前記複数配列された欠陥キャビティは、それぞれの欠陥キャビティが長さの異なる長手軸と短手軸とを有し、隣り合う欠陥キャビティの間で前記長手軸が異なる方向を向いた構成とされている。 （もっと読む）