国際特許分類［H01L33/32］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部［２，８，２０１０．０１］ (19,444) | 半導体素子本体に特徴のあるもの (1,835) | 発光領域の材料 (969) | ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの (893) | 窒素を含むもの (783)
国際特許分類［H01L33/32］に分類される特許
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ＩＩＩ族窒化物テンプレート、ならびにそれを構成するための関連するヘテロ構造、デバイスおよび方法
テンプレート化基板は、ベース層と、ベース層上に配置されており、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有している、テンプレート層とを含む。テンプレート層は、ベース層上にある連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを含み、ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を含む。上記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、およびＬｉＧａＯ２から成る群より選択される材料を含み得る。 
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発光素子及びその製造方法
本発明の発光素子は第2電極層と、前記第2電極層上に第2導電型半導体層と、前記第2導電型半導体層の酸化物を含む電流遮断層と、前記第2導電型半導体層上に活性層と、前記活性層上に第1導電型半導体層と、及び前記第1導電型半導体層上に第1電極層と、を含む。 
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発光素子及びその製造方法
本発明は発光素子及びその製造方法に関する。
本発明の発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層上に発光層と、前記発光層上に保護層と、前記保護層上にナノ層と、前記ナノ層上に第２導電型半導体層と、を含む。 
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