(A)ジフェニルシロキサン単位が5モル％以下であり、少なくとも20モル％がフェニル基であり、少なくとも2個のアルケニル基を有するメチルフェニルアルケニルポリシロキサン、(B)ジフェニルシロキサン単位が5モル％以下であり、少なくとも20モル％がフェニル基であり、少なくとも2個のSi結合水素原子を有するメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサンおよび(C)ヒドロシリル化反応触媒からなる、ヒドロシリル化反応硬化性オルガノポリシロキサン組成物。該組成物からなる光半導体素子封止剤。該光半導体素子封止剤により封止された光半導体装置。
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ＬＥＤと共用するためのＬＥＤ蛍光体の堆積法。ある態様においては、カプセル封止を形成するための方法が提供される。本方法は、カプセル封止の幾何学的形状を決定する工程と、ダム材を選択する工程と、ダム材を基板へ塗布して幾何学的形状を有する領域を画定する境界を形成する工程と、この領域を封止材料で充填してカプセル封止を形成する工程と、を含む。別の態様では、少なくとも１つのＬＥＤチップと、この少なくとも１つのＬＥＤチップ上へ配置されるカプセル封止と、を備えるＬＥＤ装置が提供される。カプセル封止は、カプセル封止の幾何学的形状を決定する工程と、ダム材を選択する工程と、ダム材を基板へ塗布して幾何学的形状を有する領域を画定する境界を形成する工程と、この領域を封止材料で充填してカプセル封止を形成する工程と、によって形成される。 （もっと読む）

熱可塑性水素化ビニル芳香族／共役ジエンブロックポリマー組成物、特に、水素化スチレン／ブタジエントリブロック組成物は、光学的透明性、熱安定性、耐紫外線性、溶融加工性および射出成形性の１つまたは複数を備えるという点で、ＬＥＤ封止材料として十分に機能を果たす。得られるＬＥＤは、固化しまたは堅くなった後、通常のはんだリフロー条件下で耐変形性を有する。 （もっと読む）

本発明は、接続用支持体（２）と、該接続用支持体（２）の実装面（２２）に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と、該オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を包囲する透光体（３）とを有するオプトエレクトロニクス半導体素子に関する。前記透光体（３）はシリコーンを含み、該透光体（３）は少なくとも局所的に、前記実装面（２２）との間に角度（β）＜９０°を成す少なくとも１つの側面（３０）を有し、該少なくとも１つの側面（３０）はダイシング工程によって形成されている。
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発光素子及び発光素子を製造する方法が開示される。発光素子は、発光半導体と、発光半導体が封止層内に設けられている封止層と、封止層上に設けられた蛍光体層と、封止層と蛍光体層との間に設けられた空隙とを備える。
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本発明は、特に１次光源としての半導体光源を含む白色または着色光源のための変換材料に関し、この変換材料は、約１ｍｍの厚さｄを有するバルク材料として用いられるとき、３５０ｎｍから８００ｎｍの波長領域において、また１次光源が発光する領域において、８０％を超える内部透過率τ_ｉを有するマトリックスガラスを含み、発光団を含まない焼結マトリックスガラスの透過率およびリミッタンス（ｒｅｍｉｔｔａｎｃｅ）の合計は、３５０ｎｍから８００ｎｍのスペクトル領域において、また１次光源が発光するスペクトル領域において、少なくとも８０％を超える。
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