【課題】振動体を電波信号により共振させて、この共振運動を電気信号に変換することで、電波信号の受信を行うアンテナ装置において、幅広い信号レベルの電波信号を受信可能とする。
【解決手段】所定の固有振動数で振動する特性を有するとともに外部磁界を受けて変位する振動体、および、該振動体の運動を電気信号に変換する変換手段を備えたアンテナ部１０を有したアンテナ装置において、振動体の外部磁界に対する変位の度合いを変化させる感度可変手段１０７と、取り込まれた電気信号に応じて感度可変手段１０７にＡＧＣ信号を出力する感度制御手段１０２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】振動体を電波信号により共振させて、この共振運動を電気信号に変換することで、特定周波数帯の電波を受信するアンテナ装置において、複数チャンネルの電波受信を可能とすることにある。
【解決手段】所定の固有振動数で振動する特性を有するとともに外部磁界を受けて変位する振動体、および、該振動体の運動を電気信号に変換する変換手段を備え、前記振動体を共振させる周波数帯の電波信号が到来したときに、当該電波信号の磁界成分によって前記振動体が共振し、この共振が前記変換手段により電気信号に変換されることで、当該周波数帯の電波信号が電気信号とされて取り込まれるＭＥＭＳアンテナを備えた受信装置１００である。そして、ＭＥＭＳアンテナ１０，１０ａ〜１０ｚが振動体の固有振動数を異ならせて複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】アンテナの小型化、高感度化、耐妨害性の向上を図れるアンテナ装置、受信装置ならびに電波時計を提供する。
【解決手段】所定の固有振動数で振動する特性を有するとともに外部磁界を受けて変位する振動体（１２，１３）と、該振動体の運動を電気信号に変換する可変容量（１２あるいは１６，１７）とを備えたＭＥＭＳアンテナ（１０）である。そして、振動体（１２，１３）を共振させる周波数帯の電波信号が到来したときに、電波信号の磁界成分によって振動体（１２，１３）が共振し、この共振が可変容量（１２あるいは１６，１７）により電気信号に変換されることで、当該周波数帯の電波信号が取り込まれる構成とした。また、受信装置や電波時計においてこのようなＭＥＭＳアンテナにより電波を受信する構成とした。 （もっと読む）

【課題】アンテナ後方への放射が十分に抑制された小型のアンテナ装置を提供する。
【解決手段】導電性を有し、且つ特定周波数帯の電磁波の伝搬を阻止するバンドギャップ面を備えた基板３（いわゆるＥＢＧ構造を有したＨＩＰ）上に、特定周波数帯に属する作動周波数帯の円偏波を送受信する進行波型の第１及び第２線状アンテナ５１，５２を、バンドギャップ面に沿って配置する。基板３のバンドギャップ面（金属小板３３の配列面）に、第１及び第２線状アンテナ５１，５２の鏡像が生じることがないため、これら第１及び第２線状アンテナ５１，５２をバンドギャップ面に最大限に接近させて配置することができ、アンテナを低姿勢化、ひいてはアンテナ装置１を小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】ラップトップ・コンピュータなどのコンピューティング・デバイスで使用する薄型でコンパクトな埋め込みマルチモード・アンテナ設計を提供する。
【解決手段】限られたスペースを有するコンピューティング・デバイス内での一体化を容易にすることができると同時に、約０．８ＧＨｚから約１１ＧＨｚの動作帯域幅に亘って適切なアンテナ特性（例えば、インピーダンス整合および放射効率）を提供する。 （もっと読む）

【課題】 線路間結合を利用した通信において、放射電力を抑える。
【解決手段】 所定の間隔Mで並行に配置されているマイクロストリップ線路１０１Aおよび１０１Bは、マイクロストリップ線路１２１Aおよび１２１Bと距離Lで対向して近付けられている。差動ドライバは、送信データに対応するRF信号の差動信号を生成し、差動信号の一方をマイクロストリップ線路１０１Aに出力するとともに、差動信号の他方をマイクロストリップ線路１０１Bに出力する。この場合、線路間結合により差動信号がマイクロストリップ線路１２１Aおよび１２１Bを伝送する。本発明は、例えば、送信装置または受信装置に適用できる。 （もっと読む）

ナノデバイスへの通信またはナノデバイスからの通信は、ナノ構造体ベースのアンテナを用いて提供される。このアンテナは、好ましくは、単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）から形成されるが、これに限定されない。他のナノ構造ベースのアンテナとしては、二層ナノチューブ、半導体ナノワイヤ、金属ナノワイヤなどが挙げられる。ナノ構造ベースのアンテナの使用は、ナノデバイスへの物理的な通信接続を提供する必要性を排除し、一方で同時に、ナノデバイスと他のナノデバイスまたは外部システムとの間の通信を可能にする。この外部システムはすなわち、ナノスケールより大きいシステムであり、例えば、半導体製造プロセスから形成されるものであり、例えば、ＣＭＯＳ、ＧａＡｓ、ダイポールプロセスなどである。
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