説明

国際特許分類[H01S3/06]の内容

国際特許分類[H01S3/06]の下位に属する分類

国際特許分類[H01S3/06]に分類される特許

771 - 777 / 777


本発明は、導波路を励起するよう使用され、光源としても使用される半導体ダイオードレーザに係る。IR波長放射から可視光線放射を作り出す本発明に従った導波路レーザは、a)IR波長放射を作り出す少なくとも1つの半導体ダイオードレーザ又はダイオードレーザ・バーと、b)後に放射が続く光子吸収エネルギ移動のアップコンバージョン工程によってIR波長放射を可視光線へと変換する半導体ダイオードレーザにおいて放射層の厚さより少なくとも1μm厚い厚さを有する少なくとも1つのアップコンバージョン層と、c)可視光線放射を再循環する少なくとも1つの光学的感知手段及び/又はIR波長放射を再循環する少なくとも1つの光学的感知手段と、を有する。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、同一の基板上又は別個の基板上に配置される。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、近接して配置される。近接して配置されたダイオードレーザ・バーとアップコンバージョン層との間にギャップが形成される。あるいは、レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、このオーダにおいて接触して配置され、導波路レーザは、
【数56】


乃至
【数57】


であるビーム質M2を有する。
(もっと読む)


マスターオシレータ増幅器において、ダイオードレーザー(202)の駆動回路(208)を特別に制御して2つ以上の注入レーザーパルスの組を発生し、これらのパルス組を非飽和状態で動作する増幅器(204)に注入して、これらの注入レーザーパルスの時間的なパワー特性を複製したレーザーパルス(52)の組(50)を発生して、メモリーまたは他のICチップ内の導電リンク22及び/またはその上にあるパシベーション層(44)を除去する。各組(50)は、少なくとも1つの特別に整形したパルス(52)及び/または異なる時間的なパワー特性を有する2つ以上のパルス(50)を含む。組(50)の持続時間は十分小さく、通常の位置決めシステム(380)によって単一の「パルス」として扱われ、オン・ザ・フライのリンク除去が停止なしに実行される。
(もっと読む)


本発明は光学的に使用される領域内に設けられ、単斜晶系の基本セルからなる固体レーザー媒質に関している。この場合、この固体レーザー媒質は、少なくとも光学的に使用される領域内の各箇所において実質的に同じ結晶学的座標系に基づいており、さらに光学的に使用される領域内で化学的組成に関して相違している少なくとも2つのドメイン領域を有し、前記光学的に使用される領域は、少なくとも1つの活性ゾーンと、少なくとも1つの不活性ゾーンを有している。本発明による固体レーザー媒質は有利には、少なくとも光学的に使用される領域において、単斜晶系の基本セルの構成要素としてタングステンとカリウム及び/又はルビジウムを有している。 (もっと読む)


少なくとも約50000パルス/秒のパルス繰り返し数と1ピコ秒よりも短いパルスあたりの長さとを有するパルスの流れを生成させ、数秒程度の時間内に手術を完了させるために、少なくとも多数のパルスたとえば10秒よりも短い時間内に100000パルスを使用して、外科手術処置(たとえば、眼科の)のための組織切断に適した出力光パターンを走査しながら、前記流れを集束させることを特徴とする装置と方法である。一部の実施形態においては、あらかじめ調節するための負の分散を発生させ、該分散が走査システムにおける正の分散を補償する。また、一部の実施形態においては、レーザーおよび走査システムを使用して微小レンズを切断し、該レンズが角膜表面を通過するように形成された側部スリットを通して機械的に取り出される。 (もっと読む)


この高精度材料加工法、特に生体組織のための方法においては、パルス長50 fs〜1 ps、パルス周波数50 kHz〜1 MHz、および波長600〜2000 nmを有するレーザーパルスが、加工すべき材料に作用させられる。 (もっと読む)


【課題】 励起効率を改善すると共に、Lバンド用EDFを短くする。
【解決手段】 励起光源24の出力する励起光は、WDM光カップラ22を介してEDF20に入射し、EDF20を励起する。増幅前のCバンド光は入出力ポート12から光サーキュレータ18のポートA,Bを介してEDF20に入射し、ここで光増幅され、出力ポート14から外部に出力される。EDF20は、0.98μm励起光によりCバンドを増幅するだけではなく、1.55μm帯のASE光も発生する。EDF20で吸収しきれなかった0.98μm励起光及びEDF20で発生したASE光の内の光サーキュレータ18のポートBに向かう成分が、光サーキュレータ18のポートBに入射し、そのポートCからEDF16に供給される。外部から入力ポート10に入力するLバンド光は、EDF16に入射し、ここで光増幅される。光増幅されたLバンド光は、光サーキュレータ18のポートC,Aを介して入出力ポート12に転送される。 (もっと読む)



771 - 777 / 777