【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】 バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の制御方法は、半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】信号光の反射戻り光に起因する共振動作を確実に低減できる広い利得帯域を持った光増幅装置を提供する。
【解決手段】光増幅装置１は、入力光ファイバ１２からの信号光を光増幅媒体に導き、該光増幅媒体で増幅した信号光を出力光ファイバ１３に出力する光学系を備え、該光学系が、光増幅媒体を介して配置された第１および第２の光アイソレータ１５，１７を含む。各光アイソレータは、信号光と同一方向に伝播する光を透過し、逆方向に伝播する光を遮断することがそれぞれ可能で、逆方向に伝播する光に対するアイソレーションの中心波長が互いに異なっている。第１および第２の光アイソレータ１５，１７を組み合わせによって、光増幅媒体の利得帯域よりも広いアイソレーション帯域が得られるため、信号光の反射戻り光が各光アイソレータによって確実に遮断される。 （もっと読む）

【課題】
装置全体の小型化が可能であると共に、複数のレーザー光源から出力された超短パルスであり高出力なパルス光を、容易かつ正確に位相を調節して、対象物に同時に照射することが可能な光パルスレーザー装置及び光パルスレーザー発生方法を提供すること。
【解決手段】
光ゲート制御手段４、１４は半導体レーザー１、１１からの光パルスを一定間隔で間引くタイミングのパルス信号を生成し、遅延調整手段１０は該パルス信号の遅延量を調整し、光ゲート３、１３は信号発振器２からの駆動信号により該半導体レーザー１、１１から発生する光パルスを一定間隔で間引き、該光ゲート３、１３を通過した光パルスが光増幅手段５、１５に入力され、該光増幅手段５、１５から出力されるパルス光が対象物に出射されるタイミングを調整することを特徴とする光パルスレーザー装置である。 （もっと読む）