【課題】過電圧保護機能付きサイリスタが連続で過電圧保護動作しても、変換器を運転継続する。
【解決手段】ＶＢＯ検出回路６は、順電圧検出信号５とゲートパルス信号７を用いて、過電圧保護機能付きサイリスタの連続ＶＢＯ点弧を検出する。ＶＢＯ検出回路６から出力されたＶＢＯ検出信号８はゲート発生装置３に送られる。ゲート発生装置３は、１つでもＶＢＯ検出信号８を受信したときには、ＶＢＯ保護要請信号８１を変換器制御装置９に送出する。変換器制御装置９は、ＶＢＯ保護要請信号８１を受信すると、その時の運転制御遅れ角αと、連続ＶＢＯ点弧運転を行ってもスナバ抵抗器の損失が許容値を超過しない制御遅れ角の範囲とを比較し、それに応じた導通期間信号９１をゲート発生装置３に送信する。そしてゲート発生装置３は新しい制御遅れ角αに応じたゲートパルス７を送出する。 （もっと読む）

【課題】電力変換器の主回路の駆動動作をフィードバックし、制御指令信号と比較して主回路素子の動作の不一致を監視する異常検出方式では不一致検出信号に対し所定猶予時間以内は検知マスクしていたが、主回路またはこれを駆動するドライブ回路などで異常が生じた場合に猶予時間の分の検出遅れが生ずるとともに、発振的な動作の異常が生じて猶予時間内の短時間で異常を繰り返す動作を行った場合の異常の検知ができないケースがあった。
【解決手段】電力変換器において、正常状態でフィードバック信号が遅延により不一致になるのは、制御指令信号が変化した直後の所定の時間範囲のみであることに注目し、制御指令信号が変化した直後のみ検出猶予時間を持つようにすることにより、発振動作等の異常に対しても検出が可能となるとともに、異常検出出力の遅れ時間を大幅に短縮する異常検出方式とした。 （もっと読む）

【課題】Ｖｂｏフリーサイリスタの過電圧保護点弧を検出して保護動作を行う。
【解決手段】Ｖｂｏフリーサイリスタ１ａ〜１ｎには、ゲートパルス発生回路３からのゲートパルス７が、供給路３１ａ〜３１ｎを通じて同時に与えられる。これらのサイリスタ１ａ〜１ｎ及びスナバ回路２ａ〜２ｎに並列に順電圧検出回路４ａ〜４ｎが接続される。この順電圧検出回路４ａ〜４ｎからの順電圧検出信号が、例えば光ファイバー５ａ〜５ｎを介してＶｂｏ検出回路６ａ〜６ｎに伝えられる。Ｖｂｏ検出回路６ａ〜６ｎは、ゲートパルス７と順電圧検出信号を用いてサイリスタ１ａ〜１ｎのブレークオーバ（Ｖｂｏ）を検出し、Ｖｂｏ検出信号８ａ〜８ｎを出力する。そしてゲートパルス発生回路３は、サイリスタ１ａ〜１ｎの一箇所からでもＶｂｏ検出信号８ａ〜８ｎが発生したときに、直ちにゲートパルス７の出力を停止するなどの処置を行う。 （もっと読む）

【課題】瞬低装置に備えられたサイリスタのゲートドライブ回路においては、通常運転時における信頼性をさらに向上させることが要求される。
【解決手段】瞬低装置に備えられたサイリスタＳ１，Ｓ２を制御するサイリスタのゲートドライブ回路に、１次側が制御用電源３に接続され、２次側が前記サイリスタＳ１，Ｓ２と並列に接続されたフォトカプラＰＣ１，ＰＣ２を設ける。前記サイリスタＳ１，Ｓ２の制御方法としては、前記サイリスタＳ１，Ｓ２をオン状態とする場合、前記フォトカプラＰＣ１，ＰＣ２をオフにし、商用電源１から出力された電流をサイリスタＳ１，Ｓ２のゲートに印加する。一方、前記サイリスタＳ１，Ｓ２をオフとする場合、前記フォトカプラＰＣ１，ＰＣ２をオンにし、商用電源１から出力された電流をサイリスタのゲートに印加させないようにする。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ素子がターンオフ時に故障しないようにする。
【解決手段】サイリスタ素子２の制御電極３のゲート電圧を正電位にする順バイアス電圧手段５と、負電位にする逆バイアス電圧手段６とを具備したサイリスタ用ゲート駆動装置において、サイリスタ素子の主電極に流れる陽極電流又は陰極電流の電流値を監視する電流監視手段１０と、この電流監視手段で検出された電流値が入力され、この入力された電流のサイリスタ素子がターンオフ開始直前の電流値が、サイリスタ素子のオン電流最大定格値に対してどのくらいの割合であるかを演算する電流演算手段１１と、この電流演算手段の出力値に対応して、サイリスタ素子の制御電極に印加するゲート電圧の逆バイアス定常値を制御する逆バイアス定常値制御手段１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の稼動に先立ち、温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート１３に信号を印可してオンさせ、電源１４ → アノード端子２ → ゲート端子４ → 抵抗１２ → 温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１ → 電源１４の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約４０Ａの電流を流す。上記温度上昇用電流により、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ１の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。 （もっと読む）