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国際特許分類[H03B1/00]の内容

国際特許分類[H03B1/00]の下位に属する分類

電力発振器,例.加熱用発振器,の構造上の細部
不要発振,例.高調波,の低減 (7)

国際特許分類[H03B1/00]に分類される特許

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出力信号の位相は、発振信号と調整可能スレショルドとの比較に基づく。ここで、前記スレショルドの調整は、それに対応して前記出力信号の前記位相が結果的に調整される。例えば、前記調整可能スレショルドは、トランジスタ回路に関する調整可能バイアス信号を備えることができ、それにより、前記発振信号は、前記トランジスタ回路への入力として提供され、前記トランジスタ回路の前記出力は、前記出力信号を提供する。幾つかの側面においては、これらの位相調整技法は、1つ以上の同調可能な多相クロックを提供するために採用することができる。 (もっと読む)


【課題】 アイソレーション特性が改善されたサーキュレータ型のアイソレータを提供すること。
【解決手段】 第1のサーキュレータの伝送線路が第2のサーキュレータの伝送線路を兼ねることによって接続されて設けられ、それぞれに一端が接続された伝送線路の他端に無反射終端器が接続されてなるアイソレータであって、第1のサーキュレータの伝送線路間の高周波信号のアイソレーション特性の周波数依存性と、第2のサーキュレータの伝送線路間の高周波信号のアイソレーション特性の周波数依存性とが異なるようにしているので、特定の周波数のみに偏ることなくアイソレーションをとることができる。 (もっと読む)


【課題】発振回路用の定電圧電源回路が間欠的に動作する場合に、発振回路に安定して発振させるための技術を提供する。
【解決手段】処理装置は、第1の電源電圧を発生させる第1の定電圧電源回路と、第1の電源電圧で動作して発振信号を生成する発振回路と、第1の定電圧電源回路から出力される第1の電源電圧を増大させるための電圧増大回路と、第1の定電圧電源回路の動作を制御する動作制御回路と、を備える。動作制御回路は、第1の期間に、第1の定電圧電源回路を間欠的に動作させ、電圧増大回路が第1の定電圧電源回路から出力される第1の電源電圧を増大させる第2の期間に、第1の定電圧電源回路を連続的に動作させる。 (もっと読む)


【課題】 高精度の周波数を必要とし、外部から基準周波数を得ることができない長期間連続運転を行う無人の通信装置において、ローコストで経年変化を含めた周波数偏差の保証値を満足できるようにした発振器の周波数補正方式を提供する。
【解決手段】 出荷通信装置の発振器の発振周波数の経年変化を補正するに際して、この出荷通信装置と同一部品からなる同一回路構成の擬似通信装置300を出荷通信装置の稼働と並行して稼働させつつ、擬似通信装置300内の発振器301の発振周波数の経年変化を測定し,この測定データに基いて周波数補正値を決定する。この決定された周波数補正値を出荷通信装置へ遠隔制御装置200により、通信回線を介して送信し、出荷通信装置内の発振器の発振周波数の補正を行う。 (もっと読む)


【課題】 小さな回路面積でスプリアスが低減された正弦波を生成することができる信号生成回路を提供する。
【解決手段】 方形波状の信号を出力する方形波出力回路12と、方形波出力回路12から出力された信号が入力され、この入力される信号に含まれる第3次高調波に自己の周波数領域の極を対応させたポリフェーズフィルタ14を備えることを特徴とする。これにより、スプリアスの発生要因として最も影響の大きい第3次高調波が低減された正弦波状の信号を、小さな回路面積で得ることができる。 (もっと読む)


【課題】低コストで、回路特性の悪化の少ない発振回路を提供する。
【解決手段】液体冷媒により冷却され、発振信号を生成する発振回路であって、回路基板と、回路基板に形成され、共振回路を含むベアチップと、回路基板に形成され、ベアチップと電気的に接続され、発振信号を生成する信号出力部と、共振回路を樹脂で封止し、ベアチップと液体冷媒とを隔離する封止部とを備える発振回路を提供する。発振回路が、ベアチップと前記信号出力部とを接続する、空中配線されたワイヤーを更に備える場合、封止部は、ワイヤーを更に樹脂で封止し、ワイヤーと液体冷媒とを隔離する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、個々の製品や動作環境の違いによる発振安定待ち時間の変動に影響されることなく、信頼性を持って発振安定状態を検出することが可能な半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体集積回路は、所定の基準電圧を出力する基準電圧回路と、発振信号供給端と基準電圧回路の出力端とに結合され発振信号の電圧と基準電圧との比較結果を出力する比較器と、比較器の出力端に結合され比較結果に応じて発振信号が基準電圧よりも大きな振幅であることを示す安定状態検出信号を出力する検出回路を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プラズマ波の位相が合わないことによりプラズマ波強度が低下すること。
【解決手段】半導体基板5と、複数のナノワイヤ状の半導体層4と、絶縁膜6と、ゲート長をプラズマ波の周期の1/4とした複数のゲート電極1と、複数のナノワイヤに対応した複数のドレイン電極3と、ソース電極2を含み、複数のドレイン電極間を注入同期により電磁結合することで逆位相によるキャンセリングを抑制してプラズマ波の強度をナノワイヤの本数倍する。 (もっと読む)


【課題】 SAW素子を用いて所望の回路を構成する場合において、SAW素子の周波数特性の選択範囲を広げることができると同時に、回路の小型化や低コスト化を図ることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置100は、半導体回路120が構成されてなる半導体基板101と、前記半導体基板上に形成された圧電体薄膜104と、圧電体薄膜上に形成された複数のIDT105を含み構成された複数のSAW素子110とを具備し、半導体回路120には、複数のSAW素子のいずれかに接続される共通回路構成部123,124,125,126,127と、複数のSAW素子を切り替えて共通回路構成部に接続する切替手段構成部122とが設けられ、複数のSAW素子が相互に異なるSAW特性を有するように構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】バイポーラトランジスタを形成する半導体層のうち、ベース層とコレクタ層とで構成されるPN接合及びバイポーラトランジスタを用いて同一半導体基板上に容量成分と直列に繋がる抵抗成分の小さい可変容量素子を備えた電圧制御発振回路を形成できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ(BPT)を形成する半導体層のうちベース層とコレクタ層とによって形成されるPN接合を、単一のコレクタ層8に複数のベース層9を形成することによって複数個のPN接合を形成すると共に、各PN接合を上記コレクタ層を共通として逆直列接続し、各ベース層間に発生する容量が共通のコレクタ層に印加する電圧に応じて変化するようにした可変容量素子31を同一半導体基板6上に形成されたBPT10と組み合わせて接続することにより電圧制御発振回路を形成する構成とする。 (もっと読む)


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