【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】単一の素子で発振素子および検出素子としても機能するテラヘルツ発振検出素子を適用した無線伝送装置を提供する。
【解決手段】非対称の順方向および逆方向電流電圧特性を有する能動素子９０を備え、負性微分抵抗を示す第１動作点ＯＳで発振素子として動作し、負性抵抗領域ではない非線形特性を示す第２動作点ＤＥで検出素子として動作するテラヘルツ発振検出素子およびこのテラヘルツ発振検出素子を送受信器に用いた無線伝送装置。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に配置された第２の電極２，２ａと、第２の電極２上に配置された絶縁層３と、第２の電極２に対して絶縁層３を介して配置され、かつ半導体基板１上に第２の電極２に対向して配置された第１の電極４（４ａ，４ｂ，４ｃ）と、絶縁層３を挟み第１の電極４ａと第２の電極２間に形成されたＭＩＭリフレクタ５０と、ＭＩＭリフレクタ５０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置されたホーン開口部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ発振検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に配置された第２の電極２と、第２の電極２上に配置された絶縁層３と、第２の電極２に対して絶縁層３を介して配置され、かつ半導体基板１上に第２の電極２に対向して配置された第１の電極４と、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置されたホーン開口部８０と、第１の電極４と第２の電極２間に接続されたショットキーバリアダイオード３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネルダイオードを利用し、テラヘルツ波の透過を利用することで紙類による減衰の大きさを基にして、枚数の判定が可能な透過型テラヘルツ波検査装置を提供する。
【解決手段】テラヘルツ発振素子を備える発振器１００と、テラヘルツ検出素子を備える検出器２００と、発振器１００と検出器２００との間に配置された紙類３００とを備え、テラヘルツ発振素子より放射されたテラヘルツ波が紙類を透過して得られる透過テラヘルツ波をテラヘルツ検出素子によって検出し、紙類３００による減衰の大きさを基にして、紙類３００の枚数を判定する透過型テラヘルツ波検査装置。 （もっと読む）

【課題】振幅遷移変調によるテラヘルツ信号の送受信が可能なテラヘルツ無線通信方式を提供する。
【解決手段】テラヘルツ発振素子３８を備えるテラヘルツ送信器１００と、テラヘルツ検出素子４４を備えるテラヘルツ受信器２００とを備え、テラヘルツ発振素子３８は、負性微分抵抗領域（ＮＤＲ）に動作点を有する振幅遷移変調によって、テラヘルツ電磁波を発生すると共に、テラヘルツ検出素子４４は、テラヘルツ発振素子３８から発生されたテラヘルツ電磁波を検出するテラヘルツ無線通信方式。 （もっと読む）

【課題】二重障壁層を通過した電子が電子走行層を通過する際の速度の低下を抑制し、発振器の動作周波数を向上させる。
【解決手段】共鳴トンネルダイオードは、バッファ層２２と、サブエミッタ層２３と、エミッタ層２４と、スペーサ層２５と、第１の障壁層２６と、井戸層２７と、第２の障壁層２８と、電子走行層２９と、コレクタ層３０とが、基板２１上に順次積層された構造からなる。電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 （もっと読む）

【課題】 負性抵抗素子に特有の寄生発振を抑制するための安定化回路を備えながら、負性抵抗素子を超高速にも変調することができる発振器などを提供することである。
【解決手段】 電磁波を発振する発振器は、負性抵抗素子１０１と共振器１０２と電圧変調部１０３と安定化回路１０４とバイアス回路を備える。共振器１０２は、電磁波の発振周波数を規定する。電圧変調部１０３は、負性抵抗素子１０１を変調する。安定化回路１０４は、寄生発振を抑制する。バイアス回路は、負性抵抗素子１０１の動作点電圧を調整するための電源１０５と配線１０６を含む。電圧変調部１０３は、安定化回路１０４を介在してバイアス回路に接続される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の絶縁体基板を用いることで横方向の指向性を改善し、高効率かつ高出力に、基板に対して横方向に発振する発振素子を提供する。
【解決手段】絶縁体基板１０上に配置された第１の電極４（４ａ）と、第１の電極４ａ上に配置された絶縁層３と、絶縁体基板上に配置された層間絶縁膜９と、層間絶縁膜上に配置され、かつ第１の電極４ａに対して絶縁層３を介して第１の電極４に対向して配置された第２の電極２と、第２の電極２上に配置された半導体層９１ａと、絶縁層３を挟み第１の電極４ａと第２の電極２間に形成されたＭＩＭリフレクタ５０と、ＭＩＭリフレクタ５０に隣接して、絶縁体基板１０上に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、絶縁体基板上に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、絶縁体基板１０上に配置されたホーン開口部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 アンテナ（共振部）とＲＴＤ（活性層）とのインピーダンスマッチングができず、放出されるテラヘルツ波のパワーが減ることがある。
【解決手段】 本発明に係る発振素子は、以下のように構成される。まず、サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層１０１から発生されたテラヘルツ波を共振させるための共振部１０２を備える。次に、活性層１０１に歪を生じさせるための歪発生部１０３を備える。そして、共振部１０２で共振させるテラヘルツ波の発振特性（周波数あるいは出力）に応じて歪発生部１０３を制御する制御部１０４を備える。 （もっと読む）