【課題】本発明は、ブートストラップダイオードを備える半導体装置の省エネルギー化ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トーテムポール接続された高圧側パワーデバイスと低圧側パワーデバイスの駆動を制御する半導体装置であって、回路負荷を有し、該高圧側パワーデバイスを制御する高圧側駆動回路と、該低圧側パワーデバイスを制御する低圧側駆動回路と、該低圧側駆動回路と接続され該低圧側駆動回路の電源電位であるＶＣＣ電位を該低圧側駆動回路に与えるＶＣＣ端子と、アノードが該ＶＣＣ端子と接続されカソードが該高圧側駆動回路と接続され、該高圧側駆動回路の電源電位であるＶＢ電位の充電に用いられるブートストラップダイオードと、該ＶＢ電位が該ＶＣＣ電位よりも小さくなる前に該回路負荷を遮断する手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力信号が不安定になる可能性があった。
【解決手段】第１、第２の電源間に直列接続される第１、第２のトランジスタを備えた出力部と、入力パルス信号に応じて、前記第１のトランジスタがオン状態となるとき、前記第１の電源端子と前記第１のトランジスタの制御端子を導通させオン状態に駆動させる第１の駆動部と、一端が第１のノードとの間に接続されるインダクタと、前記第１のスイッチング素子の少なくともオフ後にオン状態となることで、前記第１のノードと前記第１のトランジスタの制御端子を導通し、前記第１の所定の期間後に前記第１のノードに供給される前記インダクタの逆起電力を、前記第１のトランジスタの制御端子に伝達する第２のスイッチング素子と、を有する出力駆動回路。 （もっと読む）

【課題】従来の出力駆動回路では、出力電圧が不安定になることがあった。
【解決手段】本発明は、出力段電源電圧をドレインに印加されソースが第１のノードと接続されるハイサイドトランジスタと、接地電圧をソースに印加されドレインが第１のノードと接続されるロウサイドトランジスタを備えるトーテムポール型の出力部と、第１のノードに一端を接続され、ハイサイドトランジスタのオフ時の充電電荷を、オン時にゲートに供給する容量素子を備えるブートストラップ部を有する出力駆動回路であって、駆動回路電源電圧とハイサイドトランジスタのゲート間に接続され、ハイサイドトランジスタをオンする場合に導通状態となる第１のトランジスタと、容量素子の他端とハイサイドトランジスタのゲート間に接続され、ハイサイドトランジスタをオンする場合に導通状態となる第２のトランジスタを有する出力駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】低歪みと大出力電圧を両立することができる低歪率増幅器を提供する。
【解決手段】増幅回路として、２つの増幅素子Ｑ１、Ｑ２をトーテムポール接続してなるＳＲＰＰ回路を備える。その出力回路からはコンデンサが除かれている。当該出力回路には、予め定められた電流を供給する定電流回路Ｑ３、ＶＲ２と、前記出力回路にフォールデッドカスコード接続されているトランジスタＱ４と、トランジスタＱ４のベース端子の電位を予め定められた値に保持する定電圧回路Ｄ、Ｒ３と、トランジスタＱ４の出力電流を電圧に変換する負荷抵抗ＲＬと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ドライブ能力の向上と共に、消費電流の低減を図る。
【解決手段】出力段を構成する第２及び第３のトランジスタ２，３のベース電流をそれぞれ補償するため第１及び第２のベース電流補償回路３１，３２が設けられ、第２及び第３のトランジスタ２，３のベース電流が十分確保されることによるドライブ能力の向上が図られると共に、第１の定電流源２１の出力電流と第１のトランジスタ１へ流れる電流をそれぞれ減らすことができ、それに伴う低電流化が可能となっている。 （もっと読む）

【課題】消費電流の増大、および、安定性を損なうことなくスルーレートを向上させること。
【解決手段】Ｍ１７のドレインをＭ５のドレインに接続し、Ｍ１７のドレインとゲートをＭ１８のゲートに接続することで構成したＰ型カレントミラー回路６と、Ｍ２４のドレインとゲートをＭ１８のドレインに接続し、Ｍ２５のドレインを位相補償容量Ｃ１に接続し、Ｍ２６のドレインを位相補償容量Ｃ２に接続したＮ型カレントミラー回路９と、Ｍ１９のドレインをＭ３のドレインに接続し、Ｍ１９のドレインとゲートをＭ２０のゲートに接続することで構成したＮ型ＭＯＳカレントミラー回路７と、Ｍ２１のドレインとゲートをＭ２０のドレインに接続し、トランジスタＭ２２のドレインを位相補償容量Ｃ１に接続し、Ｍ２３のドレインを位相補償容量Ｃ２に接続したＰ型カレントミラー回路８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】回路の電圧変動を１個のトランジスタで補償するようにした低電流回路では許容されるコレクタ損失の大きい高価なトランジスタを適用する必要があり、さらに発熱対策のために装置が大型化する。
【解決手段】負荷（発光ダイオードＤ５〜Ｄ３４）にＤＣ電源からの直流出力Ｖｉｎを供給する駆動回路であって、前記直流出力をベース電流に用いて前記負荷の回路電流を制御する第１のトランジスタＱ１に加えて、Ｑ１のコレクタ電圧をベース電圧として作動する第２のトランジスタＱ２と、Ｑ２のコレクタ電圧によってベース電圧が変化し、前記直流出力から負荷への供給電流を制御する第３のトランジスタＱ３とを備え、Ｑ３のベース端子から接地側に流す電流をＱ２により制御することにより、電源電圧の変動に伴う回路電圧の変化を、Ｑ１とＱ３とで分散して補償させる。 （もっと読む）

【課題】定電圧源Ｖ_ccの消耗又は交換による変動や、温度変動やウエハ間やロット間の素子特性が変動してもトランジスタのバイアス電流をフィードバック制御すること。
【解決手段】制御対象である増幅器のトランジスタのコレクタ電流又はドレイン電流を、第１の電位差ΔＶ₁として検出する。これを基準電位Ｖ_refと比較して、第２の電位差ΔＶ₂として検出する。増幅器のコレクタ電流又はドレイン電流自体を、第１の電位差ΔＶ₁として検出するので、フィードバック制御においてもベース電位又はゲート電位は定電圧源Ｖ_ccの変動を受けない。更に基準電位Ｖ_refとして温度変化に対して変動の小さい又は変動がほとんど無いものを用いれば、以降のフィードバック制御においてもベース電位又はゲート電位は温度変化による影響を受けない。これは言わば絶対比較により、コレクタのバイアス電流を一定とするものである。 （もっと読む）

【課題】 線形の入出力電圧特性と高入力インピーダンスとを持ち、簡単な構成のアナログバッファ回路を提供する。
【解決手段】 第１のＰＭＯＳ１１，ＮＭＯＳ１２及び第２のＰＭＯＳ１３を、ＶＤＤとＧＮＤとの間に、この順で直列に接続する。全てのＭＯＳ１１〜１３のゲートに入力端子を共通接続し、ＮＭＯＳ１２と第２のＰＭＯＳ１３の接続点に出力端子を接続する。所定範囲の入力電圧Ｖinが入力端子に与えら得ると、入力電圧に等しい出力電圧Ｖoutが得られる。 （もっと読む）

【課題】出力電圧を発生させる増幅回路を備える集積回路装置を提供する。
【解決手段】バイアス制御回路（２１５，２１６）は、制御信号（ＳＷ）の状態に基づいてその出力からバイアス制御電圧（ＶＢ１，ＶＢ２）または出力電圧（ＶＯＵＴ＋，ＶＯＵＴ−）を選択的に発生させる。出力ステージドライバー回路（２１３）は、バイアス制御回路の出力から発生した電圧に応答して動作する。 （もっと読む）