【課題】論理回路について入力負荷および活性化率の双方を低減し、高速かつ低消費電力での動作が可能な論理回路を実現する。
【解決手段】論理回路は、信号源（１００）から出力されたデータの変化を検出し、当該データが変化したことを示すイベントを発生させるイベント発生器（１０）と、イベントを連鎖的に伝搬する複数の伝搬素子（２０）と、初段が信号源（１００）から出力されたデータを受け、入力されたデータを評価して評価結果を連鎖的に伝搬する複数の評価素子（３０）とを備えている。各伝搬素子（２０）は、イベントを受けたとき、入力されたデータの評価を行う。 （もっと読む）

ショットキー・ダイオード特性及びＭＯＳトランジスタ（１８，９２）を有する原理的なショットキー・ダイオード（１６）又はデバイス（９０）は直列に結合されて、順電流がわずかに劣化するだけで漏れ電流及びブレークダウン電圧の大幅な改善をもたらす。逆バイアスの場合、小さな逆バイアス電流は存在するが、ショットキー・ダイオード（１６，９０）にかかる電圧はＭＯＳトランジスタ（１８，９２）により小さく保たれる。ＭＯＳトランジスタ（１８，９２）がブレークダウン状態になるまで、ほとんどすべての逆バイアス電圧がＭＯＳトランジスタにかかる。しかし、ショットキー・ダイオード（１６，９０）が電流を制限するので、このトランジスタのブレークダウンは始めから破壊的なわけではない。逆バイアス電圧が増加し続けるにつれて、ショットキー・ダイオード（１６，９０）により多くの電圧がかかり始める。このことにより漏れ電流は増加されるが、トランジスタ（１８，９２）とショットキー・ダイオード（１６，９０）との間でブレークダウン電圧はいくらか追加される。
（もっと読む）

薄膜トランジスタ回路は、メイン薄膜トランジスタ（１０）と、メイン薄膜トランジスタの動作を制御する制御入力部（１２）と、制御入力部とメイン薄膜トランジスタのゲートとの間に接続されたしきい値調整コンデンサ（１４）と、を有している。チャージ回路（１６，１８）は、しきい値調整コンデンサを所望のしきい値調整電圧にチャージするために使用される。この回路を使用して、制御入力部に印加される電圧の電圧シフトが行われる。メイントランジスタゲートと制御入力部との相対的な電圧を変化することによって、しきい値電圧変化が効果的に実行される。
（もっと読む）