【課題】より安定した黒レベルを得られるようにする。
【解決手段】Ｎ行のオプティカルブラック画素行を含む行列状に配列された複数の画素を有するフレーム・トランスファ方式のＣＣＤ固体撮像素子において（Ｎは２以上の整数）、 垂直転送部から水平転送部へ転送されてくるオプティカルブラック画素の電荷を垂直転送部から水平転送部へ転送するにあたり、先に転送されてくるＮ−１行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させず、最後の１行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させる転送制御を行う。 （もっと読む）

【課題】高速駆動時のダイナミックレンジを従来よりも拡大することができる駆動装置を提供する。
【解決手段】駆動装置は、ＦＰＧＡ２０及び第１蓄積転送パルス出力部４１を備え、ＦＰＧＡ２０は、撮影速度が、撮影速度閾値未満のときローレベルの制御信号、撮影速度閾値以上のときハイレベルの制御信号を出力する駆動電圧設定部２２を備え、第１蓄積転送パルス出力部４１は、ローレベルの制御信号を入力したときＶＨ＝１２Ｖを出力し、ハイレベルの制御信号を入力したときＶＨ＝１３．５Ｖを出力する電圧変換素子４１ａと、ローレベルの制御信号を入力したときＶＬ＝０Ｖを出力し、ハイレベルの制御信号を入力したときＶＬ＝−１．５Ｖを出力する電圧変換素子４１ｂと、ＶＨ及びＶＬに基づいて撮影速度に応じた周波数を有する蓄積転送パルスφＭ１を出力するドライバ素子４１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続することによって構成される固体撮像装置において、回路規模の増大や、チップ間の接続部の数が増加することなく、それぞれのチップに形成された画素に制御信号を送ることができる固体撮像装置および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続された固体撮像装置であって、第１の基板に配置された光電変換素子と第２の基板に配置された読み出し回路とを有する画素が２次元に複数配置された画素部と、画素からの信号の読み出しを制御する読み出し制御回路とを備え、読み出し制御回路は、パルス生成部と選択部とロジック部とを具備し、読み出し制御回路の構成要素の内、一部の構成要素を第１の基板内に配置し、残りの構成要素を第２の基板内に配置し、接続部を介して、第１の基板と第２の基板とに配置された読み出し制御回路の構成要素を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 第１の駆動周波数で動作するライブビューモード時において画質を劣化させることなく縦線ノイズを低減すること。
【解決手段】 ２次元に配列された複数の画素と、垂直転送部と、水平転送部とを含む撮像素子を含む撮像装置において、第１の駆動周波数（ハーフクロック）で動作する駆動モード時（ライブビューモード）では、撮像素子における暗電流の大きさを予測するための情報（温度、感度など）を取得し（Ｓ１５）、取得した情報に基づいて予測される暗電流の大きさが予め設定された範囲よりも大きい場合には、撮像素子１０２の駆動周波数を第２の駆動周波数（フルクロック）に設定する。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】スミア信号を低減させることができるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は入射した光を光電変換し、得られた信号電荷を、画素を構成する受光部に蓄積する。信号電荷の読み出し時には、転送電極に読み出し電圧が印加され、受光部から電荷転送チャネル領域への信号電荷の読み出しが行なわれる。電荷転送チャネル領域には、転送電極に印加される電圧に応じて、実際に信号電荷が蓄積されるパケットと、信号電荷が蓄積されない空パケットとが形成され、受光部から読み出された信号電荷は、パケットに蓄積される。このとき、固体撮像素子は、電荷転送チャネル領域の空パケットの領域の一部のポテンシャルを浅くし、空パケットに不要電荷が蓄積されにくくなるようにする。本技術は、撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】電荷結合デバイス画像センサの構造、作成、使用法を提供する。
【解決手段】チャネルドーピング層８０２と比較して逆導電型にドープされた１つ以上のチャネルストップ層８０４を、チャネルドーピング層８０２から離して配置することにより、電荷増倍ＣＣＤチャネルにおける衝撃イオン化によるスプリアス電荷の生成を大きく低減する。 （もっと読む）

【課題】駆動信号数を増加させずに、水平間引きと垂直間引きの両方を容易に実現することができるようにする。
【解決手段】撮像部には、光電変換素子が行列状に配列される。垂直電荷転送部は、撮像部に蓄積された電荷を垂直方向に転送する。水平電荷転送部は、垂直電荷転送部により転送された電荷を水平方向に転送する。ＨＯＤ部は、垂直電荷転送部から水平電荷転送部への電荷の転送を制御するＶＯＧ電極と同一の電圧が印加されるＶＯＧ電極を介して、水平電荷転送部の不要な電荷を掃き捨てる。本技術は、例えば、イメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】撮影動作中に暗電流を簡略な構成で高精度に検出する。
【解決手段】ＣＣＤ１５における第１画面の読み出しにおいて、フォトダイオード３０の電荷を垂直ＣＣＤ３１に転送し（図３（ａ））、黒丸で示される上部垂直オプティカルブラック領域の電荷信号を残して垂直転送を停止する（図３（ｃ））。第２画面の撮影を行い、フォトダイオード３０の電荷を垂直ＣＣＤ３１に転送することにより、黒丸で示される下部垂直オプティカルブラック領域の電荷信号を、第１画面の読み出しにおいて残され、斜線が施された丸で示される上部垂直オプティカルブラック領域の電荷信号に加算する（図３（ｄ））。加算された電荷信号からＣＣＤ１５の暗電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）