アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法
【課題】アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の新規製造法の提供。
【解決手段】一般式（１）
（式中、Ｒ1はニトロ基等；ａは、０〜５の整数；Ｒ2及びＲ3は水素原子等を示す。）のアミノ酸類を芳香族アミンの存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
（式中、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）で表されるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法。
【解決手段】一般式（１）
（式中、Ｒ1はニトロ基等；ａは、０〜５の整数；Ｒ2及びＲ3は水素原子等を示す。）のアミノ酸類を芳香族アミンの存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
（式中、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）で表されるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリペプチド合成の中間原料として有用なアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の効率的な製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物は、アミノ酸からポリペプチドを合成する際の中間体として有用である。当該アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の合成法としては、アミノ酸にホスゲンを反応させる方法が高収率であることから、主流となっている。
【０００３】
しかしながら、ホスゲンはきわめて毒性の強いガスであるため、環境問題、安全性の観点からその取り扱いには厳重な注意が必要である。そのため、ホスゲンの使用は厳しく制限され、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の工業的利用を制約している。かかる観点から、ホスゲンを使用しない方法が種々検討されている（特許文献１〜４及び非特許文献１〜３）が、それらはいずれも工業的に応用できないか、又は原料にホスゲンを使用する点の問題点があった。
【０００４】
そこで本発明者はアミノ酸とビス（置換フェニル）カーボネートを反応させるか、又はアミノ酸エステルとビス（置換フェニル）カーボネートとを反応させてアミノ酸エステルにカルバメート体とし、エステルを除去した後加熱することによりアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が効率よく得られることを見出し、特許出願した（特許文献５）。
【特許文献１】米国特許第５３５９０８６号明細書
【特許文献２】特開平１１−２９５６０号公報
【特許文献３】特開２０００−３２７６６６号公報
【特許文献４】特開２００２−３２２１６０号公報
【特許文献５】特開２００７−２２９３２号公報
【非特許文献１】Tetrahedron Letters, 1996, 37, 9043.
【非特許文献２】Chemistry Letters, 2003, 32, 830.
【非特許文献３】Macromolecules 2004, 37, 251.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献５記載の方法は、ホスゲンを使用せず、工業的に応用可能な方法であるが、ビス（置換フェニル）カーボネートのフェニル基上の置換基が２，４−ジニトロ基、ペンタフルオロ基等の強力な電子吸引性基である場合には高収率で反応が進行するが、当該フェニル基上の置換基がｐ−ニトロ基等のような電子吸引性が弱い基の場合には収率が低かった。
従って本発明の目的は、ホスゲンを使用せずに、高収率でアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を製造する新たな方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、ビス（置換フェニル）カーボネートのフェニル基上の置換基がｐ−ニトロ基等の電子吸引性の弱い基である場合におけるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の収率が低い原因について検討したところ、生成したアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が分解してしまうことが判明した。そこで、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の分解を抑制し、かつアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物への反応を進行させる手段について検討した。
まず、本発明者らは、有機塩基であるジイソプロピルアミンの存在下でビス（フェニル）カーボネートとアミノ酸との反応によって得られるアミノ酸フェニルエステルカーバメート体を反応させたところ、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を良好な収率で得ることはできなかった。そこで、該反応についてさらに鋭意検討したところ、意外にも、芳香族アミンの存在下で上記反応をさせることにより、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の分解が防止され、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が高収率で得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】
すなわち、本発明は、一般式（１）
【０００８】
【化１】
【０００９】
（式中、ａ個のＲ1は同一又は異なって、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、パーフルオロアルキル基及びパークロロアルキル基から選ばれる電子吸引性置換基を示し；ａは、０〜５の整数を示し；Ｒ2及びＲ3は、互いに独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロ環を示すか、あるいはＲ2及びＲ3は結合してシクロアルキル基を形成してもよく、更にそのシクロアルキル基は縮合環として芳香環又はヘテロ環を有していてもよい。）
で表されるアミノ酸カーバメート類を、芳香族アミンの存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
【００１０】
【化２】
【００１１】
（式中、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）
で表されるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の製造方法によれば、ホスゲンを用いずに、簡便な方法により高収率でアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
一般式（１）中のＲ1は、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、パーフルオロアルキル基及びパークロロアルキル基から選ばれる電子吸引性の置換基である。このうち、原料の入手容易性、安定性の点から、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基が好ましい。またＲ1は、カーバメート基のｐ−位に置換しているのが好ましい。
ａで表される０〜５の整数としては、０〜３が好ましく、０又は１がより好ましい。
従って、フェニル基とＲ1を含めたエステル残基としては、ｐ−ニトロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、フェニル基が好ましく、ｐ−ニトロフェニル基が特に好ましい。
【００１４】
一般式（１）及び（２）中のＲ2及びＲ3は互いに独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロ環を示すか、あるいはＲ2及びＲ3が結合してシクロアルキル基を形成してもよく、更にそのシクロアルキル基は縮合環として芳香環又はヘテロ環を有していてもよい。ここで、アルキル基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖アルキル基が挙げられ、炭素数１〜６の直鎖又は分岐鎖アルキル基が好ましい。
またシクロアルキル基としては炭素数３〜６のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられる。ヘテロ環としては、インドール、ピロリジン、イミダゾール、ピロール、ピペリジン、ジヒドロキノリン等が挙げられる。Ｒ2とＲ3が結合して形成するシクロアルキル基としては、炭素数３〜６のシクロアルキル基が挙げられる。また、これらの基に置換してもよい基としては、フェニル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、シアノ基、アルコキシ基等が挙げられる。ここでアルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
【００１５】
本発明製造方法の原料化合物である一般式（１）の化合物は、例えば次の反応式に従って製造することができる。
【００１６】
【化３】
【００１７】
（式中、Ｒ4は、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいヘテロ環又は通常用いられるエステルの保護基を示し、Ｒ1、ａ、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）
【００１８】
すなわち、化合物（１）は、ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）とアミノ酸エステル（４）を反応させ、次いでエステル保護基を脱離させることにより得ることができる。
【００１９】
ここで、ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）は、炭酸ジメチルと（置換）フェノールとの反応により、安全かつ安価に製造できる。ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）の具体例としては、ビス（４−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（２−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（４−クロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（ペンタフルオロフェニル）カーボネート等が挙げられる。
【００２０】
アミノ酸としては、例えば、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、プロリン、ヒスチジン、メチオニン、システイン、シスチン、アルギニン、リジン、セリン、トレオニン、グルタミン酸、グルタミン、アスパラギン酸、アスパラギンなどの蛋白の主要構成のα−アミノ酸をはじめ、オルチニン、ノルロイシン、セレノシステイン、システインスルホン酸などが挙げられる。また、β−アミノ酸、γ−アミノ酸なども使用目的に応じて使用可能である。式（４）で表されるアミノ酸エステルは特に限定されないが、アミノ酸エステル−塩酸塩のようなアミノ酸エステル−酸塩にアミンなどの塩基化合物を作用させることによって得られるものを使用することができる。ここで、アミノ酸エステル−酸塩としては、アミノ酸エステル塩酸塩、アミノ酸エステル硫酸塩、及びアミノ酸エステルｐ−トルエンスルホン酸塩などが例示される。式（４）で表されるアミノ酸エステルは、脱保護が容易にできる理由からｔ−ブチルエステルが好ましく用いられる。アミンは、トリエチルアミン、ピリジン、及びイミダゾールなどが例示される。
【００２１】
ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）とアミノ酸エステル（４）との反応は、例えばアミノ酸エステル（４）１モルに対し、０．１〜１０モルのビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）を用い、加熱撹拌することでできる。反応は、テトラヒドロフラン等の溶媒中、６０℃の温度で、２４時間行うのが好ましい。
【００２２】
得られたアミノ酸エステルカーバメート体（５）の脱保護反応は、例えばトリフルオロ酢酸、塩酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の酸又は塩基を反応させることにより行うのが好ましい。
【００２３】
得られたアミノ酸カーバメート類（１）を芳香族アミンの存在下で反応させることにより、目的とするアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が高収率で得られる。
【００２４】
用いられる芳香族アミンとしては、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環式基にアミノ基が結合した第１級〜第３級アミンが挙げられる。このうち、第２級又は第３級アミンが好ましい。芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、アルキルフェニル基、ハロゲノフェニル基、アルコキシフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、スルホニルフェニル基、ホスホニルフェニル基等が挙げられる。芳香族複素環式基としては、窒素、酸素又は硫黄を有する６〜１０員の複素環式基、例えば、ピリジル基、ピリジニル基、ピロール基、チオフェン基、ジベンゾチオフェン基、インドール基、カルバゾール基、キノリン基、イソキノリン基等が挙げられる。芳香族アミンの具体例としては、例えば、アニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トルイジン、ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジルアミン、1.8-ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン等が挙げられ、ジフェニルアミン、トリフェニルアミンが好ましい。
【００２５】
芳香族アミンの使用量は、アミノ酸カーバメート類（１）１モルに対して０．１〜５．０モル、特に０．３〜３．０モルが好ましい。
【００２６】
また、本発明の製造法においては、芳香族アミンに加えて、プロトン酸の存在下で反応させることもできる。用いるプロトン酸としては、フェノール類、リン酸類、スルホン酸類、一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ5（Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7））nＣＯＯＨ （６）
（式中、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ケトン基、エステル基又はカルボキシル基を示し；ｎは０〜１０の数を示す。ただし、ｎ＝０のとき、Ｒ5は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基である。）
【００２８】
このうち、フェノール類及び上記一般式（６）で表される化合物が好ましい。フェノール類としては、２，４−ジニトロフェノール、ペンタフルオロフェノール、シアノフェノール等の電子吸引性基置換フェノールが挙げられる。
【００２９】
一般式（６）において、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7で示されるアルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖アルキル基が挙げられる。アリール基としては炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基等が好ましい。ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。アルコキシ基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖アルコキシ基が挙げられる。アリールオキシ基としては炭素数６〜１４のアリールオキシ基が挙げられ、フェノキシ基等が好ましい。アルキル基又はアリール基上に置換し得る基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、メルカプト基、シアノ基、アルコキシ基等から選ばれる１〜５個が挙げられる。
【００３０】
一般式（６）で表される化合物において、好ましくはＲ5、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよいアリール基から選択され、ｎは０又は１である。さらに、ｎ＝０の場合にはＲ5は置換基を有していてもよいフェニル基であり、ｎ＝１の場合にはＲ5、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立して水素原子又は置換基を有していてもよいフェニル基であることが特に好ましい。具体的には安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、２，４−ジニトロ安息香酸、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸等が好適に用いられる。
リン酸類としてはリン酸、亜リン酸、次亜リン酸などが挙げられる。
スルホン酸類としては、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、硫酸などが挙げられ、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸が好適に用いられる。
【００３１】
プロトン酸の使用量は、アミノ酸カーバメート類（１）１モルに対して、０．１〜１０モル、特に０．５〜１０モルが好ましい。
【００３２】
反応は有機溶媒中で行うのが好ましい。本発明で使用できる有機溶媒を具体的に例示すると、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類；ジメチルカーボネートなどのカーボネート類；ヘキサン、石油エーテルなどの脂肪族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素類などが挙げられる。有機溶媒の使用は必須ではなく、使用量の制限は特に無い。またこれらの溶媒は単一で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。
【００３３】
本発明方法は、有機溶媒中で行うことができ、反応系が均一であるため、反応操作が容易であるとともに、反応後の処理も容易である。
【００３４】
本発明の製造方法における反応条件は特に限定されない。反応は、通常、大気下で実施可能であるが、使用する化合物や生成物が水分により分解するため、アルゴン、窒素などの不活性気体雰囲気下で実施するのが望ましい。なお、この反応は、常圧、減圧、加圧のいずれの状態でも実施可能である。反応温度としては、通常、−７８〜１２０℃、好ましくは−１０〜１００℃の範囲から選択するのがよい。反応時間は、通常、０．１〜１００時間を要する。
【００３５】
このような反応条件で反応を行うことにより、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が高収率で生成する。
生成したアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物は、通常用いられる方法、例えば再結晶、カラムクロマトグラフィーなどによって精製される。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例を掲げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
【００３７】
実施例１
窒素雰囲気下、ジムロート冷却管を取り付けた１００ｍＬ容量の二口丸底フラスコに（４−ニトロフェノキシ）カルボニル−γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸８０４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）とジフェニルアミン３３８ｍｇ（２ｍｍｏｌ）、メチルエチルケトン２０ｍＬを入れ、６０℃で１３時間撹拌した。この反応混合物を、ジオキサンを内部標準としてＮＭＲ定量することにより、収率２０％でγ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物が得られていることを確認した。
【００３８】
実施例２
窒素雰囲気下、ジムロート冷却管を取り付けた１００ｍＬ容量の二口丸底フラスコに（４−ニトロフェノキシ）カルボニル−γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸８０４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）とトリフェニルアミン４９０ｍｇ（２ｍｍｏｌ）、メチルエチルケトン２０ｍＬを入れ、６０℃で２１時間撹拌した。この反応混合物を、ジオキサンを内部標準としてＮＭＲ定量することにより、収率６４％でγ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物が得られていることを確認した。
【００３９】
参考例１
窒素雰囲気下、ジムロート冷却管を取り付けた１００ｍＬ容量の二口丸底フラスコに（４−ニトロフェノキシ）カルボニル−γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸８０４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）とジイソプロピルアミン０．４２６ｍL（２ｍｍｏｌ）、メチルエチルケトン２０ｍＬを入れ、６０℃で１０分反応させた。その結果、γ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物がさらに反応し、γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸のオリゴマーが生成物として得られた。
【００４０】
実施例１及び２と参考例１の結果から、ジフェニルアミン又はトリフェニルアミンを入れた場合は、ジイソプロピルアミンを入れた場合と異なり、一定の収率でγ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物が得られることがわかる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリペプチド合成の中間原料として有用なアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の効率的な製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物は、アミノ酸からポリペプチドを合成する際の中間体として有用である。当該アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の合成法としては、アミノ酸にホスゲンを反応させる方法が高収率であることから、主流となっている。
【０００３】
しかしながら、ホスゲンはきわめて毒性の強いガスであるため、環境問題、安全性の観点からその取り扱いには厳重な注意が必要である。そのため、ホスゲンの使用は厳しく制限され、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の工業的利用を制約している。かかる観点から、ホスゲンを使用しない方法が種々検討されている（特許文献１〜４及び非特許文献１〜３）が、それらはいずれも工業的に応用できないか、又は原料にホスゲンを使用する点の問題点があった。
【０００４】
そこで本発明者はアミノ酸とビス（置換フェニル）カーボネートを反応させるか、又はアミノ酸エステルとビス（置換フェニル）カーボネートとを反応させてアミノ酸エステルにカルバメート体とし、エステルを除去した後加熱することによりアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が効率よく得られることを見出し、特許出願した（特許文献５）。
【特許文献１】米国特許第５３５９０８６号明細書
【特許文献２】特開平１１−２９５６０号公報
【特許文献３】特開２０００−３２７６６６号公報
【特許文献４】特開２００２−３２２１６０号公報
【特許文献５】特開２００７−２２９３２号公報
【非特許文献１】Tetrahedron Letters, 1996, 37, 9043.
【非特許文献２】Chemistry Letters, 2003, 32, 830.
【非特許文献３】Macromolecules 2004, 37, 251.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献５記載の方法は、ホスゲンを使用せず、工業的に応用可能な方法であるが、ビス（置換フェニル）カーボネートのフェニル基上の置換基が２，４−ジニトロ基、ペンタフルオロ基等の強力な電子吸引性基である場合には高収率で反応が進行するが、当該フェニル基上の置換基がｐ−ニトロ基等のような電子吸引性が弱い基の場合には収率が低かった。
従って本発明の目的は、ホスゲンを使用せずに、高収率でアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を製造する新たな方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、ビス（置換フェニル）カーボネートのフェニル基上の置換基がｐ−ニトロ基等の電子吸引性の弱い基である場合におけるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の収率が低い原因について検討したところ、生成したアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が分解してしまうことが判明した。そこで、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の分解を抑制し、かつアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物への反応を進行させる手段について検討した。
まず、本発明者らは、有機塩基であるジイソプロピルアミンの存在下でビス（フェニル）カーボネートとアミノ酸との反応によって得られるアミノ酸フェニルエステルカーバメート体を反応させたところ、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を良好な収率で得ることはできなかった。そこで、該反応についてさらに鋭意検討したところ、意外にも、芳香族アミンの存在下で上記反応をさせることにより、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の分解が防止され、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が高収率で得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】
すなわち、本発明は、一般式（１）
【０００８】
【化１】
【０００９】
（式中、ａ個のＲ1は同一又は異なって、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、パーフルオロアルキル基及びパークロロアルキル基から選ばれる電子吸引性置換基を示し；ａは、０〜５の整数を示し；Ｒ2及びＲ3は、互いに独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロ環を示すか、あるいはＲ2及びＲ3は結合してシクロアルキル基を形成してもよく、更にそのシクロアルキル基は縮合環として芳香環又はヘテロ環を有していてもよい。）
で表されるアミノ酸カーバメート類を、芳香族アミンの存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
【００１０】
【化２】
【００１１】
（式中、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）
で表されるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の製造方法によれば、ホスゲンを用いずに、簡便な方法により高収率でアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
一般式（１）中のＲ1は、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、パーフルオロアルキル基及びパークロロアルキル基から選ばれる電子吸引性の置換基である。このうち、原料の入手容易性、安定性の点から、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基が好ましい。またＲ1は、カーバメート基のｐ−位に置換しているのが好ましい。
ａで表される０〜５の整数としては、０〜３が好ましく、０又は１がより好ましい。
従って、フェニル基とＲ1を含めたエステル残基としては、ｐ−ニトロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、フェニル基が好ましく、ｐ−ニトロフェニル基が特に好ましい。
【００１４】
一般式（１）及び（２）中のＲ2及びＲ3は互いに独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロ環を示すか、あるいはＲ2及びＲ3が結合してシクロアルキル基を形成してもよく、更にそのシクロアルキル基は縮合環として芳香環又はヘテロ環を有していてもよい。ここで、アルキル基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖アルキル基が挙げられ、炭素数１〜６の直鎖又は分岐鎖アルキル基が好ましい。
またシクロアルキル基としては炭素数３〜６のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられる。ヘテロ環としては、インドール、ピロリジン、イミダゾール、ピロール、ピペリジン、ジヒドロキノリン等が挙げられる。Ｒ2とＲ3が結合して形成するシクロアルキル基としては、炭素数３〜６のシクロアルキル基が挙げられる。また、これらの基に置換してもよい基としては、フェニル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、シアノ基、アルコキシ基等が挙げられる。ここでアルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
【００１５】
本発明製造方法の原料化合物である一般式（１）の化合物は、例えば次の反応式に従って製造することができる。
【００１６】
【化３】
【００１７】
（式中、Ｒ4は、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいヘテロ環又は通常用いられるエステルの保護基を示し、Ｒ1、ａ、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）
【００１８】
すなわち、化合物（１）は、ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）とアミノ酸エステル（４）を反応させ、次いでエステル保護基を脱離させることにより得ることができる。
【００１９】
ここで、ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）は、炭酸ジメチルと（置換）フェノールとの反応により、安全かつ安価に製造できる。ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）の具体例としては、ビス（４−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（２−ニトロフェニル）カーボネート、ビス（４−クロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（ペンタフルオロフェニル）カーボネート等が挙げられる。
【００２０】
アミノ酸としては、例えば、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、プロリン、ヒスチジン、メチオニン、システイン、シスチン、アルギニン、リジン、セリン、トレオニン、グルタミン酸、グルタミン、アスパラギン酸、アスパラギンなどの蛋白の主要構成のα−アミノ酸をはじめ、オルチニン、ノルロイシン、セレノシステイン、システインスルホン酸などが挙げられる。また、β−アミノ酸、γ−アミノ酸なども使用目的に応じて使用可能である。式（４）で表されるアミノ酸エステルは特に限定されないが、アミノ酸エステル−塩酸塩のようなアミノ酸エステル−酸塩にアミンなどの塩基化合物を作用させることによって得られるものを使用することができる。ここで、アミノ酸エステル−酸塩としては、アミノ酸エステル塩酸塩、アミノ酸エステル硫酸塩、及びアミノ酸エステルｐ−トルエンスルホン酸塩などが例示される。式（４）で表されるアミノ酸エステルは、脱保護が容易にできる理由からｔ−ブチルエステルが好ましく用いられる。アミンは、トリエチルアミン、ピリジン、及びイミダゾールなどが例示される。
【００２１】
ビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）とアミノ酸エステル（４）との反応は、例えばアミノ酸エステル（４）１モルに対し、０．１〜１０モルのビス（（置換）フェニル）カーボネート（３）を用い、加熱撹拌することでできる。反応は、テトラヒドロフラン等の溶媒中、６０℃の温度で、２４時間行うのが好ましい。
【００２２】
得られたアミノ酸エステルカーバメート体（５）の脱保護反応は、例えばトリフルオロ酢酸、塩酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の酸又は塩基を反応させることにより行うのが好ましい。
【００２３】
得られたアミノ酸カーバメート類（１）を芳香族アミンの存在下で反応させることにより、目的とするアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が高収率で得られる。
【００２４】
用いられる芳香族アミンとしては、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環式基にアミノ基が結合した第１級〜第３級アミンが挙げられる。このうち、第２級又は第３級アミンが好ましい。芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基、例えばフェニル基、アルキルフェニル基、ハロゲノフェニル基、アルコキシフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、スルホニルフェニル基、ホスホニルフェニル基等が挙げられる。芳香族複素環式基としては、窒素、酸素又は硫黄を有する６〜１０員の複素環式基、例えば、ピリジル基、ピリジニル基、ピロール基、チオフェン基、ジベンゾチオフェン基、インドール基、カルバゾール基、キノリン基、イソキノリン基等が挙げられる。芳香族アミンの具体例としては、例えば、アニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トルイジン、ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピリジルアミン、1.8-ビス（ジメチルアミノ）ナフタレン等が挙げられ、ジフェニルアミン、トリフェニルアミンが好ましい。
【００２５】
芳香族アミンの使用量は、アミノ酸カーバメート類（１）１モルに対して０．１〜５．０モル、特に０．３〜３．０モルが好ましい。
【００２６】
また、本発明の製造法においては、芳香族アミンに加えて、プロトン酸の存在下で反応させることもできる。用いるプロトン酸としては、フェノール類、リン酸類、スルホン酸類、一般式（６）で表される化合物等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ5（Ｃ（Ｒ6）（Ｒ7））nＣＯＯＨ （６）
（式中、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ケトン基、エステル基又はカルボキシル基を示し；ｎは０〜１０の数を示す。ただし、ｎ＝０のとき、Ｒ5は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基である。）
【００２８】
このうち、フェノール類及び上記一般式（６）で表される化合物が好ましい。フェノール類としては、２，４−ジニトロフェノール、ペンタフルオロフェノール、シアノフェノール等の電子吸引性基置換フェノールが挙げられる。
【００２９】
一般式（６）において、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7で示されるアルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖アルキル基が挙げられる。アリール基としては炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基等が好ましい。ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。アルコキシ基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐鎖アルコキシ基が挙げられる。アリールオキシ基としては炭素数６〜１４のアリールオキシ基が挙げられ、フェノキシ基等が好ましい。アルキル基又はアリール基上に置換し得る基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、メルカプト基、シアノ基、アルコキシ基等から選ばれる１〜５個が挙げられる。
【００３０】
一般式（６）で表される化合物において、好ましくはＲ5、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していてもよいアリール基から選択され、ｎは０又は１である。さらに、ｎ＝０の場合にはＲ5は置換基を有していてもよいフェニル基であり、ｎ＝１の場合にはＲ5、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立して水素原子又は置換基を有していてもよいフェニル基であることが特に好ましい。具体的には安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、２，４−ジニトロ安息香酸、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸等が好適に用いられる。
リン酸類としてはリン酸、亜リン酸、次亜リン酸などが挙げられる。
スルホン酸類としては、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、硫酸などが挙げられ、具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸が好適に用いられる。
【００３１】
プロトン酸の使用量は、アミノ酸カーバメート類（１）１モルに対して、０．１〜１０モル、特に０．５〜１０モルが好ましい。
【００３２】
反応は有機溶媒中で行うのが好ましい。本発明で使用できる有機溶媒を具体的に例示すると、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類；クロロホルム、ジクロロメタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類；ジメチルカーボネートなどのカーボネート類；ヘキサン、石油エーテルなどの脂肪族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素類などが挙げられる。有機溶媒の使用は必須ではなく、使用量の制限は特に無い。またこれらの溶媒は単一で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。
【００３３】
本発明方法は、有機溶媒中で行うことができ、反応系が均一であるため、反応操作が容易であるとともに、反応後の処理も容易である。
【００３４】
本発明の製造方法における反応条件は特に限定されない。反応は、通常、大気下で実施可能であるが、使用する化合物や生成物が水分により分解するため、アルゴン、窒素などの不活性気体雰囲気下で実施するのが望ましい。なお、この反応は、常圧、減圧、加圧のいずれの状態でも実施可能である。反応温度としては、通常、−７８〜１２０℃、好ましくは−１０〜１００℃の範囲から選択するのがよい。反応時間は、通常、０．１〜１００時間を要する。
【００３５】
このような反応条件で反応を行うことにより、アミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物が高収率で生成する。
生成したアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物は、通常用いられる方法、例えば再結晶、カラムクロマトグラフィーなどによって精製される。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例を掲げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
【００３７】
実施例１
窒素雰囲気下、ジムロート冷却管を取り付けた１００ｍＬ容量の二口丸底フラスコに（４−ニトロフェノキシ）カルボニル−γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸８０４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）とジフェニルアミン３３８ｍｇ（２ｍｍｏｌ）、メチルエチルケトン２０ｍＬを入れ、６０℃で１３時間撹拌した。この反応混合物を、ジオキサンを内部標準としてＮＭＲ定量することにより、収率２０％でγ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物が得られていることを確認した。
【００３８】
実施例２
窒素雰囲気下、ジムロート冷却管を取り付けた１００ｍＬ容量の二口丸底フラスコに（４−ニトロフェノキシ）カルボニル−γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸８０４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）とトリフェニルアミン４９０ｍｇ（２ｍｍｏｌ）、メチルエチルケトン２０ｍＬを入れ、６０℃で２１時間撹拌した。この反応混合物を、ジオキサンを内部標準としてＮＭＲ定量することにより、収率６４％でγ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物が得られていることを確認した。
【００３９】
参考例１
窒素雰囲気下、ジムロート冷却管を取り付けた１００ｍＬ容量の二口丸底フラスコに（４−ニトロフェノキシ）カルボニル−γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸８０４ｍｇ（２ｍｍｏｌ）とジイソプロピルアミン０．４２６ｍL（２ｍｍｏｌ）、メチルエチルケトン２０ｍＬを入れ、６０℃で１０分反応させた。その結果、γ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物がさらに反応し、γ−ベンジル−Ｌ−グルタミン酸のオリゴマーが生成物として得られた。
【００４０】
実施例１及び２と参考例１の結果から、ジフェニルアミン又はトリフェニルアミンを入れた場合は、ジイソプロピルアミンを入れた場合と異なり、一定の収率でγ−ベンジル−Ｎ−カルボキシ−Ｌ−グルタミン酸無水物が得られることがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、ａ個のＲ1は同一又は異なって、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、パーフルオロアルキル基及びパークロロアルキル基から選ばれる電子吸引性置換基を示し；ａは、０〜５の整数を示し；Ｒ2及びＲ3は、互いに独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロ環を示すが、あるいはＲ2及びＲ3は結合してシクロアルキル基を形成してもよく、更にそのシクロアルキル基は縮合環として芳香環又はヘテロ環を有していてもよい。）
で表されるアミノ酸カーバメート類を芳香族アミンの存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）
で表されるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法。
【請求項２】
芳香族アミンがジフェニルアミン又はトリフェニルアミンである請求項１に記載の製造法。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、ａ個のＲ1は同一又は異なって、ニトロ基、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基、パーフルオロアルキル基及びパークロロアルキル基から選ばれる電子吸引性置換基を示し；ａは、０〜５の整数を示し；Ｒ2及びＲ3は、互いに独立して水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいシクロアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロ環を示すが、あるいはＲ2及びＲ3は結合してシクロアルキル基を形成してもよく、更にそのシクロアルキル基は縮合環として芳香環又はヘテロ環を有していてもよい。）
で表されるアミノ酸カーバメート類を芳香族アミンの存在下で反応させることを特徴とする一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。）
で表されるアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物の製造法。
【請求項２】
芳香族アミンがジフェニルアミン又はトリフェニルアミンである請求項１に記載の製造法。
【公開番号】特開２００９−２２７５８９（Ｐ２００９−２２７５８９Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７２００１（Ｐ２００８−７２００１）
【出願日】平成２０年３月１９日（２００８．３．１９）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月１９日（２００８．３．１９）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
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