インダクタンス素子
【課題】漏洩磁束を抑制して電磁障害を低減し、電流損失を低減して高効率とし、発熱を抑制して小型化を促進するインダクタンス素子を得る。
【解決手段】トランス(インダクタンス素子)50は、エアギャップGを介して対向するコア11と、コア11に巻装され電流を通電されてコア11にエアギャップGを含む経路の磁路を形成する巻線15と、非磁性金属材料で作製されエアギャップGとの間に所定の間隔を空けてエアギャップGを覆うショートリング20とを有している。エアギャップGから外部に漏れ出す磁束がショートリング20まで達せず、磁束が渦電流に変化することがなく損失が発生しない。これにより、漏洩磁束の抑制と電磁障害の低減、電流損失の低減と高効率化、発熱の抑制と小型化の促進を図ることができる。
【解決手段】トランス(インダクタンス素子)50は、エアギャップGを介して対向するコア11と、コア11に巻装され電流を通電されてコア11にエアギャップGを含む経路の磁路を形成する巻線15と、非磁性金属材料で作製されエアギャップGとの間に所定の間隔を空けてエアギャップGを覆うショートリング20とを有している。エアギャップGから外部に漏れ出す磁束がショートリング20まで達せず、磁束が渦電流に変化することがなく損失が発生しない。これにより、漏洩磁束の抑制と電磁障害の低減、電流損失の低減と高効率化、発熱の抑制と小型化の促進を図ることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、トランスやチョークコイルなどのインダクタンス素子に関し、特にコアにエアギャップが形成されたインダクタンス素子に関するものである。
【背景技術】
【0002】
トランスやチョークコイルなどのインダクタンス素子においては、例えば磁気飽和を防ぐ等の目的で意図的にコアにエアギャップを設けて透磁率を下げて使用する場合がある。図9はコアにエアギャップを形成した従来のトランスの斜視図である。図9において、トランス60は、EE型フェライトコア11と、このフェライトコア11の中脚部に図示しないボビンを介して巻装された巻線15と、巻線15と電気的に接続されたボビン端子17とを有している。EE型フェライトコア11は、E型の3つの先端部を互いに突き合わせるようにして対向する一対のコアであり、対向するコア間には所定の大きさのエアギャップGが形成されている。
【0003】
巻線15は電流を通電された際、フェライトコア11にエアギャップGの位置を含む経路の磁路を形成する。エアギャップGが形成された部分は、他の部分よりも透磁率が極端に低いため、この部分から外部に対して磁束が漏れ出す。そして、この漏れ出した磁束はトランス外部に電磁障害(ノイズ)を発生させる。そのため、従来この磁束の漏れ出しを抑制する目的で、以下のようにシート状(帯状)の非磁性金属板40をフェライトコア11に巻き付ける構成が提案されている。
【0004】
すなわち、図9に示すように、銅箔またはアルミ箔等で構成されるシート状の非磁性金属板40を、エアギャップGが露呈するコア11の外脚部及び巻線15の周囲にエアギャップGを覆うようにして1周以上巻き付ける構成が提案されている。この構成によれば、エアギャップGから外部に漏れ出す磁束を抑制することができる(例えば、特許文献1及び2参照)。
【0005】
【特許文献1】実用新案登録第2518250号公報
【特許文献2】実用新案登録第2518241号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記シート状の非磁性金属板を巻き付ける方法においては、非磁性金属板は磁束を渦電流に変換することで消費させて外部への漏れ出しを抑制する。すなわち、電流損失が発生する。そのため、電力の消費を伴ってトランスの変換効率を悪くするばかりか、発熱を誘発して小型化の妨げになるので改善が望まれていた。
【0007】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、エアギャップからの漏洩磁束を抑制して電磁障害を低減し、また、電流損失を低減して高効率とするとともに、さらに、発熱を抑制して小型化を促進するインダクタンス素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決し目的を達成するために、本発明のインダクタンス素子は、エアギャップを介して対向するコアと、コアに巻装され電流を通電されてコアにエアギャップを含む経路の磁路を形成する巻線と、非磁性金属材料で作製されエアギャップとの間に所定の間隔を空けてエアギャップを覆うショートリングとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
この発明によれば、エアギャップを覆うショートリングが、エアギャップとの間に所定の間隔を空けて設けられているので、エアギャップから外部に漏れ出す磁束がショートリングまで達しない。そのため、磁束がショートリングで渦電流に変化することがなく損失が発生しない。そのため、高効率とするとともに発熱を抑制することができる。磁束の漏れ出しに関しては、従来の間隙を有さないものと同様に抑制することができ、これにより、電磁障害は低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下に、本発明にかかるインダクタンス素子の実施の形態をトランスを例に挙げて図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【0011】
実施の形態1.
図1は本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態1を示す斜視図である。図2は図1に示すトランスのショートリングの一部を破断した様子を示す斜視図である。図3は図1に示すトランスの上面図である。図4は図3のA−A線に沿う矢視断面図である。図1乃至図4において、トランス50は、EE型フェライトコア11と、このフェライトコア11の中脚部に図示しないボビンを介して巻装された巻線15と、巻線15と電気的に接続されたボビン端子17とを有している。
【0012】
図3に示されるように、EE型フェライトコア11は、概略E型を成して3つの先端部を互いに突き合わせて対向する一対のコア12,13にて構成されている。対向する一対のコア12,13間には所定の大きさのエアギャップGが形成されている。
【0013】
EE型フェライトコア(以降、単にコア)11及び巻線15の周囲に非磁性金属材料で作製されたショートリング20が設けられている。図2及び図4に示されるようにショートリング20は、コア11の外脚部を囲繞する部分が断面コ字形に成形されている。なお、巻線15を囲繞する部分は薄板状とされている。断面コ字形の部分は、長尺の板材が対向する長辺縁部を折り曲げられて成るような形状をなし、対向する二つの壁面で成る側壁部と、二つの壁面に設けられた中壁部とを有する。
【0014】
ショートリング20は、断面コ字形に成形されてコ字形の開口側の縁部をコア11の表面に密着させて接着剤で固定されている。ショートリング20は、断面コ字形に成形されることにより、エアギャップG(コア11の表面)との間に所定の間隔(空間)を空けてエアギャップGを覆っている。本実施の形態のショートリング20は、銅箔が部分的に断面コ字形に成形されることによって作製されている。
【0015】
図5は磁気シミュレーションにより得た実施の形態1のトランスの磁気分布の様子を示す模式図である。図5において、エアギャップGから漏れ出した電磁障害(ノイズ)の原因となる磁束Tは、ショートリング20から外部に出ることがなく、またショートリング20に達してないことが解る。このように、磁束Tはショートリング20から外部に出ることがないので電磁障害の原因となることがない。また磁束Tはショートリング20に達することがないので、渦電流となることがなく損失とならない。そのため、発熱も低減される。
【0016】
図6はショートリング20での損失とショートリング20のコア表面からの距離との関係を示すグラフの図である。図6は一例として、例えば電流共振回路に用いる標準サイズの共振用コイル(高さ約20mm、幅約30mm、入力380V、出力48V、容量1.5kW)に関してシミュレーションしたものである。図中、縦軸はショートリング20の渦電流損失比を示し、横軸はショートリング20のコア表面からの距離[mm]を示す。ここで、ショートリング20のコア表面からの距離とは、断面コ字形のショートリング20の中壁部とコア11の表面との間の距離のことを指している。図6によれば、ショートリング20の中壁部とコア11の表面との間の距離を大きくすることにより、渦電流損失比を大幅に小さくすることができる。すなわち、消費電力を大幅に低減することができる。ショートリング20の中壁部とコア11の表面との間の距離を大きくすればするほど、渦電流損失比を小さくすることができるが小型化に抗することになるので、例えば、上記サイズのコイルであれば3mm程度とすることが適当である。
【0017】
図7はショートリング20周囲の磁界強度を示すグラフの図である。図7は図6のデータに対応して、図6と同サイズのトランスに関してシミュレーションして得たものである。磁界強度の測定位置は、図5を参照してコア11の上面右端からさらに右方向に10mm進んだ位置の空間である。図中、縦軸はショートリング20周囲の磁界強度[A/m]を示し、横軸はコア11の表面とショートリング20の中壁部との間の距離[mm]を示す。図7によれば、ショートリング20の周囲の磁界は、ショートリング20の大きさには影響されないことが解る。すなわち、ショートリング20の漏れ磁束の抑制能力は、ショートリング20とコア11との間の距離によらず概略一定であり、従来のようにコアに直接巻き付けても、本実施の形態のようにコア11との間に所定の間隙を設けても変わらないことが解る。
【0018】
以上のように、本実施の形態のトランスによれば、エアギャップGを覆うショートリング20が、エアギャップGとの間に所定の間隔を空けて設けられているので、エアギャップGから外部に漏れ出す磁束がショートリング20まで達することがない。そのため、磁束がショートリング20で渦電流に変化することがなく損失が発生しない。そのため、高効率なトランスとなり、発熱も抑制される。
【0019】
なお、本実施の形態のショートリング20の構成は、トランスに限らず以下のようなインダクタンス素子に適用することができる。すなわち、エアギャップを介して対向するコアと、このコアに巻装されて電流を通電されたときにコアに磁路を形成する巻線とを有して、この磁路の経路がエアギャップを通過するようなインダクタンス素子であれば、トランスに限らず適用することができる。
【0020】
また、本実施の形態のコア11は、EE型のフェライトコアであるが、EE型に限らず上述のようにエアギャップを含むように磁路が形成されるコアであれば、本実施の形態のショートリング20を適用して所定の効果を得ることができる。
【0021】
さらに、本実施の形態のショートリング20は、コア11の外脚部を囲繞する部分が断面コ字形に成形されて巻線15を囲繞する部分は薄板状という形状であるが、全体(全周)にわたって断面コ字形にされてもよい。また、巻線15を囲繞する部分が省略されて、コア11の外脚部を囲繞する断面コ字形の部分のみの構成とされてもよい。さらに、コア11の外脚部を囲繞する部分は、断面コ字形でなくともよく、エアギャップG(コア11の表面)との間に所定の間隔(空間)を空けてエアギャップGを覆う形状であれば所定の効果を得ることができる。例えば、断面半円形状や断面三角形状などでもよい。また、ショートリング20は、銅箔に限らず例えば銅の薄板を折り曲げて作製されてもよい。さらにまた、ショートリング20の材料は、非磁性金属材料であればよく、銅に限らずアルミなどで作製されてもよい。
【0022】
実施の形態2.
図8は本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態2を示すショートリングの断面図である。本実施の形態のショートリング21においては、実施の形態1のもと同様に、エアギャップGを覆う部分が断面コ字形を成しているが、このコ字形部分が以下のようにして作製されている。すなわち、幅の狭い銅箔がコア11に2列に多層に積み重ねられて対向する側壁部21aが形成され、この積層されて成る2列の側壁部21aに幅の広い銅箔が架け渡されるようにさらに重ねられて中壁部21bが形成されて断面コ字形とされている。そして、断面コ字形が形成するエアギャップG(コア11の表面)とショートリング21との間の間隔には、必要に応じて絶縁物が充填される。その他の構成は実施の形態1と同様である。
【0023】
ショートリング21の断面コ字形の部分をこのような構成とすることにより、比較的容易に作製することができ、また強固に作製することができる。また、このようにして作製されるショートリング21の内部空間を絶縁物で満たすことにより、さらに強固なものとすることができ、外力が加わってもへこむことがない構造とすることができる。なお、このショートリング21の内部空間を絶縁物で満たす構造は、実施の形態1のものに適用されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0024】
以上のように、本発明は、コアにエアギャップが形成されたインダクタンス素子に有用であり、特に、トランスやチョークコイルなどのインダクタンス素子に適している。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態1を示す斜視図である。
【図2】図1に示すトランスのショートリングの一部を破断した様子を示す斜視図である。
【図3】図1に示すトランスの上面図である。
【図4】図3のA−A線に沿う矢視断面図である。
【図5】磁気シミュレーションにより得た実施の形態1のトランスの磁気分布の様子を示す模式図である。
【図6】ショートリングでの損失とショートリングのコア表面からの距離との関係を示すグラフの図である。
【図7】ショートリング周囲の磁界強度を示すグラフの図である。
【図8】本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態2を示すショートリングの断面図である。
【図9】コアにエアギャップを形成した従来のトランスの斜視図である。
【符号の説明】
【0026】
11 EE型フェライトコア(コア)
15 巻線
17 ボビン端子
20,21 ショートリング
21a 側壁部
21b 中壁部
50 トランス
G エアギャップ
【技術分野】
【0001】
本発明は、トランスやチョークコイルなどのインダクタンス素子に関し、特にコアにエアギャップが形成されたインダクタンス素子に関するものである。
【背景技術】
【0002】
トランスやチョークコイルなどのインダクタンス素子においては、例えば磁気飽和を防ぐ等の目的で意図的にコアにエアギャップを設けて透磁率を下げて使用する場合がある。図9はコアにエアギャップを形成した従来のトランスの斜視図である。図9において、トランス60は、EE型フェライトコア11と、このフェライトコア11の中脚部に図示しないボビンを介して巻装された巻線15と、巻線15と電気的に接続されたボビン端子17とを有している。EE型フェライトコア11は、E型の3つの先端部を互いに突き合わせるようにして対向する一対のコアであり、対向するコア間には所定の大きさのエアギャップGが形成されている。
【0003】
巻線15は電流を通電された際、フェライトコア11にエアギャップGの位置を含む経路の磁路を形成する。エアギャップGが形成された部分は、他の部分よりも透磁率が極端に低いため、この部分から外部に対して磁束が漏れ出す。そして、この漏れ出した磁束はトランス外部に電磁障害(ノイズ)を発生させる。そのため、従来この磁束の漏れ出しを抑制する目的で、以下のようにシート状(帯状)の非磁性金属板40をフェライトコア11に巻き付ける構成が提案されている。
【0004】
すなわち、図9に示すように、銅箔またはアルミ箔等で構成されるシート状の非磁性金属板40を、エアギャップGが露呈するコア11の外脚部及び巻線15の周囲にエアギャップGを覆うようにして1周以上巻き付ける構成が提案されている。この構成によれば、エアギャップGから外部に漏れ出す磁束を抑制することができる(例えば、特許文献1及び2参照)。
【0005】
【特許文献1】実用新案登録第2518250号公報
【特許文献2】実用新案登録第2518241号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記シート状の非磁性金属板を巻き付ける方法においては、非磁性金属板は磁束を渦電流に変換することで消費させて外部への漏れ出しを抑制する。すなわち、電流損失が発生する。そのため、電力の消費を伴ってトランスの変換効率を悪くするばかりか、発熱を誘発して小型化の妨げになるので改善が望まれていた。
【0007】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、エアギャップからの漏洩磁束を抑制して電磁障害を低減し、また、電流損失を低減して高効率とするとともに、さらに、発熱を抑制して小型化を促進するインダクタンス素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決し目的を達成するために、本発明のインダクタンス素子は、エアギャップを介して対向するコアと、コアに巻装され電流を通電されてコアにエアギャップを含む経路の磁路を形成する巻線と、非磁性金属材料で作製されエアギャップとの間に所定の間隔を空けてエアギャップを覆うショートリングとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
この発明によれば、エアギャップを覆うショートリングが、エアギャップとの間に所定の間隔を空けて設けられているので、エアギャップから外部に漏れ出す磁束がショートリングまで達しない。そのため、磁束がショートリングで渦電流に変化することがなく損失が発生しない。そのため、高効率とするとともに発熱を抑制することができる。磁束の漏れ出しに関しては、従来の間隙を有さないものと同様に抑制することができ、これにより、電磁障害は低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下に、本発明にかかるインダクタンス素子の実施の形態をトランスを例に挙げて図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【0011】
実施の形態1.
図1は本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態1を示す斜視図である。図2は図1に示すトランスのショートリングの一部を破断した様子を示す斜視図である。図3は図1に示すトランスの上面図である。図4は図3のA−A線に沿う矢視断面図である。図1乃至図4において、トランス50は、EE型フェライトコア11と、このフェライトコア11の中脚部に図示しないボビンを介して巻装された巻線15と、巻線15と電気的に接続されたボビン端子17とを有している。
【0012】
図3に示されるように、EE型フェライトコア11は、概略E型を成して3つの先端部を互いに突き合わせて対向する一対のコア12,13にて構成されている。対向する一対のコア12,13間には所定の大きさのエアギャップGが形成されている。
【0013】
EE型フェライトコア(以降、単にコア)11及び巻線15の周囲に非磁性金属材料で作製されたショートリング20が設けられている。図2及び図4に示されるようにショートリング20は、コア11の外脚部を囲繞する部分が断面コ字形に成形されている。なお、巻線15を囲繞する部分は薄板状とされている。断面コ字形の部分は、長尺の板材が対向する長辺縁部を折り曲げられて成るような形状をなし、対向する二つの壁面で成る側壁部と、二つの壁面に設けられた中壁部とを有する。
【0014】
ショートリング20は、断面コ字形に成形されてコ字形の開口側の縁部をコア11の表面に密着させて接着剤で固定されている。ショートリング20は、断面コ字形に成形されることにより、エアギャップG(コア11の表面)との間に所定の間隔(空間)を空けてエアギャップGを覆っている。本実施の形態のショートリング20は、銅箔が部分的に断面コ字形に成形されることによって作製されている。
【0015】
図5は磁気シミュレーションにより得た実施の形態1のトランスの磁気分布の様子を示す模式図である。図5において、エアギャップGから漏れ出した電磁障害(ノイズ)の原因となる磁束Tは、ショートリング20から外部に出ることがなく、またショートリング20に達してないことが解る。このように、磁束Tはショートリング20から外部に出ることがないので電磁障害の原因となることがない。また磁束Tはショートリング20に達することがないので、渦電流となることがなく損失とならない。そのため、発熱も低減される。
【0016】
図6はショートリング20での損失とショートリング20のコア表面からの距離との関係を示すグラフの図である。図6は一例として、例えば電流共振回路に用いる標準サイズの共振用コイル(高さ約20mm、幅約30mm、入力380V、出力48V、容量1.5kW)に関してシミュレーションしたものである。図中、縦軸はショートリング20の渦電流損失比を示し、横軸はショートリング20のコア表面からの距離[mm]を示す。ここで、ショートリング20のコア表面からの距離とは、断面コ字形のショートリング20の中壁部とコア11の表面との間の距離のことを指している。図6によれば、ショートリング20の中壁部とコア11の表面との間の距離を大きくすることにより、渦電流損失比を大幅に小さくすることができる。すなわち、消費電力を大幅に低減することができる。ショートリング20の中壁部とコア11の表面との間の距離を大きくすればするほど、渦電流損失比を小さくすることができるが小型化に抗することになるので、例えば、上記サイズのコイルであれば3mm程度とすることが適当である。
【0017】
図7はショートリング20周囲の磁界強度を示すグラフの図である。図7は図6のデータに対応して、図6と同サイズのトランスに関してシミュレーションして得たものである。磁界強度の測定位置は、図5を参照してコア11の上面右端からさらに右方向に10mm進んだ位置の空間である。図中、縦軸はショートリング20周囲の磁界強度[A/m]を示し、横軸はコア11の表面とショートリング20の中壁部との間の距離[mm]を示す。図7によれば、ショートリング20の周囲の磁界は、ショートリング20の大きさには影響されないことが解る。すなわち、ショートリング20の漏れ磁束の抑制能力は、ショートリング20とコア11との間の距離によらず概略一定であり、従来のようにコアに直接巻き付けても、本実施の形態のようにコア11との間に所定の間隙を設けても変わらないことが解る。
【0018】
以上のように、本実施の形態のトランスによれば、エアギャップGを覆うショートリング20が、エアギャップGとの間に所定の間隔を空けて設けられているので、エアギャップGから外部に漏れ出す磁束がショートリング20まで達することがない。そのため、磁束がショートリング20で渦電流に変化することがなく損失が発生しない。そのため、高効率なトランスとなり、発熱も抑制される。
【0019】
なお、本実施の形態のショートリング20の構成は、トランスに限らず以下のようなインダクタンス素子に適用することができる。すなわち、エアギャップを介して対向するコアと、このコアに巻装されて電流を通電されたときにコアに磁路を形成する巻線とを有して、この磁路の経路がエアギャップを通過するようなインダクタンス素子であれば、トランスに限らず適用することができる。
【0020】
また、本実施の形態のコア11は、EE型のフェライトコアであるが、EE型に限らず上述のようにエアギャップを含むように磁路が形成されるコアであれば、本実施の形態のショートリング20を適用して所定の効果を得ることができる。
【0021】
さらに、本実施の形態のショートリング20は、コア11の外脚部を囲繞する部分が断面コ字形に成形されて巻線15を囲繞する部分は薄板状という形状であるが、全体(全周)にわたって断面コ字形にされてもよい。また、巻線15を囲繞する部分が省略されて、コア11の外脚部を囲繞する断面コ字形の部分のみの構成とされてもよい。さらに、コア11の外脚部を囲繞する部分は、断面コ字形でなくともよく、エアギャップG(コア11の表面)との間に所定の間隔(空間)を空けてエアギャップGを覆う形状であれば所定の効果を得ることができる。例えば、断面半円形状や断面三角形状などでもよい。また、ショートリング20は、銅箔に限らず例えば銅の薄板を折り曲げて作製されてもよい。さらにまた、ショートリング20の材料は、非磁性金属材料であればよく、銅に限らずアルミなどで作製されてもよい。
【0022】
実施の形態2.
図8は本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態2を示すショートリングの断面図である。本実施の形態のショートリング21においては、実施の形態1のもと同様に、エアギャップGを覆う部分が断面コ字形を成しているが、このコ字形部分が以下のようにして作製されている。すなわち、幅の狭い銅箔がコア11に2列に多層に積み重ねられて対向する側壁部21aが形成され、この積層されて成る2列の側壁部21aに幅の広い銅箔が架け渡されるようにさらに重ねられて中壁部21bが形成されて断面コ字形とされている。そして、断面コ字形が形成するエアギャップG(コア11の表面)とショートリング21との間の間隔には、必要に応じて絶縁物が充填される。その他の構成は実施の形態1と同様である。
【0023】
ショートリング21の断面コ字形の部分をこのような構成とすることにより、比較的容易に作製することができ、また強固に作製することができる。また、このようにして作製されるショートリング21の内部空間を絶縁物で満たすことにより、さらに強固なものとすることができ、外力が加わってもへこむことがない構造とすることができる。なお、このショートリング21の内部空間を絶縁物で満たす構造は、実施の形態1のものに適用されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0024】
以上のように、本発明は、コアにエアギャップが形成されたインダクタンス素子に有用であり、特に、トランスやチョークコイルなどのインダクタンス素子に適している。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態1を示す斜視図である。
【図2】図1に示すトランスのショートリングの一部を破断した様子を示す斜視図である。
【図3】図1に示すトランスの上面図である。
【図4】図3のA−A線に沿う矢視断面図である。
【図5】磁気シミュレーションにより得た実施の形態1のトランスの磁気分布の様子を示す模式図である。
【図6】ショートリングでの損失とショートリングのコア表面からの距離との関係を示すグラフの図である。
【図7】ショートリング周囲の磁界強度を示すグラフの図である。
【図8】本発明にかかるインダクタンス素子の一例であるトランスの実施の形態2を示すショートリングの断面図である。
【図9】コアにエアギャップを形成した従来のトランスの斜視図である。
【符号の説明】
【0026】
11 EE型フェライトコア(コア)
15 巻線
17 ボビン端子
20,21 ショートリング
21a 側壁部
21b 中壁部
50 トランス
G エアギャップ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エアギャップを介して対向するコアと、
前記コアに巻装されて電流を通電されたとき前記コアに前記エアギャップを含む経路の磁路を形成する巻線と、
非磁性金属材料で作製されて前記コアの周囲に配設され、コア表面との間に所定の間隔を空けて該エアギャップを覆うショートリングと
を有することを特徴とするインダクタンス素子。
【請求項2】
前記コアは、前記エアギャップを介して対向するEE形のコアであり、
前記巻線は、前記EE型コアの中脚部に巻装されており、
前記ショートリングは、前記巻線から露呈する前記EE型コアの外脚部に形成された前記エアギャップを所定の間隔を空けて覆う
ことを特徴とする請求項1に記載のインダクタンス素子。
【請求項3】
前記ショートリングは、少なくとも前記エアギャップを覆う部分が断面コ字形を成し、コ字形の開口を前記エアギャップ側に向け開口縁部を前記コアの表面に密着させて配設されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載のインダクタンス素子。
【請求項4】
前記ショートリングは、前記コアの表面に密着させた断面コ字形の開口縁部を前記コアの表面に接着剤で固定されている
ことを特徴とする請求項3に記載のインダクタンス素子。
【請求項5】
前記断面コ字形のショートリングは、幅の狭い銅箔が2列に多層に重ねられて側壁部が形成され、該2列の側壁部の上に幅の広い銅箔が架け渡されるように重ねられて中壁部が形成されて断面コ字形とされている
ことを特徴とする請求項3または4に記載のインダクタンス素子。
【請求項6】
前記エアギャップと前記ショートリングとの間の間隔に絶縁物が充填されている
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のインダクタンス素子。
【請求項7】
前記ショートリングは銅箔が断面コ字形に成形されて作製されている
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のインダクタンス素子。
【請求項1】
エアギャップを介して対向するコアと、
前記コアに巻装されて電流を通電されたとき前記コアに前記エアギャップを含む経路の磁路を形成する巻線と、
非磁性金属材料で作製されて前記コアの周囲に配設され、コア表面との間に所定の間隔を空けて該エアギャップを覆うショートリングと
を有することを特徴とするインダクタンス素子。
【請求項2】
前記コアは、前記エアギャップを介して対向するEE形のコアであり、
前記巻線は、前記EE型コアの中脚部に巻装されており、
前記ショートリングは、前記巻線から露呈する前記EE型コアの外脚部に形成された前記エアギャップを所定の間隔を空けて覆う
ことを特徴とする請求項1に記載のインダクタンス素子。
【請求項3】
前記ショートリングは、少なくとも前記エアギャップを覆う部分が断面コ字形を成し、コ字形の開口を前記エアギャップ側に向け開口縁部を前記コアの表面に密着させて配設されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載のインダクタンス素子。
【請求項4】
前記ショートリングは、前記コアの表面に密着させた断面コ字形の開口縁部を前記コアの表面に接着剤で固定されている
ことを特徴とする請求項3に記載のインダクタンス素子。
【請求項5】
前記断面コ字形のショートリングは、幅の狭い銅箔が2列に多層に重ねられて側壁部が形成され、該2列の側壁部の上に幅の広い銅箔が架け渡されるように重ねられて中壁部が形成されて断面コ字形とされている
ことを特徴とする請求項3または4に記載のインダクタンス素子。
【請求項6】
前記エアギャップと前記ショートリングとの間の間隔に絶縁物が充填されている
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のインダクタンス素子。
【請求項7】
前記ショートリングは銅箔が断面コ字形に成形されて作製されている
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のインダクタンス素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【公開番号】特開2009−164487(P2009−164487A)
【公開日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−2601(P2008−2601)
【出願日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【出願人】(390013723)TDKラムダ株式会社 (272)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【出願人】(390013723)TDKラムダ株式会社 (272)
【Fターム(参考)】
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