ソリッドステートディスク
【課題】異なる動作モードのメモリチップをサポートすることができるソリッドステートディスクを提供すること。
【解決手段】本発明に係るソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
【解決手段】本発明に係るソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソリッドステートディスク（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｉｓｋ）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、コンピュータの格納容量を拡大するため、ソリッドステートディスクが幅広く用いられている。しかし、従来の記憶チップは、様々なメーカーによって製造されているため、動作モードも異なる。従って、ソリッドステートディスク上の記憶チップが損傷して取り替えなければならなくなった場合、各々の記憶チップの動作モードは異なるため、当該ソリッドステートディスク上の回路を変更しなければならず、時間の浪費及び使用上の不便をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
以上の問題点に鑑みて、本発明は、異なる動作モードのメモリチップをサポートすることができるソリッドステートディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の目的を達成するために、本発明に係るソリッドステートディスクは、コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて、当該コンピュータの格納容量を拡大するために用いられ且つメインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗及びメインチップと、に接続される複数のメモリチップを備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
【発明の効果】
【０００５】
従来の技術とは異なり、本発明のソリッドステートディスクは、第一スイッチ及び第二スイッチの開閉状態を制御することにより、メモリチップの動作モードを変えることができ、操作に便利で且つ時間を節約することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態に係るソリッドステートディスクの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１に示すように、本発明の実施形態に係るソリッドステートディスク１は、コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて使用される。例えば、ソリッドステートディスク１を、ＤＤＲ３メモリスロットに挿入してデータを格納することで、コンピュータの記憶容量を拡大することができる。ソリッドステートディスク１は、メインチップ１０と、第一スイッチＳ１と、第二スイッチＳ２と、電気抵抗３０と、メインチップ１０に接続されている複数のメモリチップ４０と、を備える。また、ソリッドステートディスク１の他の部品は、既存のソリッドステートディスク１と同じであるので、ここでの詳しい説明は省略する。
【０００８】
第一スイッチＳ１の第一端は、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０に接続され、第二スイッチＳ２の第一端は、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１１に接続される。また、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２の第二端は、共に電気抵抗３０を介して接地される。
【０００９】
メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０及び入出力ピンＧＰＩＯ１１のレベル信号を設定することによって、メモリチップ４０の動作モードを変えることができる。例えば、入出力ピンＧＰＩＯ１０及び入出力ピンＧＰＩＯ１１が何れも低レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第一動作モード（例えば、Ａｓｙｎｃモード）の下で作動する。また、入出力ピンＧＰＩＯ１０が高レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１が低レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第二動作モード（例えば、Ｔｏｇｇｌｅモード）の下で作動する。また、入出力ピンＧＰＩＯ１０が低レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１が高レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第三動作モード（例えば、ＯＮＦ１２モード）の下で作動する。また、入出力ピンＧＰＩＯ１０及び入出力ピンＧＰＩＯ１１が何れも高レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第四動作モード（例えば、Ｏｌｄ ａｓｙｎｃモード）の下で作動する。
【００１０】
ソリッドステートディスク１を使用する際、メモリチップ４０が第一動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２をオフにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０及びＧＰＩＯ１１は、共に低レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第一動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ４０が第二動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１をオンにして、第二スイッチＳ２をオフにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０は高レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１は低レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第二動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ４０が第三動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１をオフにして、第二スイッチＳ２をオンにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０は低レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１は高レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第三動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ４０が第四動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２を同時にオンにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０、ＧＰＩＯ１１は、共に高レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第四動作モードの下で作動させる。
【００１１】
上記の実施形態から明らかなように、本発明のソリッドステートディスク１は、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２の開閉状態を制御することにより、メモリチップ４０の動作モードを変えることができる。これにより、操作に便利で且つ時間を節約することができる。
【００１２】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形又は修正が可能であり、該変形又は修正も又、本発明の特許請求の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００１３】
１ ソリッドステートディスク
１０ メインチップ
３０ 電気抵抗
４０ メモリチップ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソリッドステートディスク（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｉｓｋ）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、コンピュータの格納容量を拡大するため、ソリッドステートディスクが幅広く用いられている。しかし、従来の記憶チップは、様々なメーカーによって製造されているため、動作モードも異なる。従って、ソリッドステートディスク上の記憶チップが損傷して取り替えなければならなくなった場合、各々の記憶チップの動作モードは異なるため、当該ソリッドステートディスク上の回路を変更しなければならず、時間の浪費及び使用上の不便をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
以上の問題点に鑑みて、本発明は、異なる動作モードのメモリチップをサポートすることができるソリッドステートディスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の目的を達成するために、本発明に係るソリッドステートディスクは、コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて、当該コンピュータの格納容量を拡大するために用いられ且つメインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗及びメインチップと、に接続される複数のメモリチップを備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
【発明の効果】
【０００５】
従来の技術とは異なり、本発明のソリッドステートディスクは、第一スイッチ及び第二スイッチの開閉状態を制御することにより、メモリチップの動作モードを変えることができ、操作に便利で且つ時間を節約することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態に係るソリッドステートディスクの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１に示すように、本発明の実施形態に係るソリッドステートディスク１は、コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて使用される。例えば、ソリッドステートディスク１を、ＤＤＲ３メモリスロットに挿入してデータを格納することで、コンピュータの記憶容量を拡大することができる。ソリッドステートディスク１は、メインチップ１０と、第一スイッチＳ１と、第二スイッチＳ２と、電気抵抗３０と、メインチップ１０に接続されている複数のメモリチップ４０と、を備える。また、ソリッドステートディスク１の他の部品は、既存のソリッドステートディスク１と同じであるので、ここでの詳しい説明は省略する。
【０００８】
第一スイッチＳ１の第一端は、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０に接続され、第二スイッチＳ２の第一端は、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１１に接続される。また、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２の第二端は、共に電気抵抗３０を介して接地される。
【０００９】
メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０及び入出力ピンＧＰＩＯ１１のレベル信号を設定することによって、メモリチップ４０の動作モードを変えることができる。例えば、入出力ピンＧＰＩＯ１０及び入出力ピンＧＰＩＯ１１が何れも低レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第一動作モード（例えば、Ａｓｙｎｃモード）の下で作動する。また、入出力ピンＧＰＩＯ１０が高レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１が低レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第二動作モード（例えば、Ｔｏｇｇｌｅモード）の下で作動する。また、入出力ピンＧＰＩＯ１０が低レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１が高レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第三動作モード（例えば、ＯＮＦ１２モード）の下で作動する。また、入出力ピンＧＰＩＯ１０及び入出力ピンＧＰＩＯ１１が何れも高レベル信号を受信した場合、メモリチップ４０は第四動作モード（例えば、Ｏｌｄ ａｓｙｎｃモード）の下で作動する。
【００１０】
ソリッドステートディスク１を使用する際、メモリチップ４０が第一動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２をオフにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０及びＧＰＩＯ１１は、共に低レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第一動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ４０が第二動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１をオンにして、第二スイッチＳ２をオフにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０は高レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１は低レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第二動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ４０が第三動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１をオフにして、第二スイッチＳ２をオンにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０は低レベル信号を受信し、入出力ピンＧＰＩＯ１１は高レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第三動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ４０が第四動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２を同時にオンにすると、メインチップ１０の入出力ピンＧＰＩＯ１０、ＧＰＩＯ１１は、共に高レベル信号を受信し、この際、メインチップ１０は、メモリチップ４０を制御して第四動作モードの下で作動させる。
【００１１】
上記の実施形態から明らかなように、本発明のソリッドステートディスク１は、第一スイッチＳ１及び第二スイッチＳ２の開閉状態を制御することにより、メモリチップ４０の動作モードを変えることができる。これにより、操作に便利で且つ時間を節約することができる。
【００１２】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形又は修正が可能であり、該変形又は修正も又、本発明の特許請求の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００１３】
１ ソリッドステートディスク
１０ メインチップ
３０ 電気抵抗
４０ メモリチップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて、コンピュータの格納容量を拡大するために用いられるソリッドステートディスクであって、
該ソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備え、前記メインチップは、前記メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、前記メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、前記メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に前記電気抵抗を介して接地され、
前記第一スイッチ及び前記第二スイッチを選択的に開閉させて、前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、前記メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、前記メモリチップの動作モードを変えることを特徴とするソリッドステートディスク。
【請求項２】
前記メモリチップの動作モードは、第一動作モードないし第四動作モードを備え、第一動作モードはＡｓｙｎｃモードであり、第二動作モードはＴｏｇｇｌｅモードであり、第三動作モードはＯＮＦ１２モードであり、第四動作モードはＯｌｄ ａｓｙｎｃモードであり、
前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンが共に低レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第一動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピンが高レベル信号を受信し且つ第二入出力ピンが低レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第二動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピンが低レベル信号を受信し且つ第二入出力ピンが高レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第三動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンが共に高レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第四動作モードの下で作動することを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートディスク。
【請求項１】
コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて、コンピュータの格納容量を拡大するために用いられるソリッドステートディスクであって、
該ソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備え、前記メインチップは、前記メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、前記メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、前記メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に前記電気抵抗を介して接地され、
前記第一スイッチ及び前記第二スイッチを選択的に開閉させて、前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、前記メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、前記メモリチップの動作モードを変えることを特徴とするソリッドステートディスク。
【請求項２】
前記メモリチップの動作モードは、第一動作モードないし第四動作モードを備え、第一動作モードはＡｓｙｎｃモードであり、第二動作モードはＴｏｇｇｌｅモードであり、第三動作モードはＯＮＦ１２モードであり、第四動作モードはＯｌｄ ａｓｙｎｃモードであり、
前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンが共に低レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第一動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピンが高レベル信号を受信し且つ第二入出力ピンが低レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第二動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピンが低レベル信号を受信し且つ第二入出力ピンが高レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第三動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンが共に高レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第四動作モードの下で作動することを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートディスク。
【図１】
【公開番号】特開２０１３−１０９７６３（Ｐ２０１３−１０９７６３Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２５１９９５（Ｐ２０１２−２５１９９５）
【出願日】平成２４年１１月１６日（２０１２．１１．１６）
【出願人】（５０３０２３０６９）鴻富錦精密工業（深▲セン▼）有限公司 (399)
【出願人】（５０００８０５４６）鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 (1,018)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１１月１６日（２０１２．１１．１６）
【出願人】（５０３０２３０６９）鴻富錦精密工業（深▲セン▼）有限公司 (399)
【出願人】（５０００８０５４６）鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 (1,018)
【Ｆターム（参考）】
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