説明

チオフェン類の製造方法

【課題】機能性材料の原料又は中間体として極めて有用な3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及びその中間体である3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類の製造法の提供。
【解決手段】チオフェン類とジオール類とを、銅化合物と8−ヒドロキシキノリンとを含む触媒及び塩基の存在下に、非プロトン性の極性溶媒中で反応させ、3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及び下記式(4)で表される3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を得る。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及び3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を製造する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
3,4−アルキレンジオキシチオフェン類は、機能性材料の原料又は中間体として広く使用されている。特に3,4−エチレンジオキシチオフェン(以下、「EDOT」と称する。)は、近年注目されている導電性高分子である、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(以下、「PEDOT」と称する。)の原料モノマーとして知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
3,4−アルキレンジオキシチオフェン類の製造方法としては、例えば、3,4−ジブロモチオフェンを3,4−ジメトキシチオフェンへ変換した後、スルファニル酸存在下、1,2−エチレングリコールとのエーテル交換により合成する方法(例えば、特許文献2参照)が知られている。しかしながら、特許文献2に記載の方法は、3,4−ジブロモチオフェンを3,4−ジメトキシチオフェンへ変換する工程が必要があり、必ずしも工業的に有利であるとは言い難いものであった。
【0004】
なお、銅化合物として1価のヨウ化銅と8−ヒドロキシキノリンからなる触媒及びリン酸三カリウムの存在下、1−ブタノール中で3−ブロモチオフェンを3−ノルマルブトキシチオフェンに変換する方法は知られている(例えば、非特許文献1参照)。しかしながら、3,4−ジブロモチオフェン類を、エチレングリコール等に代表されるアルキレンジオール類でアルキレンジオキシ化しても、同文献に記載の条件では本反応は進行せず、また、その中間体である3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類すら得られなかった。この3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類は、EDOTを製造する際の中間原料として使用できるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特許第2721700号明細書
【特許文献2】中国特許出願公開第101220038号明細書
【非特許文献】
【0006】
【非特許文献1】Journal of Organic Chemistry、2009年、第74巻、p5075−5078、2009年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、機能性材料の原料又は中間体として極めて有用な3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及びその中間体である3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
このような状況のもと、本発明者は、3,4−ジハロゲノチオフェン類から3,4−アルキレンジオキシチオフェン類及び3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を製造する方法を開発すべく鋭意検討した結果、ある種の特定の非プロトン性極性溶媒中で本反応が好適に進行することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0009】
即ち、本発明は、以下に示すとおりのチオフェン類の製造方法である。
【0010】
[1]下記式(1)
【0011】
【化1】

(式中、X及びYは各々独立してハロゲン原子を表し、R及びRは各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、エステル基、ホルミル基、シアノ基、アミノ基、又はニトロ基を表す。)
で表されるチオフェン類と、下記式(2)
【0012】
【化2】

(式中、R〜Rは各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表し、mは、0〜4の整数を表す。)
で表されるジオール類とを、銅化合物と8−ヒドロキシキノリンとを含む触媒及び塩基の存在下に、非プロトン性の極性溶媒中で反応させ、下記式(3)
【0013】
【化3】

(上記式中、R〜R、mは上記と同じ定義である)
で表される3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及び下記式(4)
【0014】
【化4】

(上記式中、X、R〜R、mは上記と同じ定義である)
で表される3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を得ることを特徴とするチオフェン類の製造方法。
【0015】
[2]非プロトン性の極性溶媒が、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、及びN−メチル−2−ピロリドンからなる群より選択される1種又は2種以上の溶媒であることを特徴とする上記[1]に記載の製造方法。
【0016】
[3]銅化合物が、1価のハロゲン化銅、2価のハロゲン化銅、酸化銅、2価の銅メトキシド、銅トリフラート、硝酸銅、酢酸銅、及び銅−アミン錯体からなる群より選択される1種又は2種以上の化合物であることを特徴とする上記[1]又は[2]に記載の製造方法。
【0017】
[4]塩基が、リン酸三カリウムであることを特徴とする上記[1]乃至[3]のいずれかに記載の製造方法。
【0018】
[5]上記式(2)で示されるジオール類が、1級のジオールであることを特徴とする上記[1]乃至[4]のいずれかに記載の製造方法。
【0019】
[6]反応温度が115℃〜180℃の範囲であることを特徴とする上記[1]乃至[5]のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【0020】
本発明の方法を用いることで、機能性材料の原料又は中間体として極めて有用な、上記式(3)で示される3,4−アルキレンジオキシチオフェン類と、上記式(4)で示される3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキル)オキシチオフェン類を、比較的良い収率で同時に得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本発明について詳細に説明する。
【0022】
本発明は、上記式(1)で示されるチオフェン類と、上記式(2)で示されるジオール類とを、銅化合物と8−ヒドロキシキノリンとを含む触媒及び塩基の存在下に、非プロトン性の極性溶媒中で反応させ、上記式(3)で示される3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及び上記式(4)で示される3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を得ることをその特徴とする。
【0023】
上記式(1)において、X及びYは各々独立してハロゲン原子を表す。また、R及びRは各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、エステル基、ホルミル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基を表す。
【0024】
ここで、ハロゲン原子としては、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、フッ素原子が挙げられる。
【0025】
また、アルキル基としては、特に限定するものではないが、例えば、炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、シクロブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、1−メチルペンチル基、4−メチル−2−ペンチル基、3,3−ジメチルブチル基、2−エチルブチル基、シクロヘキシル基、n−ヘプチル基、1−メチルヘキシル基、シクロヘプチル基、n−オクチル基、t−オクチル基、1−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、2−プロピルペンチル基、シクロオクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基等が例示される。
【0026】
また、アリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、炭素数6〜12のアリール基が挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、ナフチル基等が例示される。
【0027】
また、ヘテロアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、炭素数3〜9のヘテロアリール基が挙げられ、具体的には、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、プリニル基、ピリジル基、1H−ベンゾトリアゾリル基、プテリジニル基、1H−インダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾ[b]チエニル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、シンノリル基、キナゾリル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノリル基、イソキノリル基等が例示される。
【0028】
また、アシル基としては、特に限定するものではないが、例えば、アシル基としては、炭素数1〜4のモノカルボン酸又はベンゼンカルボン酸由来のものが挙げられ、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等が例示される。
【0029】
また、上記式(1)のR及びRにおける「置換基」としては、特に限定するものではないが、例えば、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、エステル基、ホルミル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基等が挙げられ、上記した「アルキル基」、「アリール基」、「ヘテロアリール基」、「アシル基」の説明を援用することができる。
【0030】
上記式(1)で示されるチオフェン類としては、特に限定するものではないが、例えば、3,4−ジヨードチオフェン、3,4−ジブロモチオフェン、3,4−ジクロロチオフェン、3−ブロモ−4−ヨードチオフェン、3−ブロモ−4−クロロチオフェン、3,4−ジブロモ−2、5−ジエチルチオフェン、3,4−ジブロモ−2−ヘキシルチオフェン、3,4−ジブロモ−2、5−ジエトキシカルボニルチオフェン、3,4−ジブロモ−2−メトキシカルボニルチオフェン、3,4−ジブロモ−2−メトキシチオフェン、3,4−ジブロモ−2、5−ジメトキシチオフェン等が挙げられる。
【0031】
上記式(2)で示されるジオール類において、R〜Rは各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表す。mは0〜4の整数を表す。
【0032】
上記式(2)のR〜Rにおける「アルキル基」、「置換基」としては、上記式(1)における「アルキル基」、「置換基」の説明を援用することができる。
【0033】
上記式(2)で示されるジオール類としては、特に限定するものではないが、エチレングリコール、1、3−プロパンジオール、2−メチル−1、3−プロパンジオール、1、4−ブタンジオール、1、5−ペンタンジオール、1、6−ヘキサンジオール等が挙げられる。より好ましくは1級のジオールである。
【0034】
本発明において、上記式(2)で示されるジオール類の使用量は、特に限定するものではないが、上記式(1)で示されるチオフェン類(原料)に対して、通常1〜20モル当量の範囲である。収率向上、副生物抑制、コストの観点からは、0.9〜2モル当量の範囲が好ましい。
【0035】
本発明において、銅化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、1価又は2価のハロゲン化銅、酸化銅、2価の銅メトキシド、銅トリフラート、硝酸銅、酢酸銅、銅−アミン錯体等が挙げられる。具体的には、1価又は2価のヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、フッ化銅、酸化銅、2価の銅メトキシド、銅トリフラート、硝酸銅、酢酸銅、銅(8−ヒドロキシキノリン)錯体、銅(テトラメチルエチレンジアミン)錯体等が例示される。こらの銅化合物は水和物として使用しても良い。
【0036】
本発明において、銅化合物の使用量は、特に限定するものではないが、上記式(1)で示されるチオフェン類(原料)1モルに対して、通常0.001〜1倍モル量の範囲である。収率向上、副生物抑制の観点からは、原料1モルに対して、0.01〜0.2倍モル量の範囲が好ましい。
【0037】
本発明において、8−ヒドロキシキノリンの使用量は、特に限定するものではないが、使用する銅化合物1モルに対して、通常1〜10倍モルの範囲である。収率向上、副生物抑制の観点からは、銅化合物1モルに対して1〜5倍モル量が好ましい。化合物は銅錯体として反応系に添加しても良い。
【0038】
本発明において、塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、リン酸三カリウム、リン酸三ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられ、無水又は水和物の形で反応系に添加してもよい。収率の観点からは、無水のリン酸三カリウムが特に好ましい。
【0039】
本発明において、塩基の使用量は、特に限定するものではないが、上記式(1)で示されるチオフェン類(原料)1モルに対して、通常1〜10倍モル量の範囲である。収率向上、副生物抑制の観点からは、原料1モルに対して、2〜5倍モル量の範囲が好ましい。
【0040】
本発明においては、非プロトン性の極性溶媒を用いることが肝要である。
【0041】
本発明における非プロトン性の極性溶媒としては、特に限定するものではないが、好適には、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンである。
【0042】
本発明において、非プロトン性の極性溶媒の使用量は、特に限定するものではないが、上記式(1)で示されるチオフェン類(原料)1gに対して、通常0.5〜40gの範囲である。収率向上、副生物抑制の観点からは、原料1gに対して、5〜25gの範囲が好ましい。
【0043】
本発明において、反応温度は、特に限定するものではないが、通常115℃〜180℃の範囲である。収率向上、副生物抑制の観点からは、120℃〜160℃の範囲が好ましい。
【0044】
本発明において、反応時の雰囲気は、大気下であっても、不活性ガス(窒素、アルゴン)下であっても良い。チオフェン類の酸化を防ぐ観点からは、不活性ガス雰囲気での反応がより好ましい。
【0045】
本発明において、反応時の圧力は、常圧下であっても、加圧下であっても良い。
【0046】
反応終了後は、酸洗浄、水洗浄、アルカリ洗浄を適当に組み合わせることにより、副生した無機物や未反応原料等を除去し、さらにクロマトグラフィーや蒸留、再結晶等の通常の精製技術により、3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及び3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を得ることができる。
【0047】
本発明の方法で得られた3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類は、本特許記載の条件においてジオールを添加せずに反応させることにより、3,4−アルキレンジオキシチオフェン類への誘導が可能である。
【実施例】
【0048】
以下に、本発明の方法を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。なお、本実施例で用いた分析機器を以下に示すする。
【0049】
[ガスクロマトグラフィー分析]
ガスクロマトグラフィー分析装置:島津製作所製、製品名:GC−17A
実施例1.
窒素で置換された30cc反応管に、3,4−ジブロモチオフェン0.48g(2.0mmol)、1、2−エチレングリコール0.14g(2.2mmol)、ヨウ化銅19mg(0.10mmol)、8−ヒドロキシキノリン58mg(0.20mmol)、無水リン酸三カリウム1.7g(8.0mmol)、N、N−ジメチルホルムアミド9.6gを仕込み、120℃で24時間反応させた。反応液を放冷し、水を加え残存塩基を溶解した後、トルエンで希釈した。引き続き、ろ過操作を行い、褐色透明な有機層を得た。本有機層をシクロドデカンを内部標準物質とするガスクロマトグラフィー定量分析にて分析した結果、3,4−エチレンジオキシチオフェン(EDOT)が、収率15%(3,4−ジブロモチオフェン基準)の割合で生成し、同時に中間体の3−ブロモ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェンが、収率43%(3,4−ジブロモチオフェン基準)の割合で生成していた。結果を表1に示す。
【0050】
実施例2〜実施例3.
実施例1において、使用する溶媒を表1に示すように変更した以外は、実施例1の方法に準拠して反応を行った。結果を表1に示す。
【0051】
実施例4〜実施例15.
実施例1において、使用する銅化合物を表1に示すように変更した以外は、実施例1の方法に準拠して反応を行った。結果を表1に併せて示す。
【0052】
【表1】

比較例1.
実施例1において、使用する溶媒をN、N−ジメチルホルムアミドから、特許文献1に記載のトルエン溶媒に変更した以外は実施例1に準拠して行った結果、3,4−エチレンジオキシチオフェン(EDOT)及び中間体の3−ブロモ−4−(1−ヒドロキシエチル)オキシチオフェンの生成は見られなかった。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式(1)
【化1】

(式中、X及びYは各々独立してハロゲン原子を表し、R及びRは各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、エステル基、ホルミル基、シアノ基、アミノ基、又はニトロ基を表す。)
で表されるチオフェン類と、下記式(2)
【化2】

(式中、R〜Rは各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を表し、mは、0〜4の整数を表す。)
で表されるジオール類とを、銅化合物と8−ヒドロキシキノリンとを含む触媒及び塩基の存在下に、非プロトン性の極性溶媒中で反応させ、下記式(3)
【化3】

(上記式中、R〜R、mは上記と同じ定義である)
で表される3,4−アルキレンジオキシチオフェン類、及び下記式(4)
【化4】

(上記式中、X、R〜R、mは上記と同じ定義である)
で表される3−ハロゲノ−4−(1−ヒドロキシアルキルオキシ)チオフェン類を得ることを特徴とするチオフェン類の製造方法。
【請求項2】
非プロトン性の極性溶媒が、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、及びN−メチル−2−ピロリドンからなる群より選択される1種又は2種以上の溶媒であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項3】
銅化合物が、1価のハロゲン化銅、2価のハロゲン化銅、酸化銅、2価の銅メトキシド、銅トリフラート、硝酸銅、酢酸銅、及び銅−アミン錯体からなる群より選択される1種又は2種以上の化合物であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の製造方法。
【請求項4】
塩基が、リン酸三カリウムであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の製造方法。
【請求項5】
上記式(2)で示されるジオール類が、1級のジオールであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の製造方法。
【請求項6】
反応温度が115℃〜180℃であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の製造方法。

【公開番号】特開2011−132177(P2011−132177A)
【公開日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−293433(P2009−293433)
【出願日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【出願人】(000003300)東ソー株式会社 (1,901)
【Fターム(参考)】