パターン化された磁気媒体の製造方法及びパターン化された磁気媒体
【課題】ハードディスクドライブの磁気記録における面密度の増加を達成するため、パターン化された磁気媒体を利用する。しかし、パターン化された磁気媒体に付随する不利な点の１つは、その加工に費用がかかることである。
【解決手段】ディスク基板２０２の上方にトポロジー材料２０４を堆積させる（９０２）。ディスク基板は、データストレージデバイス用である。ディスク基板上方のトポロジー材料２０４には、ナノインプリンティング処理を施す（９０４）。この材料を処理して、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′に変質させる（９０６）。ほぼ固化したトポロジー材料２０４′の上方には、磁性材料２２０を堆積させる（９０８）。
【解決手段】ディスク基板２０２の上方にトポロジー材料２０４を堆積させる（９０２）。ディスク基板は、データストレージデバイス用である。ディスク基板上方のトポロジー材料２０４には、ナノインプリンティング処理を施す（９０４）。この材料を処理して、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′に変質させる（９０６）。ほぼ固化したトポロジー材料２０４′の上方には、磁性材料２２０を堆積させる（９０８）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ハードディスクドライブは、ほとんどすべてのコンピュータシステムの動作において使用される。実際、大部分のコンピューティングシステムは、ブート動作、オペレーティングシステム、アプリケーションなど最も基本となるコンピュータ情報を格納するための一種のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）なしには動作することができない。一般に、ハードディスクドライブは、通常それなしではコンピューティングシステムが動作しない、取り外し可能なまたは取り外し不可能なデバイスである。
【背景技術】
【０００２】
基本的なハードディスクドライブモデルは、設計された回転速度で回転するストレージディスクまたはハードディスクを有する。ディスク全域に届くようにするために、アクチュエータアームが利用される。アクチュエータアームは、磁気読み取り／書き込みトランスデューサまたはヘッドを有するヘッドアセンブリを備える。この磁気読み取り／書き込みトランスデューサまたはヘッドは、ディスク上のロケーションから情報を読み取ったり、ディスク上のロケーションに情報を書き込んだりするためのものである。トランスデューサは、エアベアリングスライダなどのスライダに取り付けられる。スライダは、回転ディスクによって生成されるエアクッションによってディスクのデータ面に近接して支持されている。トランスデューサは、コンタクトレコーディング方式のスライダに取り付けることもできる。いずれの場合でも、スライダはサスペンションによってアクチュエータアームに接続されている。一式のヘッドアセンブリ（例えば、サスペンションおよびヘッド）は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と呼ばれる。
【０００３】
中央ドライブハブを有するスピンドルモータアセンブリを通じて、ハードディスクは作動中設定された速度で回転する。加えて、ディスク全体に既知の間隔でトラックが均一に配置されている。特定の部分つまり特定のトラックの読み取り要求を受信したとき、ハードディスクは、アームを通じてヘッドを特定のトラックロケーションに位置合わせする。その後、ヘッドは、ディスクから情報を読み取る。同様に、特定の部分つまり特定のトラックの書き込み要求を受信したとき、ハードディスクは、アームを通じてヘッドを特定のトラックロケーションに位置合わせする。その後、ヘッドは、ディスクに情報を書き込む。
【０００４】
ここ数年間で、ディスクとヘッドのサイズは非常に小さくなった。こうした改良の多くは、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ＭＰ３プレーヤーなどに使用されるハードドライブなどのような、さらに小型でさらに持ち運びに便利なハードドライブに対する消費者の需要によってもたらされた。例えば、初期のハードディスクドライブのディスク径は２４インチであった。近年のハードディスクドライブは、非常に小型化されており、それらのディスク径は２．５インチ未満である（マイクロドライブは、それらのハードディスクドライブよりも著しく小さい）。磁気記録の進歩も、小型化の主な理由である。
【０００５】
この継続的な小型化は、特に消費電力、衝撃パフォーマンス、およびディスク資産の利用に関して、ＨＧＡに使用されるテクノロジーに対する需要を着実に増加させた。最近のテクノロジーの１つの進歩は、Ｆｅｍｔｏスライダの開発である。Ｆｅｍｔｏスライダは、取って代わられた以前のＰｉｃｏスライダと比較してサイズと質量が約１／３である。過去２３年間で、スライダのサイズは１／５に減少し、スライダの質量は１／１００に減少した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ハードディスクドライブの磁気記録における面密度の増加を達成するため、さらに最近の開発では、パターン化された磁気媒体を利用する。しかし、パターン化された磁気媒体に付随する不利な点の１つは、その加工に費用がかかることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による一実施例は、ディスク基板の上方に材料を堆積させることを含む方法である。当該ディスク基板は、データストレージデバイス用である。ディスク基板上方の材料には、ナノインプリンティング処理を施すことが可能である。この材料を処理して、ほぼ固化した材料に変質させることができる。ほぼ固化した材料上には、磁性材料を溶着させることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、パターン化された磁気媒体を安価に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明による種々の実施例について詳細に説明する。そのいくつかの例については添付図面を用いて図示する。本発明を種々の実施例と共に説明するが、これらの種々の実施例は、本発明を限定するためのものではない。むしろ、本発明は、代替、修正、および同等物も範囲に含むように意図されており、これらは請求項に基づいて解釈される本発明の適用範囲に含まれる。
【００１０】
さらに、以下の本発明による種々の実施例の詳細な説明においては、完全な本発明の理解のために多数の具体的情報を提示する。しかし、当該技術分野における通常の技術を有する人は、本発明がこれらの具体的情報なしに実践できることを認識するであろう。他方では、本発明を不必要に不明瞭にしないように、既知の方法、手順、構成部分、および回路については、詳細な説明は割愛した。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の一実施例による、カバーとトップマグネットを取り外した典型的なハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１１０の平面図が示されている。図１は、ＨＤＤ１１０の構成部分とサブアセンブリの関係、およびディスク１３８のディスク面１３５（１つが図示されている）上に記録されているデータトラック１３６を示す図である。カバーを取り外して、ＨＤＤ１１０の内部が見えるようになっている。構成部分は、ベース鋳造物１１３の中に組み立てられている。ベース鋳造物１１３は、構成部分とサブアセンブリに対する取り付けおよび位置決めのポイントを提供している。ＨＤＤ１１０は、「データストレージデバイス」と呼ぶことができる。
【００１２】
複数のサスペンションアセンブリ１３７（１つが図示されている）が、くし状の形でアクチュエータアーム１３４（１つが図示されている）に取り付けられている。複数のトランスデューサヘッドまたはスライダ１５５（１つが図示されている）が、それぞれサスペンションアセンブリ１３７に取り付けられている。スライダ１５５はディスク面１３５に近接した位置にあり、磁気ヘッド１５６（１つが図示されている）を使用してデータの読み取り／書き込みを行えるようになっている。尚、スライダ１５５は、磁気ヘッド１５６に対応付けられたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）（図示されていない）を備えることができる。ロータリーボイスコイルモータ１５０は、アクチュエータシャフト１３２を中心にアクチュエータアーム１３４を回転させて、サスペンションアセンブリ１３７をディスク１３８上の所望の半径方向位置に移動する。アクチュエータシャフト１３２、ハブ１４０、アクチュエータアーム１３４、およびボイスコイルモータ１５０は、集合的にロータリーアクチュエータアセンブリと呼ぶ。
【００１３】
データは、ディスク１３８のディスク面１３５上に、データトラック１３６として知られる同心円のパターンで記録される。モータハブアセンブリ１３０によって、ディスク面１３５は高速に回転する。磁気ヘッド１５６によって、回転するディスク面１３５上にデータトラック１３６が記録される。磁気ヘッド１５６は、通常スライダ１５５の端にある。図１は、ヘッド、スライダ、およびディスク面の１つの組み合わせのみを示す平面図である。当該技術に熟練した人は、ヘッドとディスクの１つの組み合わせは、ディスクスタック（図示されていない）など、ヘッドとディスクの複数の組み合わせにも当てはまることを理解する。しかし、簡潔かつ明快な説明のため、図１に示すのは１つのヘッドおよび１つのディスク面のみである。
【００１４】
図２Ａ〜図２Ｇは、本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体に対するトポロジーのナノインプリンティングの典型的な側断面図である。具体的には、図２Ａは、本発明の種々の実施例にしたがって利用可能な、典型的なディスク基板２０２の側断面図である。ここでは、ディスク基板２０２は、多種多様な方法で実装可能であることが示されている。例えば、一つの実施例においては、ディスク基板２０２は、一般に、ハードディスクドライブ（例えば、１１０）用のディスクを加工するために利用されるディスク基板であるが、これに限定されるものではない。
【００１５】
図２Ｂは、本発明の種々の実施例による、ディスク基板２０２の上方にトポロジー材料２０４を堆積させることができることを示す側断面図である。尚、ディスク基板２０２の上方に堆積させたトポロジー材料２０４を利用して、ディスク基板２０２上の高低領域を含むトポロジーをナノインプリントさせて、パターン化された磁気媒体の素地として機能させることができる。
【００１６】
トポロジー材料２０４は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、ほぼ液体の状態（または、非固体の状態）で実装することができ、それによってそのナノインプリンティング処理が可能になる。１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、約２００〜３００゜Ｃの磁気媒体の蒸着温度に耐えることが可能で、滑らかな上面を有し、ハードディスクドライブ（例えば、１１０）の記録ヘッド（例えば、１５６）との起こりうる相互作用のために耐久性がある、いずれの材料も含むことができる。ただし、これらに限定されるものではない。トポロジー材料２０４としては、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリアミド、ポリアミドベースの重合体、レジストを含有するシリコン、室温で固体の加熱された材料などがある。ただし、これらに限定されるものではない。尚、トポロジー材料２０４は、ディスク基板の上方に多種多様な方法で堆積させることができる。例えば、１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、ディスク基板２０２の上方にスパッタさせることができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００１７】
図２Ｃは、本発明の種々の実施例による、ディスク基板２０２の上方に堆積させたトポロジー材料２０４をナノインプリントするために利用可能なナノインプリンティングマスク２０６を示す側断面図である。ナノインプリンティングマスク２０６を利用して、トポロジー材料２０４をパターン化させることができ、ディスク基板２０２上（または上方）に残すことができる。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６は、トポロジー材料２０４を成形するための、１つ以上の窪み２１２とともに、１つ以上の突起２１０を含むことができる。下方の力（矢印２０８によって示されるような）を、ナノインプリンティングマスク２０６に加えることができる。この下方の力によって、ナノインプリンティングマスク２０６は、下方向に移動した後、トポロジー材料２０４を成形することができる。
【００１８】
尚、ナノインプリンティングマスク２０６は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６は１つ以上の重合体で実装することができる。ただし、これに限定されるものではない。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の窪み２１２とともに、１つ以上の突起２１０を、それぞれ形状または形式のタイプを伴って実装することができる。
【００１９】
図２Ｄは、本発明の種々の実施例による、ディスク基板２０２上に押し下げたナノインプリンティングマスク２０６、およびトポロジー材料２０４の成形を示す側断面図である。ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０をトポロジー材料２０４に接するように押し下げたため、これらの突起は、トポロジー材料２０４を、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の窪み２１２の中にずらすか、または押し込むことが指摘される。ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０がディスク基板２０２とほぼ接触するとき、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０および１つ以上の窪み２１２によって範囲を定められるような、特定の形にトポロジー材料２０４を成形することができる。
【００２０】
図２Ｅは、本発明の種々の実施例による、トポロジー材料２０４のナノインプリンティングの間、トポロジー材料２０４を、ほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に変質させるプロセスを示す側断面図である。具体的には、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０および１つ以上の窪み２１２によって範囲を定められるような特定の形にトポロジー材料２０４を成形するナノインプリンティングプロセスの間、トポロジー材料２０４は、ほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に変質させることができる。尚、変質プロセスは、多種多様な方法で実行することができる。例えば、１つの実施例においては、変質プロセスには、ナノインプリンティングマスク２０６を通り抜けることができ、トポロジー材料２０４をほぼ固化した材料に硬化させることが可能な放射線の利用を含めることができる（破線の矢印２１６によって示される）。放射線には、光学的放射、紫外線または紫外光、電子線照射などが含まれる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、ほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に熱的に変質させることができる。１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、トポロジー材料２０４を冷却するか凍結させることによってほぼ液体（または、非固体状態）からほぼ固化した材料に変質させることができる。
【００２１】
例えば、１つの実施例においては、トポロジー材料２０４が水素シルセスキオキサンであって、電子線照射２１６と湿気（図示されていない）に曝された場合、その重合体が切断され、ほぼ固体である二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）を形成することが可能である。一つの実施例においては、トポロジー材料２０４がレジストを含むシリコンであって、紫外線または熱放射に曝された場合、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）に変質させることが可能である。
【００２２】
図２Ｆは、本発明の種々の実施例による、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２から持ち上げた、ナノインプリンティングマスク２０６の側断面図である。具体的には、トポロジー材料２０４をほぼ液体（または、非固体状態）からほぼ固化したトポロジー材料２０４′に一度変質させると、押上げ力（矢印２１８によって示される）をナノインプリンティングマスク２０６に加えて、ナノインプリンティングマスク２０６がディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′から持ち上がるようにすることができる。尚、ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′には、１つ以上の高架領域２１４を含めることができる。さらに、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′は、ディスク基板２０２よりも上に位置する１つ以上のピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装することができるが、それらに限定されるものではない。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′は、ディスク基板２０２の上方に、ランド（または、高架領域）２１４および溝（または、下部領域）２１７を形成することができる。１つの実施例においては、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′の１つ以上の突起は、約２０〜４０ナノメートルの高さが可能であるが、それに限定されるものではない。
【００２３】
図２Ｇは、本発明の種々の実施例による、１つ以上の磁性材料、適切な基層、および保護コーティング２２０を、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２の上方に堆積させることが可能なことを示す側断面図である。尚、ディスク基板２０２、およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させることによって、パターン化された磁気媒体２２２を生成または形成することができる。ディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させた状態で、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′によってデータビットを定義して、パターン化された磁気媒体の記録を行うことができる。ほぼ固化したトポロジー材料２０４′によって、パターン化された磁気媒体２２２について、１つ以上の高ゾーン（例えば、２１４）および１つ以上の低ゾーン（例えば、２１７）を定義可能であることが指摘される。ここで留意すべきは、１つの実施例においては、パターン化された磁気媒体２２２は、読み書き可能なハードディスクドライブ（例えば、１１０）にインストールまたは内蔵することができることである。
【００２４】
磁性材料２２０は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、種々の実施例においては、磁性材料２２０には、コバルトプラチナクロム、ハードディスク合金、コバルトプラチナ、五元合金、クロムなどを含めることができる。ただし、これらに限定されるものではない。ここで留意すべきは、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０を、多種多様な方法で堆積させることができることである。例えば、１つの実施例においては、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０をスパッタさせることができる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００２５】
本発明の種々の実施例によると、図２Ｅ〜２Ｇに示したイベントの順序とは異なる他の順序も実施可能であることが指摘される。例えば、図２Ｈ〜２Ｌは、本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体に対するほぼ固化したトポロジーの作成を示す典型的な側断面図である。尚、図２Ｈ〜２Ｌは、図２Ｅ〜２Ｇと置き換え可能である。そのため、図２Ａ〜２Ｄは、すでに説明した方法と同様に図２Ｈ〜２Ｌの前に実行することができる。
【００２６】
図２Ｈは、本発明の種々の実施例による、トポロジー材料２０４をほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に変質させるプロセスの開始を示す側断面図である。具体的には、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０および１つ以上の窪み２１２によって範囲を定められるような特定の形にトポロジー材料２０４を成形するナノインプリンティングプロセスの間、変質プロセスを起動または開始して、ナノインプリンティングマスク２０６の除去をちょうど可能にする程度に、トポロジー材料２０４を部分的に固化させることができる。尚、図２Ｈにおいて開始される変質プロセスは、多種多様な方法で実行することができる。例えば、１つの実施例においては、変質プロセスには、ナノインプリンティングマスク２０６を通過可能であるとともに、トポロジー材料２０４の部分的な固化または硬化を開始可能な、放射線の利用を含めることができる（破線の矢印２１６′によって示される）。放射線２１６′には、光学的放射、紫外線または紫外光、電子線照射など含めることができる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、変質プロセスには、熱プロセスを利用してトポロジー材料２０４の部分的な固化または硬化を開始することを含めることができる。また、１つの実施例においては、変質プロセスには、冷却プロセスまたは凍結プロセスを利用して、トポロジー材料２０４の部分的な固化または硬化を開始することを含めることができる。
【００２７】
図２Ｉは、本発明の種々の実施例による、部分的に固化したトポロジー材料２０４″およびディスク基板２０２から持ち上げた、ナノインプリンティングマスク２０６を示す側断面図である。具体的には、トポロジー材料２０４を、ほぼ液体（または、非固体状態）から、ナノインプリンティングマスク２０６の除去をちょうど可能にする程度の部分的に固化したトポロジー材料２０４″に一度変質させると、押上げ力（矢印２４４によって示される）をナノインプリンティングマスク２０６に加えて、ナノインプリンティングマスク２０６が、部分的に固化したトポロジー材料２０４″およびディスク基板２０２から持ち上がるようにすることができる。ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、部分的に固化したトポロジー材料２０４″には、１つ以上の高架領域２１４を含めることができる。また、部分的に固化したトポロジー材料２０４″は、ディスク基板２０２よりも上に位置する１つ以上のピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装することができるが、それらに限定されるものではない。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、部分的に固化したトポロジー材料２０４″は、ディスク基板２０２の上方に、ランド（または、高架領域）２１４および溝（または、下部領域）２１７を形成することができる。１つの実施例においては、部分的に固化したトポロジー材料２０４″の１つ以上の突起は、約２０〜４０ナノメートルの高さが可能であるが、それに限定されるものではない。
【００２８】
図２Ｊは、本発明の種々の実施例による、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を、ほぼ固化した材料に変質させる仕上げプロセスを示す側断面図である。部分的に固化した材料は、ほぼ固化した材料よりも固体の状態ではないことが指摘される。図２Ｊにおいて、ナノインプリンティングマスク２０６を持ち上げた後、仕上げプロセスまたは最終変質プロセスを起動または開始して、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を、ほぼ固化した材料（つまり、ほぼ固体の材料）に変化させることができる。変質プロセスは、多種多様な方法で実行可能であることが指摘される。例えば、１つの実施例においては、変質プロセスには、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を、ほぼ固化した材料に硬化させることが可能な放射線の利用を含めることができる（破線の矢印２１６′によって示される）。放射線には、光学的放射、紫外線または紫外光、電子線照射など含めることができる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、部分的に固化したトポロジー材料２０４″は、ほぼ固化した材料に熱的に変質させることができる。一つの実施例においては、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を冷却または凍結させることによって、部分的に固化したトポロジー材料２０４″をほぼ固化した材料に変質させることができる。
【００２９】
尚、１つの実施例においては、図２Ｊを参照して説明した仕上げ変質プロセスは、バッチモードで実行することができる。例えば、バッチモードには、それぞれ部分的に固化したトポロジー材料（例えば、２０４″）を含む複数の基板（例えば、２０２）を含めることができる。ここで、それぞれの部分的に固化したトポロジー材料には、仕上げ変質プロセスを同時に施すことが可能である。
【００３０】
図２Ｋは、本発明の種々の実施例による、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２を示す側断面図である。具体的には、図２Ｊに示す仕上げプロセスによって、部分的に固化したトポロジー材料２０４″がほぼ固化した材料２０４′′′に一度変質すれば、ディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′をさらに処理することができる。ほぼ固化した材料は、部分的に固化した材料よりも一層固体の状態であることが指摘される。
【００３１】
図２Ｌは、本発明の種々の実施例による、１つ以上の磁性材料、適切な基層、および保護コーティング２２０を、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２の上方に堆積させることが可能なことを示す側断面図である。尚、ディスク基板２０２、およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させることによって、パターン化された磁気媒体２２６を生成または形成することができる。ディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させた状態で、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′によってデータビットを定義して、パターン化された磁気媒体の記録を行うことができる。ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′によって、パターン化された磁気媒体２２６について、１つ以上の高ゾーン（例えば、２１４）および１つ以上の低ゾーン（例えば、２１７）を定義可能であることが指摘される。１つの実施例においては、パターン化された磁気媒体２２６は、読み書き可能なハードディスクドライブ（例えば、１１０）にインストールまたは内蔵することができる。
【００３２】
磁性材料２２０は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、種々の実施例においては、磁性材料２２０には、コバルトプラチナクロム、ハードディスク合金、コバルトプラチナ、五元合金、クロムなどを含めることができる。ただし、これらに限定されるものではない。尚、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０を、多種多様な方法で堆積させることができる。例えば、１つの実施例においては、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０をスパッタさせることができる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００３３】
図３は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体３００の断面を示す平面図である。ここで指摘されるのは、パターン化された磁気媒体３００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法においても同様に実装可能なことである。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体３００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４のそれぞれの断面は、円形またはほぼ円形（図示されていない）に形成することができる。１つの実施例においては、複数のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、六角形のパッキング構造に（または効率的な方法で）詰め込むことができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００３４】
尚、パターン化された磁気媒体３００の１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、種々の実施例においては、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４を、それらが多少狭くかつ長く、または多少広くかつ短くなるように実装することができる。１つの実施例においては、複数のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、ディスク基板（例えば２０２）上方の同心円内に配置することができる。種々の実施例においては、各々のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、トラックに沿ってしだいに長くなるように、またはパターン化された磁気媒体３００の複数のトラックを横断して広くなるように実装することができる。１つの実施例においては、複数のほぼ固化したトポロジー材料３０４を、サーボ情報を提供するために、特定の１つ以上の領域に配置することができる。このサーボ情報は、わずかにより複雑なパターンを含む場合がある。
【００３５】
図４は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体４００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体４００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体４００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料４０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。また、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料４０４のそれぞれの断面は、楕円形またはほぼ楕円形（図示されていない）に形成することができる。
【００３６】
図５は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体５００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体５００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体５００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料５０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料５０４のそれぞれの断面は、ひし形または正方形に形成することができる。または、ほぼひし形（図示されていない）、またはほぼ正方形（図示されていない）に形成することができる。
【００３７】
図６は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体６００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体６００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体６００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料６０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。また、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料６０４のそれぞれの断面は、長方形またはほぼ長方形（図示されていない）に形成することができる。
【００３８】
図７は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体７００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体７００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体７００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料７０４および７０４′が含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料７０４のそれぞれの断面は、ひし形または正方形に形成することができる。または、ほぼひし形（図示されていない）、またはほぼ正方形（図示されていない）に形成することができる。一方、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料７０４′のそれぞれの断面は、楕円またはほぼ楕円（図示されていない）に形成することができる。このように、パターン化された磁気媒体７００は、ほぼ固化したトポロジー材料の複数の断面形状を含むことができる（例えば、７０４と７０４′）。
【００３９】
図８は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体８００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体８００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体８００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料８０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料８０４のそれぞれの断面は、多角形またはほぼ多角形（図示されていない）に形成することができる。例えば、一つの実施例においては、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料８０４のそれぞれの断面は、五角形またはほぼ五角形（図示されていない）に形成することができる。
【００４０】
図９は、本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体に対するトポロジーのナノインプリンティングの典型的な方法９００を示すフロー図である。この方法９００には、計算装置によって読み込み可能かつ実行可能な命令（または、コード）による制御のもとで（例えば、ソフトウェア）、プロセッサおよび電気構成部品によって実行可能な、本発明の種々の実施例による典型的なプロセスが含まれる。計算装置によって読み込み可能かつ実行可能な命令（または、コード）は、例えば、計算装置によって利用可能な、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、および／またはマスデータストレージなどのデータの記憶機能に常駐させる場合がある。しかし、計算装置によって読み込み可能かつ実行可能な命令（または、コード）は、コンピュータデバイスによって読み取り可能ないずれかのタイプのメディアに常駐させてもよい。尚、方法９００は、コンピュータによって使用可能なメディア上のアプリケーション命令によって実行可能である。この場合、これらの命令が実行されるとき、方法９００の１つ以上の動作が実行される。方法９００では具体的な動作が開示されるが、そのような動作は典型的なものである。方法９００は、図９に示されるすべての動作を含まなくてもよい。また、方法９００は、他の動作および／または図９に示される動作の変形を含んでもよい。同様に、方法９００の一連の動作は修正してもよい。尚、方法９００の動作は、手動、ソフトウェア、ファームウェア、電子ハードウェアによって実行可能である。または、それらのいずれかの組み合わせによっても実行可能である。
【００４１】
具体的には、方法９００には、ディスク基板の上方に材料を堆積するステップを含めることが可能である。ここで、当該ディスク基板は、データストレージデバイス用である。ディスク基板上方の材料には、ナノインプリンティング処理を施すことが可能である。この材料を処理して、ほぼ固化した材料に変質させることができる。ほぼ固化した材料の上方には、磁性材料を堆積させることができる。ほぼ固化した材料および磁性材料を含むディスク基板は、データストレージデバイスに実装または内蔵することができる。
【００４２】
図９に示す動作９０２では、材料（例えば、２０４）は、ディスク基板（例えば、２０２）の上方に堆積させることができる。ここで、当該ディスク基板は、データストレージデバイス（例えば、ＨＤＤ １１０）に用いる。動作９０２は、多種多様な方法で実行可能であることが指摘される。例えば、種々の実施例においては、動作９０２の材料には、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリアミド、ポリアミドベースの重合体、およびレジストを含有するシリコンなどがある（ただし、これらに限定されるものではない）。動作９０２では、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で、材料をディスク基板の上方に堆積させることができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４３】
動作９０４では、ディスク基板上方の材料には、ナノインプリンティング処理を施すことが可能である。尚、動作９０４は、多種多様な方法で実行可能である。例えば、種々の実施例においては、動作９０４において、ディスク基板上方の材料のナノインプリンティング処理は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で実行することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４４】
図９に示す動作９０６では、この材料を処理して、ほぼ固化した材料に変質させることができる（例えば、２０４′または２１４′′′）。ほぼ固化した材料は、１つ以上の高架領域（または、１つ以上のピラー、カラム、またはプラトー）を含むことが可能なトポロジーを定義または包含することができる。尚、動作９０６は、多種多様な方法で実行可能である。例えば、種々の実施例においては、動作９０６の材料の処理には、硬化プロセス、電子線、放射、熱プロセス、光学プロセス、および冷却などの利用を含めることができる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理は、材料のナノインプリンティング処理中に行うことができる。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理には、ナノインプリンティング処理中にプロセスを開始し、および材料のナノインプリンティング処理後にプロセスを終了させることを含めることができる。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理には、ナノインプリンティング処理中にプロセスを開始して、材料を部分的に固化した材料（例えば、２０４″）に変質させ、ナノインプリンティング処理後にプロセスを終了させて、部分的に固化した材料をほぼ固化した材料（例えば、２１４′′′）に変質させることを含めることができる。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理には、ナノインプリンティングマスク（例えば、２０６）による材料のナノインプリンティング処理中にプロセスを開始して、材料を部分的に固化した材料（例えば２０４″）に変質させ、ナノインプリンティングマスクを取り除いた後にプロセスを終了させて、部分的に固化した材料をほぼ固化した材料（例えば、２１４′′′）に変質させることを含めることができる。動作９００は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で実行することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４５】
動作９０８では、磁性材料（例えば、２２０）は、ほぼ固化した材料の上方に堆積させることができる。動作９０８は、多種多様な方法で実行可能であることが指摘される。例えば、種々の実施例においては、動作９０８の磁性材料には、コバルトプラチナクロム、五元合金、クロム、およびコバルトプラチナなどが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。１つの実施例においては、動作９０８では、１つ以上の磁性材料を、ほぼ固化した材料の上方に堆積させることができる。１つの実施例においては、動作９０８では、１つ以上の磁性材料、１つ以上の適切な基層、および１つ以上の保護膜を、ほぼ固化した材料の上方に溶着させることができる。動作９０８は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で実行することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４６】
図９に示す動作９１０では、ほぼ固化した材料および磁性材料を含むディスク基板は、データストレージデバイスにインストール、実装、または内蔵することができる。尚、動作９１０は、多種多様な方法で実行可能である。例えば、種々の実施例においては、動作９１０において、ほぼ固化した材料および磁性材料を含むディスク基板は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法でデータストレージデバイスに実装または内蔵することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４７】
本発明による種々の具体的な実施例についての前述の説明は、図示および説明の目的で行われたものである。そのため、前述の説明は、網羅的であることを意図したものではなく、または開示された厳密な形式に本発明を限定することを意図したものでもない。したがって、上記説明の観点から多くの修正および変形が可能であることは明らかである。本発明は、請求項およびそれらに相当するものによって解釈することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施例による、カバーおよびトップマグネットを取り外した状態の典型的なＨＤＤの平面図である。
【図２Ａ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｂ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｃ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｄ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｅ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｆ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｇ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｈ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｉ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｊ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｋ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｌ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図３】本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図４】本発明の種々の実施例による、別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図５】本発明の種々の実施例による、さらに別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図６】本発明の種々の実施例による、さらに別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図７】本発明の種々の実施例による、別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図８】本発明の種々の実施例による、さらに別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図９】本発明の種々の実施例による、典型的な方法を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４９】
２０２…ディスク基板、２０４…トポロジー材料、２０４′…ほぼ固化したトポロジー材料、２０４″…部分的に固化したトポロジー材料、２０４′′′…ほぼ固化したトポロジー材料、２０６…ナノインプリンティングマスク、２１０…突起、２１２…窪み、２１４…ランド、２１６，２１６′…放射線、２１７…溝、２２０…磁性材料、２２２，２２６…パターン化された磁気媒体、３００，４００，５００，６００，７００，８００…パターン化された磁気媒体、３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，７０４′，８０４…ほぼ固化したトポロジー材料。
【技術分野】
【０００１】
ハードディスクドライブは、ほとんどすべてのコンピュータシステムの動作において使用される。実際、大部分のコンピューティングシステムは、ブート動作、オペレーティングシステム、アプリケーションなど最も基本となるコンピュータ情報を格納するための一種のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）なしには動作することができない。一般に、ハードディスクドライブは、通常それなしではコンピューティングシステムが動作しない、取り外し可能なまたは取り外し不可能なデバイスである。
【背景技術】
【０００２】
基本的なハードディスクドライブモデルは、設計された回転速度で回転するストレージディスクまたはハードディスクを有する。ディスク全域に届くようにするために、アクチュエータアームが利用される。アクチュエータアームは、磁気読み取り／書き込みトランスデューサまたはヘッドを有するヘッドアセンブリを備える。この磁気読み取り／書き込みトランスデューサまたはヘッドは、ディスク上のロケーションから情報を読み取ったり、ディスク上のロケーションに情報を書き込んだりするためのものである。トランスデューサは、エアベアリングスライダなどのスライダに取り付けられる。スライダは、回転ディスクによって生成されるエアクッションによってディスクのデータ面に近接して支持されている。トランスデューサは、コンタクトレコーディング方式のスライダに取り付けることもできる。いずれの場合でも、スライダはサスペンションによってアクチュエータアームに接続されている。一式のヘッドアセンブリ（例えば、サスペンションおよびヘッド）は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と呼ばれる。
【０００３】
中央ドライブハブを有するスピンドルモータアセンブリを通じて、ハードディスクは作動中設定された速度で回転する。加えて、ディスク全体に既知の間隔でトラックが均一に配置されている。特定の部分つまり特定のトラックの読み取り要求を受信したとき、ハードディスクは、アームを通じてヘッドを特定のトラックロケーションに位置合わせする。その後、ヘッドは、ディスクから情報を読み取る。同様に、特定の部分つまり特定のトラックの書き込み要求を受信したとき、ハードディスクは、アームを通じてヘッドを特定のトラックロケーションに位置合わせする。その後、ヘッドは、ディスクに情報を書き込む。
【０００４】
ここ数年間で、ディスクとヘッドのサイズは非常に小さくなった。こうした改良の多くは、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ＭＰ３プレーヤーなどに使用されるハードドライブなどのような、さらに小型でさらに持ち運びに便利なハードドライブに対する消費者の需要によってもたらされた。例えば、初期のハードディスクドライブのディスク径は２４インチであった。近年のハードディスクドライブは、非常に小型化されており、それらのディスク径は２．５インチ未満である（マイクロドライブは、それらのハードディスクドライブよりも著しく小さい）。磁気記録の進歩も、小型化の主な理由である。
【０００５】
この継続的な小型化は、特に消費電力、衝撃パフォーマンス、およびディスク資産の利用に関して、ＨＧＡに使用されるテクノロジーに対する需要を着実に増加させた。最近のテクノロジーの１つの進歩は、Ｆｅｍｔｏスライダの開発である。Ｆｅｍｔｏスライダは、取って代わられた以前のＰｉｃｏスライダと比較してサイズと質量が約１／３である。過去２３年間で、スライダのサイズは１／５に減少し、スライダの質量は１／１００に減少した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ハードディスクドライブの磁気記録における面密度の増加を達成するため、さらに最近の開発では、パターン化された磁気媒体を利用する。しかし、パターン化された磁気媒体に付随する不利な点の１つは、その加工に費用がかかることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による一実施例は、ディスク基板の上方に材料を堆積させることを含む方法である。当該ディスク基板は、データストレージデバイス用である。ディスク基板上方の材料には、ナノインプリンティング処理を施すことが可能である。この材料を処理して、ほぼ固化した材料に変質させることができる。ほぼ固化した材料上には、磁性材料を溶着させることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、パターン化された磁気媒体を安価に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明による種々の実施例について詳細に説明する。そのいくつかの例については添付図面を用いて図示する。本発明を種々の実施例と共に説明するが、これらの種々の実施例は、本発明を限定するためのものではない。むしろ、本発明は、代替、修正、および同等物も範囲に含むように意図されており、これらは請求項に基づいて解釈される本発明の適用範囲に含まれる。
【００１０】
さらに、以下の本発明による種々の実施例の詳細な説明においては、完全な本発明の理解のために多数の具体的情報を提示する。しかし、当該技術分野における通常の技術を有する人は、本発明がこれらの具体的情報なしに実践できることを認識するであろう。他方では、本発明を不必要に不明瞭にしないように、既知の方法、手順、構成部分、および回路については、詳細な説明は割愛した。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の一実施例による、カバーとトップマグネットを取り外した典型的なハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１１０の平面図が示されている。図１は、ＨＤＤ１１０の構成部分とサブアセンブリの関係、およびディスク１３８のディスク面１３５（１つが図示されている）上に記録されているデータトラック１３６を示す図である。カバーを取り外して、ＨＤＤ１１０の内部が見えるようになっている。構成部分は、ベース鋳造物１１３の中に組み立てられている。ベース鋳造物１１３は、構成部分とサブアセンブリに対する取り付けおよび位置決めのポイントを提供している。ＨＤＤ１１０は、「データストレージデバイス」と呼ぶことができる。
【００１２】
複数のサスペンションアセンブリ１３７（１つが図示されている）が、くし状の形でアクチュエータアーム１３４（１つが図示されている）に取り付けられている。複数のトランスデューサヘッドまたはスライダ１５５（１つが図示されている）が、それぞれサスペンションアセンブリ１３７に取り付けられている。スライダ１５５はディスク面１３５に近接した位置にあり、磁気ヘッド１５６（１つが図示されている）を使用してデータの読み取り／書き込みを行えるようになっている。尚、スライダ１５５は、磁気ヘッド１５６に対応付けられたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）（図示されていない）を備えることができる。ロータリーボイスコイルモータ１５０は、アクチュエータシャフト１３２を中心にアクチュエータアーム１３４を回転させて、サスペンションアセンブリ１３７をディスク１３８上の所望の半径方向位置に移動する。アクチュエータシャフト１３２、ハブ１４０、アクチュエータアーム１３４、およびボイスコイルモータ１５０は、集合的にロータリーアクチュエータアセンブリと呼ぶ。
【００１３】
データは、ディスク１３８のディスク面１３５上に、データトラック１３６として知られる同心円のパターンで記録される。モータハブアセンブリ１３０によって、ディスク面１３５は高速に回転する。磁気ヘッド１５６によって、回転するディスク面１３５上にデータトラック１３６が記録される。磁気ヘッド１５６は、通常スライダ１５５の端にある。図１は、ヘッド、スライダ、およびディスク面の１つの組み合わせのみを示す平面図である。当該技術に熟練した人は、ヘッドとディスクの１つの組み合わせは、ディスクスタック（図示されていない）など、ヘッドとディスクの複数の組み合わせにも当てはまることを理解する。しかし、簡潔かつ明快な説明のため、図１に示すのは１つのヘッドおよび１つのディスク面のみである。
【００１４】
図２Ａ〜図２Ｇは、本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体に対するトポロジーのナノインプリンティングの典型的な側断面図である。具体的には、図２Ａは、本発明の種々の実施例にしたがって利用可能な、典型的なディスク基板２０２の側断面図である。ここでは、ディスク基板２０２は、多種多様な方法で実装可能であることが示されている。例えば、一つの実施例においては、ディスク基板２０２は、一般に、ハードディスクドライブ（例えば、１１０）用のディスクを加工するために利用されるディスク基板であるが、これに限定されるものではない。
【００１５】
図２Ｂは、本発明の種々の実施例による、ディスク基板２０２の上方にトポロジー材料２０４を堆積させることができることを示す側断面図である。尚、ディスク基板２０２の上方に堆積させたトポロジー材料２０４を利用して、ディスク基板２０２上の高低領域を含むトポロジーをナノインプリントさせて、パターン化された磁気媒体の素地として機能させることができる。
【００１６】
トポロジー材料２０４は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、ほぼ液体の状態（または、非固体の状態）で実装することができ、それによってそのナノインプリンティング処理が可能になる。１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、約２００〜３００゜Ｃの磁気媒体の蒸着温度に耐えることが可能で、滑らかな上面を有し、ハードディスクドライブ（例えば、１１０）の記録ヘッド（例えば、１５６）との起こりうる相互作用のために耐久性がある、いずれの材料も含むことができる。ただし、これらに限定されるものではない。トポロジー材料２０４としては、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリアミド、ポリアミドベースの重合体、レジストを含有するシリコン、室温で固体の加熱された材料などがある。ただし、これらに限定されるものではない。尚、トポロジー材料２０４は、ディスク基板の上方に多種多様な方法で堆積させることができる。例えば、１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、ディスク基板２０２の上方にスパッタさせることができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００１７】
図２Ｃは、本発明の種々の実施例による、ディスク基板２０２の上方に堆積させたトポロジー材料２０４をナノインプリントするために利用可能なナノインプリンティングマスク２０６を示す側断面図である。ナノインプリンティングマスク２０６を利用して、トポロジー材料２０４をパターン化させることができ、ディスク基板２０２上（または上方）に残すことができる。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６は、トポロジー材料２０４を成形するための、１つ以上の窪み２１２とともに、１つ以上の突起２１０を含むことができる。下方の力（矢印２０８によって示されるような）を、ナノインプリンティングマスク２０６に加えることができる。この下方の力によって、ナノインプリンティングマスク２０６は、下方向に移動した後、トポロジー材料２０４を成形することができる。
【００１８】
尚、ナノインプリンティングマスク２０６は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６は１つ以上の重合体で実装することができる。ただし、これに限定されるものではない。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の窪み２１２とともに、１つ以上の突起２１０を、それぞれ形状または形式のタイプを伴って実装することができる。
【００１９】
図２Ｄは、本発明の種々の実施例による、ディスク基板２０２上に押し下げたナノインプリンティングマスク２０６、およびトポロジー材料２０４の成形を示す側断面図である。ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０をトポロジー材料２０４に接するように押し下げたため、これらの突起は、トポロジー材料２０４を、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の窪み２１２の中にずらすか、または押し込むことが指摘される。ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０がディスク基板２０２とほぼ接触するとき、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０および１つ以上の窪み２１２によって範囲を定められるような、特定の形にトポロジー材料２０４を成形することができる。
【００２０】
図２Ｅは、本発明の種々の実施例による、トポロジー材料２０４のナノインプリンティングの間、トポロジー材料２０４を、ほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に変質させるプロセスを示す側断面図である。具体的には、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０および１つ以上の窪み２１２によって範囲を定められるような特定の形にトポロジー材料２０４を成形するナノインプリンティングプロセスの間、トポロジー材料２０４は、ほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に変質させることができる。尚、変質プロセスは、多種多様な方法で実行することができる。例えば、１つの実施例においては、変質プロセスには、ナノインプリンティングマスク２０６を通り抜けることができ、トポロジー材料２０４をほぼ固化した材料に硬化させることが可能な放射線の利用を含めることができる（破線の矢印２１６によって示される）。放射線には、光学的放射、紫外線または紫外光、電子線照射などが含まれる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、ほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に熱的に変質させることができる。１つの実施例においては、トポロジー材料２０４は、トポロジー材料２０４を冷却するか凍結させることによってほぼ液体（または、非固体状態）からほぼ固化した材料に変質させることができる。
【００２１】
例えば、１つの実施例においては、トポロジー材料２０４が水素シルセスキオキサンであって、電子線照射２１６と湿気（図示されていない）に曝された場合、その重合体が切断され、ほぼ固体である二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）を形成することが可能である。一つの実施例においては、トポロジー材料２０４がレジストを含むシリコンであって、紫外線または熱放射に曝された場合、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）に変質させることが可能である。
【００２２】
図２Ｆは、本発明の種々の実施例による、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２から持ち上げた、ナノインプリンティングマスク２０６の側断面図である。具体的には、トポロジー材料２０４をほぼ液体（または、非固体状態）からほぼ固化したトポロジー材料２０４′に一度変質させると、押上げ力（矢印２１８によって示される）をナノインプリンティングマスク２０６に加えて、ナノインプリンティングマスク２０６がディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′から持ち上がるようにすることができる。尚、ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′には、１つ以上の高架領域２１４を含めることができる。さらに、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′は、ディスク基板２０２よりも上に位置する１つ以上のピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装することができるが、それらに限定されるものではない。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′は、ディスク基板２０２の上方に、ランド（または、高架領域）２１４および溝（または、下部領域）２１７を形成することができる。１つの実施例においては、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′の１つ以上の突起は、約２０〜４０ナノメートルの高さが可能であるが、それに限定されるものではない。
【００２３】
図２Ｇは、本発明の種々の実施例による、１つ以上の磁性材料、適切な基層、および保護コーティング２２０を、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２の上方に堆積させることが可能なことを示す側断面図である。尚、ディスク基板２０２、およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させることによって、パターン化された磁気媒体２２２を生成または形成することができる。ディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させた状態で、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′によってデータビットを定義して、パターン化された磁気媒体の記録を行うことができる。ほぼ固化したトポロジー材料２０４′によって、パターン化された磁気媒体２２２について、１つ以上の高ゾーン（例えば、２１４）および１つ以上の低ゾーン（例えば、２１７）を定義可能であることが指摘される。ここで留意すべきは、１つの実施例においては、パターン化された磁気媒体２２２は、読み書き可能なハードディスクドライブ（例えば、１１０）にインストールまたは内蔵することができることである。
【００２４】
磁性材料２２０は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、種々の実施例においては、磁性材料２２０には、コバルトプラチナクロム、ハードディスク合金、コバルトプラチナ、五元合金、クロムなどを含めることができる。ただし、これらに限定されるものではない。ここで留意すべきは、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０を、多種多様な方法で堆積させることができることである。例えば、１つの実施例においては、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０をスパッタさせることができる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００２５】
本発明の種々の実施例によると、図２Ｅ〜２Ｇに示したイベントの順序とは異なる他の順序も実施可能であることが指摘される。例えば、図２Ｈ〜２Ｌは、本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体に対するほぼ固化したトポロジーの作成を示す典型的な側断面図である。尚、図２Ｈ〜２Ｌは、図２Ｅ〜２Ｇと置き換え可能である。そのため、図２Ａ〜２Ｄは、すでに説明した方法と同様に図２Ｈ〜２Ｌの前に実行することができる。
【００２６】
図２Ｈは、本発明の種々の実施例による、トポロジー材料２０４をほぼ液体（または、非固体）からほぼ固化した材料に変質させるプロセスの開始を示す側断面図である。具体的には、ナノインプリンティングマスク２０６の１つ以上の突起２１０および１つ以上の窪み２１２によって範囲を定められるような特定の形にトポロジー材料２０４を成形するナノインプリンティングプロセスの間、変質プロセスを起動または開始して、ナノインプリンティングマスク２０６の除去をちょうど可能にする程度に、トポロジー材料２０４を部分的に固化させることができる。尚、図２Ｈにおいて開始される変質プロセスは、多種多様な方法で実行することができる。例えば、１つの実施例においては、変質プロセスには、ナノインプリンティングマスク２０６を通過可能であるとともに、トポロジー材料２０４の部分的な固化または硬化を開始可能な、放射線の利用を含めることができる（破線の矢印２１６′によって示される）。放射線２１６′には、光学的放射、紫外線または紫外光、電子線照射など含めることができる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、変質プロセスには、熱プロセスを利用してトポロジー材料２０４の部分的な固化または硬化を開始することを含めることができる。また、１つの実施例においては、変質プロセスには、冷却プロセスまたは凍結プロセスを利用して、トポロジー材料２０４の部分的な固化または硬化を開始することを含めることができる。
【００２７】
図２Ｉは、本発明の種々の実施例による、部分的に固化したトポロジー材料２０４″およびディスク基板２０２から持ち上げた、ナノインプリンティングマスク２０６を示す側断面図である。具体的には、トポロジー材料２０４を、ほぼ液体（または、非固体状態）から、ナノインプリンティングマスク２０６の除去をちょうど可能にする程度の部分的に固化したトポロジー材料２０４″に一度変質させると、押上げ力（矢印２４４によって示される）をナノインプリンティングマスク２０６に加えて、ナノインプリンティングマスク２０６が、部分的に固化したトポロジー材料２０４″およびディスク基板２０２から持ち上がるようにすることができる。ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、部分的に固化したトポロジー材料２０４″には、１つ以上の高架領域２１４を含めることができる。また、部分的に固化したトポロジー材料２０４″は、ディスク基板２０２よりも上に位置する１つ以上のピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装することができるが、それらに限定されるものではない。１つの実施例においては、ナノインプリンティングマスク２０６を一度持ち上げれば、部分的に固化したトポロジー材料２０４″は、ディスク基板２０２の上方に、ランド（または、高架領域）２１４および溝（または、下部領域）２１７を形成することができる。１つの実施例においては、部分的に固化したトポロジー材料２０４″の１つ以上の突起は、約２０〜４０ナノメートルの高さが可能であるが、それに限定されるものではない。
【００２８】
図２Ｊは、本発明の種々の実施例による、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を、ほぼ固化した材料に変質させる仕上げプロセスを示す側断面図である。部分的に固化した材料は、ほぼ固化した材料よりも固体の状態ではないことが指摘される。図２Ｊにおいて、ナノインプリンティングマスク２０６を持ち上げた後、仕上げプロセスまたは最終変質プロセスを起動または開始して、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を、ほぼ固化した材料（つまり、ほぼ固体の材料）に変化させることができる。変質プロセスは、多種多様な方法で実行可能であることが指摘される。例えば、１つの実施例においては、変質プロセスには、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を、ほぼ固化した材料に硬化させることが可能な放射線の利用を含めることができる（破線の矢印２１６′によって示される）。放射線には、光学的放射、紫外線または紫外光、電子線照射など含めることができる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、部分的に固化したトポロジー材料２０４″は、ほぼ固化した材料に熱的に変質させることができる。一つの実施例においては、部分的に固化したトポロジー材料２０４″を冷却または凍結させることによって、部分的に固化したトポロジー材料２０４″をほぼ固化した材料に変質させることができる。
【００２９】
尚、１つの実施例においては、図２Ｊを参照して説明した仕上げ変質プロセスは、バッチモードで実行することができる。例えば、バッチモードには、それぞれ部分的に固化したトポロジー材料（例えば、２０４″）を含む複数の基板（例えば、２０２）を含めることができる。ここで、それぞれの部分的に固化したトポロジー材料には、仕上げ変質プロセスを同時に施すことが可能である。
【００３０】
図２Ｋは、本発明の種々の実施例による、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２を示す側断面図である。具体的には、図２Ｊに示す仕上げプロセスによって、部分的に固化したトポロジー材料２０４″がほぼ固化した材料２０４′′′に一度変質すれば、ディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′をさらに処理することができる。ほぼ固化した材料は、部分的に固化した材料よりも一層固体の状態であることが指摘される。
【００３１】
図２Ｌは、本発明の種々の実施例による、１つ以上の磁性材料、適切な基層、および保護コーティング２２０を、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２の上方に堆積させることが可能なことを示す側断面図である。尚、ディスク基板２０２、およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させることによって、パターン化された磁気媒体２２６を生成または形成することができる。ディスク基板２０２およびほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′の上方に磁性材料、基層、およびコーティング２２０を堆積させた状態で、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′によってデータビットを定義して、パターン化された磁気媒体の記録を行うことができる。ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′によって、パターン化された磁気媒体２２６について、１つ以上の高ゾーン（例えば、２１４）および１つ以上の低ゾーン（例えば、２１７）を定義可能であることが指摘される。１つの実施例においては、パターン化された磁気媒体２２６は、読み書き可能なハードディスクドライブ（例えば、１１０）にインストールまたは内蔵することができる。
【００３２】
磁性材料２２０は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、種々の実施例においては、磁性材料２２０には、コバルトプラチナクロム、ハードディスク合金、コバルトプラチナ、五元合金、クロムなどを含めることができる。ただし、これらに限定されるものではない。尚、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０を、多種多様な方法で堆積させることができる。例えば、１つの実施例においては、ほぼ固化したトポロジー材料２０４′′′およびディスク基板２０２の上方に、磁性材料、基層、およびコーティング２２０をスパッタさせることができる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００３３】
図３は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体３００の断面を示す平面図である。ここで指摘されるのは、パターン化された磁気媒体３００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法においても同様に実装可能なことである。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体３００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４のそれぞれの断面は、円形またはほぼ円形（図示されていない）に形成することができる。１つの実施例においては、複数のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、六角形のパッキング構造に（または効率的な方法で）詰め込むことができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００３４】
尚、パターン化された磁気媒体３００の１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、多種多様な方法で実装することができる。例えば、種々の実施例においては、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料３０４を、それらが多少狭くかつ長く、または多少広くかつ短くなるように実装することができる。１つの実施例においては、複数のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、ディスク基板（例えば２０２）上方の同心円内に配置することができる。種々の実施例においては、各々のほぼ固化したトポロジー材料３０４は、トラックに沿ってしだいに長くなるように、またはパターン化された磁気媒体３００の複数のトラックを横断して広くなるように実装することができる。１つの実施例においては、複数のほぼ固化したトポロジー材料３０４を、サーボ情報を提供するために、特定の１つ以上の領域に配置することができる。このサーボ情報は、わずかにより複雑なパターンを含む場合がある。
【００３５】
図４は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体４００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体４００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体４００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料４０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。また、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料４０４のそれぞれの断面は、楕円形またはほぼ楕円形（図示されていない）に形成することができる。
【００３６】
図５は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体５００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体５００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体５００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料５０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料５０４のそれぞれの断面は、ひし形または正方形に形成することができる。または、ほぼひし形（図示されていない）、またはほぼ正方形（図示されていない）に形成することができる。
【００３７】
図６は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体６００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体６００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体６００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料６０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。また、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料６０４のそれぞれの断面は、長方形またはほぼ長方形（図示されていない）に形成することができる。
【００３８】
図７は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体７００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体７００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体７００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料７０４および７０４′が含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料７０４のそれぞれの断面は、ひし形または正方形に形成することができる。または、ほぼひし形（図示されていない）、またはほぼ正方形（図示されていない）に形成することができる。一方、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料７０４′のそれぞれの断面は、楕円またはほぼ楕円（図示されていない）に形成することができる。このように、パターン化された磁気媒体７００は、ほぼ固化したトポロジー材料の複数の断面形状を含むことができる（例えば、７０４と７０４′）。
【００３９】
図８は、本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体８００の断面を示す平面図である。尚、パターン化された磁気媒体８００は、ここで説明するパターン化された磁気媒体のいずれの方法を用いても同様に実装可能である。ただし、これらに限定されるものではない。パターン化された磁気媒体８００には、それぞれピラー、カラム、マウンド、突起、および／またはプラトーの形状で実装可能な１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料８０４などが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。さらに、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料８０４のそれぞれの断面は、多角形またはほぼ多角形（図示されていない）に形成することができる。例えば、一つの実施例においては、１つ以上のほぼ固化したトポロジー材料８０４のそれぞれの断面は、五角形またはほぼ五角形（図示されていない）に形成することができる。
【００４０】
図９は、本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体に対するトポロジーのナノインプリンティングの典型的な方法９００を示すフロー図である。この方法９００には、計算装置によって読み込み可能かつ実行可能な命令（または、コード）による制御のもとで（例えば、ソフトウェア）、プロセッサおよび電気構成部品によって実行可能な、本発明の種々の実施例による典型的なプロセスが含まれる。計算装置によって読み込み可能かつ実行可能な命令（または、コード）は、例えば、計算装置によって利用可能な、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、および／またはマスデータストレージなどのデータの記憶機能に常駐させる場合がある。しかし、計算装置によって読み込み可能かつ実行可能な命令（または、コード）は、コンピュータデバイスによって読み取り可能ないずれかのタイプのメディアに常駐させてもよい。尚、方法９００は、コンピュータによって使用可能なメディア上のアプリケーション命令によって実行可能である。この場合、これらの命令が実行されるとき、方法９００の１つ以上の動作が実行される。方法９００では具体的な動作が開示されるが、そのような動作は典型的なものである。方法９００は、図９に示されるすべての動作を含まなくてもよい。また、方法９００は、他の動作および／または図９に示される動作の変形を含んでもよい。同様に、方法９００の一連の動作は修正してもよい。尚、方法９００の動作は、手動、ソフトウェア、ファームウェア、電子ハードウェアによって実行可能である。または、それらのいずれかの組み合わせによっても実行可能である。
【００４１】
具体的には、方法９００には、ディスク基板の上方に材料を堆積するステップを含めることが可能である。ここで、当該ディスク基板は、データストレージデバイス用である。ディスク基板上方の材料には、ナノインプリンティング処理を施すことが可能である。この材料を処理して、ほぼ固化した材料に変質させることができる。ほぼ固化した材料の上方には、磁性材料を堆積させることができる。ほぼ固化した材料および磁性材料を含むディスク基板は、データストレージデバイスに実装または内蔵することができる。
【００４２】
図９に示す動作９０２では、材料（例えば、２０４）は、ディスク基板（例えば、２０２）の上方に堆積させることができる。ここで、当該ディスク基板は、データストレージデバイス（例えば、ＨＤＤ １１０）に用いる。動作９０２は、多種多様な方法で実行可能であることが指摘される。例えば、種々の実施例においては、動作９０２の材料には、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリアミド、ポリアミドベースの重合体、およびレジストを含有するシリコンなどがある（ただし、これらに限定されるものではない）。動作９０２では、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で、材料をディスク基板の上方に堆積させることができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４３】
動作９０４では、ディスク基板上方の材料には、ナノインプリンティング処理を施すことが可能である。尚、動作９０４は、多種多様な方法で実行可能である。例えば、種々の実施例においては、動作９０４において、ディスク基板上方の材料のナノインプリンティング処理は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で実行することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４４】
図９に示す動作９０６では、この材料を処理して、ほぼ固化した材料に変質させることができる（例えば、２０４′または２１４′′′）。ほぼ固化した材料は、１つ以上の高架領域（または、１つ以上のピラー、カラム、またはプラトー）を含むことが可能なトポロジーを定義または包含することができる。尚、動作９０６は、多種多様な方法で実行可能である。例えば、種々の実施例においては、動作９０６の材料の処理には、硬化プロセス、電子線、放射、熱プロセス、光学プロセス、および冷却などの利用を含めることができる（ただし、これらに限定されるものではない）。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理は、材料のナノインプリンティング処理中に行うことができる。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理には、ナノインプリンティング処理中にプロセスを開始し、および材料のナノインプリンティング処理後にプロセスを終了させることを含めることができる。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理には、ナノインプリンティング処理中にプロセスを開始して、材料を部分的に固化した材料（例えば、２０４″）に変質させ、ナノインプリンティング処理後にプロセスを終了させて、部分的に固化した材料をほぼ固化した材料（例えば、２１４′′′）に変質させることを含めることができる。１つの実施例においては、動作９０６の材料の処理には、ナノインプリンティングマスク（例えば、２０６）による材料のナノインプリンティング処理中にプロセスを開始して、材料を部分的に固化した材料（例えば２０４″）に変質させ、ナノインプリンティングマスクを取り除いた後にプロセスを終了させて、部分的に固化した材料をほぼ固化した材料（例えば、２１４′′′）に変質させることを含めることができる。動作９００は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で実行することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４５】
動作９０８では、磁性材料（例えば、２２０）は、ほぼ固化した材料の上方に堆積させることができる。動作９０８は、多種多様な方法で実行可能であることが指摘される。例えば、種々の実施例においては、動作９０８の磁性材料には、コバルトプラチナクロム、五元合金、クロム、およびコバルトプラチナなどが含まれる。ただし、これらに限定されるものではない。１つの実施例においては、動作９０８では、１つ以上の磁性材料を、ほぼ固化した材料の上方に堆積させることができる。１つの実施例においては、動作９０８では、１つ以上の磁性材料、１つ以上の適切な基層、および１つ以上の保護膜を、ほぼ固化した材料の上方に溶着させることができる。動作９０８は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法で実行することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４６】
図９に示す動作９１０では、ほぼ固化した材料および磁性材料を含むディスク基板は、データストレージデバイスにインストール、実装、または内蔵することができる。尚、動作９１０は、多種多様な方法で実行可能である。例えば、種々の実施例においては、動作９１０において、ほぼ固化した材料および磁性材料を含むディスク基板は、ここで説明した方法と同様ないずれかの方法でデータストレージデバイスに実装または内蔵することができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００４７】
本発明による種々の具体的な実施例についての前述の説明は、図示および説明の目的で行われたものである。そのため、前述の説明は、網羅的であることを意図したものではなく、または開示された厳密な形式に本発明を限定することを意図したものでもない。したがって、上記説明の観点から多くの修正および変形が可能であることは明らかである。本発明は、請求項およびそれらに相当するものによって解釈することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施例による、カバーおよびトップマグネットを取り外した状態の典型的なＨＤＤの平面図である。
【図２Ａ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｂ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｃ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｄ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｅ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｆ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｇ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｈ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｉ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｊ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｋ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図２Ｌ】本発明の種々の実施例による、パターン化された磁気媒体を作成するための典型的な側断面図である。
【図３】本発明の種々の実施例による、典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図４】本発明の種々の実施例による、別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図５】本発明の種々の実施例による、さらに別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図６】本発明の種々の実施例による、さらに別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図７】本発明の種々の実施例による、別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図８】本発明の種々の実施例による、さらに別の典型的なパターン化された磁気媒体の断面を示す平面図である。
【図９】本発明の種々の実施例による、典型的な方法を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４９】
２０２…ディスク基板、２０４…トポロジー材料、２０４′…ほぼ固化したトポロジー材料、２０４″…部分的に固化したトポロジー材料、２０４′′′…ほぼ固化したトポロジー材料、２０６…ナノインプリンティングマスク、２１０…突起、２１２…窪み、２１４…ランド、２１６，２１６′…放射線、２１７…溝、２２０…磁性材料、２２２，２２６…パターン化された磁気媒体、３００，４００，５００，６００，７００，８００…パターン化された磁気媒体、３０４，４０４，５０４，６０４，７０４，７０４′，８０４…ほぼ固化したトポロジー材料。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データストレージデバイス用のディスク基板の上方に材料を堆積するステップと、
前記ディスク基板上方の前記材料にナノインプリンティング処理を行うステップと、
前記材料をほぼ固化した材料に処理するステップと、
前記ほぼ固化した材料の上方に磁性材料を堆積するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記材料は水素シルセスキオキサンを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記材料はポリアミドを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記材料はレジストを含有するシリコンを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記処理は電子ビームの利用を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記処理は放射線の利用を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記処理は前記ナノインプリンティング処理中に開始することを特徴とする方法。
【請求項８】
ディスク基板と、
前記ディスク基板の上方に堆積された材料であって、ナノインプリンティング処理を施され、さらにほぼ固化した材料に変質させられた材料と、
前記ほぼ固化した材料の上方に堆積された磁性材料と、を有することを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項９】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料は水素シルセスキオキサンを含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１０】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料はポリアミドベースの重合体を含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１１】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料はレジストを含有するシリコンを含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１２】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記ほぼ固化した材料は二酸化ケイ素を含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１３】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料の前記ほぼ固化した材料への変質は、電子ビーム、熱プロセス、光学プロセス、放射、および冷却の利用から成るグループから選択されるプロセスで行なわれることを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１４】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料はナノインプリンティング処理中に変質が開始されることを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１５】
コンピュータによって使用可能なメディア上のアプリケーション命令であって、
実行時に前記命令は、
データストレージデバイス用のディスク基板の上方に材料を堆積させるステップと、
前記ディスク基板上方の前記材料にナノインプリンティング処理を行うステップと、
前記材料をほぼ固化された材料に変質させるステップと、
前記ほぼ固化された材料の上方に磁性材料を堆積させるステップと、を含む方法を実行することを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１６】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記材料は水素シルセスキオキサンを含むことを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１７】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記材料はポリアミドベースの重合体を含むことを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１８】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記材料はレジストを含有するシリコンを含むことを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１９】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記変質は、電子ビーム、熱、光学、放射、および冷却の利用から成るグループから選択されるプロセスで行われることを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項２０】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記変質は、前記ナノインプリンティング処理中に開始され、前記ナノインプリンティング処理後に終了することを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１】
データストレージデバイス用のディスク基板の上方に材料を堆積するステップと、
前記ディスク基板上方の前記材料にナノインプリンティング処理を行うステップと、
前記材料をほぼ固化した材料に処理するステップと、
前記ほぼ固化した材料の上方に磁性材料を堆積するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記材料は水素シルセスキオキサンを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記材料はポリアミドを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記材料はレジストを含有するシリコンを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記処理は電子ビームの利用を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記処理は放射線の利用を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記処理は前記ナノインプリンティング処理中に開始することを特徴とする方法。
【請求項８】
ディスク基板と、
前記ディスク基板の上方に堆積された材料であって、ナノインプリンティング処理を施され、さらにほぼ固化した材料に変質させられた材料と、
前記ほぼ固化した材料の上方に堆積された磁性材料と、を有することを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項９】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料は水素シルセスキオキサンを含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１０】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料はポリアミドベースの重合体を含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１１】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料はレジストを含有するシリコンを含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１２】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記ほぼ固化した材料は二酸化ケイ素を含むことを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１３】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料の前記ほぼ固化した材料への変質は、電子ビーム、熱プロセス、光学プロセス、放射、および冷却の利用から成るグループから選択されるプロセスで行なわれることを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１４】
請求項８記載のパターン化されたメディアディスクにおいて、前記材料はナノインプリンティング処理中に変質が開始されることを特徴とするパターン化されたメディアディスク。
【請求項１５】
コンピュータによって使用可能なメディア上のアプリケーション命令であって、
実行時に前記命令は、
データストレージデバイス用のディスク基板の上方に材料を堆積させるステップと、
前記ディスク基板上方の前記材料にナノインプリンティング処理を行うステップと、
前記材料をほぼ固化された材料に変質させるステップと、
前記ほぼ固化された材料の上方に磁性材料を堆積させるステップと、を含む方法を実行することを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１６】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記材料は水素シルセスキオキサンを含むことを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１７】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記材料はポリアミドベースの重合体を含むことを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１８】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記材料はレジストを含有するシリコンを含むことを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項１９】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記変質は、電子ビーム、熱、光学、放射、および冷却の利用から成るグループから選択されるプロセスで行われることを特徴とするアプリケーション命令。
【請求項２０】
請求項１５記載のアプリケーション命令において、前記変質は、前記ナノインプリンティング処理中に開始され、前記ナノインプリンティング処理後に終了することを特徴とするアプリケーション命令。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図２Ｈ】
【図２Ｉ】
【図２Ｊ】
【図２Ｋ】
【図２Ｌ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図２Ｈ】
【図２Ｉ】
【図２Ｊ】
【図２Ｋ】
【図２Ｌ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００８−２１７９７０（Ｐ２００８−２１７９７０Ａ）
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３４６２４（Ｐ２００８−３４６２４）
【出願日】平成２０年２月１５日（２００８．２．１５）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１５日（２００８．２．１５）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
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