説明

プラズマアーク溶接方法及びプラズマアーク溶接装置

【課題】キーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる新規なプラズマアーク溶接方法及びプラズマアーク溶接装置の提供。
【解決手段】溶接時に出力される溶接電圧を検出し、その溶接電圧の周波数がその溶融池Pの固有振動数とほぼ一致するようにその溶接電圧の周波数を制御する。これによって、溶融池Pの振動数をその固有振動数に容易に制御することが可能となるため、キーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エネルギー密度が高く、高速度、高品質な溶接が可能なプラズマアーク溶接方法及びプラズマアーク溶接装置に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、プラズマアーク溶接は、ガスメタルア−ク(GMA)溶接、ガスタングステンアーク(GTA)溶接などと比べてエネルギー密度が高い。このため、プラズマアークを母材表面側から裏面側へ貫通させながら溶接する、いわゆるキーホール溶接が可能である。キーホール溶接が可能となれば、母材裏面側からの溶接作業が不要となるため、溶接作業効率が大幅に向上する。しかし、このキーホール溶接は、種々の要因、例えば溶接中の母材温度の上昇や大気温度、あるいはアースの取り方による磁気吹きなどにより施工の途中からキーホールの挙動が不安定となり易いため、熟練した作業員でなければ高品質の溶接作業を行うことができず、自動化が難しい。
【0003】
そのため、例えば以下の特許文献1では、溶接部を覆うように被溶接物の裏側にバックシールド治具をあてがっておき、そのバックシールド治具と被溶接物との間に生じる電圧を検出すると共に、その電圧と基準電圧とを比較し、検出電圧が基準電圧に等しくなるように溶接条件を制御することで、キーホール溶接の自動化を可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開昭62−93072号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、この特許文献1に開示されているような溶接方法は、溶接電圧の変動を小さく抑えるだけの方法であるため、例えば、裏波ビードが形成されなかったり、溶融金属が垂れ落ちるなどといった最悪の状況は回避できるものの、安定した一定高さの裏波ビードを得ることは困難である。
【0006】
そこで、本発明はこれらの課題を解決するために案出されたものであり、その目的は、キーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる新規なプラズマアーク溶接方法及びプラズマアーク溶接装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
これらの課題を解決すべく本発明者らは、多くの研究・実験を行った結果、溶接時に母材裏側に形成される溶融池の揺れの挙動(振動数)と溶接時に出力される溶接電圧の挙動(周波数)との関連性を発見し、本発明に至ったものである。
【0008】
すなわち、前述したようなプラズマアークによるキーホール溶接を行った場合、図2に示すように母材の裏側であって、キーホール(プラズマアーク)の溶接方向後方には、溶接トーチから発生するプラズマアーク16の熱によって溶けた母材15による溶融池Pがその長手方向に沿って形成される。そして、この溶融池Pが、溶接方向前後に揺れることで安定した一定高さの裏波ビードが形成されることが分かった。このとき溶融池Pの揺れ(挙動)が大きすぎると溶融金属が垂れ落ちてしまうことから溶融池Pの揺れ(挙動)には、安定した一定高さの裏波ビードを形成するための固有の振動数(例えば、30乃至40Hz)が存在することが分かった。また、この固有振動数は、母材15の材質や溶融池Pの大きさ(質量)、粘度などによっても異なる。そして、これらの知見に基づき本発明者らがこの溶融池Pの揺れ(挙動)をさらに詳しく調べたところ、この溶融池の揺れ(挙動)の振動数は、キーホール溶接時に出力される溶接電圧の周波数とほぼ一致することが分かった。
【0009】
そこで、前記の目的を達成するために第1の発明は、被溶接物の溶接部にプラズマアークによるキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接方法であって、前記溶接時に母材裏側に形成される溶融池の揺れが固有の振動数となるように溶接することを特徴とするプラズマアーク溶接方法である。このような溶接方法によれば、安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。
【0010】
また、第2の発明は、被溶接物の溶接部にプラズマアークによるキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接方法であって、前記溶接時に母材裏側に形成される溶融池の揺れが固有の振動数となるように溶接時に出力される溶接電圧の周波数を制御しながら溶接することを特徴とするプラズマアーク溶接方法である。
【0011】
このような溶接方法によれば、キーホール溶接時に出力される溶接電圧の周波数を制御することで溶融池の揺れをその溶融池の固有振動数に容易に制御できるため、安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。
【0012】
第3の発明は、被溶接物の溶接部にプラズマアークによるキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接方法であって、前記溶接時に母材裏側に形成される溶融池の固有振動数を取得する固有振動数取得ステップと、溶接時に出力される溶接電圧の周波数を検出する溶接電圧周波数検出ステップと、前記溶接時に出力される溶接電圧の周波数を前記溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御する溶接電圧周波数制御ステップとを備えたことを特徴とするプラズマアーク溶接方法である。
【0013】
このような溶接方法によれば、溶接時に出力される溶接電圧の周波数がその溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御したため、その溶融池の揺れを固有振動数に容易に制御することが可能となり、安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。
【0014】
第4の発明は、第1ないし3のいずれかの発明において、前記溶接時に出力される溶接電圧の周波数は、溶接電流、溶接速度、パイロットガス流量、パイロットガス組成、シールドガス組成、スタンドオフ(母材−溶接トーチチップ間隔)、前記溶接トーチチップ穴径、前記プラズマアークを発生する溶接トーチの前記被溶接物に対する角度のうち、いずれか1つまたは2つ以上を変化させて制御することを特徴とするプラズマアーク溶接方法である。
【0015】
このような方法によれば、溶接状況に応じて溶接電流、溶接速度、パイロットガス流量パイロットガス組成、シールドガス組成、スタンドオフ(母材−溶接トーチチップ間隔)、前記溶接トーチチップ穴径、前記プラズマアークを発生する溶接トーチの前記被溶接物に対する角度のいずれか1つまたは2つ以上を変化させることで溶接時に出力される溶接電圧の周波数を容易に制御することができる。
【0016】
第5の発明は、プラズマアークを発生する溶接トーチを用いて被溶接物の溶接部にキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接装置であって、前記溶接時に母材裏側に形成される溶融池の固有振動数を取得する固有振動数取得手段と、溶接時に出力される溶接電圧の周波数を検出する溶接電圧周波数検出手段と、前記溶接時に出力される溶接電圧の周波数を前記溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御する溶接電圧周波数制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマアーク溶接装置である。
【0017】
このような構成によれば、第3の発明と同様に溶接時に出力される溶接電圧の周波数がその溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御したため、その溶融池の揺れを固有振動数に容易に制御することが可能となり、安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、溶接時に出力される溶接電圧を検出し、その溶接電圧がその溶融池の固有振動数とほぼ一致するようにその溶接電圧の周波数を制御したため、その溶融池の振動数をその固有振動数に容易に制御することが可能となる。これによって、キーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明に係るプラズマアーク溶接装置100の実施の一形態を示すブロック図である。
【図2】溶接時に母材15の裏側に形成される溶融池Pの挙動を示す概念図である。
【図3】本発明に係るプラズマアーク溶接方法の処理の流れを示すフローチャート図である。
【図4】被溶接物14に関する溶接条件の一例を示す部分拡大図である。
【図5】被溶接物14に対して溶接トーチ10を所定の角度θを傾斜させて溶接している状態を示す概念図である。
【図6】本発明によるキーホール溶接後の溶接部の状態を示す溶接方向断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
次に、本発明に係るプラズマアーク溶接方法および溶接装置の実施の一形態を添付図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係るプラズマアーク溶接装置100の構成を示したブロック図である。図示するようにこのプラズマアーク溶接装置100は、溶接トーチ10と、この溶接トーチ10を駆動する駆動部20と、溶接電源を供給する電源部30と、溶接トーチ10に溶接ガスを供給するガス供給部40と、これら各部10乃至40を制御する溶接制御部50とから主に構成されている。
【0021】
溶接トーチ10は、図2に示すように、タングステン電極11を溶接トーチチップ12で覆うと共にその溶接トーチチップ12をシールドキャップ13で覆った構造をしている。そして、図示しない高周波発生器を使ってこのタングステン電極11と溶接トーチチップ12との間にパイロットアークを発生させると共に、その溶接トーチチップ12内にアルゴン(Ar)などの動作ガス(プラズマガスPG)を流すと、このプラズマガスPGがアーク熱によってイオン化してアーク電流の良導体となってタングステン電極11と母材15間で超高温(10000〜20000℃)のプラズマアーク16が発生するようになっている。そして、このプラズマアーク16を母材15の表面側から裏面側に貫通させることでキーホール溶接が可能となっている。また、この溶接トーチチップ12とシールドキャップ13間にはアルゴン(Ar)と水素(H)、アルゴン(Ar)と酸素(O)、アルゴン(Ar)と炭酸ガス(CO)などからなるシールドガスSGが供給されており、このシールドガスSGによって溶接部を大気から保護して溶接品質を維持するようになっている。
【0022】
駆動部20は、この溶接トーチ10を被溶接物14に対して所定の距離および角度となるように維持・固定すると共に、溶接制御部50からの制御信号によってその溶接トーチ10を被溶接物14の溶接線に沿って任意の速度で移動(走行)させるようになっている。なお、この駆動部20は、被溶接物14側を固定し、この被溶接物14に対して溶接トーチ10側を移動させる他、溶接トーチ10側を固定し、被溶接物14側を移動させたり、両方をそれぞれ同時に移動(走行)させることも可能となっている。
【0023】
電源部30は、溶接トーチ10と母材15との間にプラズマアーク16を発生させるために必要な電流を所定の電圧で供給するものであり、その電流値および電圧値は溶接制御部50によって細かく制御されるようになっている。また、ガス供給部40は、溶接トーチ10に対して前述したプラズマガスやシールドガスなどの溶接ガスを供給するものであり、同じく溶接制御部50によってそのガス流量やタイミングなどが適宜制御されるようになっている。
【0024】
溶接制御部50は、中央制御部51と、記憶部(データベース)52と、出力電圧計測部53と、溶接電圧周波数解析部56と、入力部54と、出力部55とから構成されている。そして先ず中央制御部51は、コンピュータシステムなどの情報処理装置(CPU、ROM、RAM、入出力インタフェースなど)から構成されており、入力部54から入力される操作指令や所定の制御用プログラムに基づいて前記各部10乃至40などを制御するようになっている。
【0025】
記憶部(データベース)52は、HDDや半導体メモリなどのデータの書き込み・読み出し自在の記憶装置から構成されており、各種制御用プログラムなどの他に、少なくとも各種溶接条件とその溶接条件毎に異なる母材裏側の溶融池Pの固有振動数に関するデータが書き込み・読み出し自在に記録されている。。
【0026】
すなわち、この記憶部(データベース)52には、少なくとも様々な溶接条件とそれら各溶接条件下で一意に決まる溶融池Pの固有振動数に関する情報とがデータベースとして記録されている。ここで、様々な溶接条件としては、例えば被溶接物14に関する条件と溶接施工条件とが挙げられる。そして、被溶接物14に関する条件としては、材料(母材の種類)の他に、例えば図4に示すように板厚t、開先角度θ、ルート長さrなどがある。一方、溶接施工条件としては、溶接電流、溶接速度、パイロットガス流量、パイロットガス組成、シールドガス組成、図2に示すスタンドオフ(母材−溶接トーチチップ間隔)、溶接トーチチップ穴径、図5に示すように被溶接物14に対する溶接トーチ10の角度などがある。
【0027】
出力電圧計測部53は、溶接電源部30からの出力電圧を常時あるいは任意の時間計測して溶接電圧周波数解析部56および中央制御部51に入力するようになっている。入力部54は、例えばキーボードやマウスなどの各種入力装置から構成されており、各種の溶接条件や操作指令などを入力するようになっている。出力部はCRTやLCDなどのモニターやスピーカーなどの各種出力装置から構成されており、入力部54からの溶接条件の入力操作の確認のための表示や各種の溶接状況などの情報を表示するようになっている。なお、この出力部55はモニターの表面にタッチパネルなどの入力機能を付加することで入力部54と兼用しても良い。
【0028】
次に、このような構成をしたプラズマアーク溶接装置100によるプラズマ溶接方法の一例を主に図3のフローを参照しながら説明する。本発明装置100の溶接制御部50(中央制御部51)は、入力部54から被溶接物14に関する条件と溶接開始指令が入力されたならば、その被溶接物14に関する条件に最適な溶接施工条件を記憶部(データベース)52から選択してきてその溶接施工条件に従って各部10乃至40を制御して溶接を開始する。
【0029】
そして、この溶接制御部50(中央制御部51)は、溶接が始まったならば、図3に示すように先ず入力部54から入力されたその溶接条件を取得する(ステップS100)と共に、記憶部52にアクセスしてその溶接条件下で一意に定まる溶融池Pの固有振動数を取得する(ステップS102)。次に、この溶接制御部50(中央制御部51)は、溶融池Pの固有振動数を取得したならば溶接電圧周波数解析部56で検出された溶接電圧の周波数を溶融池Pの固有振動数と比較する(ステップS104、S106)。
【0030】
この結果、溶接電圧の周波数と、記憶部52から取得された溶融池Pの固有振動数とが一致あるいはその差が所定範囲内である(YES)と判断したならば、そのまま次のステップS108に移行するが、両者が不一致あるいはその差が所定許容範囲を越えている(NO)と判断したならば、次のステップS107側に移行する。
【0031】
ステップS107では、溶接電圧の周波数と溶融池Pの固有振動数とが一致あるいはその差が所定許容範囲内になるように溶接条件を変更してステップS100に戻る。具体的には溶接電流、溶接速度、パイロットガス流量、パイロットガス組成、シールドガス組成、スタンドオフ(母材−溶接トーチチップ間隔)、溶接トーチチップ穴径、溶接トーチ10の被溶接物14に対する角度などのいずれか1つまたは2つ以上の条件を複合して調整する。以後、ステップS106の条件を満たすまでこのループを繰り返す。
【0032】
一方、ステップS108では、溶接作業が終了したか否かを判断し、終了したと判断したとき(YES)は、その処理を終了するが、終了していないと判断したとき(YES)は、ステップS104に戻って前記と同様の処理をその溶接作業が終了するまで継続する。
【0033】
このように本発明は、溶接時に出力される溶接電圧を検出し、その溶接電圧の周波数がその溶融池Pの固有振動数とほぼ一致するようにその溶接電圧の周波数を制御(調節)したため、その溶融池Pの振動数をその固有振動数に容易に制御(調節)することが可能となる。これによって、図6に示すようにキーホール溶接に際して安定した一定高さの裏波ビードを確実に得ることができる。
【0034】
なお、前記課題を解決するための手段の欄に記載した本発明を構成する各手段(ステップ)のうち、溶接時に母材の裏側に形成される溶融池の固有振動数を取得する固有振動数取得手段(ステップ)は、例えば図1の記憶部52や図3のステップ102の固有振動数取得ステップなどに対応し、また、溶接時に出力される溶接電圧の周波数を検出する溶接電圧周波数検出手段(ステップ)は、例えば図1の溶接電圧周波数解析部56や図3のステップ104の溶接電圧周波数解析ステップなどに対応する。また、溶接時に出力される溶接電圧の周波数を前記溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御する溶接電圧周波数制御手段(ステップ)は、例えば図1の中央制御部51による駆動部20および溶接ガス供給部40の制御や図3のステップS107の溶接条件変更ステップなどに対応するものである。
【符号の説明】
【0035】
100…プラズマアーク溶接装置
11…タングステン電極
12…溶接トーチチップ
10…溶接トーチ
13…シールドキャップ
14…被溶接物
15…母材
16…プラズマアーク
20…駆動部
30…溶接電源部
40…溶接ガス供給部
50…溶接制御部
51…中央制御部
52…記憶部(データベース)
53…出力電圧計測部
54…入力部
55…出力部
56…溶接電圧周波数解析部
P…溶融池
PG…プラズマガス
SG…シールドガス

【特許請求の範囲】
【請求項1】
被溶接物の溶接部にプラズマアークによるキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接方法であって、
前記溶接時に母材の裏側に形成される溶融池の揺れが固有の振動数となるように溶接することを特徴とするプラズマアーク溶接方法。
【請求項2】
被溶接物の溶接部にプラズマアークによるキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接方法であって、
前記溶接時に母材の裏側に形成される溶融池の揺れが固有の振動数となるように溶接時に出力される溶接電圧の周波数を制御しながら溶接することを特徴とするプラズマアーク溶接方法。
【請求項3】
被溶接物の溶接部にプラズマアークによるキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接方法であって、
前記溶接時に母材の裏側に形成される溶融池の固有振動数を取得する固有振動数取得ステップと、溶接時に出力される溶接電圧の周波数を検出する溶接電圧周波数検出ステップと、前記溶接時に出力される溶接電圧の周波数を前記溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御する溶接電圧周波数制御ステップとを備えたことを特徴とするプラズマアーク溶接方法。
【請求項4】
請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマアーク溶接方法において、
前記溶接時に出力される溶接電圧の周波数は、溶接電流、溶接速度、パイロットガス流量、パイロットガス組成、シールドガス組成、前記プラズマアークを発生する溶接トーチの前記被溶接物に対する角度、前記溶接トーチチップ穴径、スタンドオフのうち、いずれか1つまたは2つ以上を変化させて制御することを特徴とするプラズマアーク溶接方法。
【請求項5】
プラズマアークを発生する溶接トーチを用いて被溶接物の溶接部にキーホールを形成しながら当該溶接部を連続溶接するプラズマアーク溶接装置であって、
前記溶接時に母材の裏側に形成される溶融池の固有振動数を取得する固有振動数取得手段と、溶接時に出力される溶接電圧の周波数を検出する溶接電圧周波数検出手段と、前記溶接時に出力される溶接電圧の周波数を前記溶融池の固有振動数とほぼ一致するように制御する溶接電圧周波数制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマアーク溶接装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公開番号】特開2013−107085(P2013−107085A)
【公開日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−251737(P2011−251737)
【出願日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【出願人】(000005522)日立建機株式会社 (2,611)
【出願人】(000231235)大陽日酸株式会社 (642)
【Fターム(参考)】