プラットフォームに沿う交差汚染を防止するのに使用される装置、およびその装置を製造する方法
一つ以上の所定のオリフィス（１４）を有するカバースリップ（１２）を備えるプラットフォームの表面に沿う、流体の交差汚染を防止するように設計された装置が開示されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラットフォームに沿う交差汚染を防止するのに使用される装置、およびその装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチウェルプレートは、研究や臨床検査室において通常用いられるツールである。マルチウェルプレートは、多用途であり、多数のサンプルのデータを作成するのに必要なあらゆる分析技術で使用され得る。マルチウェルプレートが、核酸増幅（ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のような生化学手法を実行するために使用されることもあるということにも、言及すべきである。これらのプレートは、液体サンプルを受容するのに使用される、複数のウェルまたはレセプタクルで構成される。ウェルは、ほぼ予成形され、基板プラットフォームの全体に一様に設置されている。例えば、プラットフォームの中に位置する９６ウェルを有するプレートがある。個々のウェルの寸法は、使用されるプレートによって変化するが、同じプラットフォームの任意のウェル部分の寸法は同等であるのが典型的である。典型的には、９６ウェルプレートのウェルは、３８４マイクロタイタープレートと比較して、例えば体積が大きい。
【０００３】
化学的および生物学的技術が、たとえそのデバイスが平坦でなく特徴のない物品であるとしても、長い間プレートとしてのマルチウェルデバイスに注意を向けてきた。確かに、いくつかのマルチウェルデバイスは、多くの特徴により精密成形される。残念なことに、質量分析技術が、レーザイオン化用のサンプルを受容するための表面を有するプラットフォームを示すために、同じ用語「プレート」を使用して来た。用語「プレート」は、本明細書では、典型的な９６ウェルデバイスのようなマルチウェルデバイスを示すのに使用され、用語「プラットフォーム」は、ＤＩＯＳおよびＭＡＬＤＩプレートのようなレーザイオン化用のデバイスを示すために使用される。
【０００４】
作動中、施術者は、多くのサンプルを分析するマルチウェルプレートを用いる。典型的には、サンプルのアリコートが単一のウェルに導入される。このステップは、分析もしくは処理すべき各サンプル、またはサンプル上に実行すべき各分析に対して繰り返される。施術者がぶつかる共通の問題は、隣接するウェル間の交差汚染である。この交差汚染は、実行されている分析または処置における劇的な結末をもたらすことがある。
【０００５】
マルチウェルプレートの場合、レセプタクルが予成形される。しかしながら、適用されるものがプラットフォームの表面を超えて垂直に延びるように、予成形されたウェルがないプラットフォームの表面に対して前処理するのが時には望ましい。例えば、レーザ脱離ＭＳターゲットのサンプル準備中に、ターゲットの表面上に位置する焦点に検体を加えることが必要である。検体を含む構造（例えば、ウェル）がないと、検体の流出（または水平方向変位）が生じる場合があり、これにより、場合によっては、他の検体の焦点を汚染したり、サンプルを濃縮する能力を失うことになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これまでのところ、所定の場所内において調合液の閉じ込めおよび最大濃縮を保証するのに使用され得る構造を必要とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、サンプルの濃縮を容易にするばかりでなく、プラットフォームの表面に沿う流体の交差汚染を防止するように設計された装置に関する。特に、この装置は、プラットフォームに構造的に接合したときに、プラットフォームの表面に加えられた流体の水平方向変位を最小化するか、または除去する、カバースリップを備える。このカバースリップは、上面および下面を備える基板を有し、この下面はプラットフォームに接合する。場合によっては、カバースリップは、カバースリップの上面からカバースリップの下面と接合するプラットフォームの表面に流体の連通が維持されるように、上面から下面に基板を介して延びる一つ以上の所定のオリフィスを有する。
【０００８】
一実施形態では、本発明のカバースリップは、カバースリップとプラットフォームの結合部を画定する接合面の間からの流体の分配（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）が、最小であるかまたはなくなるように、プラットフォームを接合する。この実施形態の特別な態様では、カバースリップの下面に沿って配置された接着材料は、プラットフォームに対してカバースリップを接着するのに使用される。この実施形態の他の態様では、非永久的な接着材料が使用され、従って、カバースリップは、取り外し自在にプラットフォームに貼付される。一態様では、カバースリップは、流体がカバースリップとプラットフォームの間に形成された接合部の中に、且つそれを介して透過しないように、プラットフォーム上に吸着される。
【０００９】
一実施形態では、本発明の装置は、複数のカバースリップを備える。この実施形態において、各カバースリップは、上面および下面を備える。カバースリップの一つ以上は、それらの下面を介してプラットフォームと接合する。特別な態様では、プラットフォームと接合するカバースリップは、それらの上面から下面に亘って一つ以上の所定のオリフィスを備え、カバースリップの上面とプラットフォームの間を流体的に連通させることができる。他の態様では、カバースリップにはオリフィスがない。さらに他の態様では、カバースリップは、一つ以上のオリフィス区域を有し、カバースリップの残りには、オリフィスがない。本実施形態において、一つ以上のカバースリップは、サンドイッチ状構造を形成する他のカバースリップと接合する。例えば、一つのカバースリップの下面は、もう一つのカバースリップの上面と接合する。さらに、上方のカバースリップ（または、もう一つのカバースリップの上にあると共に、プラットフォームに対して遠位のカバースリップ）は、任意のオリフィスをなくすことができる。この実施形態において、上方のカバースリップは、下方のカバースリップ（またはプラットフォーム近位のカバースリップ、すなわち上方のカバースリップ）に取り外し自在に貼付することができる。この構造は、プラットフォームに隣接して配置された下方のカバースリップにおける一つ以上のオリフィスを覆って、アクセス、すなわちプラットフォームの相互作用面へのアクセスのための層を生成するために使用される。
【００１０】
一実施形態において、プラットフォームのほぼ平坦な表面の上に、所定のパターンで一つ以上の個々の液体量を収容する装置が記載されている。この実施形態において、プラットフォームは、一つ以上のサンプルを受容すると共に、レーザイオン化のような処置中にこれらのサンプルを保持するためのものである。本実施形態のプラットフォームは、頂面と底面を有するカバースリップを備える。底面は、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列されている。カバースリップは、複数の格納容器を生成するために頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。これらの格納容器は、プラットフォームの平坦な表面に沿う個々の位置へのサンプルの投入（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を容易にするために使用される。
【００１１】
他の実施形態において、レーザイオン化を行う方法が記載されている。この方法は、ほぼ平坦な表面を有すると共に、一つ以上のサンプルを受容してレーザイオン化のような処置中にサンプルを保持するプラットフォームを提供することを含む。次に、頂面と、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有する、カバースリップを提供する。この実施形態において、カバースリップは、複数の格納容器を生成するために頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。カバースリップは、次に、個々のサンプル量を格納する複数の格納容器を生成するために、プラットフォームの平坦な表面に隣接して貼付（すなわち、配置）される。最後に、一つ以上のサンプルが上記格納容器の中に投入される。
【００１２】
本発明は、本明細書で提示されたカバースリップを製造する方法に関する。一実施形態では、ベース、側壁、および一つ以上のコラムを備える型装置は、オリフィスを有する本発明のカバースリップを構成するのに使用される。他の実施形態では、型装置は、コラムのないベースを備える（図示せず）。さらに他の実施形態では、コラムの区域とコラムのない区域とを備えるベースが、本発明の範囲内として考慮される。この側壁は、ベースの周辺に適宜に位置する。ベースへの側壁の固定は、当技術分野で知られている方法によって達成される。本実施形態の側壁は、型装置からのカバースリップの基板材料のはみ出しを防止するのに使用される。一旦側壁がベースに正確に位置決めされると、適切なカバースリップの基板材料が型装置上に分配されることができる。特別な態様では、基板材料が、それを型装置の中に分配する処理の前および処理の間、液体の状態にある。一旦基板材料が型装置の中に分配されると、基板が硬化するのに適切な時間量が許容される。この時間は、使用されている基板材料による。一旦基板材料が硬化すると、それは、型装置２４から持ち上げられて使用される。
【００１３】
他の実施形態では、本発明は、複数のレセプタクルを持つベースを有する型装置を備える。ベースのレセプタクルの各々は、コラムまたはプラグを受容することができる。本発明のコラムは、任意の大きさおよび形状であることができ、しかし、本質的には、最終的なカバースリップ内に完全なオリフィス、または不完全なオリフィスを作るコラムとして、特徴付けられている。本発明のコラムは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂等、さらにそれらの混合物のような材料から、構成される。プラグは、単にベースに沿って位置するプレースホルダであり、そこでは、完成したカバースリップの中にオリフィスがないと想定されている。本発明のプラグは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂等、さらにそれらの混合物のような材料から構成される。特別な態様では、コラムとプラグ要素の双方は、ベースのレセプタクルの中にスナップ式に嵌合することができる。しかしながら、当業者に知られている他の固定機構が本発明の範囲内にあると考えられる。ベースのレセプタクルは、それらがコラムまたはプラグを受容することができるためには、それらがコラムの嵌合またはプラグの嵌合に相補的である必要がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、レーザ脱離質量分析ターゲットまたはマルチウェルプレートのようなプラットフォームに沿う流体の交差汚染を防止するように設計された装置に関する。さらに、本発明の装置は、サンプルの濃縮を容易にするように設計されている。特に、その装置は、プラットフォームと接合して配置されるカバースリップを備える。このカバースリップは、上面と、プラットフォームと接合する下面とを有する。場合によっては、カバースリップは、カバースリップの上面からカバースリップの下面と接合するプラットフォームの表面に流体の連通が維持されるように、上面から下面に貫通して延びる一つ以上の所定のオリフィスを有する。
【００１５】
図面のうち図１を参照すると、基板１２の中に多数の所定のオリフィス１４を有する、カバースリップ１０が示されている。図１に示されている実施形態には、カバースリップ１０は矩形形状を有する。しかしながら、本発明のカバースリップは、円形形状、三角形状、正方形形状等のような任意の形状構造を前提としている。事実、施術者は、一つの形状構造を有するカバースリップを取得すると共に、それを、当業者に知られている方法を用いて他の形状構造に変更することができる。本発明によって採用された形状的変化ばかりでなく、カバースリップの寸法も変化する場合がある。本発明のカバースリップの大きさは、従来の９６ウェルプレートの大きさに対する共通のクレジットカードの大きさと同様であり得る。カバースリップの寸法は、例えば約１．５インチ×１．０インチから約１２インチ×１２インチであり得るが、考えられる大きさに限りがないことに注意することが大切である。
【００１６】
図１に示すカバースリップ１０は、基板１２の全体に配列された複数の所定のオリフィス１４を有する。一つの態様において、カバースリップ１０は、基板１２の全体にまたはある領域において、オリフィス１４がないこともある。オリフィス１４の直径は、施術者のニーズにより変わり得る。基板１２におけるオリフィス１４の配置は、同様に変化することができる。状況によっては、不完全なオリフィスが必要である。不完全なオリフィスは、所定の場所から基板材料のすべてが取り除かれてはいないオリフィスである。本発明のこの特徴により、施術者は、自身のカバースリップをカスタマイズすることができる。施術者は、当業者に周知の方法を使用して不完全なオリフィスを完成することができる。総じて、カバースリップ１０と同じように、カバースリップ１０のオリフィス１４は、任意の形状構造を前提としている。
【００１７】
本発明に係るカバースリップの基板に適した材料は、ポリ（ジメチルシロキサン）、ワックス、エポキシ、樹脂、およびこれらの組み合わせを含むが、これに限定されない。一つの態様では、ポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）は、カバースリップを構成するのに使用される。ポリ（ジメチルシロキサン）は、シリコンおよびステンレス鋼に可逆的に接着されることができる。シリコンの場合、ＰＤＭＳはまた、約３３０℃の高温処理により表面に永久的に接着することができる。さらに、ＰＤＭＳは、可撓性であるが、耐久性のある物質である。本発明の一態様において、カバースリップを構成するのに使用される材料は、光学的に透明である。特別な態様において、２００ｎｍにほぼ等しいかまたはそれを超える波長は、カバースリップの基板を貫通することができる。
【００１８】
施術者は、それらのサンプルを分析するためのマルチウェルプレートをしばしば採用する。これらの施術者が直面する共通の問題は、加えられた試薬またはサンプルによるウェルの交差汚染である。この汚染は、流体が気づかないうちに個々のウェル間に移動する程にウェル内の流体を撹拌するように、マルチウェルプレートを取り扱うことによって引き起こされ得る。試薬またはサンプルをレセプタクルのウェルの中に分配する、欠陥のある分配装置または震える施術者の手により、汚染が生じることがある。この交差汚染は、分析または処置が実行されたときに劇的な結果をもたらすことがある。
【００１９】
マルチウェルプレートは、多用途であり、多数のサンプルのためのデータを発生するのに必要なあらゆる分析技術に使用される。これらのマルチウェルプレートは、液体サンプルを受容するのに使用される複数のウェルまたはレセプタクルから構成される。ウェルは、ほぼ予成形されると共に、基板プラットフォームの全体に亘って一様に設置される。例えば、プラットフォームの中に位置付けられる、９６、３８４等のウェルを有するプレートがある。個々のウェルの寸法は、使用されているプレートによって変わるが、典型的には、同じプラットフォームの任意のウェル部分の寸法は同等である。
【００２０】
本発明の装置１９は、マルチウェルプレート（またはプラットフォーム）１６における汚染の問題を多少とも解決するために用いられ、さらに、サンプルの濃縮を容易にすることができる。図２を参照されたい。本発明の装置１９は、下面１１がマルチウェルプラットフォーム１６に接合されている、カバースリップ１０を備える。本発明のカバースリップ１０は、マルチウェルプラットフォーム１６に使用されているウェル１８に対応する、一つ以上のオリフィス１４を有することができる。例えば、マルチウェルプラットフォームが、サンプルおよび／または試薬を受容する場合がある４８ウェルを含むときは、４８のオリフィスカバースリップが、プラットフォームのウェル間の交差汚染を防止するのに使用される。オリフィス１４は、上面１３からカバースリップの下面１１に亘って延びることができる。あるいは、不完全なオリフィス１４が形成されることにより、チャネルがカバースリップ１０の上面１３から順に形成されるが、下面１１を貫通しない。カバースリップ１０のオリフィス１４は、それらがプラットフォーム１６に沿って配置されたウェル１８の開口と対応するように配列されることができる。さらに、わずかなウェル１８、例えば４８のうち２０のウェル１８が用いられようとしているとき、施術者は、アクティブウェルに同形的に対応する２０のオリフィス１４を有する、本発明に係るカバースリップ１０を取得または製造することができる。
【００２１】
あるいは、施術者は複数のカバースリップを用いることができる。施術者が４８ウェルプラットフォームを使用していると仮定すると、４８ウェルに対応する４８オリフィスを有するカバースリップは、マルチウェルプラットフォームと接合して配置されることができる。ウェルのうち、例えば半分、すなわち２４だけが使用されることになる場合、オリフィスのない他のカバースリップが、使用状態にないカバースリップのオリフィスが閉鎖しているサンドウィッチ状装置を形成するように、オリフィスを有するカバースリップの上面に沿って隣接して配置されることができる。本発明は、特注生産をもたらす。
【００２２】
マルチウェルプラットフォームの場合、レセプタクルが予成形される。しかしながら、予成形されたウェルがないプラットフォームの表面に対して調合液を加えるのが望ましい場合がある。レーザ脱離ＭＳターゲット、例えばＤＩＯＳチップを組み立てるような場合はそうである。レーザ脱離ＭＳターゲットは、エッチングされたシリコン、機械加工されたステンレス鋼、ポリマー、または他の同様の材料から構成されることができる。このプロセスは、チップの表面に対して検体を加えることを含む。検体を含む構造がないときは、検体が流出する場合があり、チップの表面に沿って他の検体配列を汚染する。さらに、本発明の装置なしでは、加えられた検体の濃縮は、ないも同然である。
【００２３】
本発明は、ＤＩＯＳチップ２２のようなプラットフォーム２２の平坦な表面に沿って、交差汚染を最小化する装置２０を提供する。図３を参照されたい。装置２０は、プラットフォーム２２と、プラットフォーム２２の表面に沿って隣接して配置されたカバースリップ１０とを備える。場合によっては、カバースリップ１０は、流体が、カバースリップ１０に接合して配置されたプラットフォーム２２の表面上に投入されることができるように、一つ以上のオリフィス１４を有する。
【００２４】
さらに、本発明のカバースリップは、投入されたサンプルの濃縮を容易にする。例えば、一つ以上のオリフィスを有するカバースリップと協働して、ＤＩＯＳチップのような平坦な表面の上にサンプルの材料を投入した後、サンプルは、カバースリップのオリフィスによって画定されるサンプルポケットの領域内で蒸発が生じるにつれ、濃縮される。
【００２５】
一実施形態において、本発明のカバースリップは、カバースリップとプラットフォームの接合部を画定する接合部分の間からの流体の分散が、最小になるかまたはなくなるように、プラットフォームに接合される。本実施形態の特別な態様では、カバースリップの底面に沿って配置された接着材料が、スリップをプラットフォームに接着するのに使用される。カバースリップをプラットフォームに永久的に（または半永久的に）貼付するのに適した接着材料は、ポリ（アクリレート）のような接着剤や当業者に知られている他の接着剤を含むが、これに限定されない。しかしながら、ポリ（ジメチルシロキサン）が基板材料の場合は、いくつかの基板材料は他の接着材料を必要としない。この材料の、はみ出しが最小であるかまたははみ出すことなくプラットフォームとの接合部を形成するプラットフォームの表面に貼付する能力は、ポリ（ジメチルシロキサン）に本来備わっているものである。本実施形態の他の形態では、当業者に知られている非永久的な接着材料が使用され、従って、スリップは、プラットフォームに取り外し可能に貼付される。一つの態様では、カバースリップは、スリップとプラットフォームの間に形成された接合部分の中に、またはそこを通って流体が透過しないように、プラットフォームに吸着される。
【００２６】
他の実施形態では、本発明の装置は、複数のカバースリップ１０’、１０”を備える。図４を参照されたい。本実施形態において、各カバースリップ１０’、１０”は、上面１３’、１３”および下面１１’、１１”を備える。一つ以上のカバースリップ１０’は、それらの下面１１’を介してプラットフォーム１６を接合し、他のカバースリップ１０”は、プラットフォーム１６に沿って配置されている一つ以上のカバースリップ１０’の上面のすべてまたは部分に沿って配置されている。本実施形態では、サンドイッチ状の設計が想定され得る。
【００２７】
特別な態様において、プラットフォームと接合したカバースリップ１０’、１０”は、それらの上面１３’、１３”から下面１１’、１１”に亘って延びる、一つ以上の所定のオリフィス１４’、１４”を備え、カバースリップの上面とプラットフォーム１６の間を流体的に連通させる。他の態様では、カバースリップの一つ以上はオリフィスを有していない。さらに他の態様では、カバースリップは、一つ以上のオリフィス３２の区域を有し、カバースリップの残りの区域３４にはオリフィスがない。この実施形態では、カバースリップの一つ以上が他のカバースリップと接合することができる。例えば、一つのカバースリップ１０”の下面１１”は、下方のカバースリップ１０’の上面１３’と接合することができる。さらに、上方のカバースリップ１０”（すなわち、他のカバースリップの上にあると共に、プラットフォームに対して遠位のカバースリップ）は、いくつかのオリフィスをなくすことができる。このサンドイッチ状配置は、下位のカバースリップ１０’における一つ以上のオリフィスを覆うのに使用されるのがよく、これにより、アクセス、すなわち、プラットフォームの表面に対するアクセスのための層を実現することができる。
【００２８】
本発明の一実施形態において、プラットフォームのほぼ平坦な面上に一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで収容する装置が記載されている。この実施形態において、プラットフォームは、一つ以上のサンプルを受容すると共に、レーザイオン化のような処置中にサンプルを保持する。
【００２９】
この実施形態において、装置は、頂面および底面を有するカバースリップを備える。一つの態様において、底面は、機能するためのプラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列されている。本発明のこの態様では、カバースリップは、カバースリップがプラットフォーム上に沿って配置されたとき、複数の格納容器を生成するために頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。これらの格納容器は、プラットフォームの平坦な面上の個々の位置におけるサンプルの投入を容易にする。
【００３０】
本実施形態の一つの態様において、マルチウェル手段またはプラットフォームは、本発明のカバースリップと共に使用される。この態様のカバースリップは、マルチウェルデバイスと協働するように位置する一つ以上の開口を有する。マルチウェル分配手段は、９６の倍数のウェルから成るマルチウェルデバイスであり得る。
【００３１】
本実施形態におけるカバースリップは、プラットフォームの平坦な表面上にカバースリップを固定するために使用される、接着被覆を備えることができる。あるいは、カバースリップは、静電相互作用によりプラットフォームの平坦な表面に接着するのに使用される組成を備える。
【００３２】
本実施形態では、カバースリップは、取り外し可能であり、これにより、サンプルが受容され、次いで、カバースリップが取り除かれることによって、液体が蒸発する。
【００３３】
本実施形態のカバースリップは、厚さと、約５μＬから約１０μＬの体積を有する一つ以上の格納容器を生成するような開口とを有する。
【００３４】
本発明の他の実施形態には、ほぼ平坦な表面上に一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで含む、プラットフォームの組立体が記載されている。この実施形態における組立体は、ほぼ平坦な表面を有し、一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化のような処置中にサンプルを保持することが可能な、プラットフォームを備える。また、この組立体はまた、頂面と、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有する、カバースリップを備える。一つの態様において、カバースリップは、複数の格納容器を生成するために頂面から底面まで延びる一つ以上の開口を有する。
【００３５】
本発明の他の実施形態では、レーザイオン化を行う方法が記載されている。この方法は、ほぼ平坦な表面を有するプラットフォームを提供することを含む。この実施形態のプラットフォームは、一つ以上のサンプルを受容することができ、レーザイオン化のような処置中にサンプルを保持する。次に、頂面と、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有する、カバースリップが提供される。一つの態様において、カバースリップは、複数の格納容器を生成すべく頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。カバースリップは、次に、個々のサンプル量を含む複数の格納容器を生成すべく、プラットフォームの平坦な面に貼付される。最後に、一つ以上のサンプルが格納容器に投入される。あるいは、この方法は、サンプルから液体を取り除くステップを備える。さらに、この方法は、平坦な表面からカバースリップを取り除くステップを備える。本実施形態の方法は、さらに、存在するサンプルに放射線を当てるステップを備える。
【００３６】
本発明は、本明細書で明確に述べられているカバースリップを製造する方法に関する。一実施形態において、図５を参照すると、ベース２６と、側壁３０と、一つ以上のコラム２８とを備える型装置２４が、オリフィスを有する本発明のカバースリップを構成するのに使用される。他の実施形態では、型装置は、コラム（図示せず）がないベースを備える。このベースに適した材料は、テフロン（登録商標）、プラスチック、セラミック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせを含む。図５に戻ると、型に付加された基板材料が側壁３０とベース２６によって形成された接合部を通ってはみ出さないように、側壁３０がベース２６について適当に位置決めされる。側壁３０のベース２６への固定は、当技術分野で知られている方法によって達成されることができる。例えば、（当業者には知られている従来の接着剤のような）接着剤が、ベース２６の側壁と外部横側面との間の接合部分で使用されてよい。さらに、ネジ式固定は、側壁３０をベース２６に固定するのに使用することができる。側壁がベースの所定位置にスナップ式に固定される、スナップ式の特徴を挙げることができる。側壁３０をベース２６に固定する他の周知の機構が考慮されると共に、これらは本発明の範囲内にある。
【００３７】
本実施形態の側壁３０は、カバースリップの基板材料が型装置２４からはみ出るのを防止するのに使用される。図５を参照されたい。この側壁に適した材料は、テフロン（登録商標）、プラスチック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせを含む。一旦、側壁３０が、ベース２６に正確に位置決めされると、適切なカバースリップの基板材料は、型装置２４に分配されることができる。特別な態様において、基板材料は、それを型装置２４に分配するプロセスより前とプロセスの間は、液体の状態にある。適切な基板材料は、ポリ（ジメチルシロキサン）、ワックス、エポキシ、樹脂、およびこれらの組み合わせを含むが、これに限定されない。一旦、基板材料が型装置２４上に分配されると、基板が硬化するのに適切な時間量が許容される。この時間は、使用される基板材料による。例えば、ポリ（ジメチルシロキサン）は、約６５℃で２時間を必要とする。一旦基板材料が硬化すると、それは、型装置２４から持ち上げられて、使用することができる。
【００３８】
カバースリップを製造する変形例が、本発明によって考慮されている。例えば、カバースリップ内にオリフィスを作るのに使用されるコラム２８は、基板の中に部分的に貫通をすることによってのみ、不完全なオリフィスを形成するようにすることができる。これは、コラムの垂直軸の長さを、基板材料が型装置に導入されたときに、基板材料の水準がコラムの頂点に上昇するような長さにすることによって、容易に達成することができる。
【００３９】
完全および不完全なオリフィスの組み合わせは、本発明の範囲内にあると想定される。この実施形態は、コラムの混合物、すなわち、完全なオリフィスを形成するものと、不完全なオリフィスのみを形成するものの混合物を備える型装置を有することによって、達成できる。設計変更は、異なる大きさのコラムを受容し易い型装置を使用することによって、容易に行うことができる。例えば、型装置が、施術者が望むように、コラムがベースに付加される（ベースから取り去られるばかりでなく）ことができるベースを備えることは、本発明の範囲内にある。特別なコラムをベースに固定することは、当技術分野で知られている方法、例えばスナップ式機構を使用することによって、達成することができる。この種類のカスタマイゼーションにより、カバースリップが、一つのカバースリップの中に完全なオリフィス、不完全なオリフィス、およびオリフィスなしの領域（または区域）を有することができる、カバースリップを設計することができる。
【００４０】
型装置の種々の寸法が、その付随する部分と共に、本発明の範囲内に包含される。これらの変形例は、上記のように明確に述べられたカバースリップの寸法の変形例を反映している。この型は、結果として生じるカバースリップの寸法との間に直接的な相関関係を有するように構成されている。例えば、１インチ×１インチのスリップが所望されている場合は、型の内側の寸法が１インチ×１インチである。
【００４１】
一実施形態において、本発明は、レセプタクルを有するベースを備えた型装置を備える。各レセプタクルは、コラムまたはプラグを受容することができる。本発明のコラムは、任意の大きさであり得るが、本質的に、完全なオリフィスまたは不完全なオリフィスを作るコラムとして特徴付けられ得る。プラグは、単にベースに沿って位置するプレースホルダであり、ここで完成したカバースリップの中にはオリフィスがないと考えられている。本発明のコラムは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから構成することができる。本発明のプラグは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから構成することができる。特別な態様では、コラムとプラグ要素の双方は、ベースのレセプタクルの中にスナップ式に嵌めることができる。一つの態様は、個々の容器が雌型であり、コラムとプラグが雄型であることを想定している。しかしながら、他の固定機構は、本発明の範囲内にあると考えられる。
【００４２】
ベースのレセプタクルは、それらがコラムの嵌合またはプラグの嵌合に対して、相補的であることを必要とする。「嵌合」は、実際の要素であり、レセプタクルと相互作用する。コラムの一つの構成は、円形要素であるが、他の幾何学的な形状が本発明の範囲内にあると考えられる。プラグについても同様である。
【００４３】
本発明の特徴および他の詳細は、以下の例にさらに詳述すると共に指摘される。本発明の特別な実施形態が、例示として且つ本発明を限定するものとしてではなく示されることが理解されるであろう。本発明の基本的な特徴は、本発明の範囲を逸脱することなく種々の実施形態で採用することができる。
【００４４】
（実施例）
ＭＡＬＤＩ目標プレートのためのＰＤＭＳカバースリップを組み立てるのに使用される型の実施例は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示される。レキサン（ｌｅｘａｎ）ベースは、ＭＡＬＤＩ目標プレートの正しい寸法に切断され、元のＣＡＤ図面から取得されたＭＡＬＤＩ目標プレート上のスポット領域の正しい距離に従って、ＣＮＣ旋盤を使用して穴あけが行われた。レキサン（ｌｅｘａｎ）ベースへの穴の機械加工の後で、ステンレス鋼のピンが穴の中にハンマーで打ち込まれた。側壁もまた、レキサンから機械加工され、取り付けネジ用の穴がドリルであけられ且つタップで雌ネジ山が切られた。最終的な組み立ては、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示されている。ＰＤＭＳエラストマは、次いで、約１ｍｍの厚さに達するまで型の中のピンに注ぎ込まれた。ＰＤＭＳは、６５℃で２時間、炉の中で硬化した。室温まで冷却した後で、側壁が取り除かれると共に、ＰＤＭＳのカバースリップが、一対のピンセットを使用することによって型から解放された。
【００４５】
本発明は、詳細な実施形態を参照して特に示されると共に説明されているが、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の精神と範囲を逸脱することなく、形態および詳細についての種々の変更がなされることは、当業者によって理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】カバースリップの一実施形態の斜視図である。
【図２】９６ウェルプレートを有するカバースリップの使用を示す図である。
【図３】ＤＩＯＳチップの組み立てにおけるカバースリップの使用を示す図である。
【図４】マルチカバースリップの実施形態を示す図である。
【図５】カバースリップの製造に含まれるステップを示す図である。
【図６】（ａ）から（ｄ）は、本発明のカバースリップの製造の種々のステップを示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラットフォームに沿う交差汚染を防止するのに使用される装置、およびその装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチウェルプレートは、研究や臨床検査室において通常用いられるツールである。マルチウェルプレートは、多用途であり、多数のサンプルのデータを作成するのに必要なあらゆる分析技術で使用され得る。マルチウェルプレートが、核酸増幅（ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）のような生化学手法を実行するために使用されることもあるということにも、言及すべきである。これらのプレートは、液体サンプルを受容するのに使用される、複数のウェルまたはレセプタクルで構成される。ウェルは、ほぼ予成形され、基板プラットフォームの全体に一様に設置されている。例えば、プラットフォームの中に位置する９６ウェルを有するプレートがある。個々のウェルの寸法は、使用されるプレートによって変化するが、同じプラットフォームの任意のウェル部分の寸法は同等であるのが典型的である。典型的には、９６ウェルプレートのウェルは、３８４マイクロタイタープレートと比較して、例えば体積が大きい。
【０００３】
化学的および生物学的技術が、たとえそのデバイスが平坦でなく特徴のない物品であるとしても、長い間プレートとしてのマルチウェルデバイスに注意を向けてきた。確かに、いくつかのマルチウェルデバイスは、多くの特徴により精密成形される。残念なことに、質量分析技術が、レーザイオン化用のサンプルを受容するための表面を有するプラットフォームを示すために、同じ用語「プレート」を使用して来た。用語「プレート」は、本明細書では、典型的な９６ウェルデバイスのようなマルチウェルデバイスを示すのに使用され、用語「プラットフォーム」は、ＤＩＯＳおよびＭＡＬＤＩプレートのようなレーザイオン化用のデバイスを示すために使用される。
【０００４】
作動中、施術者は、多くのサンプルを分析するマルチウェルプレートを用いる。典型的には、サンプルのアリコートが単一のウェルに導入される。このステップは、分析もしくは処理すべき各サンプル、またはサンプル上に実行すべき各分析に対して繰り返される。施術者がぶつかる共通の問題は、隣接するウェル間の交差汚染である。この交差汚染は、実行されている分析または処置における劇的な結末をもたらすことがある。
【０００５】
マルチウェルプレートの場合、レセプタクルが予成形される。しかしながら、適用されるものがプラットフォームの表面を超えて垂直に延びるように、予成形されたウェルがないプラットフォームの表面に対して前処理するのが時には望ましい。例えば、レーザ脱離ＭＳターゲットのサンプル準備中に、ターゲットの表面上に位置する焦点に検体を加えることが必要である。検体を含む構造（例えば、ウェル）がないと、検体の流出（または水平方向変位）が生じる場合があり、これにより、場合によっては、他の検体の焦点を汚染したり、サンプルを濃縮する能力を失うことになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これまでのところ、所定の場所内において調合液の閉じ込めおよび最大濃縮を保証するのに使用され得る構造を必要とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、サンプルの濃縮を容易にするばかりでなく、プラットフォームの表面に沿う流体の交差汚染を防止するように設計された装置に関する。特に、この装置は、プラットフォームに構造的に接合したときに、プラットフォームの表面に加えられた流体の水平方向変位を最小化するか、または除去する、カバースリップを備える。このカバースリップは、上面および下面を備える基板を有し、この下面はプラットフォームに接合する。場合によっては、カバースリップは、カバースリップの上面からカバースリップの下面と接合するプラットフォームの表面に流体の連通が維持されるように、上面から下面に基板を介して延びる一つ以上の所定のオリフィスを有する。
【０００８】
一実施形態では、本発明のカバースリップは、カバースリップとプラットフォームの結合部を画定する接合面の間からの流体の分配（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ）が、最小であるかまたはなくなるように、プラットフォームを接合する。この実施形態の特別な態様では、カバースリップの下面に沿って配置された接着材料は、プラットフォームに対してカバースリップを接着するのに使用される。この実施形態の他の態様では、非永久的な接着材料が使用され、従って、カバースリップは、取り外し自在にプラットフォームに貼付される。一態様では、カバースリップは、流体がカバースリップとプラットフォームの間に形成された接合部の中に、且つそれを介して透過しないように、プラットフォーム上に吸着される。
【０００９】
一実施形態では、本発明の装置は、複数のカバースリップを備える。この実施形態において、各カバースリップは、上面および下面を備える。カバースリップの一つ以上は、それらの下面を介してプラットフォームと接合する。特別な態様では、プラットフォームと接合するカバースリップは、それらの上面から下面に亘って一つ以上の所定のオリフィスを備え、カバースリップの上面とプラットフォームの間を流体的に連通させることができる。他の態様では、カバースリップにはオリフィスがない。さらに他の態様では、カバースリップは、一つ以上のオリフィス区域を有し、カバースリップの残りには、オリフィスがない。本実施形態において、一つ以上のカバースリップは、サンドイッチ状構造を形成する他のカバースリップと接合する。例えば、一つのカバースリップの下面は、もう一つのカバースリップの上面と接合する。さらに、上方のカバースリップ（または、もう一つのカバースリップの上にあると共に、プラットフォームに対して遠位のカバースリップ）は、任意のオリフィスをなくすことができる。この実施形態において、上方のカバースリップは、下方のカバースリップ（またはプラットフォーム近位のカバースリップ、すなわち上方のカバースリップ）に取り外し自在に貼付することができる。この構造は、プラットフォームに隣接して配置された下方のカバースリップにおける一つ以上のオリフィスを覆って、アクセス、すなわちプラットフォームの相互作用面へのアクセスのための層を生成するために使用される。
【００１０】
一実施形態において、プラットフォームのほぼ平坦な表面の上に、所定のパターンで一つ以上の個々の液体量を収容する装置が記載されている。この実施形態において、プラットフォームは、一つ以上のサンプルを受容すると共に、レーザイオン化のような処置中にこれらのサンプルを保持するためのものである。本実施形態のプラットフォームは、頂面と底面を有するカバースリップを備える。底面は、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列されている。カバースリップは、複数の格納容器を生成するために頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。これらの格納容器は、プラットフォームの平坦な表面に沿う個々の位置へのサンプルの投入（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を容易にするために使用される。
【００１１】
他の実施形態において、レーザイオン化を行う方法が記載されている。この方法は、ほぼ平坦な表面を有すると共に、一つ以上のサンプルを受容してレーザイオン化のような処置中にサンプルを保持するプラットフォームを提供することを含む。次に、頂面と、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有する、カバースリップを提供する。この実施形態において、カバースリップは、複数の格納容器を生成するために頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。カバースリップは、次に、個々のサンプル量を格納する複数の格納容器を生成するために、プラットフォームの平坦な表面に隣接して貼付（すなわち、配置）される。最後に、一つ以上のサンプルが上記格納容器の中に投入される。
【００１２】
本発明は、本明細書で提示されたカバースリップを製造する方法に関する。一実施形態では、ベース、側壁、および一つ以上のコラムを備える型装置は、オリフィスを有する本発明のカバースリップを構成するのに使用される。他の実施形態では、型装置は、コラムのないベースを備える（図示せず）。さらに他の実施形態では、コラムの区域とコラムのない区域とを備えるベースが、本発明の範囲内として考慮される。この側壁は、ベースの周辺に適宜に位置する。ベースへの側壁の固定は、当技術分野で知られている方法によって達成される。本実施形態の側壁は、型装置からのカバースリップの基板材料のはみ出しを防止するのに使用される。一旦側壁がベースに正確に位置決めされると、適切なカバースリップの基板材料が型装置上に分配されることができる。特別な態様では、基板材料が、それを型装置の中に分配する処理の前および処理の間、液体の状態にある。一旦基板材料が型装置の中に分配されると、基板が硬化するのに適切な時間量が許容される。この時間は、使用されている基板材料による。一旦基板材料が硬化すると、それは、型装置２４から持ち上げられて使用される。
【００１３】
他の実施形態では、本発明は、複数のレセプタクルを持つベースを有する型装置を備える。ベースのレセプタクルの各々は、コラムまたはプラグを受容することができる。本発明のコラムは、任意の大きさおよび形状であることができ、しかし、本質的には、最終的なカバースリップ内に完全なオリフィス、または不完全なオリフィスを作るコラムとして、特徴付けられている。本発明のコラムは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂等、さらにそれらの混合物のような材料から、構成される。プラグは、単にベースに沿って位置するプレースホルダであり、そこでは、完成したカバースリップの中にオリフィスがないと想定されている。本発明のプラグは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂等、さらにそれらの混合物のような材料から構成される。特別な態様では、コラムとプラグ要素の双方は、ベースのレセプタクルの中にスナップ式に嵌合することができる。しかしながら、当業者に知られている他の固定機構が本発明の範囲内にあると考えられる。ベースのレセプタクルは、それらがコラムまたはプラグを受容することができるためには、それらがコラムの嵌合またはプラグの嵌合に相補的である必要がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、レーザ脱離質量分析ターゲットまたはマルチウェルプレートのようなプラットフォームに沿う流体の交差汚染を防止するように設計された装置に関する。さらに、本発明の装置は、サンプルの濃縮を容易にするように設計されている。特に、その装置は、プラットフォームと接合して配置されるカバースリップを備える。このカバースリップは、上面と、プラットフォームと接合する下面とを有する。場合によっては、カバースリップは、カバースリップの上面からカバースリップの下面と接合するプラットフォームの表面に流体の連通が維持されるように、上面から下面に貫通して延びる一つ以上の所定のオリフィスを有する。
【００１５】
図面のうち図１を参照すると、基板１２の中に多数の所定のオリフィス１４を有する、カバースリップ１０が示されている。図１に示されている実施形態には、カバースリップ１０は矩形形状を有する。しかしながら、本発明のカバースリップは、円形形状、三角形状、正方形形状等のような任意の形状構造を前提としている。事実、施術者は、一つの形状構造を有するカバースリップを取得すると共に、それを、当業者に知られている方法を用いて他の形状構造に変更することができる。本発明によって採用された形状的変化ばかりでなく、カバースリップの寸法も変化する場合がある。本発明のカバースリップの大きさは、従来の９６ウェルプレートの大きさに対する共通のクレジットカードの大きさと同様であり得る。カバースリップの寸法は、例えば約１．５インチ×１．０インチから約１２インチ×１２インチであり得るが、考えられる大きさに限りがないことに注意することが大切である。
【００１６】
図１に示すカバースリップ１０は、基板１２の全体に配列された複数の所定のオリフィス１４を有する。一つの態様において、カバースリップ１０は、基板１２の全体にまたはある領域において、オリフィス１４がないこともある。オリフィス１４の直径は、施術者のニーズにより変わり得る。基板１２におけるオリフィス１４の配置は、同様に変化することができる。状況によっては、不完全なオリフィスが必要である。不完全なオリフィスは、所定の場所から基板材料のすべてが取り除かれてはいないオリフィスである。本発明のこの特徴により、施術者は、自身のカバースリップをカスタマイズすることができる。施術者は、当業者に周知の方法を使用して不完全なオリフィスを完成することができる。総じて、カバースリップ１０と同じように、カバースリップ１０のオリフィス１４は、任意の形状構造を前提としている。
【００１７】
本発明に係るカバースリップの基板に適した材料は、ポリ（ジメチルシロキサン）、ワックス、エポキシ、樹脂、およびこれらの組み合わせを含むが、これに限定されない。一つの態様では、ポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）は、カバースリップを構成するのに使用される。ポリ（ジメチルシロキサン）は、シリコンおよびステンレス鋼に可逆的に接着されることができる。シリコンの場合、ＰＤＭＳはまた、約３３０℃の高温処理により表面に永久的に接着することができる。さらに、ＰＤＭＳは、可撓性であるが、耐久性のある物質である。本発明の一態様において、カバースリップを構成するのに使用される材料は、光学的に透明である。特別な態様において、２００ｎｍにほぼ等しいかまたはそれを超える波長は、カバースリップの基板を貫通することができる。
【００１８】
施術者は、それらのサンプルを分析するためのマルチウェルプレートをしばしば採用する。これらの施術者が直面する共通の問題は、加えられた試薬またはサンプルによるウェルの交差汚染である。この汚染は、流体が気づかないうちに個々のウェル間に移動する程にウェル内の流体を撹拌するように、マルチウェルプレートを取り扱うことによって引き起こされ得る。試薬またはサンプルをレセプタクルのウェルの中に分配する、欠陥のある分配装置または震える施術者の手により、汚染が生じることがある。この交差汚染は、分析または処置が実行されたときに劇的な結果をもたらすことがある。
【００１９】
マルチウェルプレートは、多用途であり、多数のサンプルのためのデータを発生するのに必要なあらゆる分析技術に使用される。これらのマルチウェルプレートは、液体サンプルを受容するのに使用される複数のウェルまたはレセプタクルから構成される。ウェルは、ほぼ予成形されると共に、基板プラットフォームの全体に亘って一様に設置される。例えば、プラットフォームの中に位置付けられる、９６、３８４等のウェルを有するプレートがある。個々のウェルの寸法は、使用されているプレートによって変わるが、典型的には、同じプラットフォームの任意のウェル部分の寸法は同等である。
【００２０】
本発明の装置１９は、マルチウェルプレート（またはプラットフォーム）１６における汚染の問題を多少とも解決するために用いられ、さらに、サンプルの濃縮を容易にすることができる。図２を参照されたい。本発明の装置１９は、下面１１がマルチウェルプラットフォーム１６に接合されている、カバースリップ１０を備える。本発明のカバースリップ１０は、マルチウェルプラットフォーム１６に使用されているウェル１８に対応する、一つ以上のオリフィス１４を有することができる。例えば、マルチウェルプラットフォームが、サンプルおよび／または試薬を受容する場合がある４８ウェルを含むときは、４８のオリフィスカバースリップが、プラットフォームのウェル間の交差汚染を防止するのに使用される。オリフィス１４は、上面１３からカバースリップの下面１１に亘って延びることができる。あるいは、不完全なオリフィス１４が形成されることにより、チャネルがカバースリップ１０の上面１３から順に形成されるが、下面１１を貫通しない。カバースリップ１０のオリフィス１４は、それらがプラットフォーム１６に沿って配置されたウェル１８の開口と対応するように配列されることができる。さらに、わずかなウェル１８、例えば４８のうち２０のウェル１８が用いられようとしているとき、施術者は、アクティブウェルに同形的に対応する２０のオリフィス１４を有する、本発明に係るカバースリップ１０を取得または製造することができる。
【００２１】
あるいは、施術者は複数のカバースリップを用いることができる。施術者が４８ウェルプラットフォームを使用していると仮定すると、４８ウェルに対応する４８オリフィスを有するカバースリップは、マルチウェルプラットフォームと接合して配置されることができる。ウェルのうち、例えば半分、すなわち２４だけが使用されることになる場合、オリフィスのない他のカバースリップが、使用状態にないカバースリップのオリフィスが閉鎖しているサンドウィッチ状装置を形成するように、オリフィスを有するカバースリップの上面に沿って隣接して配置されることができる。本発明は、特注生産をもたらす。
【００２２】
マルチウェルプラットフォームの場合、レセプタクルが予成形される。しかしながら、予成形されたウェルがないプラットフォームの表面に対して調合液を加えるのが望ましい場合がある。レーザ脱離ＭＳターゲット、例えばＤＩＯＳチップを組み立てるような場合はそうである。レーザ脱離ＭＳターゲットは、エッチングされたシリコン、機械加工されたステンレス鋼、ポリマー、または他の同様の材料から構成されることができる。このプロセスは、チップの表面に対して検体を加えることを含む。検体を含む構造がないときは、検体が流出する場合があり、チップの表面に沿って他の検体配列を汚染する。さらに、本発明の装置なしでは、加えられた検体の濃縮は、ないも同然である。
【００２３】
本発明は、ＤＩＯＳチップ２２のようなプラットフォーム２２の平坦な表面に沿って、交差汚染を最小化する装置２０を提供する。図３を参照されたい。装置２０は、プラットフォーム２２と、プラットフォーム２２の表面に沿って隣接して配置されたカバースリップ１０とを備える。場合によっては、カバースリップ１０は、流体が、カバースリップ１０に接合して配置されたプラットフォーム２２の表面上に投入されることができるように、一つ以上のオリフィス１４を有する。
【００２４】
さらに、本発明のカバースリップは、投入されたサンプルの濃縮を容易にする。例えば、一つ以上のオリフィスを有するカバースリップと協働して、ＤＩＯＳチップのような平坦な表面の上にサンプルの材料を投入した後、サンプルは、カバースリップのオリフィスによって画定されるサンプルポケットの領域内で蒸発が生じるにつれ、濃縮される。
【００２５】
一実施形態において、本発明のカバースリップは、カバースリップとプラットフォームの接合部を画定する接合部分の間からの流体の分散が、最小になるかまたはなくなるように、プラットフォームに接合される。本実施形態の特別な態様では、カバースリップの底面に沿って配置された接着材料が、スリップをプラットフォームに接着するのに使用される。カバースリップをプラットフォームに永久的に（または半永久的に）貼付するのに適した接着材料は、ポリ（アクリレート）のような接着剤や当業者に知られている他の接着剤を含むが、これに限定されない。しかしながら、ポリ（ジメチルシロキサン）が基板材料の場合は、いくつかの基板材料は他の接着材料を必要としない。この材料の、はみ出しが最小であるかまたははみ出すことなくプラットフォームとの接合部を形成するプラットフォームの表面に貼付する能力は、ポリ（ジメチルシロキサン）に本来備わっているものである。本実施形態の他の形態では、当業者に知られている非永久的な接着材料が使用され、従って、スリップは、プラットフォームに取り外し可能に貼付される。一つの態様では、カバースリップは、スリップとプラットフォームの間に形成された接合部分の中に、またはそこを通って流体が透過しないように、プラットフォームに吸着される。
【００２６】
他の実施形態では、本発明の装置は、複数のカバースリップ１０’、１０”を備える。図４を参照されたい。本実施形態において、各カバースリップ１０’、１０”は、上面１３’、１３”および下面１１’、１１”を備える。一つ以上のカバースリップ１０’は、それらの下面１１’を介してプラットフォーム１６を接合し、他のカバースリップ１０”は、プラットフォーム１６に沿って配置されている一つ以上のカバースリップ１０’の上面のすべてまたは部分に沿って配置されている。本実施形態では、サンドイッチ状の設計が想定され得る。
【００２７】
特別な態様において、プラットフォームと接合したカバースリップ１０’、１０”は、それらの上面１３’、１３”から下面１１’、１１”に亘って延びる、一つ以上の所定のオリフィス１４’、１４”を備え、カバースリップの上面とプラットフォーム１６の間を流体的に連通させる。他の態様では、カバースリップの一つ以上はオリフィスを有していない。さらに他の態様では、カバースリップは、一つ以上のオリフィス３２の区域を有し、カバースリップの残りの区域３４にはオリフィスがない。この実施形態では、カバースリップの一つ以上が他のカバースリップと接合することができる。例えば、一つのカバースリップ１０”の下面１１”は、下方のカバースリップ１０’の上面１３’と接合することができる。さらに、上方のカバースリップ１０”（すなわち、他のカバースリップの上にあると共に、プラットフォームに対して遠位のカバースリップ）は、いくつかのオリフィスをなくすことができる。このサンドイッチ状配置は、下位のカバースリップ１０’における一つ以上のオリフィスを覆うのに使用されるのがよく、これにより、アクセス、すなわち、プラットフォームの表面に対するアクセスのための層を実現することができる。
【００２８】
本発明の一実施形態において、プラットフォームのほぼ平坦な面上に一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで収容する装置が記載されている。この実施形態において、プラットフォームは、一つ以上のサンプルを受容すると共に、レーザイオン化のような処置中にサンプルを保持する。
【００２９】
この実施形態において、装置は、頂面および底面を有するカバースリップを備える。一つの態様において、底面は、機能するためのプラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列されている。本発明のこの態様では、カバースリップは、カバースリップがプラットフォーム上に沿って配置されたとき、複数の格納容器を生成するために頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。これらの格納容器は、プラットフォームの平坦な面上の個々の位置におけるサンプルの投入を容易にする。
【００３０】
本実施形態の一つの態様において、マルチウェル手段またはプラットフォームは、本発明のカバースリップと共に使用される。この態様のカバースリップは、マルチウェルデバイスと協働するように位置する一つ以上の開口を有する。マルチウェル分配手段は、９６の倍数のウェルから成るマルチウェルデバイスであり得る。
【００３１】
本実施形態におけるカバースリップは、プラットフォームの平坦な表面上にカバースリップを固定するために使用される、接着被覆を備えることができる。あるいは、カバースリップは、静電相互作用によりプラットフォームの平坦な表面に接着するのに使用される組成を備える。
【００３２】
本実施形態では、カバースリップは、取り外し可能であり、これにより、サンプルが受容され、次いで、カバースリップが取り除かれることによって、液体が蒸発する。
【００３３】
本実施形態のカバースリップは、厚さと、約５μＬから約１０μＬの体積を有する一つ以上の格納容器を生成するような開口とを有する。
【００３４】
本発明の他の実施形態には、ほぼ平坦な表面上に一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで含む、プラットフォームの組立体が記載されている。この実施形態における組立体は、ほぼ平坦な表面を有し、一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化のような処置中にサンプルを保持することが可能な、プラットフォームを備える。また、この組立体はまた、頂面と、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有する、カバースリップを備える。一つの態様において、カバースリップは、複数の格納容器を生成するために頂面から底面まで延びる一つ以上の開口を有する。
【００３５】
本発明の他の実施形態では、レーザイオン化を行う方法が記載されている。この方法は、ほぼ平坦な表面を有するプラットフォームを提供することを含む。この実施形態のプラットフォームは、一つ以上のサンプルを受容することができ、レーザイオン化のような処置中にサンプルを保持する。次に、頂面と、プラットフォームの平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有する、カバースリップが提供される。一つの態様において、カバースリップは、複数の格納容器を生成すべく頂面から底面に延びる一つ以上の開口を有する。カバースリップは、次に、個々のサンプル量を含む複数の格納容器を生成すべく、プラットフォームの平坦な面に貼付される。最後に、一つ以上のサンプルが格納容器に投入される。あるいは、この方法は、サンプルから液体を取り除くステップを備える。さらに、この方法は、平坦な表面からカバースリップを取り除くステップを備える。本実施形態の方法は、さらに、存在するサンプルに放射線を当てるステップを備える。
【００３６】
本発明は、本明細書で明確に述べられているカバースリップを製造する方法に関する。一実施形態において、図５を参照すると、ベース２６と、側壁３０と、一つ以上のコラム２８とを備える型装置２４が、オリフィスを有する本発明のカバースリップを構成するのに使用される。他の実施形態では、型装置は、コラム（図示せず）がないベースを備える。このベースに適した材料は、テフロン（登録商標）、プラスチック、セラミック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせを含む。図５に戻ると、型に付加された基板材料が側壁３０とベース２６によって形成された接合部を通ってはみ出さないように、側壁３０がベース２６について適当に位置決めされる。側壁３０のベース２６への固定は、当技術分野で知られている方法によって達成されることができる。例えば、（当業者には知られている従来の接着剤のような）接着剤が、ベース２６の側壁と外部横側面との間の接合部分で使用されてよい。さらに、ネジ式固定は、側壁３０をベース２６に固定するのに使用することができる。側壁がベースの所定位置にスナップ式に固定される、スナップ式の特徴を挙げることができる。側壁３０をベース２６に固定する他の周知の機構が考慮されると共に、これらは本発明の範囲内にある。
【００３７】
本実施形態の側壁３０は、カバースリップの基板材料が型装置２４からはみ出るのを防止するのに使用される。図５を参照されたい。この側壁に適した材料は、テフロン（登録商標）、プラスチック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせを含む。一旦、側壁３０が、ベース２６に正確に位置決めされると、適切なカバースリップの基板材料は、型装置２４に分配されることができる。特別な態様において、基板材料は、それを型装置２４に分配するプロセスより前とプロセスの間は、液体の状態にある。適切な基板材料は、ポリ（ジメチルシロキサン）、ワックス、エポキシ、樹脂、およびこれらの組み合わせを含むが、これに限定されない。一旦、基板材料が型装置２４上に分配されると、基板が硬化するのに適切な時間量が許容される。この時間は、使用される基板材料による。例えば、ポリ（ジメチルシロキサン）は、約６５℃で２時間を必要とする。一旦基板材料が硬化すると、それは、型装置２４から持ち上げられて、使用することができる。
【００３８】
カバースリップを製造する変形例が、本発明によって考慮されている。例えば、カバースリップ内にオリフィスを作るのに使用されるコラム２８は、基板の中に部分的に貫通をすることによってのみ、不完全なオリフィスを形成するようにすることができる。これは、コラムの垂直軸の長さを、基板材料が型装置に導入されたときに、基板材料の水準がコラムの頂点に上昇するような長さにすることによって、容易に達成することができる。
【００３９】
完全および不完全なオリフィスの組み合わせは、本発明の範囲内にあると想定される。この実施形態は、コラムの混合物、すなわち、完全なオリフィスを形成するものと、不完全なオリフィスのみを形成するものの混合物を備える型装置を有することによって、達成できる。設計変更は、異なる大きさのコラムを受容し易い型装置を使用することによって、容易に行うことができる。例えば、型装置が、施術者が望むように、コラムがベースに付加される（ベースから取り去られるばかりでなく）ことができるベースを備えることは、本発明の範囲内にある。特別なコラムをベースに固定することは、当技術分野で知られている方法、例えばスナップ式機構を使用することによって、達成することができる。この種類のカスタマイゼーションにより、カバースリップが、一つのカバースリップの中に完全なオリフィス、不完全なオリフィス、およびオリフィスなしの領域（または区域）を有することができる、カバースリップを設計することができる。
【００４０】
型装置の種々の寸法が、その付随する部分と共に、本発明の範囲内に包含される。これらの変形例は、上記のように明確に述べられたカバースリップの寸法の変形例を反映している。この型は、結果として生じるカバースリップの寸法との間に直接的な相関関係を有するように構成されている。例えば、１インチ×１インチのスリップが所望されている場合は、型の内側の寸法が１インチ×１インチである。
【００４１】
一実施形態において、本発明は、レセプタクルを有するベースを備えた型装置を備える。各レセプタクルは、コラムまたはプラグを受容することができる。本発明のコラムは、任意の大きさであり得るが、本質的に、完全なオリフィスまたは不完全なオリフィスを作るコラムとして特徴付けられ得る。プラグは、単にベースに沿って位置するプレースホルダであり、ここで完成したカバースリップの中にはオリフィスがないと考えられている。本発明のコラムは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから構成することができる。本発明のプラグは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから構成することができる。特別な態様では、コラムとプラグ要素の双方は、ベースのレセプタクルの中にスナップ式に嵌めることができる。一つの態様は、個々の容器が雌型であり、コラムとプラグが雄型であることを想定している。しかしながら、他の固定機構は、本発明の範囲内にあると考えられる。
【００４２】
ベースのレセプタクルは、それらがコラムの嵌合またはプラグの嵌合に対して、相補的であることを必要とする。「嵌合」は、実際の要素であり、レセプタクルと相互作用する。コラムの一つの構成は、円形要素であるが、他の幾何学的な形状が本発明の範囲内にあると考えられる。プラグについても同様である。
【００４３】
本発明の特徴および他の詳細は、以下の例にさらに詳述すると共に指摘される。本発明の特別な実施形態が、例示として且つ本発明を限定するものとしてではなく示されることが理解されるであろう。本発明の基本的な特徴は、本発明の範囲を逸脱することなく種々の実施形態で採用することができる。
【００４４】
（実施例）
ＭＡＬＤＩ目標プレートのためのＰＤＭＳカバースリップを組み立てるのに使用される型の実施例は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示される。レキサン（ｌｅｘａｎ）ベースは、ＭＡＬＤＩ目標プレートの正しい寸法に切断され、元のＣＡＤ図面から取得されたＭＡＬＤＩ目標プレート上のスポット領域の正しい距離に従って、ＣＮＣ旋盤を使用して穴あけが行われた。レキサン（ｌｅｘａｎ）ベースへの穴の機械加工の後で、ステンレス鋼のピンが穴の中にハンマーで打ち込まれた。側壁もまた、レキサンから機械加工され、取り付けネジ用の穴がドリルであけられ且つタップで雌ネジ山が切られた。最終的な組み立ては、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示されている。ＰＤＭＳエラストマは、次いで、約１ｍｍの厚さに達するまで型の中のピンに注ぎ込まれた。ＰＤＭＳは、６５℃で２時間、炉の中で硬化した。室温まで冷却した後で、側壁が取り除かれると共に、ＰＤＭＳのカバースリップが、一対のピンセットを使用することによって型から解放された。
【００４５】
本発明は、詳細な実施形態を参照して特に示されると共に説明されているが、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の精神と範囲を逸脱することなく、形態および詳細についての種々の変更がなされることは、当業者によって理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】カバースリップの一実施形態の斜視図である。
【図２】９６ウェルプレートを有するカバースリップの使用を示す図である。
【図３】ＤＩＯＳチップの組み立てにおけるカバースリップの使用を示す図である。
【図４】マルチカバースリップの実施形態を示す図である。
【図５】カバースリップの製造に含まれるステップを示す図である。
【図６】（ａ）から（ｄ）は、本発明のカバースリップの製造の種々のステップを示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラットフォームの表面に沿う交差汚染を防止する装置であり、上面、および前記プラットフォームのほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された下面を有するカバースリップを備える装置であって、一つ以上の所定のオリフィスが、前記カバースリップの前記上面から前記カバースリップの前記下面に亘って延びている、装置。
【請求項２】
前記カバースリップの前記下面は、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に接合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記下面は、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に接着している、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記下面は、吸着により前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に接着している、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記下面は接着材料を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記接着材料は、ポリ（アクリレート）等のような接着剤から成るグループから選択される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記カバースリップは、ポリ（ジメチルシロキサン）、ワックス、エポキシ、樹脂、およびこれらの組み合わせから成るグループから選択された材料から構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記カバースリップは、ポリ（ジメチルシロキサン）から構成される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記カバースリップは、光学的に透明な材料から構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
プラットフォームのほぼ平坦な面に沿う交差汚染を防止する装置であり、前記プラットフォームのほぼ平坦な表面に受容されるように構成且つ配列され、上面および下面をそれぞれ有する二つ以上のカバースリップを備える装置であって、一つ以上の所定のオリフィスが少なくとも一つのカバースリップに配置されている、装置。
【請求項１１】
コラムまたはプラグ要素を受容することができる一つ以上のレセプタクルを有するベースを備える、カバースリップを構成するのに使用される、型装置。
【請求項１２】
前記コラムは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記プラグは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ベースは、テフロン（登録商標）、プラスチック、セラミック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記側壁は、テフロン（登録商標）、プラスチック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化中に前記サンプルを保持するプラットフォームのほぼ平坦な表面上に、一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで収容する装置であって、
頂面と、レーザイオン化を行うべく前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有するカバースリップであって、前記カバースリップが前記プラットフォーム上に受容されるときに複数の格納容器を生成するように、前記頂面から前記底面に延びて、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上の個々の位置における前記サンプルの投入を容易にする、一つ以上の開口を有するカバースリップを備える、装置。
【請求項１７】
前記カバースリップには、マルチウェル分配手段と協働するように位置決めされた一つ以上の開口を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記マルチウェル分配手段は、９６の倍数から成るマルチウェル装置、およびそのようなマルチウェル装置と協働するような大きさの装置から成るグループから選択される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記カバースリップは、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容される接着剤の被覆を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記カバースリップは、電磁相互作用により前記ほぼ平坦な表面に接着する組成からなる、請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記カバースリップは取り外し可能であり、これにより、前記サンプルが受容されて液体が蒸発し、次いで、前記カバースリップが取り除かれる、請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
前記カバースリップは透明である、請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
前記カバースリップは厚さを有し、前記開口は、約５μＬから約１０μＬの体積を有する格納容器を生成する寸法を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項２４】
前記装置は、第１のカバースリップと、少なくとも一つの第２のカバースリップとを備え、前記第１および第２のカバースリップは、それぞれ、厚さと、約５μＬから約１０μＬの体積を有する格納容器を生成する前記開口とを有し、前記第２のカバースリップは、前記第１のカバースリップに貼付され、各カバースリップによって提供される付加体積を有する格納容器を生成する、請求項１６に記載の装置。
【請求項２５】
ほぼ平坦な表面上に一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで含む、プラットフォームの組立体であって、
ほぼ平坦な表面を有し、一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化中に前記サンプルを保持するプラットフォームと、
頂面と、レーザイオン化を行うべく前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有するカバースリップであって、前記カバースリップが前記プラットフォーム上に受容されるときに複数の格納容器を生成すべく、前記頂面から前記底面に延びる一つ以上の開口を有するカバースリップを備える、組立体。
【請求項２６】
レーザイオン化を行う方法であって、
ほぼ平坦な表面を有し、一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化中に前記サンプルを保持するプラットフォームを提供するステップと、
頂面と、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有するカバースリップであって、前記カバースリップが前記プラットフォーム上に受容されるときに複数の格納容器を生成するように、前記頂面から前記底面に延びる一つ以上の開口を有する、カバースリップを提供するステップと、
前記カバースリップを、個々のサンプル量を含む複数の格納容器を生成するように、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に貼付するステップと、
一つ以上のサンプルを前記格納容器に投入するステップと、を備える、方法。
【請求項２７】
前記サンプルから液体を取り除くステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記平坦な面から前記カバースリップを取り除くステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記サンプルに放射線を当てるステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
カバースリップを製造する方法であって、
（ａ）周りに壁が貼付されたベースを備える組み立て型装置を取得することと、
（ｂ）適切な基板材料を前記組み立て型装置に分配することと、
（ｃ）適切な時間間隔に亘って硬化させることと、
を備える、方法。
【請求項３１】
前記ベースは、一つ以上のコラムを備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記ベースは、コラムおよびプラグの組み合わせを備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項１】
プラットフォームの表面に沿う交差汚染を防止する装置であり、上面、および前記プラットフォームのほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された下面を有するカバースリップを備える装置であって、一つ以上の所定のオリフィスが、前記カバースリップの前記上面から前記カバースリップの前記下面に亘って延びている、装置。
【請求項２】
前記カバースリップの前記下面は、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に接合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記下面は、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に接着している、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記下面は、吸着により前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に接着している、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記下面は接着材料を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記接着材料は、ポリ（アクリレート）等のような接着剤から成るグループから選択される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記カバースリップは、ポリ（ジメチルシロキサン）、ワックス、エポキシ、樹脂、およびこれらの組み合わせから成るグループから選択された材料から構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記カバースリップは、ポリ（ジメチルシロキサン）から構成される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記カバースリップは、光学的に透明な材料から構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
プラットフォームのほぼ平坦な面に沿う交差汚染を防止する装置であり、前記プラットフォームのほぼ平坦な表面に受容されるように構成且つ配列され、上面および下面をそれぞれ有する二つ以上のカバースリップを備える装置であって、一つ以上の所定のオリフィスが少なくとも一つのカバースリップに配置されている、装置。
【請求項１１】
コラムまたはプラグ要素を受容することができる一つ以上のレセプタクルを有するベースを備える、カバースリップを構成するのに使用される、型装置。
【請求項１２】
前記コラムは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記プラグは、ステンレス鋼、ポリマー、ワックス、樹脂、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ベースは、テフロン（登録商標）、プラスチック、セラミック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記側壁は、テフロン（登録商標）、プラスチック、ガラス、ステンレス鋼のような金属、およびそれらの組み合わせから成るグループから選択された材料を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化中に前記サンプルを保持するプラットフォームのほぼ平坦な表面上に、一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで収容する装置であって、
頂面と、レーザイオン化を行うべく前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有するカバースリップであって、前記カバースリップが前記プラットフォーム上に受容されるときに複数の格納容器を生成するように、前記頂面から前記底面に延びて、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上の個々の位置における前記サンプルの投入を容易にする、一つ以上の開口を有するカバースリップを備える、装置。
【請求項１７】
前記カバースリップには、マルチウェル分配手段と協働するように位置決めされた一つ以上の開口を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記マルチウェル分配手段は、９６の倍数から成るマルチウェル装置、およびそのようなマルチウェル装置と協働するような大きさの装置から成るグループから選択される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記カバースリップは、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容される接着剤の被覆を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記カバースリップは、電磁相互作用により前記ほぼ平坦な表面に接着する組成からなる、請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記カバースリップは取り外し可能であり、これにより、前記サンプルが受容されて液体が蒸発し、次いで、前記カバースリップが取り除かれる、請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
前記カバースリップは透明である、請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
前記カバースリップは厚さを有し、前記開口は、約５μＬから約１０μＬの体積を有する格納容器を生成する寸法を有する、請求項１６に記載の装置。
【請求項２４】
前記装置は、第１のカバースリップと、少なくとも一つの第２のカバースリップとを備え、前記第１および第２のカバースリップは、それぞれ、厚さと、約５μＬから約１０μＬの体積を有する格納容器を生成する前記開口とを有し、前記第２のカバースリップは、前記第１のカバースリップに貼付され、各カバースリップによって提供される付加体積を有する格納容器を生成する、請求項１６に記載の装置。
【請求項２５】
ほぼ平坦な表面上に一つ以上の個々の液体量を所定のパターンで含む、プラットフォームの組立体であって、
ほぼ平坦な表面を有し、一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化中に前記サンプルを保持するプラットフォームと、
頂面と、レーザイオン化を行うべく前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有するカバースリップであって、前記カバースリップが前記プラットフォーム上に受容されるときに複数の格納容器を生成すべく、前記頂面から前記底面に延びる一つ以上の開口を有するカバースリップを備える、組立体。
【請求項２６】
レーザイオン化を行う方法であって、
ほぼ平坦な表面を有し、一つ以上のサンプルを受容すると共にレーザイオン化中に前記サンプルを保持するプラットフォームを提供するステップと、
頂面と、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面上に受容されるように構成且つ配列された底面とを有するカバースリップであって、前記カバースリップが前記プラットフォーム上に受容されるときに複数の格納容器を生成するように、前記頂面から前記底面に延びる一つ以上の開口を有する、カバースリップを提供するステップと、
前記カバースリップを、個々のサンプル量を含む複数の格納容器を生成するように、前記プラットフォームの前記ほぼ平坦な表面に貼付するステップと、
一つ以上のサンプルを前記格納容器に投入するステップと、を備える、方法。
【請求項２７】
前記サンプルから液体を取り除くステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記平坦な面から前記カバースリップを取り除くステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記サンプルに放射線を当てるステップをさらに備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
カバースリップを製造する方法であって、
（ａ）周りに壁が貼付されたベースを備える組み立て型装置を取得することと、
（ｂ）適切な基板材料を前記組み立て型装置に分配することと、
（ｃ）適切な時間間隔に亘って硬化させることと、
を備える、方法。
【請求項３１】
前記ベースは、一つ以上のコラムを備える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記ベースは、コラムおよびプラグの組み合わせを備える、請求項３０に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２００７−５２６４５１（Ｐ２００７−５２６４５１Ａ）
【公表日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５１７５８０（Ｐ２００６−５１７５８０）
【出願日】平成１６年６月２４日（２００４．６．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０２０１３１
【国際公開番号】ＷＯ２００５／００１４４３
【国際公開日】平成１７年１月６日（２００５．１．６）
【出願人】（５０４４３８２５５）ウオーターズ・インベストメンツ・リミテツド (80)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月２４日（２００４．６．２４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０２０１３１
【国際公開番号】ＷＯ２００５／００１４４３
【国際公開日】平成１７年１月６日（２００５．１．６）
【出願人】（５０４４３８２５５）ウオーターズ・インベストメンツ・リミテツド (80)
【Ｆターム（参考）】
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