プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置。
【課題】 プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置が開示される。
【解決手段】 基板の温度を調節するためのプレートにおいて、基板はボディーにより支持されることができる。前記ボディーの内部には第１チャンネルと第２チャンネルが配置されることができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させる。第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口と前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは並行に配置される。従って、前記基板の温度が均一に調節されることができる。
【解決手段】 基板の温度を調節するためのプレートにおいて、基板はボディーにより支持されることができる。前記ボディーの内部には第１チャンネルと第２チャンネルが配置されることができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させる。第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口と前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは並行に配置される。従って、前記基板の温度が均一に調節されることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置に関する。より詳しくは、基板の温度を全体的に均一に調節するためのプレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体製造工程において半導体装置は多様な工程を遂行することで製造できる。例えば、半導体基板は目的とする半導体装置を製造するために熱処理されることができる。
【０００３】
前記熱処理工程を遂行するために半導体基板は既設定された温度で加熱されることができる。また、前記熱処理工程が遂行された後で前記半導体基板は既設定された温度で冷却できる。
【０００４】
基板温度調節装置は、前記半導体基板を支持し、前記基板を加熱又は冷却させるためのプレートを含むことができる。前記プレートは前記半導体基板を支持する上部面を有するボディーの内部に配置されて前記半導体基板を加熱又は冷却させるための流体が通過するチャンネルを含むことができる。
【０００５】
前記チャンネルは入口と出口を有することができる。前記出口を通過する流体は前記入口を通過する流体の温度より高いか或いは低い温度を有することができる。よって、前記チャンネルの入口に隣接する前記ボディーの一部位上に位置された前記半導体基板の一部位の温度は前記チャンネルの出口に隣接する前記ボディーの他の部位上に位置された前記半導体基板の他の部位の温度より高いか或いは低いことがありうる。結果的に、前記半導体基板が全体的に非均一に加熱されるか或いは冷却されることができ、これによって、前記半導体装置の生産性が低下されることができる。また、前記半導体基板を目的とする温度で加熱するか或いは冷却することにおいて必要な時間が増加されることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一目的は、基板の温度を全体的に均一に調節するためのプレートを提供することである。
本発明の他の目的は、基板の温度が全体的に均一に調節できるプレートを有する装置を提供することである。
【０００７】
本発明のさらに他の目的は、基板の温度が全体的に均一に調節できるプレートを有する基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面による基板の温度を調節するためのプレートは、基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置され、前記第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルを同一平面上で互いに隣接して配置することができる。
【０００９】
本発明の実施例によると、前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置できる。また、前記第２入口と第２出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に位置できる。
【００１０】
本発明の実施例によると、各々の第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置できる。
【００１１】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルのサブチャンネルは前記第１入口と隣接する地点で分岐されることができ、また前記第１出口と隣接する地点で合することができ、前記第２チャンネルのサブチャンネルは前記第２入口と隣接する地点で分岐されることができ、前記第２出口と隣接する地点で合することができる。
【００１２】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと前記第２チャンネルは並行に配置できる。
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと前記第２チャンネルの間には前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材が配置できる。
【００１３】
本発明の実施例によると、各々の第１チャンネルと第２チャンネルは曲線形態を有することができる。
本発明の他の側面による温度調節装置は、基板の温度を調節するためのプレートと流体供給部を含むことができる。前記プレートは基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて前記第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルを同一平面上で互いに隣接して配置することができる。前記流体供給部は、前記プレートに前記第１流体及び前記第２流体が供給できる。
【００１４】
本発明の実施例によると、前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置できる。また、前記第２入口と第２出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置できる。
【００１５】
本発明の実施例によると、各々の前記第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置できる。
【００１６】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルのサブチャンネルは前記第１入口と隣接する地点で分岐されることができ、前記第１出口と隣接する地点で合することができ、前記第２チャンネルのサブチャンネルは前記第２入口と隣接する地点で分岐されることができて、前記第２出口と隣接する地点で合することができる。
【００１７】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと前記第２チャンネルは並行に配置できる。
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと第２チャンネルの間には前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材が配置できる。
【００１８】
本発明の実施例によると、前記第１入口及び第２入口と前記流体供給部の間には前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される前記第１流体及び前記第２流体の流量を調節するための流量調節部が配置できる。
【００１９】
本発明の実施例によると、前記流量調節部は電子バルブを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される第１流体及び前記第２流体の温度は温度測定部により測定されることができる。
【００２０】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルに供給される第１流体は前記第２チャンネルに供給される第２流体の温度と同一の温度を有することができる。
本発明の実施例によると、リフトピンが前記ボディーを貫通して垂直方向への移動が可能になるように配置できる。前記基板は前記リフトピンにより前記ボディー上にローディングされ、前記ボディーからアンローディングされることができる。
【００２１】
本発明の実施例によると、前記リフトピンは前記リフトピンを垂直方向に移動させるための駆動部と接続できる。
本発明のさらに他の側面による基板処理装置は熱処理ユニットと温度調節ユニットを含むことができる。前記熱処理ユニットは基板を熱処理するために提供されることができ、前記温度調節ユニットは前記熱処理ユニットにより熱処理された基板の温度を調節するために提供できる。前記温度調節ユニットは基板の温度を調節するためのプレートと流体供給部を含むことができる。前記プレートは基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて前記第１出口と隣接する第２入口と、前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルを同一平面上で互いに隣接して配置することができる。前記流体供給部は前記プレートに前記第１流体及び第２流体が供給できる。
【発明の効果】
【００２２】
前述のような本発明の実施例によると、プレートは基板の温度を調節するための第１流体と第２流体が各々通過できる第１チャンネルと第２チャンネルを有することができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有することができ、前記第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口と、前記第１入口と隣接する第２出口を有することができる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは前記プレートのボディー内で並行して配置できる。従って、前記プレートにより支持された基板の温度が全体的に均一に調節できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例による他の基板処理装置を説明するための概略的な平面図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【図３】図１に示した基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【図４】図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な正面図である。
【図５】図３に示した温度調節ユニットの他の例を説明するための概略的な斜視図である。
【図６】図３に示したプレートを説明するための概略図である。
【図７】図６に示した「Ａ」部分の一例を説明するための部分拡大図である。
【図８】図６に示した「Ａ」部分の他の例を説明するための部分拡大図である。
【図９】図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明は本発明の実施例を示す添付図面を参照してより詳しく説明する。しかし、本発明は下記において説明される実施例に限定されたように構成されるべきではなく、これとは異なる様々な形態で具体化されることができる。下記の実施例は、本発明が完全に完成できるように提供されるというよりは、本発明の技術分野において熟練された当業者に本発明の範囲を充分に伝えるために提供される。
【００２５】
１つの要素が他の１つの要素又は層上に配置される或いは接続されることとして説明される場合、前記要素は前記他の１つの要素上に直接的に配置されるか、接続されることができ、他の要素または層がこれらの間に介在されることができる。これとは別に、１つの要素が他の１つの要素上に直接的に配置されるか或いは接続されることとして説明される場合、それらの間にはさらに他の要素はありえない。類似する要素に対しては全体的に類似した参照符号が使用されて、また「及び／又は」という用語は関連する項目の内、いずれかの１つ又はそれ以上の組合せを含む。
【００２６】
多様な要素、組成、領域、層、及び／又は部分のような多様な項目を説明するために第１、第２、第３などの用語が使用できるが、前記項目はこれらの用語による限定はされない。ただ、これらの用語は他の要素から１つの要素を区別するために使用される。従って、下記において説明される第１要素、組成、領域、層、又は部分は本発明の範囲内で第２要素、組成、領域、層、又は部分として表現できる。
【００２７】
空間的に相対的な用語、例えば、「下部」、「ボトム」、又は「上部」などの用語は図面において説明したように他の要素に対して１つの要素の関係を説明するために使用できる。相対的用語は図面に図示された方位に加えて装置の他の方位を含むことができる。例えば、図面の中でいずれかの１つにおいて装置の方向が変わるとしたら、他の要素の下部側にあると説明した要素が前記他の要素の上部側にあるとしたら合わせられるだろう。従って、「下部」という典型的な用語は図面の特定方位に対して「下部」及び「上部」方位の全部を含むことができる。これとは類似に、図面の中で、いずれかの１つにおいて装置の方向が変わるとしたら、他の要素の「下」又は「底」として説明される要素は前記他の要素の「上」に合わせられるだろう。従って、「下」又は「底」 という典型的な用語は「下」と「上」方位の全部を含むことができる。
【００２８】
下記において使用された専門用語は、ただ、特定実施例を説明するための目的で使用されて、本発明を限定するためのものではない。下記において使用されたように、単数の形態で表示されることは特別に明確に指示されない以上、複数の形態も含む。また、「含む」という用語が使用される場合、これは言及された形態、領域、完全体、段階、作用、要素、及び／又は成分の存在を特徴付けることであり、他の１つ以上の形態、領域、完全体、段階、作用、要素、及び／又は成分はこれらのグループの追加を排除することではない。
【００２９】
改めて定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含め、ここにおいて使用する全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者により一般的に理解されることと同様の意味を有している。一般的に使用される辞典に定義されているような用語は関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有することと解釈されるべきであり、本出願において明白に定義されない限り、理想的又は過度に形式的な意味で解釈されない。
【００３０】
本発明の実施例は本発明の理想的な実施例の概略的な図解である断面図解を参照して説明される。これにより、前記図解の形状からの変化、例えば、製造方法及び／又は許容誤差の変化は予想できることである。従って、本発明の実施例は図解で説明された領域の特定形状に限定されたように説明されるのではなく、形状においての偏差を含む。例えば、平らなものとして説明された領域は一般的に粗さ及び／又は非線形的な形態を有することができる。また、図解で説明される尖った角は丸まったものになることができる。従って、図面において説明される領域は全的に概略的なものであり、これらの形状は領域の正確な形状を説明するためではなく、また、本発明の範囲を限定しようとするためではない。
【００３１】
図１は本発明の一実施例による他の基板処理装置を説明するための概略的な平面図で、図２は図１に示した基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図で、図３は図１に示した基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【００３２】
図１から図３を参照すると、本発明の実施例による基板処理装置１０は、シリコンウェハーのような半導体基板を処理するために使用されることができる。例えば、前記基板上にフォトレジスト膜又はボトム反射防止膜（ｂｏｔｔｏｍ ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成するためのコーティング工程、前記フォトレジスト膜に回路パターンを伝写するために露光工程を遂行した後、前記基板上にフォトレジストパターンを形成するための現像工程、前記フォトレジスト膜又は前記フォトレジストパターンを硬化させるためのベーク工程などを遂行するために使用されることができる。
【００３３】
基板処理装置１０は基板を処理するための基板処理モジュール２０と、基板を移送するための基板移送モジュール３０、及び露光装置２と前記基板処理モジュール２０の間に配置されるインターフェースモジュール４０を含むことができる。
【００３４】
基板移送モジュール３０は、多数の基板を収容する容器４を支持する多数のロードポート３２を含むことができ、容器４と基板処理モジュール２０の間で基板を移送するために具備される。例えば、各々のロードポート３２上にはＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）が設置されることができる。
【００３５】
基板処理モジュール２０と接続される基板移送チェンバー３４内には基板を移送するための基板移送ロボット３６が配置できる。基板移送ロボット３６は水平及び垂直方向、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動が可能になるように構成できる。また、基板移送ロボット３６のロボットアームは回転が可能になるように、そして伸長及び伸縮が可能になるように構成できる。基板移送チェンバー３４の上部には浄化された空気を基板移送チェンバー３４の内部に供給するためのファンフィルターユニット３８が配置できる。
【００３６】
基板処理モジュール２０は、基板上にフォトレジスト組成物又は反射防止物質を塗布してフォトレジスト膜又はボトム反射防止膜を形成し、露光装置２により処理された基板上のフォトレジスト膜を現像するための第１処理ブロック１００を含むことができる。
【００３７】
第１処理ブロック１００は垂直方向に積層された上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０を含むことができる。上部単位ブロック１１０は多数のコーティングユニットを含むことができ、下部単位ブロック１３０は多数の現像ユニットを含むことができる。これとは別に、上部単位ブロック１１０は多数の現像ユニットを含むことができ、下部単位ブロック１３０は多数のコーティングユニットを含むことができる。
【００３８】
図示によると、第１処理ブロック１００は２つの上部単位ブロック１１０と２つの下部単位ブロック１３０を含む。しかし、本発明の範囲は上部ブロック１１０及び下部単位ブロック１３０の数量により限定されない。
【００３９】
本発明の実施例において、各々の上部単位ブロック１１０はボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニット１１２とフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニット１１４を含むことができる。他方、第１コーティングユニット１１２と第２コーティングユニット１１４はＸ軸方向に配置されることができる。本発明の他の実施例において、各々の上部単位ブロック１１０は水平方向に配列された多数のコーティングユニットを含むことができる。各々のコーティングユニットは基板上にフォトレジスト膜を形成するために提供される。
【００４０】
各々の下部単位ブロック１３０はＸ軸方向に配列された多数の現像ユニット１３２を含むことができる。各々の現像ユニットは露光装置２により処理された基板上のフォトレジスト膜を現像するために提供される。
【００４１】
本発明の実施例において、上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０の間には中央単位ブロック１５０が配置できる。中央単位ブロック１５０はコーティングユニットと現像ユニットを選択的に含むことができる。例えば、中央単位ブロック１５０はコーティングユニットのみを含むことができ、現像ユニットのみを含むことができる。これとは別に、中央単位ブロック１５０は１つのコーティングユニットと多数の現像ユニット又は多数のコーティングユニットと１つの現像ユニットを含むことができる。追加的に、中央単位ブロック１５０は多数のコーティングユニットと多数の現像ユニットを含むことができる。
【００４２】
図示によると、中央単位ブロック１５０が１つのコーティングユニット１５２と２つの現像ユニット１５４を含んでいるが、中央単位ブロック１５０を構成する（複数の）コーティングユニットと（複数の）現像ユニットの数量は本発明の範囲を限定しない。
【００４３】
特に、中央単位ブロック１５０を構成する（複数の）コーティングユニットと（複数の）現像ユニットは前記上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０の間で分離が可能になるように配置できる。即ち、中央単位ブロック１５０は、既設定された工程レシピーによって構成が変化でき、これによって、基板処理装置１０のスループット（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｕｔ）が大きく向上されることができる。
【００４４】
基板処理モジュール２０は第１処理ブロック１００と対向して配置される第２処理ブロック２００をさらに含むことができる。第２処理ブロック２００はＸ軸方向に配列される多数の単位ブロックを含むことができ、基板の熱処理のために具備することができる。
【００４５】
前記第１処理ブロック１００と第２処理ブロック２００の間には基板を移送するための基板移送ブロック３００が配置できる。前記 基板移送ブロック３００内には基板を移送するための移送ロボット（３１０，３２０）が配置できる。例えば、基板移送ブロック３００内には上部移送ロボット３１０と下部移送ロボット３２０が配置できる。
【００４６】
前記第２処理ブロック２００は、第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０，２３０，２５０）を含むことができ、第２単位ブロック２３０は第１と第３単位ブロック（２１０，２５０）の間に配置できる。第１及び第３単位ブロック（２１０，２５０）は基板を加熱するための加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）を含むことができ、第２単位ブロック２３０は基板を加熱して冷却するための多数の熱処理ユニット（２３２，２３４）を含むことができる。本発明の実施例において、加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）と熱処理ユニット（２３２，２３４）は垂直方向に積層されることができる。
【００４７】
また、前記第１加熱ユニット２１２は第１単位ブロック２１０の上部に配置されることができ、第２加熱ユニット２１４は第１単位ブロック２１０の下部に配置されることができる。そして、前記第３加熱ユニット２５２は前記第３単位ブロック２５０の上部に配置でき、前記第４加熱ユニット２５４は前記第３単位ブロック２５０の下部に配置できる。他方、本発明の範囲は前記加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）の位置により限定されることはない。
【００４８】
他方、基板処理モジュール２０は基板の温度調節のための第３処理ブロック４００及び第４処理ブロック５００をさらに含むことができる。第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は第１及び第２処理ブロック（１００，２００）が配列された方向に対して垂直する方向、即ち、Ｘ方向に基板移送ブロック３００の両側部位に配置されることができる。具体的に、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は基板移送モジュール３０と基板移送ブロック３００及びインターフェースモジュール４０との間に各々配置できる。
【００４９】
前記第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は第２処理ブロック２００により加熱された基板を冷却させるために具備できる。例えば、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）、各々は基板を所定の温度、例えば約２３℃の温度に冷却させるための多数の温度調節ユニット６００を含むことができる。温度調節ユニット６００は垂直方向に積層できる。
【００５０】
また、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は上部又は下部の熱処理ユニット（２３２又は２３４）のプレートにより１次冷却された基板を約２３℃の温度に２次冷却させるために使用できる。熱処理ユニット（２３２又は２３４）のプレートは半導体基板の温度を約３０〜５０℃程度の温度に１次冷却させることができる。
【００５１】
各々の温度調節ユニット６００は、冷却チェンバー（図示せず）とその内部に配置されたプレートを含むことができる。前記プレートのボディーを通過する流体により前記プレートは約２３℃程度の温度に維持できる。この際、前記流体は前記基板を冷却させるための冷媒として使用できる。また、前記基板移送ブロック３００と隣接する冷却チェンバーの側壁には基板移送のためのゲートが具備できる。
【００５２】
図示はされていないが、前記プレートは基板を加熱させるために使用できる。例えば、前記プレートは第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０，２３０，２５０）の加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）及び／又は熱処理ユニット（２３２，２３４）において基板を加熱するために使用できる。
【００５３】
また、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は半導体基板を積載するための第１移送ステージ４１０及び第２移送ステージ５１０を各々さらに含むことができる。第１及び第２移送ステージ（４１０，５１０）は温度調節ユニット６００間に配置できる。例えば、第１及び第２移送ステージ（４１０，５１０）は前記第１処理ブロック１００の中央単位ブロック１５０と水平方向に隣接できる。
【００５４】
インターフェースモジュール４０は第４処理ブロック５００と露光装置２の間に配置できる。インターフェースモジュール４０内には基板処理モジュール２０と露光装置２の間において基板を移送するためのインターフェースロボット４２が配置できる。インターフェースロボット４２は垂直方向に移動が可能になるように構成でき、インターフェースロボット４２のロボットアームは回転が可能で、伸長及び伸縮が可能になるように構成できる。
【００５５】
また、インターフェースモジュール４０内にはエッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６が配置できる。エッジ露光ユニット４４は基板のエッジ部位上のフォトレジスト膜部位を除去するために具備でき、保管ステージ４６は基板が露光装置２に投入される前又は露光工程が遂行された後、基板の待機のために具備できる。エッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６はインターフェースロボット４２を中心としてＹ軸方向に互いに対向して配置できる。
【００５６】
図４は図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な正面図で、図５は図３に示した温度調節ユニットの他の例を説明するための概略的な斜視図である。
図４を参照すると、温度調節ユニット６００、各々はプレート６１０を通じて垂直方向に移動が可能になるように配置されて半導体基板のローディング及びアンローディング動作を遂行する多数のリフトピン６２２を含むことができる。
【００５７】
リフトピン６２２は基板を支持するプレート６１０のボディー６２０を貫通するように配置できる。例えば、リフトピン６２２はプレート６１０のボディー６２０を通じて垂直方向に移動が可能になるように配置できる。また、ボディー６２０の下部にはリフトピン６２２と接続されてリフトピン６２２を垂直方向に駆動させるための駆動部６２４が配置できる。即ち、前記基板は前記リフトピン６２２により前記ボディー６２０の上部面上にローディングでき、前記ボディー６２０の上部面からアンローディングされることができる。
【００５８】
例えば、前記リフトピン６２２が上部又は下部移送ロボット（３１０又は３２０）により搬入された基板を支持するために上方に移動でき、前記基板をプレート６１０のボディー６２０上にローディングするために下方に移動できる。そして、基板の温度を調節した後、前記リフトピン６２２は前記基板をプレート６１０のボディー６２０からアンローディングさせるために上方に移動ができ、前記基板は上部又は下部移送ロボット（３１０又は３２０）により搬出されることができる。
【００５９】
本実施例において前記プレート６１０が基板を冷却させるために使用されているが、前記プレート６１０は基板を加熱するために使用できる。例えば、前記プレート６１０は第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０，２３０，２５０）の加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）及び／又は熱処理ユニット（２３２，２３４）において基板を加熱するために使用できる。
【００６０】
図５を参照すると、温度調節ユニット６００、各々は基板のローディング及びアンローディングのために基板を乗降させるための乗降部材７００と乗降部材７００と接続される駆動部７０６を含むことができる。
【００６１】
乗降部材７００は、一側に開放されたリング形態、例えば蹄鉄の形態を有することができる。前記開放された部位７０２は上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）のロボットアーム（図示せず）との干渉を避けるために具備され、前記冷却チェンバーのゲートに向かって配置できる。乗降部材７００の内側には多数の突起７０４が配置されており、基板は突起７０４により支持されることができる。
【００６２】
プレート６１０は基板と対応するディスク形態を有することができ、プレート６１０の側面部位には突起７０４が通過するように多数の溝６２６が垂直方向に形成できる。前記上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）により移送された基板は、乗降部材７００の乗降により上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）から持ち上げられることができ、続いて乗降部材７００の下降によりプレート６１０上にローディングできる。反対に、プレート６１０により支持された基板は乗降部材７００の乗降によりプレート６１０から持ち上げられることができ、乗降部材７００により支持された基板は上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）により前記冷却チェンバーから搬出できる。
【００６３】
駆動部７０６は水平方向にプレート６１０の一側に配置でき、接続部材７０８を通じて乗降部材７００と接続できる。従って、リフトピン６２２を使用する場合と比べて温度調節ユニット６００の高さを減少させることができる。
【００６４】
図６は図３に示したプレートを説明するための概略図である。図７は図６に示した「Ａ」部分の一例を説明するための部分拡大図で、図８は図６に示した「Ａ」部分の他の例を説明するための部分拡大図である。
【００６５】
図６及び図７を参照すると、本発明の実施例によるプレート６１０は基板を支持するためのボディー６２０と流体を通過させるための第１チャンネル６３０及び第２チャンネル６４０を含む。
【００６６】
ボディー６２０は基板を支持することができる。例えば、ボディー６２０は基板を支持するために平らな上部面を有することができる。熱処理工程を遂行した後、基板は上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）によりプレート６２０のボディー６１０上に移送できる。
【００６７】
第１チャンネル６３０はボディー６２０の内部に配置される。前記第１チャンネル６３０は分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記第１チャンネル６２０のサブチャンネルを通じて前記基板の温度を調節するための第１流体が通過できる。
【００６８】
第２チャンネル６４０はボディー６２０の内部に配置される。前記第２チャンネル６４０は分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記第２チャンネル６４０のサブチャンネルを通じて前記基板の温度を調節するための第２流体が通過できる。
【００６９】
前記の内容によると、第１チャンネル６３０及び第２チャンネル６４０が各々２つの分岐されたサブチャンネルを含んでいるが、本発明の範囲はサブチャンネルの推量によって限定されることはない。他方、第１及び第２チャンネル（６３０，６４０）のサブチャンネル、各々は前記基板の温度を均一に調節するための曲線形態を有することができる。
【００７０】
また、前記第１及び第２チャンネル（６３０，６４０）のサブチャンネルは基板の温度を均一に調節するために前記ボディー６２０の中心を基準に互いに対称的に配置される。
前記第１チャンネル６３０は、第１入口６３２と第１出口６３４を有し、前記第２チャンネル６４０は第２入口６４２と第２出口６４４を有することができる。特に、前記第１入口６３２と第１出口６３４は前記ボディー６２０の互いに対向する側面部位に配置できる。また、前記第１入口６３２は前記第２出口６４４隣接して配置でき、前記第１出口６３４は前記第２入口と隣接して配置できる。
【００７１】
また、前記第１チャンネル６３０と第２チャンネル６４０は互いに隣接して配置できる。即ち、前記第１チャンネル６３０と前記第２チャンネル６４０は並行に配置できる。従って、前記第１流体と第２流体は互いに反対方向に流れることができ、前記第１流体と第２流体間の温度差は、前記第１流体と第２流体の間の熱伝達により補償されることができる。結果的に、第１入口６３２と第１出口６３４の間、及び／又は第２入口６４２と第２出口６４４間の第２入口６４２と第２出口６４４の間の温度差が充分に補償されることができる。即ち、第１入口６３２と第２出口６４４の間、及び／又は第２入口６４２と第１出口６４３の間の温度差が熱伝達により充分に補償されることができ、これによって基板の温度が全体的に均一に調節できる。
【００７２】
例えば、前記プレート６１０のボディー６２０上にローディングされた基板は前記第１流体及び第２流体により約２３〜２７℃程度の温度に冷却できる。これとは別に、前記プレート６１０のボディー６２０上にローディングされた基板は第１流体及び第２流体により約７０〜１００℃程度の温度に加熱できる。
【００７３】
他方、前記第１チャンネル６３０のサブチャンネルは、前記第１入口６３２と隣接する地点で分岐でき、前記第１出口６３４と隣接する地点で合することができる。また、前記第２チャンネル６４０のサブチャンネルは、前記第２入口６４２と隣接する地点で分岐でき、前記第２出口６４４と隣接する地点で合することができる。
【００７４】
図８を参照すると、前記１チャンネル６３０と前記第２チャンネル６４０の間には断熱部材が配置できる。前記断熱部材６５０は前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するために提供される。
【００７５】
他方、前記第１入口６３２に供給される第１流体の温度は前記第２入口６４２に供給される第２流体の温度と同一でありうる。
前記第１入口６３２と隣接する第１チャンネル６３０の第１部位を通過する第１流体の温度は、前記第１出口６３４と隣接する第１チャンネルの第２部位を通過する第１流体の温度と異なることがありうる。しかし、前記第１チャンネル６３０の第１部位を通過する第１流体の温度は、前記第２入口６４２と隣接する第２チャンネル６４０の第１部位を通過する第２流体の温度と同一でありうる。また、第１チャンネル６３０の第２部位を通過する第１流体の温度は、前記第２出口６４４と隣接する第２チャンネル６４０の第２部位を通過する第２流体の温度と同一でありうる。
【００７６】
前記第１流体と第２流体間の熱伝達が前記断熱部材６５０により防止されるため、前記第１チャンネル６３０を通過する第１流体の温度と前記第２チャンネル６４０を通過する第２流体の温度が相違であることができる。しかし、前記第１流体と第２流体が互いに逆方向に流れるため、前記基板の温度は全体的に均一に調節されることができる。
【００７７】
図９は図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な構成図である。
図９を参照すると、温度調節ユニット６００はプレート６１０及び流体供給部６７０を含むことができる。
【００７８】
流体供給部６７０はプレート６１０に流体を供給する。例えば、流体供給部６７０は第１チャンネル６３０に第１流体を供給し、第２チャンネル６４０に第２流体を供給するために前記第１入口６３２と第２入口６４２と接続できる。
【００７９】
温度調節ユニット６００は供給する第１流体と第２流体の流量を調節するための流量調節部６８０をさらに含む。例えば、流量調節部６８０は第１及び第２入口（６３２，６４２）と流体供給部６７０の間に配置される。
【００８０】
流量調節部６８０は前記基板の温度を均一に調節するために前記第１流体と第２流体の流量を段階的に増加又は減少させることができる。
流量調節部６８０は電子バルブを含むことができる。例えば、前記流量調節部６８０はソレノイドバルブを含むことができる。図示はしていないが、前記流量調節部６８０は前記電子バルブの動作を制御するための制御部をさらに含むことができる。
【００８１】
温度調節ユニット６００は前記第１流体と第２流体の温度を測定するための温度測定部６９０をさらに含む。
温度測定部６９０は第１入口６３２及び第２入口６４２と隣接して配置される。例えば、温度測定部６９０はプレート６１０と流量調節部６８０の間に配置できる。
【００８２】
前記流量調節部６８０は前記温度測定部６９０により測定された第１及び第２流体の温度により前記第１及び第２流体の流量が調節でき、これによって前記基板を既設定された温度で調節できる。また、前記温度測定部６９０によって測定された第１流体及び第２流体の温度により前記流体供給部６７０は第１流体及び第２流体の温度を既設定された温度で調節できる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
前述のような本発明の実施例によると、プレートは基板の温度を調節するための第１流体と第２流体が各々通過できる第１チャンネル及び第２チャンネルを含むことができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有することができ、前記第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有することができる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは前記プレートのボディー内部で並行に延長できる。従って、前記プレートのボディーにより支持された基板の温度が全体的に均一に調節できる。
【００８４】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【符号の説明】
【００８５】
２ 露光装置
１０ 基板処理装置
２０ 基板処理モジュール
３０ 基板移送モジュール
４０ インターフェースモジュール
１００ 第１処理ブロック
２００ 第２処理ブロック
３００ 基板移送ブロック
４００ 第３処理ブロック
５００ 第４処理ブロック
６００ 温度調節ユニット
６１０ プレート
６２０ ボディー
６３０ 第１循環ライン
６３２ 第１流入口
６３４ 第１排出口
６４０ 第２循環ライン
６４２ 第２流入口
６４４ 第２排出口
６７０ 流体供給部
６８０ 流量調節部
６９０ 温度測定部
７００ 乗降部材
【技術分野】
【０００１】
本発明はプレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置に関する。より詳しくは、基板の温度を全体的に均一に調節するためのプレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体製造工程において半導体装置は多様な工程を遂行することで製造できる。例えば、半導体基板は目的とする半導体装置を製造するために熱処理されることができる。
【０００３】
前記熱処理工程を遂行するために半導体基板は既設定された温度で加熱されることができる。また、前記熱処理工程が遂行された後で前記半導体基板は既設定された温度で冷却できる。
【０００４】
基板温度調節装置は、前記半導体基板を支持し、前記基板を加熱又は冷却させるためのプレートを含むことができる。前記プレートは前記半導体基板を支持する上部面を有するボディーの内部に配置されて前記半導体基板を加熱又は冷却させるための流体が通過するチャンネルを含むことができる。
【０００５】
前記チャンネルは入口と出口を有することができる。前記出口を通過する流体は前記入口を通過する流体の温度より高いか或いは低い温度を有することができる。よって、前記チャンネルの入口に隣接する前記ボディーの一部位上に位置された前記半導体基板の一部位の温度は前記チャンネルの出口に隣接する前記ボディーの他の部位上に位置された前記半導体基板の他の部位の温度より高いか或いは低いことがありうる。結果的に、前記半導体基板が全体的に非均一に加熱されるか或いは冷却されることができ、これによって、前記半導体装置の生産性が低下されることができる。また、前記半導体基板を目的とする温度で加熱するか或いは冷却することにおいて必要な時間が増加されることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一目的は、基板の温度を全体的に均一に調節するためのプレートを提供することである。
本発明の他の目的は、基板の温度が全体的に均一に調節できるプレートを有する装置を提供することである。
【０００７】
本発明のさらに他の目的は、基板の温度が全体的に均一に調節できるプレートを有する基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面による基板の温度を調節するためのプレートは、基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置され、前記第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルを同一平面上で互いに隣接して配置することができる。
【０００９】
本発明の実施例によると、前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置できる。また、前記第２入口と第２出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に位置できる。
【００１０】
本発明の実施例によると、各々の第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置できる。
【００１１】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルのサブチャンネルは前記第１入口と隣接する地点で分岐されることができ、また前記第１出口と隣接する地点で合することができ、前記第２チャンネルのサブチャンネルは前記第２入口と隣接する地点で分岐されることができ、前記第２出口と隣接する地点で合することができる。
【００１２】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと前記第２チャンネルは並行に配置できる。
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと前記第２チャンネルの間には前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材が配置できる。
【００１３】
本発明の実施例によると、各々の第１チャンネルと第２チャンネルは曲線形態を有することができる。
本発明の他の側面による温度調節装置は、基板の温度を調節するためのプレートと流体供給部を含むことができる。前記プレートは基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて前記第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルを同一平面上で互いに隣接して配置することができる。前記流体供給部は、前記プレートに前記第１流体及び前記第２流体が供給できる。
【００１４】
本発明の実施例によると、前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置できる。また、前記第２入口と第２出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置できる。
【００１５】
本発明の実施例によると、各々の前記第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置できる。
【００１６】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルのサブチャンネルは前記第１入口と隣接する地点で分岐されることができ、前記第１出口と隣接する地点で合することができ、前記第２チャンネルのサブチャンネルは前記第２入口と隣接する地点で分岐されることができて、前記第２出口と隣接する地点で合することができる。
【００１７】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと前記第２チャンネルは並行に配置できる。
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルと第２チャンネルの間には前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材が配置できる。
【００１８】
本発明の実施例によると、前記第１入口及び第２入口と前記流体供給部の間には前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される前記第１流体及び前記第２流体の流量を調節するための流量調節部が配置できる。
【００１９】
本発明の実施例によると、前記流量調節部は電子バルブを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される第１流体及び前記第２流体の温度は温度測定部により測定されることができる。
【００２０】
本発明の実施例によると、前記第１チャンネルに供給される第１流体は前記第２チャンネルに供給される第２流体の温度と同一の温度を有することができる。
本発明の実施例によると、リフトピンが前記ボディーを貫通して垂直方向への移動が可能になるように配置できる。前記基板は前記リフトピンにより前記ボディー上にローディングされ、前記ボディーからアンローディングされることができる。
【００２１】
本発明の実施例によると、前記リフトピンは前記リフトピンを垂直方向に移動させるための駆動部と接続できる。
本発明のさらに他の側面による基板処理装置は熱処理ユニットと温度調節ユニットを含むことができる。前記熱処理ユニットは基板を熱処理するために提供されることができ、前記温度調節ユニットは前記熱処理ユニットにより熱処理された基板の温度を調節するために提供できる。前記温度調節ユニットは基板の温度を調節するためのプレートと流体供給部を含むことができる。前記プレートは基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて前記第１出口と隣接する第２入口と、前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルを同一平面上で互いに隣接して配置することができる。前記流体供給部は前記プレートに前記第１流体及び第２流体が供給できる。
【発明の効果】
【００２２】
前述のような本発明の実施例によると、プレートは基板の温度を調節するための第１流体と第２流体が各々通過できる第１チャンネルと第２チャンネルを有することができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有することができ、前記第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口と、前記第１入口と隣接する第２出口を有することができる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは前記プレートのボディー内で並行して配置できる。従って、前記プレートにより支持された基板の温度が全体的に均一に調節できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施例による他の基板処理装置を説明するための概略的な平面図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【図３】図１に示した基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【図４】図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な正面図である。
【図５】図３に示した温度調節ユニットの他の例を説明するための概略的な斜視図である。
【図６】図３に示したプレートを説明するための概略図である。
【図７】図６に示した「Ａ」部分の一例を説明するための部分拡大図である。
【図８】図６に示した「Ａ」部分の他の例を説明するための部分拡大図である。
【図９】図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明は本発明の実施例を示す添付図面を参照してより詳しく説明する。しかし、本発明は下記において説明される実施例に限定されたように構成されるべきではなく、これとは異なる様々な形態で具体化されることができる。下記の実施例は、本発明が完全に完成できるように提供されるというよりは、本発明の技術分野において熟練された当業者に本発明の範囲を充分に伝えるために提供される。
【００２５】
１つの要素が他の１つの要素又は層上に配置される或いは接続されることとして説明される場合、前記要素は前記他の１つの要素上に直接的に配置されるか、接続されることができ、他の要素または層がこれらの間に介在されることができる。これとは別に、１つの要素が他の１つの要素上に直接的に配置されるか或いは接続されることとして説明される場合、それらの間にはさらに他の要素はありえない。類似する要素に対しては全体的に類似した参照符号が使用されて、また「及び／又は」という用語は関連する項目の内、いずれかの１つ又はそれ以上の組合せを含む。
【００２６】
多様な要素、組成、領域、層、及び／又は部分のような多様な項目を説明するために第１、第２、第３などの用語が使用できるが、前記項目はこれらの用語による限定はされない。ただ、これらの用語は他の要素から１つの要素を区別するために使用される。従って、下記において説明される第１要素、組成、領域、層、又は部分は本発明の範囲内で第２要素、組成、領域、層、又は部分として表現できる。
【００２７】
空間的に相対的な用語、例えば、「下部」、「ボトム」、又は「上部」などの用語は図面において説明したように他の要素に対して１つの要素の関係を説明するために使用できる。相対的用語は図面に図示された方位に加えて装置の他の方位を含むことができる。例えば、図面の中でいずれかの１つにおいて装置の方向が変わるとしたら、他の要素の下部側にあると説明した要素が前記他の要素の上部側にあるとしたら合わせられるだろう。従って、「下部」という典型的な用語は図面の特定方位に対して「下部」及び「上部」方位の全部を含むことができる。これとは類似に、図面の中で、いずれかの１つにおいて装置の方向が変わるとしたら、他の要素の「下」又は「底」として説明される要素は前記他の要素の「上」に合わせられるだろう。従って、「下」又は「底」 という典型的な用語は「下」と「上」方位の全部を含むことができる。
【００２８】
下記において使用された専門用語は、ただ、特定実施例を説明するための目的で使用されて、本発明を限定するためのものではない。下記において使用されたように、単数の形態で表示されることは特別に明確に指示されない以上、複数の形態も含む。また、「含む」という用語が使用される場合、これは言及された形態、領域、完全体、段階、作用、要素、及び／又は成分の存在を特徴付けることであり、他の１つ以上の形態、領域、完全体、段階、作用、要素、及び／又は成分はこれらのグループの追加を排除することではない。
【００２９】
改めて定義しない限り、技術的又は科学的な用語を含め、ここにおいて使用する全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者により一般的に理解されることと同様の意味を有している。一般的に使用される辞典に定義されているような用語は関連技術の文脈上に有する意味と一致する意味を有することと解釈されるべきであり、本出願において明白に定義されない限り、理想的又は過度に形式的な意味で解釈されない。
【００３０】
本発明の実施例は本発明の理想的な実施例の概略的な図解である断面図解を参照して説明される。これにより、前記図解の形状からの変化、例えば、製造方法及び／又は許容誤差の変化は予想できることである。従って、本発明の実施例は図解で説明された領域の特定形状に限定されたように説明されるのではなく、形状においての偏差を含む。例えば、平らなものとして説明された領域は一般的に粗さ及び／又は非線形的な形態を有することができる。また、図解で説明される尖った角は丸まったものになることができる。従って、図面において説明される領域は全的に概略的なものであり、これらの形状は領域の正確な形状を説明するためではなく、また、本発明の範囲を限定しようとするためではない。
【００３１】
図１は本発明の一実施例による他の基板処理装置を説明するための概略的な平面図で、図２は図１に示した基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図で、図３は図１に示した基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【００３２】
図１から図３を参照すると、本発明の実施例による基板処理装置１０は、シリコンウェハーのような半導体基板を処理するために使用されることができる。例えば、前記基板上にフォトレジスト膜又はボトム反射防止膜（ｂｏｔｔｏｍ ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成するためのコーティング工程、前記フォトレジスト膜に回路パターンを伝写するために露光工程を遂行した後、前記基板上にフォトレジストパターンを形成するための現像工程、前記フォトレジスト膜又は前記フォトレジストパターンを硬化させるためのベーク工程などを遂行するために使用されることができる。
【００３３】
基板処理装置１０は基板を処理するための基板処理モジュール２０と、基板を移送するための基板移送モジュール３０、及び露光装置２と前記基板処理モジュール２０の間に配置されるインターフェースモジュール４０を含むことができる。
【００３４】
基板移送モジュール３０は、多数の基板を収容する容器４を支持する多数のロードポート３２を含むことができ、容器４と基板処理モジュール２０の間で基板を移送するために具備される。例えば、各々のロードポート３２上にはＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）が設置されることができる。
【００３５】
基板処理モジュール２０と接続される基板移送チェンバー３４内には基板を移送するための基板移送ロボット３６が配置できる。基板移送ロボット３６は水平及び垂直方向、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動が可能になるように構成できる。また、基板移送ロボット３６のロボットアームは回転が可能になるように、そして伸長及び伸縮が可能になるように構成できる。基板移送チェンバー３４の上部には浄化された空気を基板移送チェンバー３４の内部に供給するためのファンフィルターユニット３８が配置できる。
【００３６】
基板処理モジュール２０は、基板上にフォトレジスト組成物又は反射防止物質を塗布してフォトレジスト膜又はボトム反射防止膜を形成し、露光装置２により処理された基板上のフォトレジスト膜を現像するための第１処理ブロック１００を含むことができる。
【００３７】
第１処理ブロック１００は垂直方向に積層された上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０を含むことができる。上部単位ブロック１１０は多数のコーティングユニットを含むことができ、下部単位ブロック１３０は多数の現像ユニットを含むことができる。これとは別に、上部単位ブロック１１０は多数の現像ユニットを含むことができ、下部単位ブロック１３０は多数のコーティングユニットを含むことができる。
【００３８】
図示によると、第１処理ブロック１００は２つの上部単位ブロック１１０と２つの下部単位ブロック１３０を含む。しかし、本発明の範囲は上部ブロック１１０及び下部単位ブロック１３０の数量により限定されない。
【００３９】
本発明の実施例において、各々の上部単位ブロック１１０はボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニット１１２とフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニット１１４を含むことができる。他方、第１コーティングユニット１１２と第２コーティングユニット１１４はＸ軸方向に配置されることができる。本発明の他の実施例において、各々の上部単位ブロック１１０は水平方向に配列された多数のコーティングユニットを含むことができる。各々のコーティングユニットは基板上にフォトレジスト膜を形成するために提供される。
【００４０】
各々の下部単位ブロック１３０はＸ軸方向に配列された多数の現像ユニット１３２を含むことができる。各々の現像ユニットは露光装置２により処理された基板上のフォトレジスト膜を現像するために提供される。
【００４１】
本発明の実施例において、上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０の間には中央単位ブロック１５０が配置できる。中央単位ブロック１５０はコーティングユニットと現像ユニットを選択的に含むことができる。例えば、中央単位ブロック１５０はコーティングユニットのみを含むことができ、現像ユニットのみを含むことができる。これとは別に、中央単位ブロック１５０は１つのコーティングユニットと多数の現像ユニット又は多数のコーティングユニットと１つの現像ユニットを含むことができる。追加的に、中央単位ブロック１５０は多数のコーティングユニットと多数の現像ユニットを含むことができる。
【００４２】
図示によると、中央単位ブロック１５０が１つのコーティングユニット１５２と２つの現像ユニット１５４を含んでいるが、中央単位ブロック１５０を構成する（複数の）コーティングユニットと（複数の）現像ユニットの数量は本発明の範囲を限定しない。
【００４３】
特に、中央単位ブロック１５０を構成する（複数の）コーティングユニットと（複数の）現像ユニットは前記上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０の間で分離が可能になるように配置できる。即ち、中央単位ブロック１５０は、既設定された工程レシピーによって構成が変化でき、これによって、基板処理装置１０のスループット（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｕｔ）が大きく向上されることができる。
【００４４】
基板処理モジュール２０は第１処理ブロック１００と対向して配置される第２処理ブロック２００をさらに含むことができる。第２処理ブロック２００はＸ軸方向に配列される多数の単位ブロックを含むことができ、基板の熱処理のために具備することができる。
【００４５】
前記第１処理ブロック１００と第２処理ブロック２００の間には基板を移送するための基板移送ブロック３００が配置できる。前記 基板移送ブロック３００内には基板を移送するための移送ロボット（３１０，３２０）が配置できる。例えば、基板移送ブロック３００内には上部移送ロボット３１０と下部移送ロボット３２０が配置できる。
【００４６】
前記第２処理ブロック２００は、第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０，２３０，２５０）を含むことができ、第２単位ブロック２３０は第１と第３単位ブロック（２１０，２５０）の間に配置できる。第１及び第３単位ブロック（２１０，２５０）は基板を加熱するための加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）を含むことができ、第２単位ブロック２３０は基板を加熱して冷却するための多数の熱処理ユニット（２３２，２３４）を含むことができる。本発明の実施例において、加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）と熱処理ユニット（２３２，２３４）は垂直方向に積層されることができる。
【００４７】
また、前記第１加熱ユニット２１２は第１単位ブロック２１０の上部に配置されることができ、第２加熱ユニット２１４は第１単位ブロック２１０の下部に配置されることができる。そして、前記第３加熱ユニット２５２は前記第３単位ブロック２５０の上部に配置でき、前記第４加熱ユニット２５４は前記第３単位ブロック２５０の下部に配置できる。他方、本発明の範囲は前記加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）の位置により限定されることはない。
【００４８】
他方、基板処理モジュール２０は基板の温度調節のための第３処理ブロック４００及び第４処理ブロック５００をさらに含むことができる。第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は第１及び第２処理ブロック（１００，２００）が配列された方向に対して垂直する方向、即ち、Ｘ方向に基板移送ブロック３００の両側部位に配置されることができる。具体的に、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は基板移送モジュール３０と基板移送ブロック３００及びインターフェースモジュール４０との間に各々配置できる。
【００４９】
前記第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は第２処理ブロック２００により加熱された基板を冷却させるために具備できる。例えば、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）、各々は基板を所定の温度、例えば約２３℃の温度に冷却させるための多数の温度調節ユニット６００を含むことができる。温度調節ユニット６００は垂直方向に積層できる。
【００５０】
また、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は上部又は下部の熱処理ユニット（２３２又は２３４）のプレートにより１次冷却された基板を約２３℃の温度に２次冷却させるために使用できる。熱処理ユニット（２３２又は２３４）のプレートは半導体基板の温度を約３０〜５０℃程度の温度に１次冷却させることができる。
【００５１】
各々の温度調節ユニット６００は、冷却チェンバー（図示せず）とその内部に配置されたプレートを含むことができる。前記プレートのボディーを通過する流体により前記プレートは約２３℃程度の温度に維持できる。この際、前記流体は前記基板を冷却させるための冷媒として使用できる。また、前記基板移送ブロック３００と隣接する冷却チェンバーの側壁には基板移送のためのゲートが具備できる。
【００５２】
図示はされていないが、前記プレートは基板を加熱させるために使用できる。例えば、前記プレートは第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０，２３０，２５０）の加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）及び／又は熱処理ユニット（２３２，２３４）において基板を加熱するために使用できる。
【００５３】
また、第３及び第４処理ブロック（４００，５００）は半導体基板を積載するための第１移送ステージ４１０及び第２移送ステージ５１０を各々さらに含むことができる。第１及び第２移送ステージ（４１０，５１０）は温度調節ユニット６００間に配置できる。例えば、第１及び第２移送ステージ（４１０，５１０）は前記第１処理ブロック１００の中央単位ブロック１５０と水平方向に隣接できる。
【００５４】
インターフェースモジュール４０は第４処理ブロック５００と露光装置２の間に配置できる。インターフェースモジュール４０内には基板処理モジュール２０と露光装置２の間において基板を移送するためのインターフェースロボット４２が配置できる。インターフェースロボット４２は垂直方向に移動が可能になるように構成でき、インターフェースロボット４２のロボットアームは回転が可能で、伸長及び伸縮が可能になるように構成できる。
【００５５】
また、インターフェースモジュール４０内にはエッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６が配置できる。エッジ露光ユニット４４は基板のエッジ部位上のフォトレジスト膜部位を除去するために具備でき、保管ステージ４６は基板が露光装置２に投入される前又は露光工程が遂行された後、基板の待機のために具備できる。エッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６はインターフェースロボット４２を中心としてＹ軸方向に互いに対向して配置できる。
【００５６】
図４は図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な正面図で、図５は図３に示した温度調節ユニットの他の例を説明するための概略的な斜視図である。
図４を参照すると、温度調節ユニット６００、各々はプレート６１０を通じて垂直方向に移動が可能になるように配置されて半導体基板のローディング及びアンローディング動作を遂行する多数のリフトピン６２２を含むことができる。
【００５７】
リフトピン６２２は基板を支持するプレート６１０のボディー６２０を貫通するように配置できる。例えば、リフトピン６２２はプレート６１０のボディー６２０を通じて垂直方向に移動が可能になるように配置できる。また、ボディー６２０の下部にはリフトピン６２２と接続されてリフトピン６２２を垂直方向に駆動させるための駆動部６２４が配置できる。即ち、前記基板は前記リフトピン６２２により前記ボディー６２０の上部面上にローディングでき、前記ボディー６２０の上部面からアンローディングされることができる。
【００５８】
例えば、前記リフトピン６２２が上部又は下部移送ロボット（３１０又は３２０）により搬入された基板を支持するために上方に移動でき、前記基板をプレート６１０のボディー６２０上にローディングするために下方に移動できる。そして、基板の温度を調節した後、前記リフトピン６２２は前記基板をプレート６１０のボディー６２０からアンローディングさせるために上方に移動ができ、前記基板は上部又は下部移送ロボット（３１０又は３２０）により搬出されることができる。
【００５９】
本実施例において前記プレート６１０が基板を冷却させるために使用されているが、前記プレート６１０は基板を加熱するために使用できる。例えば、前記プレート６１０は第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０，２３０，２５０）の加熱ユニット（２１２，２１４，２５２，２５４）及び／又は熱処理ユニット（２３２，２３４）において基板を加熱するために使用できる。
【００６０】
図５を参照すると、温度調節ユニット６００、各々は基板のローディング及びアンローディングのために基板を乗降させるための乗降部材７００と乗降部材７００と接続される駆動部７０６を含むことができる。
【００６１】
乗降部材７００は、一側に開放されたリング形態、例えば蹄鉄の形態を有することができる。前記開放された部位７０２は上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）のロボットアーム（図示せず）との干渉を避けるために具備され、前記冷却チェンバーのゲートに向かって配置できる。乗降部材７００の内側には多数の突起７０４が配置されており、基板は突起７０４により支持されることができる。
【００６２】
プレート６１０は基板と対応するディスク形態を有することができ、プレート６１０の側面部位には突起７０４が通過するように多数の溝６２６が垂直方向に形成できる。前記上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）により移送された基板は、乗降部材７００の乗降により上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）から持ち上げられることができ、続いて乗降部材７００の下降によりプレート６１０上にローディングできる。反対に、プレート６１０により支持された基板は乗降部材７００の乗降によりプレート６１０から持ち上げられることができ、乗降部材７００により支持された基板は上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）により前記冷却チェンバーから搬出できる。
【００６３】
駆動部７０６は水平方向にプレート６１０の一側に配置でき、接続部材７０８を通じて乗降部材７００と接続できる。従って、リフトピン６２２を使用する場合と比べて温度調節ユニット６００の高さを減少させることができる。
【００６４】
図６は図３に示したプレートを説明するための概略図である。図７は図６に示した「Ａ」部分の一例を説明するための部分拡大図で、図８は図６に示した「Ａ」部分の他の例を説明するための部分拡大図である。
【００６５】
図６及び図７を参照すると、本発明の実施例によるプレート６１０は基板を支持するためのボディー６２０と流体を通過させるための第１チャンネル６３０及び第２チャンネル６４０を含む。
【００６６】
ボディー６２０は基板を支持することができる。例えば、ボディー６２０は基板を支持するために平らな上部面を有することができる。熱処理工程を遂行した後、基板は上部又は下部移送ロボット（３１０または３２０）によりプレート６２０のボディー６１０上に移送できる。
【００６７】
第１チャンネル６３０はボディー６２０の内部に配置される。前記第１チャンネル６３０は分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記第１チャンネル６２０のサブチャンネルを通じて前記基板の温度を調節するための第１流体が通過できる。
【００６８】
第２チャンネル６４０はボディー６２０の内部に配置される。前記第２チャンネル６４０は分岐された２つのサブチャンネルを含むことができ、前記第２チャンネル６４０のサブチャンネルを通じて前記基板の温度を調節するための第２流体が通過できる。
【００６９】
前記の内容によると、第１チャンネル６３０及び第２チャンネル６４０が各々２つの分岐されたサブチャンネルを含んでいるが、本発明の範囲はサブチャンネルの推量によって限定されることはない。他方、第１及び第２チャンネル（６３０，６４０）のサブチャンネル、各々は前記基板の温度を均一に調節するための曲線形態を有することができる。
【００７０】
また、前記第１及び第２チャンネル（６３０，６４０）のサブチャンネルは基板の温度を均一に調節するために前記ボディー６２０の中心を基準に互いに対称的に配置される。
前記第１チャンネル６３０は、第１入口６３２と第１出口６３４を有し、前記第２チャンネル６４０は第２入口６４２と第２出口６４４を有することができる。特に、前記第１入口６３２と第１出口６３４は前記ボディー６２０の互いに対向する側面部位に配置できる。また、前記第１入口６３２は前記第２出口６４４隣接して配置でき、前記第１出口６３４は前記第２入口と隣接して配置できる。
【００７１】
また、前記第１チャンネル６３０と第２チャンネル６４０は互いに隣接して配置できる。即ち、前記第１チャンネル６３０と前記第２チャンネル６４０は並行に配置できる。従って、前記第１流体と第２流体は互いに反対方向に流れることができ、前記第１流体と第２流体間の温度差は、前記第１流体と第２流体の間の熱伝達により補償されることができる。結果的に、第１入口６３２と第１出口６３４の間、及び／又は第２入口６４２と第２出口６４４間の第２入口６４２と第２出口６４４の間の温度差が充分に補償されることができる。即ち、第１入口６３２と第２出口６４４の間、及び／又は第２入口６４２と第１出口６４３の間の温度差が熱伝達により充分に補償されることができ、これによって基板の温度が全体的に均一に調節できる。
【００７２】
例えば、前記プレート６１０のボディー６２０上にローディングされた基板は前記第１流体及び第２流体により約２３〜２７℃程度の温度に冷却できる。これとは別に、前記プレート６１０のボディー６２０上にローディングされた基板は第１流体及び第２流体により約７０〜１００℃程度の温度に加熱できる。
【００７３】
他方、前記第１チャンネル６３０のサブチャンネルは、前記第１入口６３２と隣接する地点で分岐でき、前記第１出口６３４と隣接する地点で合することができる。また、前記第２チャンネル６４０のサブチャンネルは、前記第２入口６４２と隣接する地点で分岐でき、前記第２出口６４４と隣接する地点で合することができる。
【００７４】
図８を参照すると、前記１チャンネル６３０と前記第２チャンネル６４０の間には断熱部材が配置できる。前記断熱部材６５０は前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するために提供される。
【００７５】
他方、前記第１入口６３２に供給される第１流体の温度は前記第２入口６４２に供給される第２流体の温度と同一でありうる。
前記第１入口６３２と隣接する第１チャンネル６３０の第１部位を通過する第１流体の温度は、前記第１出口６３４と隣接する第１チャンネルの第２部位を通過する第１流体の温度と異なることがありうる。しかし、前記第１チャンネル６３０の第１部位を通過する第１流体の温度は、前記第２入口６４２と隣接する第２チャンネル６４０の第１部位を通過する第２流体の温度と同一でありうる。また、第１チャンネル６３０の第２部位を通過する第１流体の温度は、前記第２出口６４４と隣接する第２チャンネル６４０の第２部位を通過する第２流体の温度と同一でありうる。
【００７６】
前記第１流体と第２流体間の熱伝達が前記断熱部材６５０により防止されるため、前記第１チャンネル６３０を通過する第１流体の温度と前記第２チャンネル６４０を通過する第２流体の温度が相違であることができる。しかし、前記第１流体と第２流体が互いに逆方向に流れるため、前記基板の温度は全体的に均一に調節されることができる。
【００７７】
図９は図３に示した温度調節ユニットを説明するための概略的な構成図である。
図９を参照すると、温度調節ユニット６００はプレート６１０及び流体供給部６７０を含むことができる。
【００７８】
流体供給部６７０はプレート６１０に流体を供給する。例えば、流体供給部６７０は第１チャンネル６３０に第１流体を供給し、第２チャンネル６４０に第２流体を供給するために前記第１入口６３２と第２入口６４２と接続できる。
【００７９】
温度調節ユニット６００は供給する第１流体と第２流体の流量を調節するための流量調節部６８０をさらに含む。例えば、流量調節部６８０は第１及び第２入口（６３２，６４２）と流体供給部６７０の間に配置される。
【００８０】
流量調節部６８０は前記基板の温度を均一に調節するために前記第１流体と第２流体の流量を段階的に増加又は減少させることができる。
流量調節部６８０は電子バルブを含むことができる。例えば、前記流量調節部６８０はソレノイドバルブを含むことができる。図示はしていないが、前記流量調節部６８０は前記電子バルブの動作を制御するための制御部をさらに含むことができる。
【００８１】
温度調節ユニット６００は前記第１流体と第２流体の温度を測定するための温度測定部６９０をさらに含む。
温度測定部６９０は第１入口６３２及び第２入口６４２と隣接して配置される。例えば、温度測定部６９０はプレート６１０と流量調節部６８０の間に配置できる。
【００８２】
前記流量調節部６８０は前記温度測定部６９０により測定された第１及び第２流体の温度により前記第１及び第２流体の流量が調節でき、これによって前記基板を既設定された温度で調節できる。また、前記温度測定部６９０によって測定された第１流体及び第２流体の温度により前記流体供給部６７０は第１流体及び第２流体の温度を既設定された温度で調節できる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
前述のような本発明の実施例によると、プレートは基板の温度を調節するための第１流体と第２流体が各々通過できる第１チャンネル及び第２チャンネルを含むことができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有することができ、前記第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有することができる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは前記プレートのボディー内部で並行に延長できる。従って、前記プレートのボディーにより支持された基板の温度が全体的に均一に調節できる。
【００８４】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【符号の説明】
【００８５】
２ 露光装置
１０ 基板処理装置
２０ 基板処理モジュール
３０ 基板移送モジュール
４０ インターフェースモジュール
１００ 第１処理ブロック
２００ 第２処理ブロック
３００ 基板移送ブロック
４００ 第３処理ブロック
５００ 第４処理ブロック
６００ 温度調節ユニット
６１０ プレート
６２０ ボディー
６３０ 第１循環ライン
６３２ 第１流入口
６３４ 第１排出口
６４０ 第２循環ライン
６４２ 第２流入口
６４４ 第２排出口
６７０ 流体供給部
６８０ 流量調節部
６９０ 温度測定部
７００ 乗降部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の温度を調節するためのプレートであって、
基板を支持するディスク形状をなすボディーと、
前記ボディーの内部に配置され、第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、
前記ボディーの内部に配置され、前記第１出口と隣接する第２入口と、第１入口と隣接する第２出口とを有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、
前記第１チャンネルと第２チャンネルは同一平面上で互いに隣接して配置されることを特徴とする、プレート。
【請求項２】
前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置されることを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項３】
各々の第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含み、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置されることを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項４】
前記第１チャンネルのサブチャンネルは、前記第１入口と隣接する地点で分岐されて前記第１出口と隣接する地点で合し、前記第２チャンネルのサブチャンネルは、前記第２入口と隣接する地点で分岐されて前記第２出口と隣接する地点で合することを特徴とする請求項３記載のプレート。
【請求項５】
前記１チャンネルと前記第２チャンネルの間に配置されて、前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項６】
各々の前記第１チャンネルと第２チャンネルは曲線形態を有することを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項７】
基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルとを含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルは同一平面上で互いに隣接して配置される、基板の温度を調節するためのプレートと、
前記プレートに前記第１流体及び前記第２流体を供給する流体供給部と、を含む温度調節装置。
【請求項８】
前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置されることを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項９】
各々の第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含み、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置されることを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１０】
前記第１チャンネルのサブチャンネルは、前記第１入口と隣接する地点で分岐されて前記第１出口と隣接する地点で合し、前記第２チャンネルのサブチャンネルは、前記第２入口と隣接する部位で分岐されて前記第２出口と隣接する地点で合することを特徴とする請求項９記載の温度調節装置。
【請求項１１】
前記第１チャンネルと前記第２チャンネルの間に配置されて、前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１２】
前記第１入口及び前記第２入口と前記流体供給部との間に配置されて前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される前記第１流体及び前記第２流体の流量を調節するための流量調節部をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１３】
前記流量調節部は電子バルブを含むことを特徴とする請求項１２記載の温度調節装置。
【請求項１４】
前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される前記第１流体及び前記第２流体の温度を測定するための温度測定部をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１５】
前記第１チャンネルに供給される第１流体は前記第２チャンネルに供給される第２流体の温度は同一の温度を有することを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１６】
前記ボディーを貫通して垂直方向に移動が可能になるように配置し、前記基板を前記ボディー上にローディングして前記ボディーからアンローディングさせるためのリフトピンをさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１７】
前記リフトピンと接続され、前記リフトピンを垂直方向に移動させるための駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の温度調節装置。
【請求項１８】
基板を熱処理するための熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットにより熱処理された基板の温度を調節するための温度調節ユニットと、を含み、
前記温度調節ユニットは、
前記基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルとを含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルは同一平面上で互いに隣接して配置される、基板の温度を調節するためのプレートと、
前記プレートに前記第１流体及び前記第２流体を供給する流体供給部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板の温度を調節するためのプレートであって、
基板を支持するディスク形状をなすボディーと、
前記ボディーの内部に配置され、第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、
前記ボディーの内部に配置され、前記第１出口と隣接する第２入口と、第１入口と隣接する第２出口とを有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルと、を含み、
前記第１チャンネルと第２チャンネルは同一平面上で互いに隣接して配置されることを特徴とする、プレート。
【請求項２】
前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置されることを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項３】
各々の第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含み、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置されることを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項４】
前記第１チャンネルのサブチャンネルは、前記第１入口と隣接する地点で分岐されて前記第１出口と隣接する地点で合し、前記第２チャンネルのサブチャンネルは、前記第２入口と隣接する地点で分岐されて前記第２出口と隣接する地点で合することを特徴とする請求項３記載のプレート。
【請求項５】
前記１チャンネルと前記第２チャンネルの間に配置されて、前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項６】
各々の前記第１チャンネルと第２チャンネルは曲線形態を有することを特徴とする請求項１記載のプレート。
【請求項７】
基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有し、前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルとを含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルは同一平面上で互いに隣接して配置される、基板の温度を調節するためのプレートと、
前記プレートに前記第１流体及び前記第２流体を供給する流体供給部と、を含む温度調節装置。
【請求項８】
前記第１入口と第１出口は前記ボディーの互いに対向する側面部位に配置されることを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項９】
各々の第１チャンネルと第２チャンネルは分岐された２つのサブチャンネルを含み、前記サブチャンネルは前記ボディーの中心を基準に互いに対称的に配置されることを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１０】
前記第１チャンネルのサブチャンネルは、前記第１入口と隣接する地点で分岐されて前記第１出口と隣接する地点で合し、前記第２チャンネルのサブチャンネルは、前記第２入口と隣接する部位で分岐されて前記第２出口と隣接する地点で合することを特徴とする請求項９記載の温度調節装置。
【請求項１１】
前記第１チャンネルと前記第２チャンネルの間に配置されて、前記第１流体と前記第２流体間の熱伝達を遮断するための断熱部材をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１２】
前記第１入口及び前記第２入口と前記流体供給部との間に配置されて前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される前記第１流体及び前記第２流体の流量を調節するための流量調節部をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１３】
前記流量調節部は電子バルブを含むことを特徴とする請求項１２記載の温度調節装置。
【請求項１４】
前記第１チャンネル及び前記第２チャンネルに供給される前記第１流体及び前記第２流体の温度を測定するための温度測定部をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１５】
前記第１チャンネルに供給される第１流体は前記第２チャンネルに供給される第２流体の温度は同一の温度を有することを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１６】
前記ボディーを貫通して垂直方向に移動が可能になるように配置し、前記基板を前記ボディー上にローディングして前記ボディーからアンローディングさせるためのリフトピンをさらに含むことを特徴とする請求項７記載の温度調節装置。
【請求項１７】
前記リフトピンと接続され、前記リフトピンを垂直方向に移動させるための駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項１６記載の温度調節装置。
【請求項１８】
基板を熱処理するための熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットにより熱処理された基板の温度を調節するための温度調節ユニットと、を含み、
前記温度調節ユニットは、
前記基板を支持するディスク形状をなすボディーと、前記ボディーの内部に配置されて第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させるための第１チャンネルと、前記ボディーの内部に配置されて第１出口と隣接する第２入口及び前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させるための第２チャンネルとを含み、前記第１チャンネルと第２チャンネルは同一平面上で互いに隣接して配置される、基板の温度を調節するためのプレートと、
前記プレートに前記第１流体及び前記第２流体を供給する流体供給部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−５１４２２（Ｐ２０１３−５１４２２Ａ）
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２１９４０６（Ｐ２０１２−２１９４０６）
【出願日】平成２４年１０月１日（２０１２．１０．１）
【分割の表示】特願２００８−１８０２７２（Ｐ２００８−１８０２７２）の分割
【原出願日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【出願人】（５９８１２３１５０）セメス株式会社 (76)
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】＃２７８，Ｍｏｓｉ−ｒｉ，Ｊｉｋｓａｎ−ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ−ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ−ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月１４日（２０１３．３．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１０月１日（２０１２．１０．１）
【分割の表示】特願２００８−１８０２７２（Ｐ２００８−１８０２７２）の分割
【原出願日】平成２０年７月１０日（２００８．７．１０）
【出願人】（５９８１２３１５０）セメス株式会社 (76)
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】＃２７８，Ｍｏｓｉ−ｒｉ，Ｊｉｋｓａｎ−ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ−ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ−ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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