ヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置
【課題】ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣにおいて、ヘッドの出力特性のばらつきを調整して、リードチャネルのＡＧＣの入力ダイナミックレンジに収める。
【解決手段】リードチャネル（１０２）に接続されたヘッドＩＣ（１０３）に、ＡＧＣアンプ（１０）を設け、ヘッドＩＣ（１０３）のＡＧＣ回路（１４）のフィードバック応答速度を、リードチャネル（１０２）のＡＧＣ回路（１０７）のフィードバック応答速度より、充分遅く設定する。ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路は、リードチャネルのＡＧＣ回路の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。
【解決手段】リードチャネル（１０２）に接続されたヘッドＩＣ（１０３）に、ＡＧＣアンプ（１０）を設け、ヘッドＩＣ（１０３）のＡＧＣ回路（１４）のフィードバック応答速度を、リードチャネル（１０２）のＡＧＣ回路（１０７）のフィードバック応答速度より、充分遅く設定する。ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路は、リードチャネルのＡＧＣ回路の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドの読み取り信号の出力レベルを調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置に関し、特に、出力レベルが異なるヘッドの読み取り信号を所定のレベルに調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
媒体記憶装置、例えば、磁気ディスク装置においては、ヘッドが媒体からデータを読み出す。近年のトラック密度の増加に伴い、媒体の磁束の検出感度が高いヘッドが提供されており、ＭＲ（Magnetic Resistance）素子をリードヘッドに使用されている。一方、更なる検出感度の高い素子として、トンネル効果を利用したＴｕＭＲ（又はＴＭＲ）素子の適用が検討されている。
【０００３】
このようなリード素子の出力レベルは一定でなく、且つ温度変動による素子の特性変化や浮上量の変動により、出力レベルは変化する。このため、データを復調する前に、リード素子の出力レベルを調整する回路が必要となる。
【０００４】
図１４は、従来の媒体記憶装置の構成図、図１５は、従来のリード回路のブロック図である。図１４に示すように、媒体（磁気ディスク）２１０のデータを読み取る磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂは、アクチュエータ２００の先端に設けられる。
【０００５】
アクチュエータ２００は、回転軸２０４を中心に回転し、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂを磁気ディスク２１０の所望のトラックに位置つける。磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂは、アクチュエータ２００に設けられたヘッドＩＣ２２０に接続され、ヘッドＩＣ２２０は、アクチュエータ２００の外の制御回路２３０に接続される。
【０００６】
磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂから制御回路２３０までの距離が長いため、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂから又はへの信号レベルが変化したり、ノイズが混入する。これを防止するため、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂと制御回路２３０との間に、ヘッドＩＣ２２０を設け、信号レベルの調整を行うものである。このヘッドＩＣ２２０は、磁気ヘッドと制御回路との間の多数の信号線を纏め、配線を容易にする目的もある。例えば、制御回路２３０とヘッドＩＣ２２０間は、シリアルインターフェースで接続し、ヘッドＩＣ２２０と各磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂ間は、個別の信号線で接続する。
【０００７】
図１５は、図１４のリード系回路の詳細図であり、磁気ヘッド２０２ａ（又は２０２ｂ）のリード素子２０２−１に接続するヘッドＩＣ２２０には、可変ゲインアンプ（プリアンプ）２２０−１が設けられており、設定されたゲインで、リード素子２０２の出力を増幅する。尚、可変ゲインアンプ２２０−１は、ヘッド毎のゲインを設定される。
【０００８】
一方、ヘッドＩＣ２２０に接続される制御回路２３０には、リードチャネル２３０−１が設けられ、リードチャネル２３０−１に設けられたＡＧＣ（Automatic Gain Control）アンプ２３０−２が、ヘッドＩＣ２２０の可変ゲインアンプ２２０−１の出力を受ける。
【０００９】
ＡＧＣアンプ２３０−２は、差動増幅器２３０−３と、ＡＧＣ回路２３０−４で構成される。ＡＧＣ回路２３０−４は、差動増幅器２３０−３の出力値と基準の出力値とを比較して、比較結果をフィードバックして、差動増幅器２３０−３のゲインを調整し、差動増幅器２３０−３の出力レベルを基準レベルに調整する（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このＡＧＣ回路２３０−４は、磁気ディスク２１０のトラックの１セクター内の変化を追従するような高速のフィードバック係数（周波数、ゲイン変更量）を設定し、１セクター内の信号レベルを均一化する。
【特許文献１】特開平１０−０２１６４７号公報（図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来技術では、このような素子自体の特性や浮上量変動等の環境条件の変動による出力レベルの変動は、リードチャネルのＡＧＣアンプにより、調整していた。
【００１２】
しかしながら、近年の記録密度の向上により、リード素子も、より検出感度の高いＴｕＭＲ素子の利用が望まれている。この検出感度の高いリード素子は、検出感度が、ＭＲ素子の１０倍程度とされているが、信号出力レベルのばらつきは、これに応じて大きい。又、検出感度が高いため、温度変動や浮上量の変動による信号レベルの変動も大きい。
【００１３】
このような大きな信号レベルの変動があると、リードチャネルのＡＧＣアンプで調整するのが困難となるおそれがある。
【００１４】
又、記録密度の向上により、回路周波数が高くなり、リードチャネルのＡＧＣアンプも高速化が要求され、ＡＧＣの入力ダイナミックレンジが狭くなっている。このため、レベル変動をリードチャネルのＡＧＣアンプの変更で、調整することが、困難となる。
【００１５】
このように、記録密度の向上のため、感度の高いリード素子を利用する場合や、回路の動作周波数を高速にする場合には、リードチャネルのＡＧＣによるレベル調整では、レベル変動の調整に制限がある。
【００１６】
従って、本発明の目的は、ヘッドの出力変動を自動的に調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【００１７】
又、本発明の他の目的は、ヘッド出力レベルのばらつきが大きくても、ヘッドの出力変動を自動的に調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【００１８】
更に、本発明の他の目的は、リードチャネルのＡＧＣ回路の入力ダイナミックレンジが狭くなっても、ヘッドの出力変動を自動的に調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【００１９】
更に、本発明の他の目的は、ヘッドの出力変動を自動的に調整し、高記録密度を実現するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この目的を達成するため、本発明のヘッドＩＣは、ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした。
【００２１】
又、本発明のリード回路は、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした。
【００２２】
又、本発明の媒体記憶装置は、媒体を読み取るヘッドと、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした。
【００２３】
更に、本発明は、好ましくは、前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した。
【００２４】
更に、本発明では、好ましくは、前記ゲインの初期値を格納するメモリと、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定するシーケンス回路とを設けた。
【００２５】
更に、本発明では、好ましくは、前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新する。
【００２６】
更に、本発明では、好ましくは、前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定する。
【００２７】
更に、本発明では、好ましくは、前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けた。
【００２８】
更に、本発明では、好ましくは、前記ＡＧＣ回路は、前記差動増幅器の出力の振幅レベルと基準レベルと差を演算するゲインエラー演算部と、前記差の出力の高周波成分をカットするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタの出力に所定のフィードバックゲインを乗算して、前記差動増幅器のゲインを制御するゲイン乗算器とを有する。
【００２９】
更に、本発明では、好ましくは、ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定する。
【発明の効果】
【００３０】
ヘッドＩＣに、ＡＧＣアンプを設けたので、ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、２つのＡＧＣ回路を同時に動作すると、ＡＧＣの競合により発振状態が生じるおそれがあり、ＡＧＣの引き込みに多大な時間がかかるが、リードチャネル回路のＡＧＣ回路は、比較的早いフィードバック応答速度とし、一方、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路のＡＧＣ回路のフィードバック応答速度より、充分遅く設定しているため、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路は、リードチャネルのＡＧＣ回路の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。更に、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を、媒体記憶装置、リード回路の第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態、第４の実施の形態、第５の実施の形態、第６の実施の形態、第７の実施の形態、第８の実施の形態、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。
【００３２】
（媒体記憶装置）
図１は、本発明の一実施の形態の媒体記憶装置の構成図である。図１は、媒体記憶装置として、磁気ディスク装置を示す。図１に示すように、磁気記憶媒体である磁気ディスク１１７が、スピンドルモータの回転軸１１８に設けられている。スピンドルモータは、磁気ディスク１１７を回転する。アクチュエータ（ＶＣＭ）１１９は、先端に磁気ヘッド１２６を備え、磁気ヘッド１２６を磁気ディスク１１７の半径方向に移動する。
【００３３】
アクチュエータ１１９は、回転軸を中心に回転するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で構成される。磁気ディスク装置に、２枚の磁気ディスク１１７が搭載される場合には、各磁気ディスクの面をリード／ライトする４つの磁気ヘッド１２６が、同一のアクチュエータ１１９で同時に駆動される。
【００３４】
磁気ヘッド１２６は、リード素子と、ライト素子とからなる。例えば、磁気ヘッド１２６は、スライダに、トンネル効果磁気抵抗（ＴｕＭＲ）素子を含むリード素子を積層し、その上にライトコイルを含むライト素子を積層して、構成される。
【００３５】
ヘッドＩＣ１０３は、図１５で示したように、アクチュエータ１１９の側面に設けられ、図２以下で後述するように、ＡＧＣアンプを含むリード系回路と、ライト系回路からなり、リードモードでは、磁気ヘッド１２６のリード素子からの読み取り信号を増幅して、出力し、ライトモードでは、磁気ヘッド１２６のライト素子にライト駆動電流を流す。
【００３６】
リードチャネル１０２は、リード系回路と、ライト系回路とを有し、リード系回路は、ＡＧＣアンプ１０７と、信号復調回路１０６とを備える。マイクロコントローラ（ＭＣＵ）１０４は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１０４ａと、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１０４ｂとを備える。
【００３７】
ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１０４ａは、コマンドの解析を行い、サーボ信号のセクタ番号を基準にして，１周内の位置を判断し，データの記録・再生を制御し、且つリードデータやライトデータを一時格納する。ＭＰＵ１０４ｂは、各部の制御を行う。
【００３８】
サーボ・コンボ回路１０５は、信号復調回路１０６からのサーボ位置信号から現在位置を検出（復調）し、検出した現在位置と目標位置との誤差に従い、アクチュエータ１１９のＶＣＭ駆動指令値を演算する。又、スピンドルモータを駆動する。インターフェイス回路１０１は、ＵＳＢ，ＡＴＡやＳＣＳＩ等のインターフェイスで、ホストと通信する。
【００３９】
磁気ディスク１１７には、外周から内周に渡り、各トラックにサーボ信号（位置信号）が、円周方向に等間隔に配置される。又、各トラックは、複数のセクタで構成され、セクタ毎に、サーボ信号が記録される。サーボ信号は，サーボマークと、トラック番号と、インデックスと、オフセット情報（サーボバースト）ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤとからなる。
【００４０】
この位置信号をヘッド１２６で読み取り、トラック番号とオフセット情報ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤを使い，磁気ヘッドの半径方向の位置を検出する。さらに、インデックス信号Ｉｎｄｅｘを元にして，磁気ヘッドの円周方向の位置を把握する。
【００４１】
このような，位置信号やデータを読み取るため、磁気ヘッド１２６のリード素子の読み取り出力を、ヘッドＩＣ１０３でレベル調整し、且つリードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７で所定レベルに調整する。
【００４２】
（リード回路の第１の実施の形態）
図２は、本発明のリード回路の第１の実施の形態の回路図である。図２において、図１で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３には、ＡＧＣアンプ１０が搭載される。このＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。
【００４３】
ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【００４４】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００４５】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００４６】
一方、リードチャネル回路１０２には、差動増幅器１０７−１と、ＡＧＣ回路１０７−２とからなるＡＧＣアンプ１０７が設けられる。ＡＧＣ回路１０７−２の構成は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４と同一であり、説明を省略する。
【００４７】
このヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００４８】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅くなる。
【００４９】
即ち、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、１セクタ内で、出力レベルを調整する必要があるから、比較的早いフィードバック応答速度（高い周波数で、高いフィードバックゲイン）とする必要がある。一方、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より、充分遅く設定している。例えば、十数セクタ程度の振幅変化のみ追従可能なフィードバック応答速度である。
【００５０】
このリード動作を説明すると、先ず、リード素子１２６−１の両端電圧は、ヘッドＩＣ１０３の差動増幅器１２に入力し、一対の差動増幅信号を出力する。この一対の差動増幅信号は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣアンプ１０７の差動増幅器１０７−１に入力される。
【００５１】
一方、ＡＧＣアンプ１０のＡＧＣ回路１４では、第１、第２のＡ／Ｄコンバータ２０，２１が、それぞれ差動増幅器１２のマイナス側電圧、プラス側の電圧をアナログ・デジタル変換し、第１の演算器２２は、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する。
【００５２】
次に、第２の演算器２６は、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４からの振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算し、ゲイン（増幅率）エラーを出力する。ローパスフィルタ１８は、設定されたカットオフ周波数で、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号を抽出する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。
【００５３】
又、同様に、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２も、差動増幅器１０７−１の一対の差動増幅信号からゲインエラー信号を検出し、ローパスフィルタ、ゲイン乗算器を介し増幅率を決定し、差動増幅器１０７−１のゲインを制御する。
【００５４】
このように、第１に、ヘッドＩＣ１０３に、ＡＧＣアンプ１０を設けたので、ヘッドＩＣ１０３内で、ヘッド１２６−１からの振幅が自動調整され、リードチャネル１０２のＡＧＣアンプ１０７の入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。
【００５５】
第２に、２つのＡＧＣ回路を同時に動作すると、ＡＧＣの競合により発振状態が生じるおそれがあり、ＡＧＣの引き込みに多大な時間がかかる。しかし、本発明では、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、１セクタ内で、出力レベルを調整する制約上、比較的早いフィードバック応答速度（高い周波数で、高いフィードバックゲイン）とし、一方、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より、充分遅く設定している（例えば、十数セクタ程度の振幅変化のみ追従可能なフィードバック応答速度）。
【００５６】
このため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４は、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。即ち、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４は、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２の振幅調整の対象とする早い振幅変化には、ほとんど追従せず、遅い振幅変化に追従する。従って、ＡＧＣ回路を２つ設けても、ＡＧＣ回路間の競合が生じない。これにより、発振状態によるＡＧＣ引き込み時間の長期化を防止できる。
【００５７】
更に、この実施の形態では、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、図１４で説明したように、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【００５８】
（リード回路の第２の実施の形態）
図３は、本発明のリード回路の第２の実施の形態の回路図である。図３において、図１及び図２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００５９】
図３に示すように、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。
【００６０】
ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００６１】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）とゲインの初期値とを格納するメモリ２８と、メモリ２８の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００６２】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００６３】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００６４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００６５】
又、メモリ２８にゲイン初期値を格納している。ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出し、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットした後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【００６６】
即ち、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。又、ヘッドの特性によって、引き込み時間が変化することも防止できる。
【００６７】
（リード回路の第３の実施の形態）
図４は、本発明のリード回路の第３の実施の形態の回路図である。図４において、図１、図２及び図３で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００６８】
図４に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に切り替える。
【００６９】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００７０】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００７１】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００７２】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００７３】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００７４】
又、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＯＭ）２８と、スイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出す。この時、チャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０が操作され、選択されたヘッドのリード素子が、差動増幅器１２に接続され、メモリ２８に読出す初期値のチャネル番号が指示される。
【００７５】
従って、ＡＧＣシーケンサ３２が、メモリ２８の初期値をリードする時に、チャネル選択信号で指示されたチャネル（ヘッド）の初期値が読み出され、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、読出し後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【００７６】
即ち、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【００７７】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、ヘッドの特性により、引き込み時間が変化することを防止できる。
【００７８】
（リード回路の第４の実施の形態）
図５は、本発明のリード回路の第４の実施の形態の回路図である。図５において、図１、図２、図３及び図４で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００７９】
図５に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に切り替える。
【００８０】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００８１】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００８２】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００８３】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００８４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００８５】
又、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＡＭ）２８と、スイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出す。この時、チャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０が操作され、選択されたヘッドのリード素子が、差動増幅器１２に接続され、メモリ２８に読出す初期値のチャネル番号が指示される。
【００８６】
従って、ＡＧＣシーケンサ３２が、メモリ２８の初期値をリードする時に、チャネル選択信号で指示されたチャネル（ヘッド）の初期値が読み出され、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、読出し後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【００８７】
更に、ＡＧＣシーケンサ３２は、モード切替（リードモードからライトモード又はチャネル選択変更）時に、切り替え直前のゲイン乗算器１９からの設定ゲインを、メモリ２８に書込み、対応チャネルの初期値を更新する。
【００８８】
この例でも、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【００８９】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。又、この初期値を切り替え直前の実際の値に更新し、常に最適初期値を格納する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、ヘッドの特性や温度変化により、引き込み時間が変化することを防止できる。
【００９０】
（リード回路の第５の実施の形態）
図６は、本発明のリード回路の第５の実施の形態の回路図である。図６において、図１、図２、図３、図４及び図５で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００９１】
図６に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に切り替える。
【００９２】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００９３】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００９４】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００９５】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００９６】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００９７】
又、ヘッドＩＣ１０３に、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＡＭ）２８と、初期値検出回路３４、スイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。
【００９８】
更に、図１のＭＣＵ１０４に設けられたヘッド抵抗測定回路４２は、工場出荷時に、各リード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎに電流を流し、両端電圧を測定して、各リード素子の抵抗値を測定する。この測定抵抗値に従い、各リード素子に流すバイアス電流値を決定し、ＭＣＵ１０４にセットする。
【００９９】
先ず、工場出荷時に、ヘッド抵抗測定回路４２が、前述のように、各リード素子の抵抗値を測定する。ＡＧＣアンプ１０又はＭＣＵ１０４に設けられた初期値検出回路３４は、このヘッド抵抗値測定回路４２の測定抵抗値から出力レベルを推定し、推定した出力レベルから各ヘッドのゲイン初期値を検出（計算）する。そして、この計算したゲイン初期値を前述のメモリ２８に書き込む。
【０１００】
ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出す。この時、チャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０が操作され、選択されたヘッドのリード素子が、差動増幅器１２に接続され、メモリ２８に読出す初期値のチャネル番号が指示される。
【０１０１】
従って、ＡＧＣシーケンサ３２が、メモリ２８の初期値をリードする時に、チャネル選択信号で指示されたチャネル（ヘッド）の初期値が読み出され、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、読出し後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【０１０２】
この例でも、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【０１０３】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。又、この初期値を切り替え直前の実際の値に更新し、常に最適初期値を格納する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、各ヘッドのゲイン初期値の設定も、既存のバイアス電流設定のための抵抗値測定結果を利用できるため、容易である。
【０１０４】
（リード回路の第６の実施の形態）
図７は、本発明のリード回路の第６の実施の形態の回路図、図８は、図７の構成の動作フロー図である。図７において、図１、図２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【０１０５】
図７に示すように、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４と、引き込み制御回路３８とからなる。
【０１０６】
ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、引き込み終了検出回路３６とを有する。
【０１０７】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１０８】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１０９】
この実施の形態の動作を、図８を参照して、説明する。
【０１１０】
（Ｓ１０）リードモードの起動時に、引き込み制御回路３８は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数を高いｆｈに、ゲイン乗算器１９のゲインＫを大きいＫｈにセットし、リードチャネル１０２に起動時引き込みモード（ＦＩＸ）を通知する。従って、ＡＧＣ回路１４は、フィードバック応答速度が速くなり、ＡＧＣ引き込み時間が高速となる。この時、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、引き込みモード指示に応じて、差動増幅器のゲインを固定とするため、ＡＧＣの競合を防止できる。
【０１１１】
（Ｓ１２）引き込み終了検出回路３６は、第２の演算器２６からのゲインエラー信号が、収束したかを判定する。検出回路３６は、ゲインエラー信号が収束したと判定すると、引き込み終了を、引き込み制御回路３８に通知する。
【０１１２】
（Ｓ１４）引き込み制御回路３８は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数を低いｆｌに、ゲイン乗算器１９のゲインＫを小さいＫｌにセットし、リードチャネル１０２に起動モード終了を通知する。これにより、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、差動増幅器のゲインの自動制御を開始する。
【０１１３】
従って、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定され、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定される。
【０１１４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【０１１５】
即ち、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、起動時に、フィードバック応答速度を速く設定し、リードチャネル側のゲインを固定にする。そして、ＡＧＣ回路１４の引き込み終了により、フィードバック応答速度（引き込み速度）を遅くする。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。又、ヘッドの特性によって、引き込み時間が変化することも防止できる。
【０１１６】
（リード回路の第７の実施の形態）
図９は、本発明のリード回路の第７の実施の形態の回路図、図１０は、図９の構成の初期値の測定、設定フロー図、図１１は、図９の構成のＡＧＣゲイン調整処理フロー図である。図９において、図１、図２、図３、図４及び図５で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０とメモリ２８のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【０１１７】
図９に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に従って切り替える。
【０１１８】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【０１１９】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１２０】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１２１】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【０１２２】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【０１２３】
又、図１のＭＣＵ１０４に、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＡＭ）２８を設ける。一方、ヘッドＩＣ１０３には、スイッチ３０と、ラッチ回路５０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモード以外からリードモード、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、メモリ２８から、チャネル選択信号（ヘッド選択信号）で指定したゲイン初期値を読み出す。そして、ＭＰＵ１０４ｂは、読み出したゲイン初期値を、ヘッドＩＣ１０３のラッチ回路５０にセットする。
【０１２４】
ＡＧＣシーケンサ３２は、ＭＰＵ１０４ｂからのチャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０を操作し、選択されたヘッドのリード素子を、差動増幅器１２に接続する。
【０１２５】
従って、ラッチ回路５０にセットされたゲイン初期値が、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、前記ゲイン初期値が、作動増幅器１２にセットされた後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【０１２６】
更に、スイッチ３０を介してゲイン乗算器１９から差動増幅器１２に与えられるゲインは、ラッチ回路５０でラッチされる。ＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモードからリードモード以外、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、ラッチ回路５０にラッチされたゲイン乗算器１９からの設定ゲインを、読み出して、メモリ２８に書込み、対応チャネルのゲイン初期値を更新する。
【０１２７】
工場から出荷前のゲイン測定、格納処理を、図１０で説明する。
【０１２８】
（Ｓ２０）ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、ヘッド選択信号とリードモードを発行する。但し、ＭＰＵ１０４ｂは、ゲイン初期値が不明であるため、ヘッドＩＣ１０３のラッチ回路５０にゲイン初期値をセットしない。ＡＧＣシーケンサ３２は、ＭＰＵ１０４ｂからのチャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０を操作し、選択されたヘッドのリード素子を、差動増幅器１２に接続し、且つスイッチ３０をゲイン乗算器１９側に接続する。
【０１２９】
（Ｓ２２）ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣアンプ１０のＡＧＣシーケンサ３２に、自動引き込みモード（短時間のフィードバック）を指示する。この時、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７は、ゲインを固定する。これにより、ＡＧＣ回路１４が、引き込み動作を行う。
【０１３０】
（Ｓ２４）ＡＧＣシーケンサ３２は、所定時間経過すると、ゲイン引き込み完了と判定する。この時、引き込んだゲイン値は、ラッチ回路５０にラッチされている。
【０１３１】
（Ｓ２６）ＭＰＵ１０４ｂは、ラッチ回路５０にラッチされたゲイン値を読出し、メモリ２８のヘッド選択信号に対応した領域に格納する。この時、メモリ２８が、不揮発性メモリでない場合には、読み出したゲイン値を、ディスク１１７のシステムエリアのヘッド選択信号に対応した領域に、制御情報として、書き込む。一方、メモリ２８が、不揮発性メモリである場合には、ディスクへの書込みは、必要ない。そして、全チャネルのゲイン初期値の調整が、完了したかを判定する。完了していない場合には、ステップＳ２２に戻り、ゲイン初期値の調整が完了していないヘッドを選択する。逆に、完了していれば、調整処理を終了する。
【０１３２】
次に、工場出荷後のＡＧＣ動作を、図１１で説明する。
【０１３３】
（Ｓ３０）パワーオンに応じて、ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモード以外からリードモード、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、メモリ２８から、チャネル選択信号（ヘッド選択信号）で指定したゲイン初期値を読み出す。そして、ＭＰＵ１０４ｂは、読み出したゲイン初期値を、ヘッドＩＣ１０３のラッチ回路５０にセットする。尚、ディスク媒体１１７のシステムエリアにゲイン初期値を格納した場合には、パワーオン時のみ、ディスク媒体１１７のシステムエリアから全てのヘッドのゲイン初期値を読み出して、メモリ２８に格納する。そして、メモリ２８からチャネル選択信号（ヘッド選択信号）で指定したゲイン初期値を読み出し、ラッチ回路５０にセットする。
【０１３４】
（Ｓ３２）ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣアンプ１０のＡＧＣシーケンサ３２に、自動引き込みモード（短時間のフィードバック）を指示する。この時、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７は、ゲインを固定する。これにより、ＡＧＣ回路１４が、引き込み動作を行う。
【０１３５】
即ち、ＡＧＣシーケンサ３２は、ＭＰＵ１０４ｂからのチャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０を操作し、選択されたヘッドのリード素子を、差動増幅器１２に接続する。従って、ラッチ回路５０にセットされたゲイン初期値が、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、ゲイン初期値が差動増幅器にセットされた後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。更に、スイッチ３０を介してゲイン乗算器１９から差動増幅器１２に与えられるゲインは、ラッチ回路５０でラッチされる。
【０１３６】
（Ｓ３４）ＡＧＣシーケンサ３２は、所定時間経過すると、ゲイン引き込み完了と判定する。この時、引き込んだゲイン値は、ラッチ回路５０にラッチされている。ＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣシーケンサ３２に、遅いフィードバックモードを指示し、リードチャネル１０２のＡＧＣ１０７を、ゲイン自動モードに切り替える。これにより、前述したように、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１０は、低追従速度で、フィードバックを行う。一方、リードチャネル１０２のＡＧＣ１０７は、早い追従速度でフィードバックを行う。このため、ヘッドからのリード信号の振幅が一定となる。
【０１３７】
（Ｓ３６）ＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモードからリードモード以外、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、ラッチ回路５０にラッチされたゲイン乗算器１９からの設定ゲインを、読み出して、メモリ２８に書込み、対応チャネルのゲイン初期値を更新する。そして、ステップＳ３０〜Ｓ３４の動作を繰り返す。
【０１３８】
（Ｓ３８）ＭＰＵ１０４ｂは、電源オフの命令を受けると、ディスク媒体１１７のシステムエリアにゲイン初期値を格納する場合には、メモリ２８の全チャネルのゲイン初期値を、ディスク１１７のシステムエリアに書き込む。又、メモリ２８が、不揮発性メモリである時は、この書込み動作は必要ない。そして、電源オフとなる。
【０１３９】
この例でも、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に、ゲイン初期値を設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【０１４０】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２にゲイン初期値を設定する。又、このゲイン初期値を切り替え直前の実際の値に更新し、常に最適なゲイン初期値を格納する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、ヘッドの特性や温度変化により、引き込み時間が変化することを防止できる。
【０１４１】
更に、初期値格納メモリを、ヘッドＩＣ１０３に設ける必要がないため、ヘッドＩＣ１０３のチップ面積を小さくできる。
【０１４２】
（リード回路の第８の実施の形態）
図１２は、本発明のヘッドＩＣの第８の実施の形態のブロック図であり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１０のみを示している。図中、図２乃至図７で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。
【０１４３】
この実施の形態は、図２の構成において、Ａ／Ｄコンバータを、１つに削減したものである。即ち、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【０１４４】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧とプラス側電圧との差をとる差動信号変換回路（差動アンプ）２５と、差動信号変換回路２５の出力をアナログ・デジタル変換する第３のＡ／Ｄコンバータ２７と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値からＡ／Ｄコンバータ２７の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１４５】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１４６】
この例では、Ａ／Ｄコンバータを１つに削減でき、ヘッドＩＣの回路規模を小さくでき、チップ面積の減少に有効である。この１つのＡ／Ｄコンバータを持つＡＧＣ回路は、図２の実施の形態のみならず、図３〜図７、図９の実施の形態にも適用できる。
【０１４７】
尚、このヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【０１４８】
図１３は、本発明の第９の実施の形態のリード回路のブロック図である。図１３において、図２乃至図７で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。この例は、ＡＧＣ回路をフィードフォワード形としたものである。
【０１４９】
即ち、図２と同様に、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【０１５０】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２の入力側のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２の入力側のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１５１】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１５２】
一方、リードチャネル回路１０２には、差動増幅器１０７−１と、ＡＧＣ回路１０７−２とからなるＡＧＣアンプ１０７が設けられる。ＡＧＣ回路１０７−２の構成は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４と同一であり、説明を省略する。
【０１５３】
このヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【０１５４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅くなる。
【０１５５】
又、差動増幅器１２の入力側の電圧をモニターし、差動増幅器１２のゲインを自動制御するフィードフォワード形ＡＧＣで構成しているため、モニターする信号が、後段の回路（ここでは、リードチャネル１０２）の信号の影響を受けない。このため、モニター振幅は小さいが、ノイズの影響を受けないで、ＡＧＣ制御できる。
【０１５６】
このフィードフォワード形ＡＧＣ回路は、図２の実施の形態のみならず、図３〜図７、図９、図１２の実施の形態にも適用できる。
【０１５７】
（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、ＡＧＣ回路を、図２等の構成で説明したが、アナログ形式のＡＧＣ回路や、ピークホールド回路や積分回路を持つＡＧＣ回路等の他のＡＧＣ回路を適用できる。又、磁気ディスク装置のヘッドのリード回路の例で説明したが、他の媒体記憶装置のリード回路にも適用できる。
【０１５８】
以上、本発明を、実施の形態で説明したが、本発明は、その趣旨の範囲内で種々の変形が可能であり、これを本発明の範囲から排除するものではない。
【０１５９】
（付記１）ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプに入力することを特徴とするヘッドＩＣ。
【０１６０】
（付記２）前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定したことを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１６１】
（付記３）前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に、メモリに格納したゲインの初期値を設定するシーケンス回路を設けたことを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１６２】
（付記４）前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新することを特徴とする付記３のヘッドＩＣ。
【０１６３】
（付記５）前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定することを特徴とする付記２のヘッドＩＣ。
【０１６４】
（付記６）前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けたことを特徴とする付記３のヘッドＩＣ。
【０１６５】
（付記７）前記ＡＧＣ回路は、前記差動増幅器の入力又は出力の振幅レベルと基準レベルと差を演算するゲインエラー演算部と、前記差の出力の高周波成分をカットするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタの出力に所定のフィードバックゲインを乗算して、前記差動増幅器のゲインを制御するゲイン乗算器とを有することを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１６６】
（付記８）ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定することを特徴とする付記３のヘッドＩＣ。
【０１６７】
（付記９）ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するリード回路において、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプに入力することを特徴とするリード回路。
【０１６８】
（付記１０）前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定したことを特徴とする付記９のリード回路。
【０１６９】
（付記１１）前記ゲインの初期値を格納するメモリを設け、前記ヘッドＩＣは、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定するシーケンス回路を有することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７０】
（付記１２）前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新することを特徴とする付記１１のリード回路。
【０１７１】
（付記１３）前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７２】
（付記１４）前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けたことを特徴とする付記１０のリード回路。
【０１７３】
（付記１５）前記ヘッドＩＣの前記ＡＧＣ回路は、前記差動増幅器の入力又は出力の振幅レベルと基準レベルと差を演算するゲインエラー演算部と、前記差の出力の高周波成分をカットするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタの出力に所定のフィードバックゲインを乗算して、前記差動増幅器のゲインを制御するゲイン乗算器とを有することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７４】
（付記１６）ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７５】
（付記１７）媒体を読み取るヘッドと、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力としたことを特徴とする媒体記憶装置。
【０１７６】
（付記１８）前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定したことを特徴とする付記１７の媒体記憶装置。
【０１７７】
（付記１９）前記ゲインの初期値を格納するメモリを設け、前記ヘッドＩＣは、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定するシーケンス回路を有することを特徴とする付記１７の媒体記憶装置。
【０１７８】
（付記２０）前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新することを特徴とする付記１９の媒体記憶装置。
【０１７９】
（付記２１）前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定することを特徴とする付記１８の媒体記憶装置。
【０１８０】
（付記２２）前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けたことを特徴とする付記１７の媒体記憶装置。
【０１８１】
（付記２３）ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定することを特徴とする付記１９の媒体記憶装置。
【産業上の利用可能性】
【０１８２】
ヘッドＩＣに、ＡＧＣアンプを設けたので、ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、２つのＡＧＣ回路を同時に動作すると、ＡＧＣの競合により発振状態が生じるおそれがあり、ＡＧＣの引き込みに多大な時間がかかるが、リードチャネル回路のＡＧＣ回路は、比較的早いフィードバック応答速度とし、一方、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路のＡＧＣ回路のフィードバック応答速度より、充分遅く設定しているため、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路は、リードチャネルのＡＧＣ回路の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。更に、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１８３】
【図１】本発明の媒体記憶装置の一実施形態の構成図である。
【図２】本発明のリード回路の第１の実施の形態の回路図である。
【図３】本発明のリード回路の第２の実施の形態の回路図である。
【図４】本発明のリード回路の第３の実施の形態の回路図である。
【図５】本発明のリード回路の第４の実施の形態の回路図である。
【図６】本発明のリード回路の第５の実施の形態の回路図である。
【図７】本発明のリード回路の第６の実施の形態の回路図である。
【図８】図７のＡＧＣ制御シーケンスの説明図である。
【図９】本発明のリード回路の第７の実施の形態の回路図である。
【図１０】図９のＡＧＣ制御の初期ゲイン測定処理フロー図である。
【図１１】図９のＡＧＣ制御処理フロー図である。
【図１２】本発明のリード回路の第８の実施の形態の回路図である。
【図１３】本発明のリード回路の第９の実施の形態の回路図である。
【図１４】従来の媒体記憶装置の説明図である。
【図１５】従来のリード回路の説明図である。
【符号の説明】
【０１８４】
１０ ＡＧＣアンプ
１２ 差動増幅器
１４ ＡＧＣ回路
１６ ゲインエラー検出回路
１８ フィードバック制御器
１９ ゲイン乗算器
１０２ リードチャネル
１０３ ヘッドＩＣ
１０７ ＡＧＣアンプ
１２６−１ リード素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドの読み取り信号の出力レベルを調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置に関し、特に、出力レベルが異なるヘッドの読み取り信号を所定のレベルに調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
媒体記憶装置、例えば、磁気ディスク装置においては、ヘッドが媒体からデータを読み出す。近年のトラック密度の増加に伴い、媒体の磁束の検出感度が高いヘッドが提供されており、ＭＲ（Magnetic Resistance）素子をリードヘッドに使用されている。一方、更なる検出感度の高い素子として、トンネル効果を利用したＴｕＭＲ（又はＴＭＲ）素子の適用が検討されている。
【０００３】
このようなリード素子の出力レベルは一定でなく、且つ温度変動による素子の特性変化や浮上量の変動により、出力レベルは変化する。このため、データを復調する前に、リード素子の出力レベルを調整する回路が必要となる。
【０００４】
図１４は、従来の媒体記憶装置の構成図、図１５は、従来のリード回路のブロック図である。図１４に示すように、媒体（磁気ディスク）２１０のデータを読み取る磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂは、アクチュエータ２００の先端に設けられる。
【０００５】
アクチュエータ２００は、回転軸２０４を中心に回転し、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂを磁気ディスク２１０の所望のトラックに位置つける。磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂは、アクチュエータ２００に設けられたヘッドＩＣ２２０に接続され、ヘッドＩＣ２２０は、アクチュエータ２００の外の制御回路２３０に接続される。
【０００６】
磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂから制御回路２３０までの距離が長いため、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂから又はへの信号レベルが変化したり、ノイズが混入する。これを防止するため、磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂと制御回路２３０との間に、ヘッドＩＣ２２０を設け、信号レベルの調整を行うものである。このヘッドＩＣ２２０は、磁気ヘッドと制御回路との間の多数の信号線を纏め、配線を容易にする目的もある。例えば、制御回路２３０とヘッドＩＣ２２０間は、シリアルインターフェースで接続し、ヘッドＩＣ２２０と各磁気ヘッド２０２ａ，２０２ｂ間は、個別の信号線で接続する。
【０００７】
図１５は、図１４のリード系回路の詳細図であり、磁気ヘッド２０２ａ（又は２０２ｂ）のリード素子２０２−１に接続するヘッドＩＣ２２０には、可変ゲインアンプ（プリアンプ）２２０−１が設けられており、設定されたゲインで、リード素子２０２の出力を増幅する。尚、可変ゲインアンプ２２０−１は、ヘッド毎のゲインを設定される。
【０００８】
一方、ヘッドＩＣ２２０に接続される制御回路２３０には、リードチャネル２３０−１が設けられ、リードチャネル２３０−１に設けられたＡＧＣ（Automatic Gain Control）アンプ２３０−２が、ヘッドＩＣ２２０の可変ゲインアンプ２２０−１の出力を受ける。
【０００９】
ＡＧＣアンプ２３０−２は、差動増幅器２３０−３と、ＡＧＣ回路２３０−４で構成される。ＡＧＣ回路２３０−４は、差動増幅器２３０−３の出力値と基準の出力値とを比較して、比較結果をフィードバックして、差動増幅器２３０−３のゲインを調整し、差動増幅器２３０−３の出力レベルを基準レベルに調整する（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このＡＧＣ回路２３０−４は、磁気ディスク２１０のトラックの１セクター内の変化を追従するような高速のフィードバック係数（周波数、ゲイン変更量）を設定し、１セクター内の信号レベルを均一化する。
【特許文献１】特開平１０−０２１６４７号公報（図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来技術では、このような素子自体の特性や浮上量変動等の環境条件の変動による出力レベルの変動は、リードチャネルのＡＧＣアンプにより、調整していた。
【００１２】
しかしながら、近年の記録密度の向上により、リード素子も、より検出感度の高いＴｕＭＲ素子の利用が望まれている。この検出感度の高いリード素子は、検出感度が、ＭＲ素子の１０倍程度とされているが、信号出力レベルのばらつきは、これに応じて大きい。又、検出感度が高いため、温度変動や浮上量の変動による信号レベルの変動も大きい。
【００１３】
このような大きな信号レベルの変動があると、リードチャネルのＡＧＣアンプで調整するのが困難となるおそれがある。
【００１４】
又、記録密度の向上により、回路周波数が高くなり、リードチャネルのＡＧＣアンプも高速化が要求され、ＡＧＣの入力ダイナミックレンジが狭くなっている。このため、レベル変動をリードチャネルのＡＧＣアンプの変更で、調整することが、困難となる。
【００１５】
このように、記録密度の向上のため、感度の高いリード素子を利用する場合や、回路の動作周波数を高速にする場合には、リードチャネルのＡＧＣによるレベル調整では、レベル変動の調整に制限がある。
【００１６】
従って、本発明の目的は、ヘッドの出力変動を自動的に調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【００１７】
又、本発明の他の目的は、ヘッド出力レベルのばらつきが大きくても、ヘッドの出力変動を自動的に調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【００１８】
更に、本発明の他の目的は、リードチャネルのＡＧＣ回路の入力ダイナミックレンジが狭くなっても、ヘッドの出力変動を自動的に調整するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【００１９】
更に、本発明の他の目的は、ヘッドの出力変動を自動的に調整し、高記録密度を実現するヘッドＩＣ、リード回路及び媒体記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この目的を達成するため、本発明のヘッドＩＣは、ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした。
【００２１】
又、本発明のリード回路は、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした。
【００２２】
又、本発明の媒体記憶装置は、媒体を読み取るヘッドと、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした。
【００２３】
更に、本発明は、好ましくは、前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した。
【００２４】
更に、本発明では、好ましくは、前記ゲインの初期値を格納するメモリと、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定するシーケンス回路とを設けた。
【００２５】
更に、本発明では、好ましくは、前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新する。
【００２６】
更に、本発明では、好ましくは、前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定する。
【００２７】
更に、本発明では、好ましくは、前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けた。
【００２８】
更に、本発明では、好ましくは、前記ＡＧＣ回路は、前記差動増幅器の出力の振幅レベルと基準レベルと差を演算するゲインエラー演算部と、前記差の出力の高周波成分をカットするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタの出力に所定のフィードバックゲインを乗算して、前記差動増幅器のゲインを制御するゲイン乗算器とを有する。
【００２９】
更に、本発明では、好ましくは、ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定する。
【発明の効果】
【００３０】
ヘッドＩＣに、ＡＧＣアンプを設けたので、ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、２つのＡＧＣ回路を同時に動作すると、ＡＧＣの競合により発振状態が生じるおそれがあり、ＡＧＣの引き込みに多大な時間がかかるが、リードチャネル回路のＡＧＣ回路は、比較的早いフィードバック応答速度とし、一方、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路のＡＧＣ回路のフィードバック応答速度より、充分遅く設定しているため、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路は、リードチャネルのＡＧＣ回路の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。更に、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を、媒体記憶装置、リード回路の第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態、第４の実施の形態、第５の実施の形態、第６の実施の形態、第７の実施の形態、第８の実施の形態、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。
【００３２】
（媒体記憶装置）
図１は、本発明の一実施の形態の媒体記憶装置の構成図である。図１は、媒体記憶装置として、磁気ディスク装置を示す。図１に示すように、磁気記憶媒体である磁気ディスク１１７が、スピンドルモータの回転軸１１８に設けられている。スピンドルモータは、磁気ディスク１１７を回転する。アクチュエータ（ＶＣＭ）１１９は、先端に磁気ヘッド１２６を備え、磁気ヘッド１２６を磁気ディスク１１７の半径方向に移動する。
【００３３】
アクチュエータ１１９は、回転軸を中心に回転するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で構成される。磁気ディスク装置に、２枚の磁気ディスク１１７が搭載される場合には、各磁気ディスクの面をリード／ライトする４つの磁気ヘッド１２６が、同一のアクチュエータ１１９で同時に駆動される。
【００３４】
磁気ヘッド１２６は、リード素子と、ライト素子とからなる。例えば、磁気ヘッド１２６は、スライダに、トンネル効果磁気抵抗（ＴｕＭＲ）素子を含むリード素子を積層し、その上にライトコイルを含むライト素子を積層して、構成される。
【００３５】
ヘッドＩＣ１０３は、図１５で示したように、アクチュエータ１１９の側面に設けられ、図２以下で後述するように、ＡＧＣアンプを含むリード系回路と、ライト系回路からなり、リードモードでは、磁気ヘッド１２６のリード素子からの読み取り信号を増幅して、出力し、ライトモードでは、磁気ヘッド１２６のライト素子にライト駆動電流を流す。
【００３６】
リードチャネル１０２は、リード系回路と、ライト系回路とを有し、リード系回路は、ＡＧＣアンプ１０７と、信号復調回路１０６とを備える。マイクロコントローラ（ＭＣＵ）１０４は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１０４ａと、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１０４ｂとを備える。
【００３７】
ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１０４ａは、コマンドの解析を行い、サーボ信号のセクタ番号を基準にして，１周内の位置を判断し，データの記録・再生を制御し、且つリードデータやライトデータを一時格納する。ＭＰＵ１０４ｂは、各部の制御を行う。
【００３８】
サーボ・コンボ回路１０５は、信号復調回路１０６からのサーボ位置信号から現在位置を検出（復調）し、検出した現在位置と目標位置との誤差に従い、アクチュエータ１１９のＶＣＭ駆動指令値を演算する。又、スピンドルモータを駆動する。インターフェイス回路１０１は、ＵＳＢ，ＡＴＡやＳＣＳＩ等のインターフェイスで、ホストと通信する。
【００３９】
磁気ディスク１１７には、外周から内周に渡り、各トラックにサーボ信号（位置信号）が、円周方向に等間隔に配置される。又、各トラックは、複数のセクタで構成され、セクタ毎に、サーボ信号が記録される。サーボ信号は，サーボマークと、トラック番号と、インデックスと、オフセット情報（サーボバースト）ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤとからなる。
【００４０】
この位置信号をヘッド１２６で読み取り、トラック番号とオフセット情報ＰｏｓＡ，ＰｏｓＢ，ＰｏｓＣ，ＰｏｓＤを使い，磁気ヘッドの半径方向の位置を検出する。さらに、インデックス信号Ｉｎｄｅｘを元にして，磁気ヘッドの円周方向の位置を把握する。
【００４１】
このような，位置信号やデータを読み取るため、磁気ヘッド１２６のリード素子の読み取り出力を、ヘッドＩＣ１０３でレベル調整し、且つリードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７で所定レベルに調整する。
【００４２】
（リード回路の第１の実施の形態）
図２は、本発明のリード回路の第１の実施の形態の回路図である。図２において、図１で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３には、ＡＧＣアンプ１０が搭載される。このＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。
【００４３】
ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【００４４】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００４５】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００４６】
一方、リードチャネル回路１０２には、差動増幅器１０７−１と、ＡＧＣ回路１０７−２とからなるＡＧＣアンプ１０７が設けられる。ＡＧＣ回路１０７−２の構成は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４と同一であり、説明を省略する。
【００４７】
このヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００４８】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅くなる。
【００４９】
即ち、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、１セクタ内で、出力レベルを調整する必要があるから、比較的早いフィードバック応答速度（高い周波数で、高いフィードバックゲイン）とする必要がある。一方、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より、充分遅く設定している。例えば、十数セクタ程度の振幅変化のみ追従可能なフィードバック応答速度である。
【００５０】
このリード動作を説明すると、先ず、リード素子１２６−１の両端電圧は、ヘッドＩＣ１０３の差動増幅器１２に入力し、一対の差動増幅信号を出力する。この一対の差動増幅信号は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣアンプ１０７の差動増幅器１０７−１に入力される。
【００５１】
一方、ＡＧＣアンプ１０のＡＧＣ回路１４では、第１、第２のＡ／Ｄコンバータ２０，２１が、それぞれ差動増幅器１２のマイナス側電圧、プラス側の電圧をアナログ・デジタル変換し、第１の演算器２２は、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する。
【００５２】
次に、第２の演算器２６は、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４からの振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算し、ゲイン（増幅率）エラーを出力する。ローパスフィルタ１８は、設定されたカットオフ周波数で、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号を抽出する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。
【００５３】
又、同様に、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２も、差動増幅器１０７−１の一対の差動増幅信号からゲインエラー信号を検出し、ローパスフィルタ、ゲイン乗算器を介し増幅率を決定し、差動増幅器１０７−１のゲインを制御する。
【００５４】
このように、第１に、ヘッドＩＣ１０３に、ＡＧＣアンプ１０を設けたので、ヘッドＩＣ１０３内で、ヘッド１２６−１からの振幅が自動調整され、リードチャネル１０２のＡＧＣアンプ１０７の入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。
【００５５】
第２に、２つのＡＧＣ回路を同時に動作すると、ＡＧＣの競合により発振状態が生じるおそれがあり、ＡＧＣの引き込みに多大な時間がかかる。しかし、本発明では、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、１セクタ内で、出力レベルを調整する制約上、比較的早いフィードバック応答速度（高い周波数で、高いフィードバックゲイン）とし、一方、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より、充分遅く設定している（例えば、十数セクタ程度の振幅変化のみ追従可能なフィードバック応答速度）。
【００５６】
このため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４は、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。即ち、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４は、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２の振幅調整の対象とする早い振幅変化には、ほとんど追従せず、遅い振幅変化に追従する。従って、ＡＧＣ回路を２つ設けても、ＡＧＣ回路間の競合が生じない。これにより、発振状態によるＡＧＣ引き込み時間の長期化を防止できる。
【００５７】
更に、この実施の形態では、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、図１４で説明したように、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【００５８】
（リード回路の第２の実施の形態）
図３は、本発明のリード回路の第２の実施の形態の回路図である。図３において、図１及び図２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００５９】
図３に示すように、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。
【００６０】
ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００６１】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）とゲインの初期値とを格納するメモリ２８と、メモリ２８の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００６２】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００６３】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００６４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００６５】
又、メモリ２８にゲイン初期値を格納している。ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出し、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットした後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【００６６】
即ち、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。又、ヘッドの特性によって、引き込み時間が変化することも防止できる。
【００６７】
（リード回路の第３の実施の形態）
図４は、本発明のリード回路の第３の実施の形態の回路図である。図４において、図１、図２及び図３で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００６８】
図４に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に切り替える。
【００６９】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００７０】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００７１】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００７２】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００７３】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００７４】
又、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＯＭ）２８と、スイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出す。この時、チャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０が操作され、選択されたヘッドのリード素子が、差動増幅器１２に接続され、メモリ２８に読出す初期値のチャネル番号が指示される。
【００７５】
従って、ＡＧＣシーケンサ３２が、メモリ２８の初期値をリードする時に、チャネル選択信号で指示されたチャネル（ヘッド）の初期値が読み出され、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、読出し後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【００７６】
即ち、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【００７７】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、ヘッドの特性により、引き込み時間が変化することを防止できる。
【００７８】
（リード回路の第４の実施の形態）
図５は、本発明のリード回路の第４の実施の形態の回路図である。図５において、図１、図２、図３及び図４で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００７９】
図５に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に切り替える。
【００８０】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００８１】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００８２】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００８３】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００８４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００８５】
又、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＡＭ）２８と、スイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出す。この時、チャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０が操作され、選択されたヘッドのリード素子が、差動増幅器１２に接続され、メモリ２８に読出す初期値のチャネル番号が指示される。
【００８６】
従って、ＡＧＣシーケンサ３２が、メモリ２８の初期値をリードする時に、チャネル選択信号で指示されたチャネル（ヘッド）の初期値が読み出され、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、読出し後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【００８７】
更に、ＡＧＣシーケンサ３２は、モード切替（リードモードからライトモード又はチャネル選択変更）時に、切り替え直前のゲイン乗算器１９からの設定ゲインを、メモリ２８に書込み、対応チャネルの初期値を更新する。
【００８８】
この例でも、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【００８９】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。又、この初期値を切り替え直前の実際の値に更新し、常に最適初期値を格納する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、ヘッドの特性や温度変化により、引き込み時間が変化することを防止できる。
【００９０】
（リード回路の第５の実施の形態）
図６は、本発明のリード回路の第５の実施の形態の回路図である。図６において、図１、図２、図３、図４及び図５で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【００９１】
図６に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に切り替える。
【００９２】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【００９３】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【００９４】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【００９５】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【００９６】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【００９７】
又、ヘッドＩＣ１０３に、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＡＭ）２８と、初期値検出回路３４、スイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。
【００９８】
更に、図１のＭＣＵ１０４に設けられたヘッド抵抗測定回路４２は、工場出荷時に、各リード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎに電流を流し、両端電圧を測定して、各リード素子の抵抗値を測定する。この測定抵抗値に従い、各リード素子に流すバイアス電流値を決定し、ＭＣＵ１０４にセットする。
【００９９】
先ず、工場出荷時に、ヘッド抵抗測定回路４２が、前述のように、各リード素子の抵抗値を測定する。ＡＧＣアンプ１０又はＭＣＵ１０４に設けられた初期値検出回路３４は、このヘッド抵抗値測定回路４２の測定抵抗値から出力レベルを推定し、推定した出力レベルから各ヘッドのゲイン初期値を検出（計算）する。そして、この計算したゲイン初期値を前述のメモリ２８に書き込む。
【０１００】
ＡＧＣシーケンサ３２は、リード／ライトモード指示信号により、リードモード指示を受けると、メモリ２８のゲイン初期値を読み出す。この時、チャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０が操作され、選択されたヘッドのリード素子が、差動増幅器１２に接続され、メモリ２８に読出す初期値のチャネル番号が指示される。
【０１０１】
従って、ＡＧＣシーケンサ３２が、メモリ２８の初期値をリードする時に、チャネル選択信号で指示されたチャネル（ヘッド）の初期値が読み出され、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、読出し後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【０１０２】
この例でも、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【０１０３】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に初期設定する。又、この初期値を切り替え直前の実際の値に更新し、常に最適初期値を格納する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、各ヘッドのゲイン初期値の設定も、既存のバイアス電流設定のための抵抗値測定結果を利用できるため、容易である。
【０１０４】
（リード回路の第６の実施の形態）
図７は、本発明のリード回路の第６の実施の形態の回路図、図８は、図７の構成の動作フロー図である。図７において、図１、図２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【０１０５】
図７に示すように、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４と、引き込み制御回路３８とからなる。
【０１０６】
ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、引き込み終了検出回路３６とを有する。
【０１０７】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１０８】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１０９】
この実施の形態の動作を、図８を参照して、説明する。
【０１１０】
（Ｓ１０）リードモードの起動時に、引き込み制御回路３８は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数を高いｆｈに、ゲイン乗算器１９のゲインＫを大きいＫｈにセットし、リードチャネル１０２に起動時引き込みモード（ＦＩＸ）を通知する。従って、ＡＧＣ回路１４は、フィードバック応答速度が速くなり、ＡＧＣ引き込み時間が高速となる。この時、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、引き込みモード指示に応じて、差動増幅器のゲインを固定とするため、ＡＧＣの競合を防止できる。
【０１１１】
（Ｓ１２）引き込み終了検出回路３６は、第２の演算器２６からのゲインエラー信号が、収束したかを判定する。検出回路３６は、ゲインエラー信号が収束したと判定すると、引き込み終了を、引き込み制御回路３８に通知する。
【０１１２】
（Ｓ１４）引き込み制御回路３８は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数を低いｆｌに、ゲイン乗算器１９のゲインＫを小さいＫｌにセットし、リードチャネル１０２に起動モード終了を通知する。これにより、リードチャネル１０２のＡＧＣ回路１０７−２は、差動増幅器のゲインの自動制御を開始する。
【０１１３】
従って、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定され、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定される。
【０１１４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【０１１５】
即ち、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、起動時に、フィードバック応答速度を速く設定し、リードチャネル側のゲインを固定にする。そして、ＡＧＣ回路１４の引き込み終了により、フィードバック応答速度（引き込み速度）を遅くする。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。又、ヘッドの特性によって、引き込み時間が変化することも防止できる。
【０１１６】
（リード回路の第７の実施の形態）
図９は、本発明のリード回路の第７の実施の形態の回路図、図１０は、図９の構成の初期値の測定、設定フロー図、図１１は、図９の構成のＡＧＣゲイン調整処理フロー図である。図９において、図１、図２、図３、図４及び図５で示したものと同一のものは、同一の記号で示してあり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣアンプ１０とヘッド切り替え回路４０とメモリ２８のみを図示し、リードチャネル１０２を省略している。尚、リードチャネル１０２の構成は、図２と同一である。
【０１１７】
図９に示すように、１つのＡＧＣアンプ１０は、複数のリード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１ａ〜１２６−１ｎの信号を取り扱う。ヘッド切り替えスイッチ４０は、複数のリード素子１２６−１ａ〜１２６−１ｎと差動増幅器１２との接続を、チャネル（ヘッド）選択信号に従って切り替える。
【０１１８】
ＡＧＣアンプ１０は、このヘッド切り替えスイッチ４０に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４とを有する。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９と、切り替えスイッチ３０と、ＡＧＣシーケンサ３２とを有する。
【０１１９】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１２０】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１２１】
この実施の形態でも、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【０１２２】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅く設定している。
【０１２３】
又、図１のＭＣＵ１０４に、ヘッド毎のゲイン初期値を格納するメモリ（ＲＡＭ）２８を設ける。一方、ヘッドＩＣ１０３には、スイッチ３０と、ラッチ回路５０と、ＡＧＣシーケンサ３２を設ける。ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモード以外からリードモード、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、メモリ２８から、チャネル選択信号（ヘッド選択信号）で指定したゲイン初期値を読み出す。そして、ＭＰＵ１０４ｂは、読み出したゲイン初期値を、ヘッドＩＣ１０３のラッチ回路５０にセットする。
【０１２４】
ＡＧＣシーケンサ３２は、ＭＰＵ１０４ｂからのチャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０を操作し、選択されたヘッドのリード素子を、差動増幅器１２に接続する。
【０１２５】
従って、ラッチ回路５０にセットされたゲイン初期値が、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、前記ゲイン初期値が、作動増幅器１２にセットされた後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。
【０１２６】
更に、スイッチ３０を介してゲイン乗算器１９から差動増幅器１２に与えられるゲインは、ラッチ回路５０でラッチされる。ＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモードからリードモード以外、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、ラッチ回路５０にラッチされたゲイン乗算器１９からの設定ゲインを、読み出して、メモリ２８に書込み、対応チャネルのゲイン初期値を更新する。
【０１２７】
工場から出荷前のゲイン測定、格納処理を、図１０で説明する。
【０１２８】
（Ｓ２０）ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、ヘッド選択信号とリードモードを発行する。但し、ＭＰＵ１０４ｂは、ゲイン初期値が不明であるため、ヘッドＩＣ１０３のラッチ回路５０にゲイン初期値をセットしない。ＡＧＣシーケンサ３２は、ＭＰＵ１０４ｂからのチャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０を操作し、選択されたヘッドのリード素子を、差動増幅器１２に接続し、且つスイッチ３０をゲイン乗算器１９側に接続する。
【０１２９】
（Ｓ２２）ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣアンプ１０のＡＧＣシーケンサ３２に、自動引き込みモード（短時間のフィードバック）を指示する。この時、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７は、ゲインを固定する。これにより、ＡＧＣ回路１４が、引き込み動作を行う。
【０１３０】
（Ｓ２４）ＡＧＣシーケンサ３２は、所定時間経過すると、ゲイン引き込み完了と判定する。この時、引き込んだゲイン値は、ラッチ回路５０にラッチされている。
【０１３１】
（Ｓ２６）ＭＰＵ１０４ｂは、ラッチ回路５０にラッチされたゲイン値を読出し、メモリ２８のヘッド選択信号に対応した領域に格納する。この時、メモリ２８が、不揮発性メモリでない場合には、読み出したゲイン値を、ディスク１１７のシステムエリアのヘッド選択信号に対応した領域に、制御情報として、書き込む。一方、メモリ２８が、不揮発性メモリである場合には、ディスクへの書込みは、必要ない。そして、全チャネルのゲイン初期値の調整が、完了したかを判定する。完了していない場合には、ステップＳ２２に戻り、ゲイン初期値の調整が完了していないヘッドを選択する。逆に、完了していれば、調整処理を終了する。
【０１３２】
次に、工場出荷後のＡＧＣ動作を、図１１で説明する。
【０１３３】
（Ｓ３０）パワーオンに応じて、ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモード以外からリードモード、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、メモリ２８から、チャネル選択信号（ヘッド選択信号）で指定したゲイン初期値を読み出す。そして、ＭＰＵ１０４ｂは、読み出したゲイン初期値を、ヘッドＩＣ１０３のラッチ回路５０にセットする。尚、ディスク媒体１１７のシステムエリアにゲイン初期値を格納した場合には、パワーオン時のみ、ディスク媒体１１７のシステムエリアから全てのヘッドのゲイン初期値を読み出して、メモリ２８に格納する。そして、メモリ２８からチャネル選択信号（ヘッド選択信号）で指定したゲイン初期値を読み出し、ラッチ回路５０にセットする。
【０１３４】
（Ｓ３２）ＭＣＵ１０４のＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣアンプ１０のＡＧＣシーケンサ３２に、自動引き込みモード（短時間のフィードバック）を指示する。この時、図２のリードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７は、ゲインを固定する。これにより、ＡＧＣ回路１４が、引き込み動作を行う。
【０１３５】
即ち、ＡＧＣシーケンサ３２は、ＭＰＵ１０４ｂからのチャネル選択信号により、ヘッド切り替えスイッチ４０を操作し、選択されたヘッドのリード素子を、差動増幅器１２に接続する。従って、ラッチ回路５０にセットされたゲイン初期値が、スイッチ３０を介し差動増幅器１２にセットされる。ＡＧＣシーケンサ３２は、ゲイン初期値が差動増幅器にセットされた後、スイッチ３０を、ＡＧＣ回路１４（即ち、ゲイン乗算器１９）に切り替える。更に、スイッチ３０を介してゲイン乗算器１９から差動増幅器１２に与えられるゲインは、ラッチ回路５０でラッチされる。
【０１３６】
（Ｓ３４）ＡＧＣシーケンサ３２は、所定時間経過すると、ゲイン引き込み完了と判定する。この時、引き込んだゲイン値は、ラッチ回路５０にラッチされている。ＭＰＵ１０４ｂは、ＡＧＣシーケンサ３２に、遅いフィードバックモードを指示し、リードチャネル１０２のＡＧＣ１０７を、ゲイン自動モードに切り替える。これにより、前述したように、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１０は、低追従速度で、フィードバックを行う。一方、リードチャネル１０２のＡＧＣ１０７は、早い追従速度でフィードバックを行う。このため、ヘッドからのリード信号の振幅が一定となる。
【０１３７】
（Ｓ３６）ＭＰＵ１０４ｂは、モード切替（リードモードからリードモード以外、又はチャネル選択変更）時に、モード切替を行う前に、ラッチ回路５０にラッチされたゲイン乗算器１９からの設定ゲインを、読み出して、メモリ２８に書込み、対応チャネルのゲイン初期値を更新する。そして、ステップＳ３０〜Ｓ３４の動作を繰り返す。
【０１３８】
（Ｓ３８）ＭＰＵ１０４ｂは、電源オフの命令を受けると、ディスク媒体１１７のシステムエリアにゲイン初期値を格納する場合には、メモリ２８の全チャネルのゲイン初期値を、ディスク１１７のシステムエリアに書き込む。又、メモリ２８が、不揮発性メモリである時は、この書込み動作は必要ない。そして、電源オフとなる。
【０１３９】
この例でも、競合防止のため、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしているため、起動時やモード切替時に、引き込み時間が遅くなる。これを防止するため、ゲイン初期値を格納し、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２に、ゲイン初期値を設定する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、引き込み時間を短縮できる。
【０１４０】
これとともに、各ヘッド（リード素子）の特性ばらつきに応じたゲイン初期値を格納し、ヘッド選択とともに、起動時やモード切替時に、差動増幅器１２にゲイン初期値を設定する。又、このゲイン初期値を切り替え直前の実際の値に更新し、常に最適なゲイン初期値を格納する。このため、ＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度を遅くしても、ヘッド個々の特性によらず、引き込み時間を短縮できる。更に、ヘッドの特性や温度変化により、引き込み時間が変化することを防止できる。
【０１４１】
更に、初期値格納メモリを、ヘッドＩＣ１０３に設ける必要がないため、ヘッドＩＣ１０３のチップ面積を小さくできる。
【０１４２】
（リード回路の第８の実施の形態）
図１２は、本発明のヘッドＩＣの第８の実施の形態のブロック図であり、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１０のみを示している。図中、図２乃至図７で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。
【０１４３】
この実施の形態は、図２の構成において、Ａ／Ｄコンバータを、１つに削減したものである。即ち、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【０１４４】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２のマイナス側電圧とプラス側電圧との差をとる差動信号変換回路（差動アンプ）２５と、差動信号変換回路２５の出力をアナログ・デジタル変換する第３のＡ／Ｄコンバータ２７と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値からＡ／Ｄコンバータ２７の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１４５】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１４６】
この例では、Ａ／Ｄコンバータを１つに削減でき、ヘッドＩＣの回路規模を小さくでき、チップ面積の減少に有効である。この１つのＡ／Ｄコンバータを持つＡＧＣ回路は、図２の実施の形態のみならず、図３〜図７、図９の実施の形態にも適用できる。
【０１４７】
尚、このヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【０１４８】
図１３は、本発明の第９の実施の形態のリード回路のブロック図である。図１３において、図２乃至図７で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。この例は、ＡＧＣ回路をフィードフォワード形としたものである。
【０１４９】
即ち、図２と同様に、ＡＧＣアンプ１０は、リード素子（ＴｕＭＲ素子）１２６−１の両端に接続された差動増幅器１２と、差動増幅器１２のゲインを自動制御するＡＧＣ回路１４からなる。ＡＧＣ回路１４は、ゲインエラー検出回路１６と、フィードバック制御器（ローパスフィルタ）１８と、ゲイン乗算器１９とを有する。
【０１５０】
ゲインエラー検出器１６は、差動増幅器１２の入力側のマイナス側電圧をアナログ・デジタル変換する第１のＡ／Ｄコンバータ２０と、差動増幅器１２の入力側のプラス側電圧をアナログ・デジタル変換する第２のＡ／Ｄコンバータ２１と、両Ａ／Ｄコンバータ２０，２１の出力の差をとり、振幅を抽出する第１の演算器２２と、振幅の目標値（波形）を格納するメモリ２４と、メモリ２４の振幅の目標値から第１の演算器２２の検出した振幅との差を演算する第２の演算器２６とを有する。この差が、ゲインエラーである。
【０１５１】
フィードバック制御器１８は、ローパスフィルタで構成され、ゲインエラー信号の高周波成分をカットし、低周波数のゲインエラー信号に追従するようにループ形成する。ゲイン乗算器１９は、ローパスフィルタ１８の出力をフィードバックゲインであるＫ倍し、増幅率を決定し、差動増幅器１２のゲインを制御する。このフィードバックゲインＫの値が小さいと、フィードバック応答速度が遅く、フィードバックゲインＫの値が大きいと、フィードバック応答速度が速い。
【０１５２】
一方、リードチャネル回路１０２には、差動増幅器１０７−１と、ＡＧＣ回路１０７−２とからなるＡＧＣアンプ１０７が設けられる。ＡＧＣ回路１０７−２の構成は、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４と同一であり、説明を省略する。
【０１５３】
このヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のローパスフィルタ１８のカットオフ周波数は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のローパスフィルタのカットオフ周波数より低く設定し、且つヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のゲイン乗算器１９のフィードバックゲインＫは、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のゲイン乗算器のフィードバックゲインより小さく設定する。
【０１５４】
これにより、ヘッドＩＣ１０３のＡＧＣ回路１４のフィードバック応答速度は、リードチャネル回路１０２のＡＧＣ回路１０７−２のフィードバック応答速度より遅くなる。
【０１５５】
又、差動増幅器１２の入力側の電圧をモニターし、差動増幅器１２のゲインを自動制御するフィードフォワード形ＡＧＣで構成しているため、モニターする信号が、後段の回路（ここでは、リードチャネル１０２）の信号の影響を受けない。このため、モニター振幅は小さいが、ノイズの影響を受けないで、ＡＧＣ制御できる。
【０１５６】
このフィードフォワード形ＡＧＣ回路は、図２の実施の形態のみならず、図３〜図７、図９、図１２の実施の形態にも適用できる。
【０１５７】
（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、ＡＧＣ回路を、図２等の構成で説明したが、アナログ形式のＡＧＣ回路や、ピークホールド回路や積分回路を持つＡＧＣ回路等の他のＡＧＣ回路を適用できる。又、磁気ディスク装置のヘッドのリード回路の例で説明したが、他の媒体記憶装置のリード回路にも適用できる。
【０１５８】
以上、本発明を、実施の形態で説明したが、本発明は、その趣旨の範囲内で種々の変形が可能であり、これを本発明の範囲から排除するものではない。
【０１５９】
（付記１）ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を前記リードチャネルのＡＧＣアンプに入力することを特徴とするヘッドＩＣ。
【０１６０】
（付記２）前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定したことを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１６１】
（付記３）前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に、メモリに格納したゲインの初期値を設定するシーケンス回路を設けたことを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１６２】
（付記４）前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新することを特徴とする付記３のヘッドＩＣ。
【０１６３】
（付記５）前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定することを特徴とする付記２のヘッドＩＣ。
【０１６４】
（付記６）前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けたことを特徴とする付記３のヘッドＩＣ。
【０１６５】
（付記７）前記ＡＧＣ回路は、前記差動増幅器の入力又は出力の振幅レベルと基準レベルと差を演算するゲインエラー演算部と、前記差の出力の高周波成分をカットするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタの出力に所定のフィードバックゲインを乗算して、前記差動増幅器のゲインを制御するゲイン乗算器とを有することを特徴とする付記１のヘッドＩＣ。
【０１６６】
（付記８）ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定することを特徴とする付記３のヘッドＩＣ。
【０１６７】
（付記９）ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するリード回路において、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプに入力することを特徴とするリード回路。
【０１６８】
（付記１０）前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定したことを特徴とする付記９のリード回路。
【０１６９】
（付記１１）前記ゲインの初期値を格納するメモリを設け、前記ヘッドＩＣは、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定するシーケンス回路を有することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７０】
（付記１２）前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新することを特徴とする付記１１のリード回路。
【０１７１】
（付記１３）前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７２】
（付記１４）前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けたことを特徴とする付記１０のリード回路。
【０１７３】
（付記１５）前記ヘッドＩＣの前記ＡＧＣ回路は、前記差動増幅器の入力又は出力の振幅レベルと基準レベルと差を演算するゲインエラー演算部と、前記差の出力の高周波成分をカットするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタの出力に所定のフィードバックゲインを乗算して、前記差動増幅器のゲインを制御するゲイン乗算器とを有することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７４】
（付記１６）ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定することを特徴とする付記９のリード回路。
【０１７５】
（付記１７）媒体を読み取るヘッドと、前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、前記ヘッドＩＣは、前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力としたことを特徴とする媒体記憶装置。
【０１７６】
（付記１８）前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定したことを特徴とする付記１７の媒体記憶装置。
【０１７７】
（付記１９）前記ゲインの初期値を格納するメモリを設け、前記ヘッドＩＣは、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定するシーケンス回路を有することを特徴とする付記１７の媒体記憶装置。
【０１７８】
（付記２０）前記シーケンサ回路は、前記ヘッドの読み取り終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の前記差動増幅器に設定しているゲインで、前記メモリのゲインの初期値を更新することを特徴とする付記１９の媒体記憶装置。
【０１７９】
（付記２１）前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定することを特徴とする付記１８の媒体記憶装置。
【０１８０】
（付記２２）前記ヘッドの抵抗値に応じて、出力レベルを推定し、前記初期値を計算して、前記メモリに書き込む検出回路を更に設けたことを特徴とする付記１７の媒体記憶装置。
【０１８１】
（付記２３）ヘッド選択信号に応じて、前記差動増幅器に、複数のヘッドのいずれかを接続するヘッド切り替え部を設け、前記メモリに前記複数のヘッドのゲインの初期値を格納し、前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリの前記接続されたヘッドに対応するゲインの初期値を設定することを特徴とする付記１９の媒体記憶装置。
【産業上の利用可能性】
【０１８２】
ヘッドＩＣに、ＡＧＣアンプを設けたので、ヘッドＩＣ内で、ヘッドからの振幅が自動調整され、リードチャネルのＡＧＣアンプの入力ダイナミックレンジに入る信号レベル調整ができる。又、２つのＡＧＣ回路を同時に動作すると、ＡＧＣの競合により発振状態が生じるおそれがあり、ＡＧＣの引き込みに多大な時間がかかるが、リードチャネル回路のＡＧＣ回路は、比較的早いフィードバック応答速度とし、一方、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路のフィードバック応答速度は、このリードチャネル回路のＡＧＣ回路のフィードバック応答速度より、充分遅く設定しているため、ヘッドＩＣのＡＧＣ回路は、リードチャネルのＡＧＣ回路の早いＡＧＣ動作に影響を与えない。更に、ヘッドＩＣ内で自動レベル調整するため、外部との余分な信号線を必要としない。このため、アクチュエータに搭載するのに、実装上、好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１８３】
【図１】本発明の媒体記憶装置の一実施形態の構成図である。
【図２】本発明のリード回路の第１の実施の形態の回路図である。
【図３】本発明のリード回路の第２の実施の形態の回路図である。
【図４】本発明のリード回路の第３の実施の形態の回路図である。
【図５】本発明のリード回路の第４の実施の形態の回路図である。
【図６】本発明のリード回路の第５の実施の形態の回路図である。
【図７】本発明のリード回路の第６の実施の形態の回路図である。
【図８】図７のＡＧＣ制御シーケンスの説明図である。
【図９】本発明のリード回路の第７の実施の形態の回路図である。
【図１０】図９のＡＧＣ制御の初期ゲイン測定処理フロー図である。
【図１１】図９のＡＧＣ制御処理フロー図である。
【図１２】本発明のリード回路の第８の実施の形態の回路図である。
【図１３】本発明のリード回路の第９の実施の形態の回路図である。
【図１４】従来の媒体記憶装置の説明図である。
【図１５】従来のリード回路の説明図である。
【符号の説明】
【０１８４】
１０ ＡＧＣアンプ
１２ 差動増幅器
１４ ＡＧＣ回路
１６ ゲインエラー検出回路
１８ フィードバック制御器
１９ ゲイン乗算器
１０２ リードチャネル
１０３ ヘッドＩＣ
１０７ ＡＧＣアンプ
１２６−１ リード素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、
前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、
前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした
ことを特徴とするヘッドＩＣ。
【請求項２】
前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項３】
前記ゲインの初期値を格納するメモリと、
前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定する回路とを設けた
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項４】
前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定する
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項５】
ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するリード回路において、
前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、
前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、
前記ヘッドＩＣは、
前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、
前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした
ことを特徴とするリード回路。
【請求項６】
前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した
ことを特徴とする請求項５のリード回路。
【請求項７】
媒体を読み取るヘッドと、
前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、
前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、
前記ヘッドＩＣは、
前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、
前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした
ことを特徴とする媒体記憶装置。
【請求項８】
前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した
ことを特徴とする請求項７の媒体記憶装置。
【請求項１】
ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整して、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルに出力するヘッドＩＣにおいて、
前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、
前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした
ことを特徴とするヘッドＩＣ。
【請求項２】
前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項３】
前記ゲインの初期値を格納するメモリと、
前記ＡＧＣ回路の引き込み開始時に、前記差動増幅器に前記メモリのゲインの初期値を設定する回路とを設けた
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項４】
前記シーケンサ回路は、前記ＡＧＣ回路の起動時に、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を速く設定し、且つ前記リードチャネルのＡＧＣアンプのゲインを固定に指示し、前記ＡＧＣ回路の引き込み終了に応じて、前記ＡＧＣ回路の引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定する
ことを特徴とする請求項１のヘッドＩＣ。
【請求項５】
ヘッドの読み取り信号の振幅レベルを調整するリード回路において、
前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、
前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、
前記ヘッドＩＣは、
前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、
前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした
ことを特徴とするリード回路。
【請求項６】
前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した
ことを特徴とする請求項５のリード回路。
【請求項７】
媒体を読み取るヘッドと、
前記ヘッドからの読み取り信号の振幅レベルを調整するヘッドＩＣと、
前記ヘッドＩＣに接続され、ＡＧＣアンプを有するリードチャネルとを有し、
前記ヘッドＩＣは、
前記読み取り信号を設定されたゲインで増幅する差動増幅器と、
前記差動増幅器の入力又は出力振幅レベルと基準レベルとの差を取り、所定の引き込み特性に応じて、前記差動増幅器のゲインを自動制御するＡＧＣ回路とを有し、
前記ＡＧＣ回路の出力を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの入力とした
ことを特徴とする媒体記憶装置。
【請求項８】
前記ＡＧＣ回路の前記引き込み特性を、前記リードチャネルのＡＧＣアンプの引き込み特性より遅い特性に設定した
ことを特徴とする請求項７の媒体記憶装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００８−１０３０６０（Ｐ２００８−１０３０６０Ａ）
【公開日】平成２０年５月１日（２００８．５．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２３６８９９（Ｐ２００７−２３６８９９）
【出願日】平成１９年９月１２日（２００７．９．１２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月１日（２００８．５．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月１２日（２００７．９．１２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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