説明

マイクロ波放射器を使用して材料を検知するためのセンサアセンブリおよび方法

【課題】マイクロ波放射器を使用して材料を検知するためのセンサアセンブリおよび方法を提供する。
【解決手段】システム内の材料110の存在を検知するための少なくとも1つのプローブ202を含み、このプローブはマイクロ波放射器206を含む。少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの電磁界209を生成し、材料110がこの電磁界209と相互作用するとき、負荷がマイクロ波放射器206に引き起204が結合され、このデータコンジット204内で、負荷を表す少なくとも1つの負荷信号がマイクロ波放射器206から反射される。少なくとも1つの信号処理デバイス200が、データコンジット204を介してマイクロ波放射器206に結合される。この信号処理デバイス200は、負荷信号を受け取り、材料110の存在を表す電気出力を生成するように構成され、この電気出力はオペレータおよび/またはシステムによって使用可能である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の分野は、一般に、材料の存在を検知するために使用されるシステムに関し、より詳細には、マイクロ波放射器を使用した材料の存在の検知に使用するためのセンサアセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
少なくともいくつかの既知のセンサシステムは、金属、液体、または物質の他のバリエーション(variation)などの材料の存在を検知するために使用される。材料の存在または材料の存在の欠如の検知は、制御システムなどの種々の適用例で使用することができる。たとえば、このような検知方法は、製造システム、処理システム、化学システム、および安全システムなどであるがこれらに限定されない種々のシステムで使用される用途のためのスイッチ応用例(switch application)、レベル検出器、および/または計数器と共に使用することができる。
【0003】
材料の検知は、渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサを使用して実施することができる。しかし、このようなセンサの測定範囲には制限があるので、このようなセンサを使用できる場所は一般に制限される。さらに、これらのセンサの動作が原因で、これらのセンサは、典型的には、複雑な構成のない導電材料のみに制限される。したがって、既知の検知システムの有用性は制限され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第7586303号明細書
【発明の概要】
【0005】
一実施形態では、システムで使用するためのセンサアセンブリが提供される。このセンサアセンブリは、システム内の材料の存在を検知するための少なくとも1つのプローブを含み、このプローブはマイクロ波放射器を含む。このマイクロ波放射器は、少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの電磁界を生成し、材料がこの電磁界と相互作用するとき、負荷(loading)がマイクロ波放射器に引き起こされる。このマイクロ波放射器にはデータコンジット(data conduit)が結合され、このデータコンジット内で、負荷を表す少なくとも1つの負荷信号がマイクロ波放射器から反射される(reflected)。少なくとも1つの信号処理デバイスが、データコンジットを介してマイクロ波放射器に結合される。この信号処理デバイスは、負荷信号を受け取り、材料の存在を表す電気出力を生成するように構成され、この電気出力はオペレータおよび/またはシステムによって使用可能である。
【0006】
別の実施形態では、材料の存在を検知するための方法が提供される。少なくとも1つのマイクロ波信号がマイクロ波放射器に送られる。次に、少なくとも1つの電磁界が、マイクロ波信号に基づいてマイクロ波放射器によって生成される。さらに、材料がこの電磁界と相互作用するとき、負荷がマイクロ波放射器に引き起こされ、この負荷を表す少なくとも1つの負荷信号が、マイクロ波放射器からデータコンジット内に反射される。次いで、この負荷信号が少なくとも1つの信号処理デバイスによって受け取られる。次に、この信号処理デバイスが、材料の存在を表す電気出力を生成し、この電気出力はオペレータおよび/またはシステムによって使用可能である。
【0007】
さらに別の実施形態では、材料の存在の検知に使用するためのシステムが提供される。このシステムは、少なくとも1つのセンサアセンブリと、このセンサアセンブリに結合された電気デバイスとを含む。このセンサアセンブリは、システム内の材料の存在を検知するための少なくとも1つのプローブを含み、このプローブはマイクロ波放射器を含む。このマイクロ波放射器は、少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの電磁界を生成し、材料がこの電磁界と相互作用するとき、負荷がマイクロ波放射器に引き起こされる。このマイクロ波放射器にはデータコンジットが結合され、このデータコンジット内で、負荷を表す少なくとも1つの負荷信号がマイクロ波放射器から反射される。少なくとも1つの信号処理デバイスが、データコンジットを介してマイクロ波放射器に結合される。この信号処理デバイスは、負荷信号を受け取り、材料の存在を表す電気出力を生成するように構成され、この電気出力はオペレータおよび/またはシステムによって使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】材料の存在の検知に使用できる例示的な検知システムのブロック図である。
【図2】図1に示される検知システムと共に使用できる例示的なセンサアセンブリのブロック図である。
【図3】図2に示されるセンサアセンブリを使用した材料の存在の検知に使用するための検知システムの代替実施形態のブロック図である。
【図4】図2に示されるセンサアセンブリを使用して材料の存在を検知するために実施できる例示的な方法の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本明細書において説明する例示的な方法、装置、およびシステムは、材料の存在を検知するために使用される既知の検知システムに伴う少なくともいくつかの欠点を解決する。具体的には、本明細書において説明する実施形態は、マイクロ波放射器を使用して材料の存在を検知するセンサアセンブリを提供する。さらに、材料の存在の検知、または材料の存在の欠如の検知すなわち不検知(non−detection)は、制御システムなどの種々の適用例に使用することができる。たとえば、このような検知方法は、製造システム、処理システム、化学システム、および/または安全システムなどであるがこれらに限定されない種々のシステムで使用される適用例のためのスイッチ、レベル検出器、および/または計数器と共に使用することができる。さらに、材料を検知するためにマイクロ波放射器を使用することによって、既知のシステムと共に使用される既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、および/または静電容量センサと比較して、測定範囲が大きく、周波数応答が高い。
【0010】
図1は、材料110の存在を検知するために使用できる例示的なシステム100を示す。例示的な実施形態では、材料110は液体であり、より具体的には、材料110は残留燃料である。あるいは、材料110は、金属、非金属物体、および/もしくは他の任意の生産物などの固体、またはシステム100が本明細書において説明するように機能することを可能にする物質のバリエーションであってもよい。例示的な実施形態では、材料110は、油溜め(sump)などのリザーバ111の内部に含まれる。さらに、例示的な実施形態では、システム100は機械(machine)112を含む。例示的な実施形態では、機械112は、ガスタービンエンジンとすることができる。例示的な実施形態では、ガスタービンエンジンが含まれるが、本発明は、いかなる特定の機械および/またはシステムにも限定されない。本発明は他の機械および/またはシステムと一緒に使用できることが、当業者には理解されよう。
【0011】
例示的な実施形態では、機械112は、排出管116を介してリザーバ111に結合される。本明細書では、「結合する」という用語は、構成要素間の直接的な機械的接続および/または電気接続に限定されるものではなく、複数の構成要素間の間接的な機械的接続および/または電気接続も含むことができることに留意されたい。さらに、例示的な実施形態では、排出管116は、材料110を機械112の燃焼器セクション120からリザーバ111に運び、材料110を周期的にサンプリングして、材料タンク、廃液タンク、および/または他の廃棄手段などの廃棄手段(図示せず)に移送することができる。
【0012】
例示的な実施形態では、システム100は、リザーバ111を監視する少なくとも1つのセンサアセンブリ124を含む。センサアセンブリ124は、リザーバ111内の材料110の存在の検知に使用するための、リザーバ111近傍に位置する近接センサアセンブリ124である。センサアセンブリ124は、放射器(図1には示さず)を含むプローブ(図1には示さず)を含み、このプローブは、マイクロ波放射器を含むマイクロ波プローブである。
【0013】
センサアセンブリ124は、材料110の存在を検知するために、または材料110の存在の欠如すなわち非存在(non−presence)を検知するために1つまたは複数のマイクロ波信号を使用する。本明細書では、「マイクロ波」という用語は、信号、または約300メガヘルツ(MHz)から約300ギガヘルツ(GHz)の間の周波数を有する信号を受け取り、および/または送る構成要素を指す。
【0014】
各センサアセンブリ124は、システム100内の任意の相対的位置に配置される。さらに、例示的な実施形態では、システム100は、1つまたは複数のセンサアセンブリ124に結合された少なくとも1つの電気デバイス130を含む。より具体的には、センサアセンブリ124は、データコンジット134を介して、またはデータコンジット136を介して、電気デバイス130に結合される。あるいは、センサアセンブリ124は、電気デバイス130に無線で結合されてもよい。
【0015】
例示的な実施形態では、電気デバイス130は診断システムである。電気デバイス130は、システム100が本明細書において説明するように機能することを可能にする、制御システムおよび/またはディスプレイデバイスなどの、他の任意の種類の電気デバイスであってよい。電気デバイス130は、センサアセンブリ124によって生成された1つまたは複数の信号を処理および/または解析するコンピュータ140を含む。本明細書では、「処理する」という用語は、信号に対する操作の実施、信号の調整、フィルタリング、バッファリング、および/または信号の少なくとも1つの特性の変更を指す。コンピュータ140は、キーボード144を介してオペレータからコマンドを受け取る。オペレータは、液晶表示装置(LCD)および陰極線管などであるがこれらに限定されない付随するモニタ146によって、コンピュータ140から受け取ったデータを見ることができる。モニタ146は、データの図表および/または文字による表現を提供する。モニタ146は、波形、アラート、アラーム、停止、チャートおよび/またはグラフなどの種々の形態で信号の表現を提供することができる。
【0016】
オペレータが与えたコマンドおよびパラメータは、センサアセンブリ124から受け取った信号に関する情報を提供するためにコンピュータ140によって使用される。より具体的には、例示的な実施形態では、リザーバ111内の材料110が堆積してあらかじめ定義された閾値レベルに達すると、コンピュータ140がオペレータに通知する。この閾値レベルは、センサアセンブリ124および/または電気デバイス130内でプログラム化されてよい。
【0017】
例示的な実施形態では、コンピュータ140は、フロッピー(商標)ディスク、CD−ROM、DVDなどのコンピュータが読み取り可能な媒体(図示せず)、またはネットワークもしくはインターネットなどの別のデジタルソース、ならびに未開発のデジタル手段から命令および/またはデータを読み込むために、デバイス(図示せず)、たとえば、フロッピー(商標)ディスクドライブ、CD−ROMドライブ、DVDドライブ、磁気光ディスク(MOD)デバイス、またはイーサネット(商標)デバイスなどのネットワーク接続デバイスを含む他の任意のデジタルデバイスを含む。コンピュータ140は、ファームウェアに保存された命令を実行することができる。コンピュータ140は、本明細書において説明する機能を実施するようにプログラムされ、本明細書では、コンピュータという用語は、一般にコンピュータとして知られるそれらの集積回路だけに限定されるものではなく、広くコンピュータ、プロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロコンピュータ、プログラマブルロジックコントローラ、特定用途向け集積回路、および他のプログラマブル回路を指し、これらの用語は本明細書において同じ意味で使用される。加えて、本明細書において説明する方法およびシステムは、工業環境(industrial setting)で説明されているが、本発明の利点は非工業(non−industrial)システムでも生じることが企図されている。
【0018】
動作中に、材料110は、燃焼器セクション120から排出管116を介してリザーバ111に運ばれる。さらに、センサアセンブリ124は、材料110の存在を検知する。リザーバ111内の材料110の堆積があらかじめ定義された閾値レベルに達すると、センサアセンブリ124は材料110の存在を検知する。この検知については、以下でより詳細に説明する。次に、センサアセンブリ124は、処理および/または解析のために、材料110の存在を表すアナログ信号(以下では「検出アナログ信号」と呼ぶ)または材料110の存在を表すデジタル信号(以下では「検出デジタル信号」と呼ぶ)を電気デバイス130に送る。
【0019】
電気デバイス130が検出アナログ信号または検出デジタル信号を処理および/または解析した後、オペレータは、モニタ146を介してデータを見ることができる。オペレータは、リザーバ111内の材料があらかじめ定義された閾値レベルに達したか、それともこれを超過したかを確認することができる。閾値レベルを超過した場合、オペレータは、リザーバ111内に既に存在する材料110が廃棄手段に運ばれるまで、機械112が追加の材料110をリザーバ111に運ぶのを防止することができる。
【0020】
マイクロ波放射器を使用することによって、センサアセンブリ124は、システム100と共に使用できる既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサと比較して、大きな測定範囲および高い周波数応答を有することが可能である。材料の存在を検知するためにマイクロ波放射器を使用することによって、検知範囲は、材料110の存在を検知するために使用できる既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサと比較して、大幅に拡大する。センサアセンブリ124を使用できる場所については、マイクロ波放射器を使用することによって、既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサを使用できるセンサアセンブリと比較して、制限がはるかに少なくなる。マイクロ波放射器の周波数応答は既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサと比較して高いので、センサアセンブリ124は、より正確な測定値を提供することが可能となる。
【0021】
図2は、システム100(図1に示される)と共に使用できるセンサアセンブリ124のブロック図である。センサアセンブリ124は、信号処理デバイス200と、信号処理デバイス200にデータコンジット204を介して結合されたプローブ202とを含む。あるいは、プローブ202は、信号処理デバイス200に無線で結合されてもよい。例示的な実施形態では、プローブ202は、リザーバ111に近接して配置される。あるいは、プローブ202は、リザーバ111内に配置されてもよい。
【0022】
プローブ202は放射器206を含み、放射器206は、プローブハウジング208に結合され、電磁界209を生成することを目的とする。放射器206は、データコンジット204を介して信号処理デバイス200に結合される。あるいは、放射器206は、信号処理デバイス200に無線で結合されてもよい。プローブ202は、マイクロ波放射器206を含むマイクロ波プローブ202である。さらに、例示的な実施形態では、信号処理デバイス200は方向性結合デバイス210を含み、方向性結合デバイス210は、送信電力検出器212、受信電力検出器214、および信号調節デバイス216に結合される。
【0023】
信号調節デバイス216は、信号発生器218と、減算器220と、閾値検出回路222とを含む。閾値検出回路222は、データコンジット134を介して、またはデータコンジット136(図1に示す)を介して、電気デバイス130に結合される。閾値検出回路222は、リザーバ111内の材料110のレベルを制御するために使用される少なくとも1つの閾値を用いてプログラムされる。
【0024】
センサアセンブリ124は、閾値検出回路222および電気デバイス130に結合された変換器240を含む。変換器240は、データコンジット134および136を介して閾値検出回路222に結合される。あるいは、変換器240は、閾値検出回路222に無線で結合されてもよい。例示的な実施形態では、変換器240は、データコンジット244を介して電気デバイス130にも結合される。あるいは、変換器240は、電気デバイス130に無線で結合されてもよい。例示的な実施形態では、変換器240は、閾値検出回路222から受け取った少なくとも1つのアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器である。あるいは、変換器240は、閾値検出回路222から受け取った少なくとも1つのデジタル信号をアナログ信号に変換するデジタル−アナログ変換器であってもよい。
【0025】
動作中に、例示的な実施形態では、信号発生器218は、放射器206の共振周波数に等しいか、および/またはこれにほぼ等しいマイクロ波周波数の少なくとも1つの電気信号(以下では「マイクロ波信号」と呼ぶ)を生成する。信号発生器218は、このマイクロ波信号を方向性結合デバイス210に送る。方向性結合デバイス210は、マイクロ波信号を送信電力検出器212および放射器206に送る。このマイクロ波信号が放射器206によって送られるとき、電磁界209は、放射器206から外方に、プローブハウジング208から放射される。材料110などの材料が電磁界209に入る場合、材料110と界209の間に電磁結合が生じ得る。電磁界209の内部に材料110が存在するので、材料110内での誘導効果および/または容量効果が原因で電磁界209が壊れ、それによって、電磁界209の少なくとも一部分は、電流および/または電荷として物体に誘導結合および/または容量結合することができる。このような例では、放射器206は離調され(すなわち、放射器206の共振周波数の減少および/または変更などが発生する)、放射器206への負荷が引き起こされる。負荷が放射器206に引き起こされることによって、マイクロ波信号の反射が(以下では「離調負荷信号(detuned loading signal)」と呼ぶ)、データコンジット204を介して方向性結合デバイス210に向けて送られる。
【0026】
この離調負荷信号は、マイクロ波信号の電力振幅より低い電力振幅を有し、および/または位相がマイクロ波信号の位相と異なる。さらに、例示的な実施形態では、離調負荷信号の電力振幅は、放射器206に対する物体の近さに依存する。方向性結合デバイス210は、離調負荷信号を受信電力検出器214に送る。
【0027】
受信電力検出器214は、歪み信号に含まれる電力の量を測定し、測定された離調負荷信号電力を表す信号を信号調節デバイス216に送る。送信電力検出器212は、マイクロ波信号に含まれる電力の量を検出し、測定されたマイクロ波信号電力を表す信号を信号調節デバイス216に送る。減算器220は、測定されたマイクロ波信号電力および測定された離調負荷信号電力を受け取り、マイクロ波信号電力と離調負荷信号電力の差を計算する。減算器220は、計算された差を表す信号(以下では「電力差分信号」と呼ぶ)を閾値検出回路222に送る。
【0028】
閾値検出回路222は、電力差分信号を、材料と電圧出力信号(すなわち、「検出アナログ信号」)の振幅との実質的に線形の関係を示す検出アナログ信号などの電気出力に変換する。検出アナログ信号は、センサアセンブリ124に近接して電磁界209内にある材料110の存在を表す2値出力である。より具体的には、例示的な実施形態では、2値出力は数値0または1を含み、0は、材料110がセンサアセンブリ124に近接しておらず、電磁界209内にないことを示し、1は、材料110がセンサアセンブリ124に近接し、電磁界209内にあることを示す。あるいは、検出アナログ信号は、センサアセンブリ124およびシステム100が本明細書において説明するように機能することを可能にする他の任意の種類の出力であってよい。
【0029】
閾値検出回路222は、電気デバイス130内での処理および/もしくは解析のためにスケールファクタが有効にされた電気デバイス130、または変換器240のどちらかに、検出アナログ信号を送り、検出アナログ信号は、検出デジタル信号に変換されてから電気デバイスに送られる。例示的な実施形態では、電気デバイス130は、アナログ信号処理技法またはデジタル信号処理技法のどちらかを使用してもよいし、この2つを混合した組み合わせ(hybrid combination)として使用してもよい。たとえば、例示的な実施形態では、検出アナログ信号は、ミリメートルあたり数ボルトのスケールファクタを有する。あるいは、検出アナログ信号は、電気デバイス130および/またはシステム100が本明細書において説明するように機能することを可能にする他の任意のスケールファクタを有してもよい。
【0030】
図3は、センサアセンブリ124を使用する材料310の存在の検知に使用できるシステム300の代替実施形態を示す。例示的な実施形態では、材料310は金属の物体である。より具体的には、物体310はアルミニウム缶である。あるいは、材料310は、液体、非金属物体、および/またはシステム300が本明細書において説明するように機能することを可能にする他の任意の物質であってもよい。
【0031】
さらに、例示的な実施形態では、システム300は、コンベヤベルトなどのプラットフォーム314を含む。例示的な実施形態では、物体310などの少なくとも1つの物体がプラットフォーム314上に配置される。さらに、プラットフォーム314は、プラットフォーム314上に配置された物体310が容器318に運ばれ得るように移動可能である。入口320はプラットフォーム314上に配置され、例示的な実施形態では、入口320は開閉して、物体310の容器318への運搬を可能にする。入口320が開くかそれとも閉じるかは、電気信号に基づく。
【0032】
例示的な実施形態では、システム300は、プラットフォーム314上の材料310を監視する少なくとも1つのセンサアセンブリ124を含む。より具体的には、例示的な実施形態では、システム300は、2つのセンサアセンブリ124を含む。あるいは、システム300は、任意の数のセンサアセンブリを含むことができる。さらに、別法として、各センサアセンブリ124は、システム300が本明細書において説明するように機能することを可能にするシステム300の他の任意の条件を監視および/または検知することができる。各センサアセンブリ124は、例示的な実施形態では、材料310がプラットフォーム314上でセンサアセンブリ124に接近するとき、プラットフォームおよび/または材料310の近傍に配置される。このような場所では、プラットフォーム314上で材料310がセンサアセンブリ124に接近するとき、各センサアセンブリ124は材料310の存在を正確に検知することができる。あるいは、各センサアセンブリ124は、システム300が本明細書において説明するように機能することを可能にするシステム300内の任意の相対的位置に配置されてもよい。
【0033】
例示的な実施形態では、システム300は、1つまたは複数のセンサアセンブリ124に結合された電気デバイス330を含む。より具体的には、例示的な実施形態では、各センサアセンブリ124は、データコンジット334を介して、またはデータコンジット336を介して、電気デバイス330に結合される。あるいは、センサアセンブリ124は、電気デバイス330に無線で結合されてもよい。
【0034】
例示的な実施形態では、電気デバイス330は制御システムである。あるいは、電気デバイス330は、システム300が本明細書において説明するように機能することを可能にする、診断システムおよび/またはディスプレイデバイスなどの、他の任意の種類の電気デバイスであってよい。より具体的には、例示的な実施形態では、電気デバイス330は、マイクロコントローラ、縮小命令セット回路(RISC)、特定用途向け集積回路(ASIC)、論理回路、および/または本明細書において説明する機能を実行することが可能な他の任意の回路またはプロセッサを含む、コンピュータシステムなどの、プロセッサベースまたはマイクロプロセッサベースの任意の適切なシステムを含む実時間制御装置である。一実施形態では、電気デバイス330は、たとえば2メガビットの読出し専用メモリ(ROM)および64キロビットのランダムアクセスメモリ(RAM)を搭載した32ビットマイクロコンピュータなどの、ROMおよび/またはRAMを含むマイクロプロセッサであってよい。本明細書では、「実時間」という用語は、入力の変化が結果に影響を及ぼした後のかなりの短時間に生じる結果を指し、その期間は、結果の重要性および/または入力を処理して結果を生じさせるシステムの能力に基づいて選択できる設計パラメータである。
【0035】
例示的な実施形態では、電気デバイス330は、実行可能な命令ならびに/または入口320の動作条件を表すおよび/もしくはこれを示す1つまたは複数の動作パラメータを記憶するメモリ領域340を含む。より具体的には、例示的な実施形態では、メモリ領域340は、あらかじめ定義された距離360だけセンサアセンブリ124から離隔された材料310のあらかじめ定義された近接範囲を記憶する。このあらかじめ定義された範囲は、ネットワーク366を介して電気デバイス330に結合されたユーザコンピューティングデバイス364から受け取られる。ネットワーク366は、インターネット、ローカルエリアネットワーク(LAN)、ワイドエリアネットワーク(WAN)、ワイヤレスLAN(WLAN)、メッシュネットワーク、および/または仮想プライベートネットワーク(VPN)を含むことができるが、これらに限定されない。ユーザコンピューティングデバイス364および電気デバイス330は、有線ネットワーク接続(たとえば、イーサネット(商標)または光ファイバ)、無線周波数(RF)、米国電気電子学会(IEEE)802.11標準(たとえば、802.11(g)または802.11(n))、Worldwide Interoperability for Microwave Access(WIMAX)標準、携帯電話技術(たとえば、Global Standard for Mobile communication(GSM(商標)))、衛星通信リンクなどの無線通信手段、および/または他の任意の適切な通信手段を使用して、互いと、および/またはネットワーク366と通信する。WIMAXは、Beaverton、OregonのWiMax Forumの登録商標である。IEEEは、New York、New Yorkの米国電気電子学会の登録商標である。
【0036】
例示的な実施形態では、電気デバイス330はプロセッサ370も含み、プロセッサ370は、メモリ領域340に結合され、1つまたは複数の動作パラメータに少なくとも部分的に基づいて入口320の条件を計算するようにプログラムされる。一実施形態では、プロセッサ370は、集積回路(IC)、特定用途向け集積回路(ASIC)、マイクロコンピュータ、プログラマブルロジックコントローラ(PLC)、および/または他の任意のプログラマブル回路などであるがこれらに限定されない処理ユニットを含むことができる。あるいは、プロセッサ370は、複数の処理ユニットを(たとえば、マルチコア構成で)含むことができる。より具体的には、例示的な実施形態では、プロセッサ370は、材料310の存在がプラットフォーム314上で検知されるかどうかに基づいて、入口320を開くべきかそれとも閉じるべきかを決定するようにプログラムされる。さらに、プロセッサ370はまた、センサアセンブリ124が検知する各物体310を計数するようにプログラムされてもよい。
【0037】
例示的な実施形態では、電気デバイス330は、入口320の動作を制御するように構成された制御インタフェース376も含む。さらに、例示的な実施形態では、制御インタフェース376は、データコンジット380を介して入口320に結合される。あるいは、制御インタフェース376は、入口320に無線で結合されてもよい。例示的な実施形態では、制御インタフェース376は、入口320を開くかまたは閉じるためにデータコンジット380を介して入口320に電気信号を送るように構成される。
【0038】
動作中に、例示的な実施形態では、材料310がセンサアセンブリ124に接近するとき、材料310の存在が各センサアセンブリ124によって検知され、各センサアセンブリ124は、処理および/または解析のために、材料310の存在を表すアナログ信号(すなわち、「検出アナログ信号」)を電気デバイス330に送る。より具体的には、例示的な実施形態では、信号発生器218(図2に示される)は、放射器206(図2に示される)の共振周波数に等しいか、および/またはこれにほぼ等しいマイクロ波周波数の少なくとも1つの電気信号(以下では「マイクロ波信号」と呼ぶ)を生成する。信号発生器218は、このマイクロ波信号を方向性結合デバイス210(図2に示される)に送る。方向性結合デバイス210は、マイクロ波信号を送信電力検出器212(図2に示される)および放射器206に送る。このマイクロ波信号が放射器206によって送られるとき、電磁界209(図2に示される)は、放射器206から外方に、プローブハウジング208(図2に示される)から放射される。材料310などの材料が電磁界209に入る場合、材料310と界209の間に電磁結合が生じ得る。より具体的には、電磁界209の内部に材料310が存在するので、材料310内での誘導効果および/または容量効果が原因で電磁界209が壊れ、それによって、電磁界209の少なくとも一部分は、電流および/または電荷として物体に誘導結合および/または容量結合することができる。このような例では、放射器206は離調され(すなわち、放射器206の共振周波数の減少および/または変更などが発生する)、放射器206への負荷が引き起こされる。負荷が放射器206に引き起こされることによって、マイクロ波信号の反射が(すなわち「離調負荷信号」)、データコンジット204(図2に示される)を介して方向性結合デバイス210に向けて送られる。
【0039】
例示的な実施形態では、離調負荷信号は、マイクロ波信号の電力振幅より低い電力振幅を有し、および/または位相がマイクロ波信号の位相と異なる。さらに、例示的な実施形態では、離調負荷信号の電力振幅は、放射器206に対する材料310の近さに依存する。方向性結合デバイス210は、離調負荷信号を受信電力検出器214(図2に示される)に送る。
【0040】
例示的な実施形態では、受信電力検出器214は、歪み信号に含まれる電力の量を測定し、測定された離調負荷信号電力を表す信号を信号調節デバイス216(図2に示される)に送る。送信電力検出器212は、マイクロ波信号に含まれる電力の量を検出し、測定されたマイクロ波信号電力を表す信号を信号調節デバイス216に送る。例示的な実施形態では、減算器220(図2に示される)は、測定されたマイクロ波信号電力および測定された離調負荷信号電力を受け取り、マイクロ波信号電力と離調負荷信号電力の差を計算する。減算器220は、計算された差を表す信号(すなわち「電力差分信号」)を、放射器206に対する材料310の近さに関する閾値を用いてプログラムされる閾値検出回路222(図2に示される)に送る。より具体的には、例示的な実施形態では、閾値検出回路222は、材料310が放射器206の近傍にあるかどうかおよび材料310が電磁界209内にあるかどうかを表す値を用いてプログラムされる。
【0041】
例示的な実施形態では、閾値検出回路222は、電力差分信号を、材料と電圧出力信号(すなわち、「検出アナログ信号」)の振幅との実質的に線形の関係を示す検出アナログ信号などの電気出力に変換する。さらに、例示的な実施形態では、検出アナログ信号は、センサアセンブリ124に近接して電磁界209内にある材料310の存在を表す2値出力である。より具体的には、例示的な実施形態では、2値出力は数値0または1を含み、0は、材料310がセンサアセンブリ124に近接しておらず、電磁界209内にないことを示し、1は、材料310がセンサアセンブリ124に近接し、電磁界209内にあることを示す。あるいは、検出アナログ信号は、センサアセンブリ124およびシステム300が本明細書において説明するように機能することを可能にする他の任意の種類の出力であってよい。
【0042】
さらに、例示的な実施形態では、閾値検出回路222は、電気デバイス330内での処理および/または解析のためにスケールファクタが有効にされた電気デバイス330に検出アナログ信号を送る。電気デバイス330が検出アナログ信号を処理および/または解析した後、制御インタフェース376は、データコンジット380を介して入口320に電気信号を送る。例示的な実施形態では、次に、入口320が、材料310が容器318に運び得るように開く。
【0043】
図4は、センサアセンブリ124(図1、2、および3に示される)などのセンサアセンブリを使用して材料110(図1に示される)または材料310(図3に示される)などの材料の存在を検知するために使用できる例示的な方法400である。例示的な実施形態では、少なくとも1つのマイクロ波信号が、マイクロ波放射器206(図2に示される)に送られる402。次に、少なくとも1つの電磁界209(図2に示される)が、放射器206によってマイクロ波信号から生成される404。次に、材料110または310が電磁界209と相互作用するとき、負荷が放射器206に引き起こされ406、負荷を表す少なくとも1つの負荷信号がマイクロ波放射器206からデータコンジット204(図2に示される)の内部に反射される。少なくとも1つの信号処理デバイス200(図2に示される)は、負荷信号を受け取る408。次に、材料110または材料310の存在を表す電気出力が生成される410。
【0044】
材料110または材料310の存在の検知または非存在の検知は、種々の適用例で使用することができる。一実施形態では、材料110の検知は、機械112(図1に示される)に結合されたリザーバ111(図1に示される)内の材料110のレベルを正確に監視するために使用することができる。別の実施形態では、入口320(図3に示される)は、材料310の存在の検知に基づいて開くかまたは閉じることができる。
【0045】
上述の実施形態は、材料の存在の検知に使用するための効率的かつコスト効果の高いセンサアセンブリを提供する。具体的には、本明細書において説明する実施形態は、マイクロ波放射器を使用して材料の存在を検知するセンサアセンブリを提供する。さらに、材料の存在または存在の欠如の検知は、制御システムなどの種々の適用例で使用することができる。たとえば、このような検知方法は、製造システム、処理システム、化学システム、および安全システムを含むがこれらに限定されない種々のシステムで使用される適用例のためのスイッチ、レベル検出器、または計数器に使用することができる。マイクロ波放射器ベースのセンサアセンブリでは、既知のシステムと共に使用される既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、および/または静電容量センサと比較して、大きな測定範囲および高い周波数応答を提供する。したがって、材料の存在を検知するためにマイクロ波放射器を使用すると、検知範囲は、材料の存在を検知するために使用できる既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサと比較して、大幅に拡大する。さらに、センサアセンブリを使用する場所については、既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサを使用するセンサアセンブリと比較して、制限がはるかに少なくなる。さらに、マイクロ波放射器の周波数応答は既知の渦電流センサ、磁気ピックアップセンサ、または静電容量センサと比較して高いので、本明細書において論じるセンサアセンブリは、より正確な測定値を提供することが可能となる。
【0046】
材料の存在を検知するためのセンサアセンブリおよび方法の例示的な実施形態が上記で詳細に説明されている。この方法およびセンサアセンブリは、本明細書において説明する特定の実施形態に限定されるものではなく、むしろ、センサアセンブリの構成要素および/または方法のステップは、本明細書において説明する他の構成要素および/またはステップと独立して個別に利用することができる。たとえば、センサアセンブリは、他のシステムおよび方法と組み合わせて使用することもでき、本明細書において説明するシステムのみを用いて実施することに限定されない。むしろ、例示的な実施形態は、多くの他の測定および/または監視の適用例と共に実施および利用することができる。
【0047】
本発明の種々の実施形態の特定の特徴が示されている図面と示されていない図面があるが、これは単に便宜のためである。本発明の原理によれば、図面の任意の特徴は他の任意の図面の任意の特徴と組み合わせて参照および/または特許請求の範囲に記載されてよい。
【0048】
本明細書では、いくつかの例を使用して、最良の形態を含めて本発明を開示し、また、すべての当業者が、任意のデバイスまたはシステムを作製および使用し、任意の採用した方法を遂行することを含めて本発明を実施することができるようにする。本発明の特許性のある範囲は、特許請求の範囲によって定義され、当業者が想到する他の例を含むことができる。このような他の例は、請求項の書字言語と異ならない構造要素を有する場合、または請求項の書字言語とのわずかな違いを有する等価な構造要素を含む場合、請求項の範囲内に含まれるものとする。
【符号の説明】
【0049】
100 システム
110 材料
111 リザーバ
112 機械
116 排出管
120 燃焼器セクション
124 センサアセンブリ
130 電気デバイス
134 データコンジット
136 データコンジット
140 コンピュータ
144 キーボード
146 モニタ
200 信号処理デバイス
202 プローブ
204 データコンジット
206 マイクロ波放射器
208 プローブハウジング
209 電磁界
210 方向性結合デバイス
212 送信電力検出器
214 受信電力検出器
216 信号調節デバイス
218 信号発生器
220 減算器
222 閾値検出回路
240 変換器
244 データコンジット
300 システム
310 材料
314 プラットフォーム
318 容器
320 入口
330 電気デバイス
334 データコンジット
336 データコンジット
340 メモリ領域
360 材料とセンサアセンブリの間のあらかじめ定義された距離
364 コンピューティングデバイス
366 ネットワーク
370 プロセッサ
376 制御インタフェース
380 データコンジット

【特許請求の範囲】
【請求項1】
システム(100)で使用するためのセンサアセンブリ(124)であって、
前記システム内の材料(110)の存在の検知に使用するための少なくとも1つのプローブであって、少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの電磁界(209)を生成するマイクロ波放射器(206)を備え、前記材料が前記少なくとも1つの電磁界と相互作用するとき、負荷が前記マイクロ波放射器に引き起こされる少なくとも1つのプローブと、
前記マイクロ波放射器に結合されたデータコンジット(204)であって、その内部で、前記負荷を表す少なくとも1つの負荷信号が前記マイクロ波放射器から反射される、データコンジットと、
前記データコンジットを介して前記マイクロ波放射器に結合された少なくとも1つの信号処理デバイス(200)であって、前記少なくとも1つの負荷信号を受け取って、前記材料の存在を表す電気出力を生成するように構成され、前記電気出力が、オペレータおよび前記システムのうち少なくとも一方によって使用可能である、少なくとも1つの信号処理デバイスとを備える、センサアセンブリ。
【請求項2】
前記少なくとも1つの信号処理デバイス(200)が閾値検出回路(222)をさらに備える、請求項1記載のセンサアセンブリ(124)。
【請求項3】
前記閾値検出回路(222)が、前記材料(110)の存在を表す前記電気出力が少なくとも1つの閾値に基づくように、前記少なくとも1つの閾値を用いてプログラムされる、請求項2記載のセンサアセンブリ(124)。
【請求項4】
前記閾値検出回路(222)に結合された変換器(240)をさらに備え、前記変換器が、前記電気出力をデジタル信号に変換するように構成される、請求項2記載のセンサアセンブリ(124)。
【請求項5】
前記電気出力がアナログ信号である、請求項1記載のセンサアセンブリ(124)。
【請求項6】
前記材料(110)が液体である、請求項1記載のセンサアセンブリ(124)。
【請求項7】
前記材料(110)が、金属の物体および非金属の物体のうちの少なくとも一方である、請求項1記載のセンサアセンブリ(124)。
【請求項8】
材料(110)の存在の検知に使用するためのシステム(100)であって、
少なくとも1つのセンサアセンブリ(124)であって、
前記システム内の材料(110)の存在の検知に使用するための少なくとも1つのプローブ(202)であって、少なくとも1つのマイクロ波信号から少なくとも1つの電磁界(209)を生成するマイクロ波放射器(206)を備え、前記材料が前記少なくとも1つの電磁界と相互作用するとき、負荷が前記マイクロ波放射器(206)に引き起こされる少なくとも1つのプローブと、
前記マイクロ波放射器に結合されたデータコンジット(204)であって、その内部で、前記負荷を表す少なくとも1つの負荷信号が前記マイクロ波放射器から反射される、データコンジットと、
前記データコンジットを介して前記マイクロ波放射器に結合された少なくとも1つの信号処理デバイス(200)であって、前記少なくとも1つの負荷信号を受け取って、前記材料の存在を表す電気出力を生成するように構成され、前記電気出力が、オペレータおよび前記システムのうち少なくとも一方によって使用可能である、少なくとも1つの信号処理デバイスとを備える少なくとも1つのセンサアセンブリと、
前記少なくとも1つのセンサアセンブリに結合された電気デバイス(130)とを備えるシステム。
【請求項9】
前記電気デバイス(130)が、制御システムおよび診断システムのうちの少なくとも一方である、請求項8記載のシステム(100)。
【請求項10】
前記少なくとも1つの信号処理デバイス(200)が閾値検出回路(222)をさらに備える、請求項8記載のシステム(100)。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2012−211899(P2012−211899A)
【公開日】平成24年11月1日(2012.11.1)
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願2012−72831(P2012−72831)
【出願日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【出願人】(390041542)ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ (6,332)
【Fターム(参考)】