伝導加熱
テストスロットアセンブリが、記憶装置のテストのために提供される。テストスロットアセンブリは、記憶装置、又は記憶装置搬送器により支持される記憶装置を受け取り、支持するように構成されている。テストスロットアセンブリは伝導加熱アセンブリも含む。伝導加熱アセンブリは、記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、テスト中の記憶装置の加熱に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスクドライブ製造者は典型的に、一連の要求仕様に従って製造されたディスクドライブをテストする。多数のディスクドライブを直列的に又は並列的にテストするテスト機器及び技術が存在する。製造者は多数のディスクドライブを同時にテストする傾向がある。ディスクドライブテストシステムは典型的には、テストのためにディスクドライブを受け取る多数のテストスロットを有する一つ以上のラックを含む。
【０００３】
ディスクドライブの直ぐ周辺のテスト環境は規制される。より高い容量と、より速い回転速度と、より小さいヘッドクリアランスを有する最新世代のディスクドライブは、振動により敏感である。過大な振動はテスト結果の信頼性と電気的接続の完全性に影響を与える場合がある。テスト条件下では、ドライブ自体が支持構造又は隣接するユニットへの固定を通して振動を伝播する場合がある。この震動の「クロストーク」は外部源の震動と共に、バンプエラー、ヘッドスラップ、及び非同期回転振れ精度（non repeatable run-out（ＮＲＲＯ））の一因となり、これは結果として、より低いテスト歩留り及び増加した製造コストとになり得る。
【０００４】
ディスクドライブ又は他の記憶装置の製造中に、記憶装置の温度を制御すること（例えば記憶装置が、所定の温度範囲にわたって動作するようにするために）は一般的である。この理由により、記憶装置の直ぐ周辺のテスト環境は規制される。テスト環境における最小の温度変動は、正確なテスト条件のために、及び記憶装置の安全のために重要であり得る。いくつかの周知のテストシステムでは、複数のディスクドライブデバイスの温度は、ディスクドライブデバイスの全てに共通している冷却空気又は加熱空気を使用することによって調節される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
概して、本開示は、テスト中の記憶装置の加熱に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様では、記憶装置を搬送するため、及び記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器が提供される。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されているフレームを含む。記憶装置搬送器はまた、フレームと関連付けられている伝導加熱アセンブリを含む。伝導加熱アセンブリは、フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。
【０００７】
別の態様において、テストスロットアセンブリは、記憶装置搬送器及びテストスロットを含む。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されているフレーム、及び伝導加熱アセンブリを含む。伝導加熱アセンブリは、フレームと関連付けられ、このフレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。テストスロットは、記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画を含む。
【０００８】
更なる態様では、記憶装置テストシステムは、記憶装置搬送器と、テストスロットと、テスト電子機器と、を含む。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されたフレーム、及び伝導加熱アセンブリを含む。伝導加熱アセンブリは、フレームと関連付けられ、このフレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。テストスロットは、記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画、及び接続インターフェース回路を含む。テスト電子機器は、テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されている。接続インターフェースボードは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、伝導加熱アセンブリとテスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成されている。
【０００９】
他の態様によると、方法は記憶装置の機能性をテストすることと、テスト中に熱伝導を介して記憶装置を加熱することと、を含む。
【００１０】
開示される方法の実施形態、システム、及びデバイスは、１つ以上の以下の特徴を含み得る。
【００１１】
いくつかの実施形態において、クランプ機構は、フレームと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリを動かして、フレームにより支持される記憶装置と接触するように動作し得る。クランプ機構は、テストスロットのテスト区画内の記憶装置搬送器をクランプするように構成されてもよい。
【００１２】
いくつかの場合には、伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメント（たとえば抵抗加熱器）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリはプリント回路（例えば、プリント配線板、フレキシルブルプリント回路等）を含んでもよい。プリント回路は１つ以上の導電性層を含んでもよい。１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の導電性層に組み込まれてもよい。
【００１３】
記憶装置搬送器はまた、温度センサ（例えば熱電対）を含んでもよい。温度センサは、記憶装置の温度を測定するために、フレームにより支持される記憶装置と接触するように配置されてもよい。いくつかの実施例では、クランプ機構は、フレームと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリ及び温度センサを動かして、フレームにより支持される記憶装置と接触するように動作し得る。
【００１４】
いくつかの場合では、伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメント（例えば抵抗加熱器）、及び１つ以上の電気加熱エレメントと電気通信するコンタクト端子を含んでもよく、テストスロットは、接続インターフェース回路、及びこの接続インターフェース回路と電気通信する導電性コンタクト（例えば、ばね接点、ポゴピン等）を含んでもよい。導電性コンタクトは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、伝導加熱アセンブリのコンタクト端子に係合するように配置され得る。
【００１５】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリは、１つ以上の電気加熱エレメント（例えば抵抗加熱器）、及びこの１つ以上の電気加熱エレメントと電気通信する第１ブラインドメイト・コネクタと、を含み、テストスロットは、接続インターフェース回路、及びこの接続インターフェース回路と電気通信する第２ブラインドメイト・コネクタを含む。第２ブラインドメイト・コネクタは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、第１ブラインドメイト・コネクタに係合するように配置され得る。
【００１６】
テスト電子機器は、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成され得る。いくつかの実施形態では、記憶装置搬送器は、温度センサ（例えば熱電対）を含み、接続インターフェースボードは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、温度センサとテスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、テスト電子機器は、少なくとも一部において温度センサから受け取った信号に基づいて、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成されている。別の方法として又は追加で、制御ポイントとしての働きをすることができる別個の温度センサが接続インターフェースボード上に提供されてもよい。接地線に取り付けられている温度検知デバイスを有することも可能であり、これは記憶装置の温度と相関する。
【００１７】
方法は抵抗加熱器を用いて記憶装置を加熱することを含んでもよい。方法はまた、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることを含んでもよい。いくつかの場合では、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることは、抵抗加熱器を動かして、記憶装置と接触するようにクランプ機構を起動させることを含み得る。
【００１８】
方法は、記憶装置を支持する記憶装置搬送器を、テストスロット内へ挿入することも含み得る。記憶装置を加熱することは、記憶装置搬送器及び支持された記憶装置がテストスロット内に配置されている間に、記憶装置を熱伝導によって加熱することを含み得る。
【００１９】
別の態様では、テストスロットアセンブリは、テスト中に記憶装置を収容するために提供される。テストスロットアセンブリは、記憶装置を受け取り、支持するハウジングを含み、テスト中に記憶装置の温度を制御するために、制御された環境を提供する。
【００２０】
別の態様では、テストスロットアセンブリは、ハウジングと関連付けられている伝導加熱アセンブリも含む。伝導加熱アセンブリは、ハウジングによって収容される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。更なる態様では、記憶装置を搬送するため、及び記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器が提供される。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されている。この態様では、テストスロットアセンブリは、記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画、及び接続インターフェース回路を含む。
【００２１】
更なる態様では、記憶装置テストシステムは、テストスロット及びテスト電子機器を含む。テストスロットは、記憶装置及び伝導加熱アセンブリを受け取るように構成されたテスト区画を含む。伝導加熱アセンブリは、テスト区画と関連付けられ、テスト区画に収容される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。テスト電子機器は、テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されている。
【００２２】
更なる態様では、記憶装置テストシステムのテストスロットは、記憶装置搬送器により支持される記憶装置を認識し、載置するように構成されている。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されているフレームを含む。
【００２３】
他の態様によると、方法は記憶装置の機能性をテストすることと、テスト中に熱伝導を介して記憶装置を加熱することと、を含む。
【００２４】
開示される方法の実施形態、システム、及びデバイスは、１つ以上の以下の特徴を含み得る。
【００２５】
いくつかの実施形態において、クランプ機構は、テストスロットと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリを動かして、記憶装置と接触するように動作し得る。クランプ機構は、テストスロットのテスト区画内の記憶装置をクランプするように構成されてもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態において、クランプ機構は、テストスロットと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、テストスロットのテスト区画内の記憶装置及び記憶装置搬送器をクランプするように構成されてもよい。クランプ機構は、それが記憶装置搬送器によって支持されている間に、伝導加熱アセンブリを動かして、記憶装置と接触するように動作し得る。
【００２７】
いくつかの場合には、伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメント（たとえば抵抗加熱器）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリはプリント回路（例えば、プリント配線板、フレキシルブルプリント回路等）を含んでもよい。プリント回路は１つ以上の導電性層を含んでもよい。１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の導電性層に組み込まれてもよい。
【００２８】
テストスロットアセンブリはまた、温度センサ（例えば熱電対）を含んでもよい。温度センサは、記憶装置の温度を測定するように配置されてもよい。いくつかの実施例において、クランプ機構は、テストスロットと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリ及び温度センサを動かして、支持される記憶装置と接触するように動作し得る。
【００２９】
いくつかの場合では、伝導加熱アセンブリは、１つ以上の電気加熱エレメント（例えば抵抗加熱器）を含んでもよく、テストスロットは、接続インターフェース回路と電気通信する接続インターフェース回路を含んでもよい。
【００３０】
いくつかの実施形態は、接続インターフェースボードを有する。接続インターフェースボードは、テスト電子機器との電気通信を提供するように構成されてもよく、テスト電子機器は、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成されてもよい。接続インターフェースボードは、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成され得る。いくつかの実施形態では、テストスロットアセンブリは、温度センサ（例えば熱電対）を含み、接続インターフェースボードは、温度センサとテスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、接続インターフェースボードは、少なくとも一部において温度センサから受け取った信号に基づいて、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成されている。別の方法として又は追加で、制御ポイントとしての働きをすることができる別個の温度センサが接続インターフェースボード上に提供されてもよい。接地線に取り付けられている温度検知デバイスを有することも可能であり、これは記憶装置の温度を相関させる。いくつかの構成では、テスト電子機器は、記憶装置の出力を測定し、記憶装置の実際の温度と、温度センサによって測定された温度との間のいずれかの誤差を補正するように構成されている。いくつかの構成では、接続インターフェースボードは、記憶装置がテスト区画内に配置されたときに、伝導加熱アセンブリとの電気通信を提供する。
【００３１】
方法は抵抗加熱器を用いて記憶装置を加熱することを含んでもよい。方法はまた、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることを含んでもよい。いくつかの場合では、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることは、抵抗加熱器を動かして、記憶装置と接触するようにクランプ機構を起動させることを含み得る。
【００３２】
方法は、記憶装置をテストスロット内へ挿入することも含み得る。記憶装置を加熱することは、支持された記憶装置がテストスロット内に配置されている間に、記憶装置を熱伝導によって加熱することを含み得る。
【００３３】
方法は、記憶装置を支持する記憶装置搬送器を、テストスロット内へ挿入することも含み得る。記憶装置を加熱することは、記憶装置搬送器及び支持された記憶装置がテストスロット内に配置されている間に、記憶装置を熱伝導によって加熱することを含み得る。
【００３４】
方法はまた、記憶装置を、テストスロットのテスト区画内に挿入することと、記憶装置をテストスロットのテスト区画内にクランプするため、及び伝導加熱アセンブリを記憶装置と物理的に接触させる両方のために、クランプ機構と係合することと、を含む。
【００３５】
実施形態では、以下の利点の１つ以上を挙げることができる。
【００３６】
伝導加熱は、テストスロットアセンブリと、その内部に支持される記憶装置との間に提供されてもよい。伝導加熱は、既知の対流加熱方法よりも、より有効であることができ、したがってエネルギー消費の低減に役立つことができる。
【００３７】
伝導加熱は、可動部（例えば、対流加熱にしばしば採用されているブロワー又はファン）の使用を伴わずに、又はこれらの限定された／低減された使用を伴って、実施することができ、したがって震動の発生を制限するのに役立つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】記憶装置テストシステムの斜視図。
【図２】テストスロットアセンブリの斜視図。
【図３Ａ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図３Ｂ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図４】搬送ステーションの斜視図。
【図５】トート及び記憶装置の斜視図。
【図６Ａ】記憶装置テストシステムの平面図。
【図６Ｂ】記憶装置テストシステムの斜視図。
【図７】記憶装置搬送器の分解斜視図。
【図８】クランプ機構の斜視図。
【図９Ａ】ばねクランプの斜視図。
【図９Ｂ】ばねクランプの斜視図。
【図１０】一対のアクチュエータの斜視図。
【図１１Ａ】記憶装置搬送器のフレームの斜視図。
【図１１Ｂ】記憶装置搬送器のフレームの斜視図。
【図１２】伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図１３】図１２の伝導加熱アセンブリからの一対のプリント配線板の平面図。
【図１４】一対のばね板の斜視図。
【図１５Ａ】記憶装置搬送器の側面図。
【図１５Ｂ】線１５Ｂ−１５Ｂに沿ってとった図１５Ａの記憶装置搬送器の断面図。
【図１５Ｃ】図１５Ｂからの詳細図。
【図１５Ｄ】線１５Ｄ−１５Ｄに沿ってとった図１５Ａの記憶装置搬送器の断面図。
【図１６Ａ】ばねクランプが係合位置にある記憶装置搬送器の断面平面図。
【図１６Ｂ】図１６Ａからの詳細図。
【図１６Ｃ】伝導加熱アセンブリが係合位置にある記憶装置搬送器の断面正面図。
【図１７Ａ】記憶装置を支持している記憶装置搬送器の斜視図及び平面図。
【図１７Ｂ】記憶装置を支持している記憶装置搬送器の斜視図及び平面図。
【図１８】記憶装置にクランプされた記憶装置搬送器（storage device transported）の平面図。
【図１９】テストスロットの斜視図。
【図２０】接続インターフェースボードの斜視図。
【図２１】図１９のテストスロット（前側カバーは取り外れされている状態の）からのテスト区画の斜視図。
【図２２Ａ】テストスロットに挿入された、記憶装置を支持している記憶装置搬送器を示す平面図。
【図２２Ｂ】図２２Ａからの詳細図。
【図２３】組み込まれた抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路の平面図。
【図２４】図２３のフレキシブルプリント回路を備える伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図２５】搬送器のフレーム（隠線で示されている）に載置された図２３のフレキシブルプリント回路を備える伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図２６】記憶装置を支持し、デバイスインターフェースボードとの接続のために位置合わせされる記憶装置搬送器の斜視図。
【図２７】記憶装置を支持し、デバイスインターフェースボードとの接続（ブラインドメイト・コネクタを介して）のために位置合わせされる記憶装置搬送器の斜視図。
【図２８】組み込まれた抵抗加熱器及び熱電対を備える一対のプリント配線板の平面図。
【図２９】プリント配線板の露出面上に柔軟な材料を備える温度検出アセンブリの斜視図。
【図３０Ａ】テストスロットアセンブリの斜視図。
【図３０Ｂ】テストスロットアセンブリ及び記憶装置の斜視図。
【図３１Ａ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図３１Ｂ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図３２Ａ】記憶装置テストシステムの平面図。
【図３２Ｂ】記憶装置テストシステムの斜視図。
【図３３】テストスロットの斜視図。
【図３４】接続インターフェースボードの斜視図。
【図３５Ａ】テストスロットアセンブリの分解斜視図。
【図３５Ｂ】テストスロットの斜視図。
【図３６】クランプ機構の斜視図。
【図３７】一対のアクチュエータの斜視図。
【図３８】伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図３９】図３８の伝導加熱アセンブリからの一対のプリント配線板の平面図。
【図４０】テストスロットに挿入された記憶装置を示す平面図。
【図４１】組み込まれた抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路の平面図。
【図４２】図４１のフレキシブルプリント回路を備える伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図４３】組み込まれた抵抗加熱器及び熱電対を備える一対のプリント配線板の平面図。
【図４４】プリント配線板の露出面上に柔軟な材料を備える温度検出アセンブリの斜視図。
【００３９】
様々な図面における同様の参照記号は同様の要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
システムの概要
【００４１】
図１に示されるように、記憶装置テストシステム１０は、複数のテストラック１００（例えば、１０個のテストトラックが示されている）、装填ステーション２００、及びロボット３００を含む。各テストラック１００は複数のテストスロットアセンブリ１２０を保持する。図２に示されるように、各テストスロットアセンブリ１２０は、記憶装置搬送器４００及びテストスロット５００を含む。記憶装置搬送器４００は、記憶装置６００を捕捉するために（図５）（例えば装填ステーションから）、及び記憶装置６００をテストのためにテストスロット５００のうちの１つに搬送するために使用される。
【００４２】
本明細書で使用されるとき、記憶装置には、ディスクドライブ、半導体ドライブ、メモリ装置、及び検証のために非同期テストを必要とするあらゆる装置が挙げられる。ディスクドライブは一般に、磁気表面を備える高速回転する円盤上にデジタルにコード化されたデータを格納する不揮発性の記憶装置である。ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）は、永続データを保存するための半導体メモリを使用するデータ記憶装置である。ＳＲＡＭ又はＤＲＡＭ（フラッシュメモリの代わりに）を使用するＳＳＤは、ＲＡＭドライブと呼ばれることが多い。用語「ソリッドステート」は一般にソリッドステート電子機器を電気機械的な装置と区別する。
【００４３】
図３Ａを参照すると、いくつかの実装では、記憶装置テストシステム１０はまた、テストスロット５００と通信している少なくとも１つのコンピュータ１３０を含む。コンピュータ１３０は、記憶装置６００の在庫管理及び／又は記憶装置テストシステム１０を制御する自動化インターフェースを提供するように構成されてもよい。テストラック１００のそれぞれの内部で、テスト電子機器１６０は、各テストスロット５００と通信している。テスト電子機器１６０は、テストスロット５００内に受け取られたディスクドライブ６００と通信するように構成されている。テスト電子機器１６０は、テストアルゴリズムを実行し、テスト下の記憶装置の状態（例えば温度）をモニターする。
【００４４】
図３Ｂを参照すると、パワーシステム１７０は、記憶装置テストシステム１０に電力を供給する。パワーシステム１７０は、テストスロット５００に受け取られた記憶装置６００への電力を監視し、及び／又はこれを制御してもよい。図３Ｂで図示されている実施例では、各テストトラック１００内のテスト電子機器１６０は、少なくとも１つのテストスロット５００と通信している少なくとも１つの自己テストシステム１８０を含む。自己テストシステム１８０は、テストラック１００及び／又は特定のサブシステム（例えばテストスロット５００）が正しく機能しているかどうかをテストする。自己テストシステム１８０は、クラスターコントローラ１８１、テストスロット５００内に受け取られた記憶装置（ＳＤ）６００とそれぞれが電気通信する１つ以上の接続インターフェース回路１８２、及びこの接続インターフェース回路１８２と電気通信する１つ以上のブロックインターフェース回路１８３を含む。クラスターコントローラ１８１は、いくつかの実施例では、約１２０個の自己テスト及び／又は６０個の記憶装置６００の機能性テストの容量で１つ以上のテストプログラムを実行するように構成されている。接続インターフェース回路１８２及びブロックインターフェース回路１８３は、自己テストをするように構成されている。しかしながら、自己テストシステム１８０は、記憶装置テストシステム１０の１つ以上の構成要素上で自己テストルーティンを実施し、制御するように構成された自己テスト回路１８４を含んでもよい。クラスターコントローラ１８１は、イーサネット（登録商標）（例えばギガビットイーサネット）を介して自己テスト回路１８４と通信してもよく、これは汎用非同期送受信（ＵＡＲＴ）シリアルリンクを介して、ブロックインターフェース回路１８３と、そして接続インターフェース回路１８２及び記憶装置６００上で通信してもよい。ＵＡＲＴは通常、コンピュータ又は周辺装置のシリアルポートの上でシリアル通信のために使用される個々の集積回路（又はその一部）である。ブロックインターフェース回路１８３は、テストスロット５００の電力及び温度を制御するように構成され、各ブロックインターフェース回路１８３は、１つ以上のテストスロット５００及び／又は記憶装置６００を制御してもよい。
【００４５】
いくつかの実施例では、テスト電子機器１６０はまた、少なくとも１つのテストスロット５００と通信している少なくとも１つの機能性テストシステムを含んでもよい。機能性テストシステム１９０は、記憶装置搬送器４００によってテストスロット５００に保持され、及び／又は支持されている、受け取られた記憶装置６００が正しく機能しているかどうかをテストする。機能性テストは、記憶装置６００によって受け取られた電力量、動作温度、データの読み出し及び書き込み能力、並びに異なる温度におけるデータの読み出し及び書きこみ能力（例えば、熱い状態での読み出し、及び冷たい状態で書き込み、又はその逆）をテストすることを含み得る。機能性テストは、記憶装置６００の全てのメモリセクタをテストしてもよく、又は単に無作為にテストしてもよい。機能性テストは、記憶装置６００の動作温度、並びに記憶装置６００との通信のデータの完全性もテストしてもよい。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１、及びこのクラスターコントローラ１８１と電気通信している少なくとも１つの機能性インターフェース回路１９１を含む。接続インターフェース回路１８２は、テストスロット５００及び機能性インターフェース回路１９１内に受け取られた記憶装置６００と電気通信している。機能性インターフェース回路１９１は、記憶装置６００に機能性テストルーティンを通信するように構成されている。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１と、１つ以上の機能性インターフェース回路１９１との間に電気通信を提供する通信スイッチ１９２（例えばギガビットイーサネット）を含んでもよい。コンピュータ１３０、通信スイッチ１９２、クラスターコントローラ１８１、及び機能性インターフェース回路１９１はイーサネットのネットワーク上で通信することが好ましい。しかしながら、他の形態の通信が使用されてもよい。機能性インターフェース回路１９１は、パラレルＡＴアタッチメント（ＩＤＥ、ＡＴＡ、ＡＴＡＰＩ、ＵＤＭＡ及びＰＡＴＡとしても知られるハードディスクインターフェース）、ＳＡＴＡ、又はＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ）を介して接続インターフェース回路１８２に通信してもよい。
【００４６】
図４を参照すると、いくつかの実装では、搬送ステーション２００は、搬送ステーションハウジング２１０、この搬送ステーションハウジング２１０上に配置される複数のトート提示支持システム２２０を含む。各トート提示支持システム２２０は、記憶装置テストシステム１０によるサービスのための提示位置において、記憶装置トート２６０を受け取り、これを支持するように構成されている。
【００４７】
トート提示支持システム２２０は、搬送ステーションハウジング２１０の同じ側面上それぞれ配置されており、お互いに対して垂直に配置されている。各トート提示支持システム２２０は、お互いに対して異なる高さを有する。いくつかの実施例では、図４に示されるように、トート提示支持システム２２０は、記憶装置トート２６０によって画定される、対応するアーム溝部２６６（図５）によって受け取られるように構成されたトート支持アーム２２６を含む。
【００４８】
トート移動器２３０は、搬送ステーションハウジング２１０上に配置され、これに対して動くように構成されている。トート移動器２３０は、記憶装置テストシステム１０によるサービスのために（例えばロボット３００（図１）による）、トート提示支持システム２２０と、トート２６０がその中に載置され、搬送ステーション２００から（例えばオペレータによって）降ろされることができるステージ領域２５０との間にトート２６０を搬送するように構成されている。
【００４９】
図５に図示されるように、トート２６０は、トート本体２６２を含み、これはそれぞれが記憶装置６００を収容するように構成されている複数の記憶装置レセプタクル２６４（例えば示されるように１８個）を画定する。記憶装置レセプタクル２６４のそれぞれは、受け取られた記憶装置６００の中央部分を支持し、非中央部分に沿って（例えば、記憶装置の側面、前側エッジ及び／又は後ろ側エッジ）、記憶装置６００の操作を可能にするように構成された記憶装置支持２６５を含む。トート本体２６２はまた、搬送ステーションハウジング２１０のトート支持アーム２２６（図４）と係合するように構成されているアーム溝部２６６を画定し、これによってトート２６０を支持する（例えばロボット３００（図１）によるサービスのために）。
【００５０】
図６Ａ及び６Ｂを参照すると、ロボット３００はロボットアーム３１０、及びこのロボットアーム３１０の遠位端に配置されたマニピュレータ３１２（図６Ａ）を含む。ロボットアーム３１０は、床面３１６に垂直である第１軸（図６Ｂ）を規定し、ロボットの動作領域３１８内で、第１軸３１４を中心に所定の弧を通って回転し、第１軸３１４から放射状に延びるように動作し得る。ロボットアーム３１０は、搬送ステーション２００におけるトート２６０とテストラック１００との間で記憶装置６００を移送することによって、各テストスロット５００を個別にサービスするように構成されている。特に、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて記憶装置搬送器４００をテストスロット５００のうちの１つから取り除き、次いで記憶装置搬送器４００を用いて、搬送ステーション２００において記憶装置６００を記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つから回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、その内部の記憶装置６００と共に、記憶装置６００のテストのためにテストスロット５００に戻すように構成されている。テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００のうちの１つから記憶装置搬送器４００を、支持された記憶装置６００と共に回収し、それを記憶装置搬送器４００の操作によって（即ち、マニピュレータ３１２を用いて）搬送ステーション２００における記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００のうちの別のものに移動させる）。
【００５１】
記憶装置搬送器
【００５２】
図７に示されるように、記憶装置搬送器４００は、フレーム４１０、クランプ機構４５０、及び伝導加熱アセンブリ４９０を含む。伝導加熱アセンブリは、フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱されるのを可能にする。
【００５３】
図８に示されるように、クランプ機構４５０は、それぞれがアクチュエータ４５４及び一対のばねクランプ（即ち、近位ばねクランプ４５６ａ及び遠位ばねクランプ４５６ｂ）を含む、一対のクランプアセンブリ４５２を含む。図９Ａ及び９Ｂを参照すると、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂは、ベース部分４５８、並びにそれぞれがこのベース部分４５８に接続された近位端４６２及び変位可能な遠位端４６４を有する第１ばねアーム４６０ａ及び第２ばねアーム４６０ｂを含む。ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂは板金（例えばステンレス鋼）から形成されることができる。それらの近位端４６２と遠位端４６４との間では、ばねアーム４６０ａ、４６０ｂは、狭い領域４６６、広い領域４６８、及びそれらの間の一対のエッジ４７０を画定する。図９Ａで図示されるように、第１ばねアーム４６０ａは、緩衝器４７４を有する第１嵌合部材４７２を含む。緩衝器４７４は、例えば熱可塑材、熱硬化材等から形成することができる。図９Ｂに示されるように、第２ばねアーム４６０ｂは、突出部４７８を画定する第２嵌合部材４７６を含む。ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂのそれぞれはまた、ベース部分４５８から外側に延在する一対の載置タブ４８０を含む。フレーム４１０を備えるアセンブリに従って、載置タブ４８０は、フレーム４１０の側壁４１８内で（図１１Ａ及び１１Ｂ）ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂを定位置に保持するのに役立つ。アセンブリに従って、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂはフレーム４１０に載置され、アクチュエータ４５４と動作可能に関連付けられている（例えば、フレーム内の記憶装置６００をクランプするために、及び／又はテストスロット５００のうちの１つの内部でフレームをクランプするために）。
【００５４】
図１０を参照すると、アクチュエータ４５４のそれぞれは、駆動機構を画定する内面４８１ａ及び外面４８１ｂを含む。駆動機構は楔４８２及び凹み４８３を含む。アクチュエータ４５４はまた、内面４８１ａと外面４８１ｂとの間に延びる開口部４８４を画定する。それらの近位端４８５において、アクチュエータ４５４は、フレーム４１０に対するアクチュエータ４５４の動きを制御するためにマニピュレータ３１２（図６Ａ）と係合可能であるように構成されているアクチュエータソケット４８６を含む。
【００５５】
図１１Ａ及び１１Ｂに図示されるように、フレーム４１０は面板４１２を含む。第１面４１４に沿って、面板４１２はくぼみ４１６を画定する。くぼみ４１６は、ロボットアーム３１０のマニピュレータ３１２（図６Ａ）によって開放可能に係合されてもよく、これはロボットアーム３１０が記憶装置搬送器４００を把持し、動かすことを可能にする。面板４１２はまた、ベベルエッジ４１７（図１１Ｂ）を含む。記憶装置搬送器４００がテストスロット５００のうちの１つに挿入されたときに、面板４１２のベベルエッジ４１７は、テストスロット５００の相補的ベベルエッジ５１５（図１９）に突き当りシールを形成し、これは、以下に記載のとおり、テストスロット５００の中への空気の出入りを阻止するのに役立つ。
【００５６】
フレーム４１０はまた、面板４１２の第２面４２０から外側に延在する一対の側壁４１８、及び側壁４１８の間に延在し、これらを接続する底板４２２を含む。側壁４１８及び底板４２２は一緒に、実質的にＵ型の開口部を画定し、これは記憶装置搬送器４００がトート２２０内の記憶装置支持体２２６から記憶装置６００を把持して離すのに使用されるのを可能にする。
【００５７】
フレーム４１０はまた、記憶装置領域４０２ａとプレナム領域４０２ｂとの間に配置されているプレナム壁部４０１を含む。空気流（例えば搬送器４００に支持されている記憶装置を冷却するための）は、側壁４１８のうちの１つにおける入口の開口部４０３を介して、プレナム領域４０２ｂ内へと向けることができる。空気流は次いで、プレナム壁部４０１における空気流開口部４０４を通って記憶装置領域４０２ａの方に送達され得る。フレーム４１０は成型プラスチックから形成されてもよい。
【００５８】
重り４０５（例えば、銅ブロック）はプレナム領域４０２ｂ内に配置され、底板４２２に載置される。重り４０５は、支持された記憶装置とテストスロット５００との間のテスト中の振動の伝達を阻止するのに役立つことができる。
【００５９】
側壁４１８は、それらの間に記憶装置６００（図５）を受け取るように離間されており、記憶装置６００を支持するための表面４２４を画定する。側壁４１８はまた、後ろフック４２６を画定し、これは記憶装置６００をテストスロット５００から抽出するのに有用であり得る（例えば、テストスロット５００内の嵌合コネクタから記憶装置上のコネクタを分離するために）。後ろフック４２６は開口部４２７を含み、これは伝導加熱アセンブリ４９０を収容するのに役立つことができる。側壁４１８はまた、リードイン４２８（例えば面取りエッジ）を画定し、これはフレーム４１０において記憶装置６００を中心合わせする際に補助することができる。
【００６０】
側壁４１８はそれぞれ、一対の通過開口部４３０を画定し、これは側壁４１８の内面４３２ａと外面４３２ｂとの間に延びる。アセンブリに従って、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの対応する１つは通過開口部４３０のそれぞれと関連付けられている。側壁４１８はまた、側壁４１８の近位端４３５から遠位端４３６まで延在するアクチュエータスロット４３４を画定する。面板４１２は、その第１面４１４と第２面４２０との間に延びる一対の開口部４３７（図１１Ａ）を画定し、これはアクチュエータスロット４３４へのアクセスを可能にする。組み立てられたときに、アクチュエータ４５４（図８）は、アクチュエータスロット４３４の内部に摺動可能に配置され、ばねアーム４５６ａ、４５６ｂの移動を起動させるように配置されている。
【００６１】
更に図１１Ａ及び１１Ｂを参照すると、側壁４１８はまた貫通孔４３８を画定する。貫通孔４３８は、側壁４１８の内面４３２ａと外面４３２ｂとの間に延び、通貨する開口部４３０間の領域において、アクチュエータスロット４３４へのアクセスを可能にする。伝導加熱アセンブリはこれらの貫通孔４３８を介してフレーム４１０に載置されてもよい。
【００６２】
図１２に示されるように、伝導加熱アセンブリ４９０は、一対のプリント配線板（即ち、第１プリント配線板４９１ａ及び第２プリント配線板４９１ｂ）、一対の圧板４９２、及び一対の弾性付勢機構（ばね板４９３の形態で示されている）を含み、これはプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを、アセンブリに従ってフレーム４１０の側壁４１８の方に付勢するように動作する。図１３を参照すると、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの対応する第１面４８８において、導電性層（例えば銅）に組み込まれている抵抗加熱器４８７を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、それらの対応する近位端４９４ａにおいて配線パッド４８９を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、配線パッド４８９においてプリント配線板４９１ａ、４９１ｂに半田付けされている配線４９５を介してお互いに電気的に接続され得る。第１プリント配線板４９１ａは、その遠位端４９４ｂにおいて一対のコンタクト端子４９６を含む。コンタクト端子４９６は、テストスロット５００内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂはＦＲ ４基材から形成されてもよく、エッチングされた銅の表面層を備える。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、圧板４９２の関連付けられた１つに載置される（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。
【００６３】
圧板４９２は実質的に平坦であり、金属又は硬質プラスチックから形成されてもよい。圧板４９２はそれぞれ、ばね板４９３の対応する１つに載置される。
【００６４】
図１４を参照して、ばね板４９３はそれぞれ、本体部材４９７、並びに本体部材４９７の対抗する側部から外側に延在する上方エッジ４９８ａ及び下方エッジ４９８ｂを含む。本体部材４９７は、圧板４９２のうちの１つに取り付けられる（接着剤又は機械的締結具を介して）。ばね板４９３は、板金、例えばステンレス鋼から形成されてもよい。フレーム４１０と組み立てられたときに、ばね板４９３の上方エッジ４９８ａ及び下方エッジ４９８ｂは、アクチュエータスロット４３４内に位置し、本体部材４９７は、フレーム４１０におけるＵ型の開口部の方へ、側壁４１８における貫通孔４３８を通って延在する。
【００６５】
図１５Ａを参照すると、伝導加熱アセンブリ４９０、及びフレーム４１０を備えるクランプ機構のアセンブリに従って、アクチュエータ４５４はそれぞれ独立して、アクチュエータスロット４３４（図１１Ａ）の１つに対応する内部で摺動可能であり、開放位置と係合位置との間で側壁４１８に対して可動である。図１５Ｂ〜１５Ｃに図示されるように、アクチュエータ４５４が解放位置にあるときに、係合部材４７２、４７６は、それらがアクチュエータ４５４の凹み４８３（図１５Ｃ）内に収縮される停止位置の方へ付勢される。図１５Ｄに図示されるように、停止位置にある係合部材４７２、４７６と共に、ばね板４９３は、図１５Ｄに図示されるように圧板４９２を側壁４１８に対して位置するように強制する（付勢する）。
【００６６】
ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの第１係合部材４７２及び第２係合部材４７６は、面板４１４の第１面４１４の方へ、アクチュエータ４５４を内側に押すことによって係合されてもよい（図１６Ａに矢印６０によって示されているように）。図１６Ａ〜１６Ｂを参照すると、係合位置では、アクチュエータ４５４の楔４８２が、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂに係合して、ばねアーム４６０ａ、４６０ｂの第１係合部材４７２及び第２係合部材４７６を、側壁４１８の内面４３２ａ及び外面４３２ｂから外側に延在させる。図１６Ｂ及び１６Ｃに示されるように、係合位置では、緩衝器４７４（図１６Ｂ）は圧板４９２を係合することによって、圧板４９２、及び取り付けられたプリント基板４９１ａ、４９１ｂを側壁４１８から外へ強制する。
【００６７】
図１７Ａ及び１７Ｂに示されように、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂ、及び圧板４９２が収縮した状態で、アクチュエータ４５４が解放位置にあるとき、記憶装置６００（図１７Ｂでは隠れている）はプリント配線板４９１ａ、４９１Ｂ間でフレーム４１０内へ挿入され得る。記憶装置６００がフレーム４１０に挿入されている状態で、アクチュエータ４５４は、係合位置の方に動かされ、第１係合部材４７２をずらして圧板４９２と接触させることができ、これによって、プリント配線板が記憶装置６００に係合するように、圧板４９２及び取り付けられたプリント配線板４９１ａ、４９１ｂのずれを生じさせる。これは、抵抗加熱器４８７と記憶装置６００との間に良好な伝導熱移動のために、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの記憶装置６００との直接接触をもたらし、同時に、図１８に示されるように、フレーム４１０に対する動きに抗して記憶装置６００をクランプする。緩衝器４７４は、記憶装置搬送器４００と記憶装置６００との間の振動の移動を阻止するのに役立つことができる。加熱器エレメントと記憶装置との間に柔軟なインターフェース材料を添加して、記憶装置の表面の不規則性を調節することも可能である。
【００６８】
テストスロット
【００６９】
図１９に示されるように、テストスロット５００は、ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂ、並びに第１カバー５１４ａ及び第２カバー５１４ｂを含む。第１カバー５１４ａは、ベース５１０及び直立壁５１２ａ、５１２ｂと共に一体成型される。テストスロット５００は、後部５１８及び前部５１９を含む。後部５１８は接続インターフェースボード５２０を収容し、これは接続インターフェース回路１８２（図３Ａ及び３Ｂ）を担持する。図２０に示されるように、接続インターフェースボード５２０は、接続インターフェースボード５２０の遠位端５７３に沿って配置される電気コネクタ５２２を含む。電気コネクタ５２２は、接続インターフェース回路１８２（図３Ａ及び３Ｂ）と、関連付けられたテストラック１００におけるテスト回路（例えば、自己テストシステム１８０及び／又は機能性テストシステム１９０）との間に電気通信を提供する。接続インターフェースボード５２０はまた、テストスロットコネクタ５２４を含み、これは接続インターフェース回路１８２とテストスロット５００内の記憶装置との間に電気通信を提供する。
【００７０】
接続インターフェースボード５２０はばね接点５２９も含む。記憶装置搬送器４００がテストスロット５００に挿入されたときに、ばね接点５２９は、第１プリント配線板４９１ａ上のコンタクト端子４９６に係合するように配置され、これによってプリント配線板４９１ａ、４９１ｂと接続インターフェースボード５２０との間に電気通信を提供する。ポゴピンもまた、ばね接点５２９の代替として、又はこれと組み合わせて使用されてもよい。別の方法として又は追加で、ブラインド嵌合コネクタの嵌合（即ち、雄及び雌）を使用して、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂと接続インターフェースボード５２０との間に電気通信を提供してもよい。
【００７１】
テストスロット５００の前部５１９は、記憶装置搬送器４００のうちの１つを受け取り、支持するためのテスト区画５２６を画定する。ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂと、第１カバー５１４ａは一緒に、テスト区画５２６へのアクセス（例えば、記憶装置搬送器４００を挿入し取り除くための）を提供する第１開放端５２５、及びテストスロット５００中に挿入された記憶装置搬送器４００の面板４１２に突き当たって第１開放端５２５を介したテストスロット５００へ空気の出入りを阻止するシールを提供するベベルエッジ５１５を画定する。
【００７２】
図２１に示されるように、テスト区画５２６の領域において、直立壁５１２ａ、５１２ｂは係合特徴５２７を画定し、これは記憶装置搬送器４００のばねクランプ４５６ａ、４５６ｂのための嵌合面を提供し、記憶装置搬送器４００がテストスロット５００内でクランプされるのを可能にする。例えば、記憶装置搬送器４００内の記憶装置６００を用いて、並びに解放位置にあるアクチュエータ４５４を用いて、記憶装置６００上のコネクタ６１０（図１７Ａ）がテストスロットコネクタ５２４と嵌合するまで、記憶装置搬送器４００はテストスロット５００に挿入され得る。
【００７３】
記憶装置搬送器４００がテストスロット５００内の完全に挿入された位置にある状態で（即ち、記憶装置コネクタ６１０がテストスロットコネクタ５２４と嵌合している状態）、アクチュエータ４５４は係合位置に向けて動かすことができ、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの第１係合部材４７２及び第２係合部材４７６を、側壁４１８の内面４３２ａ及び外面４３２ｂから外側に延びるようにずらす。図２２Ａ及び２２Ｂを参照すると、係合位置においては、第２係合部材４７６は、側壁４１８の外面４３２ｂから外側に延び、テストスロット５００内の係合特徴５２７に係合して、テストスロット５００に対する動きに対して記憶装置搬送器４００をクランプする。同時に、第１係合部材４７２は、側壁４１８の内面４３２ａから外側に延び、伝導加熱アセンブリ４９０のプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを記憶装置６００の方にずらして、記憶装置搬送器４００に対する動きに対して記憶装置６００をクランプし、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂと記憶装置６００との間の良好な熱的接触を提供する。この良好な熱的接触は、テスト中に抵抗加熱器４８７を介して、記憶装置６００の効率的な伝導加熱を可能にする。このクランプの効果はまた、第１プリント配線板４９１ａのコンタクト端子４９６を、接続インターフェースボード５２０上のばね接点５２９と確実に接触させる。
【００７４】
動作の方法
【００７５】
使用時に、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて記憶装置搬送器４００をテストスロット５００のうちの１つから取り除き、次いで、記憶装置搬送器４００を用いて、搬送ステーション２００において記憶装置６００を１つの記憶装置レセプタクル２６４から回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、その内部の記憶装置６００と共に、記憶装置６００のテストのために関連付けられているテストスロット５００に戻す。テスト中は、テスト電子機器１６０は、とりわけ、テスト下の記憶装置６００の温度調節を含むテストアルゴリズムを実施する。例えば、テスト中に記憶装置６００はそれぞれ、約７０℃の温度まで加熱される。テスト電子機器１６０は、伝導加熱アセンブリ４９０の抵抗加熱器４８７への電流を制御することによって、テスト下の記憶装置６００の加熱を調節することができる。したがって、記憶装置６００の高効率な加熱は、主に受動素子（例えば抵抗加熱器４８７）のみを使用して達成することができる。
【００７６】
テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００から記憶装置搬送器４００を、支持された記憶装置６００と共に回収し、それを記憶装置搬送器４００の操作によって（即ち、マニピュレータ３１２を用いて）搬送ステーション２００における記憶装置レセプタクル２２４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００のうちの別のものに移動させる）。
【００７７】
他の実施形態
【００７８】
他の実施形態は、以下の「請求項の範囲」内である。
【００７９】
例えば、抵抗加熱器が、一緒に配線されている比較的に剛性な一対のプリント配線板における回路に組み込まれている伝導加熱アセンブリの実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、抵抗加熱器はフレキシブルプリント回路の回路に組み込まれてもよい。実施例として、図２３は、一対の回路部分（即ち、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂ）と、第１回路部分７０２ａ及び第２回路と７０２ｂと一体である接続部分７０４と、を含むフレキシブルプリント回路７００を図示する。
【００８０】
第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、導電性トレースによって画定されている抵抗加熱器７０６を含む。接続部分７０４はまた、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの抵抗加熱器７０６間に電気的接続を提供する、導電性トレース７０８を含む。第１回路部分７０２ａは、その遠位端７１２において一対のコンタクト端子７１０を含む。コンタクト端子７１０は、テストスロット５００内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。組み込まれた抵抗加熱を備える好適なフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【００８１】
図２４において示されるように、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、圧板プレート４９２の関連付けられている１つに載置されている（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。圧板４９２は、追加された剛性及び安定性のために、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの全体の裏面に沿って延在し、記憶装置搬送器４００がテストスロット５００に挿入されたときに、フレキシブルプリント回路７００上のコンタクト端子７１０と、接続インターフェースボード５２９上のばねコンタクト（図２０）との間の良好な電気的接触を提供するのに役立つことができる。
【００８２】
あるいは、図２５に図示されるように、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの遠位端７１２は、フレーム４１０の後ろフック４２６の周辺で、遠位端７１２がこのフックの形状に一致するように巻き付けられるのを可能にするために、圧板４９２によって支持されてないままであってよい。第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの遠位端７１２は、例えば接着剤を用いて、後ろフック４２６に取り付けられてもよい。図２６に図示されるように、接続インターフェースボード５２０は、いくつかの実施形態では、フレキシブルプリント回路７００のコンタクト端子７１０との電気接点のためのポゴピン５３０を含んでもよい。
【００８３】
別の方法又は追加で、記憶装置搬送器のプリント回路と、接続インターフェースボードとの間の電気的接続が、ブラインド嵌合コネクタによって提供されてもよい。例えば、図２７は、記憶装置搬送器４００のプリント回路７００と、接続インターフェースボード５２０との間の電気通信のために、嵌合するブラインド嵌合コネクタ（即ち雄ブラインド嵌合コネクタ７２１及び雌ブラインド嵌合コネクタ７２２）が提供されている実施形態を図示する。
【００８４】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、テスト中に記憶装置搬送器において支持されている記憶装置の温度をモニタリングするために、１つ以上の温度センサを含んでもよい。例えば、図２８は、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂが、記憶装置搬送器において支持されている記憶装置の温度を測定するように配置されている熱電対７２０を含む、１つの実施形態を図示する。特に、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂが記憶装置搬送器４００において支持されている記憶装置６００に対してクランプされるときに、熱電対７２０は記憶装置６００の表面に接触し、これによって記憶装置６００の温度が測定されるのを可能にする。
【００８５】
抵抗加熱器４８７のためのコンタクト端子４９６に加えて、第１プリント配線板４９１ａはまた、熱電対７２０に電気的に接続されている熱電対コンタクト端子７２２が提供される。追加のばね接点又はポゴピンが、接続インターフェースボード５２０（図２０）上に提供されて、接続インターフェースボード５２０と熱電対７２０との間に電気通信を提供してもよい。
【００８６】
熱電対７２０は、接続インターフェースボード５２０を介して、テスト電子機器１６０（図３Ａ及び３Ｂ）と電気通信している状態で配置されてもよい。テスト電子機器１６０は、少なくとも一部において熱電対７２０から受け取った信号に基づいて、抵抗加熱器４８７への電流を制御するように構成されてもよい。
【００８７】
熱電対７２０は、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのうちの１つに載置されている別個のデバイスの形態で提供されてもよく、又はそれはプリント配線板４９１ａ、４９１ｂの導電性層に組み込まれてもよい。更に、熱電対が剛性のプリント配線板上に提供されている実施形態が記載されてきたが、熱電対は、例えば、図２４〜２６に関して上記の実施形態のように、フレキシブルプリント回路を採用する実施形態に組み込まれてもよい。組み込まれた熱電対及び／又は抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【００８８】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、抵抗加熱器４８７と、記憶装置搬送器４００に支持されている記憶装置との間に追加層として、柔軟な材料、例えばBergquist Company（Chanhassen,MN）によって製造されているＳｉｌ−Ｐａｄなどを含んでもよい。例えば、図２９は、柔軟な材料７３０の層が、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの第１表面４８８に接着されている実施形態を図示する。柔軟な材料７３０は、記憶装置搬送器４００内にクランプされたときに、支持されている記憶装置の擦過を阻止するのに役立つことができる。柔軟な材料７３０はまた、記憶装置搬送器４００と支持されている記憶装置との間の震動の伝達を更に抑制するのに役立つこともできる。抵抗加熱器と記憶装置との間の柔軟な材料はまた、記憶装置の表面の不規則性を調節し、より効果的な熱移動を可能にする。
【００８９】
圧板、及び関連付けられたプリント回路を搬送器のフレームの対応する側壁の方へ付勢するために一対のばね板を利用する記憶装置搬送器の実施形態が記載されてきたが、他の弾性の付勢機構が可能である。
【００９０】
複数のばねクランプ（spring claims）を含むクランプ機構の実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、わずか１つのばねクランプが使用されてもよい。
【００９１】
テストスロットの他の実施形態が使用されてもよく、記憶装置搬送器は異なる形態をとってもよく、又はテストスロットアセンブリ中に存在しなくてもよい。図３０Ａに示されるように、各テストスロットアセンブリ１２０は、テストされる記憶装置６００を受け取るために、少なくとも１つのテストスロット５００ａを含んでもよい。図３０Ｂに示されるように、テストスロットアセンブリ１２０は、所望の記憶装置搬送器４００を含んでもよい。記憶装置搬送器４００は、記憶装置６００を捕捉するために（例えば装填ステーションから）、及び記憶装置６００をテストのためにテストスロット５００ａのうちの１つに移送するために使用されてもよい。記憶装置搬送器４００は、組み込まれた側壁４１８を有してもよい。いくつかの実装では、側壁は記憶装置搬送器４００には存在しない。
【００９２】
図３１Ａを参照して、いくつかの実装において、記憶装置テストシステム１０はまた、テストスロット５００ａと通信している少なくとも１つのコンピュータ１３０を含む。コンピュータ１３０は、記憶装置６００の在庫管理及び／又は記憶装置テストシステム１０を制御する自動化インターフェースを提供するように構成されてもよい。テストラック１００のそれぞれの内部で、テスト電子機器１６０は、各テストスロット５００ａと通信している。テスト電子機器１６０は、テストスロット５００ａ内に受け取られたディスクドライブ６００と通信するように構成されている。テスト電子機器１６０は、テストアルゴリズムを実行し、テスト下の記憶装置の状態（例えば温度）をモニターする。
【００９３】
図３１Ｂを参照すると、パワーシステム１７０は、記憶装置テストシステム１０に電力を供給する。パワーシステム１７０は、テストスロット５００ａに受け取られた記憶装置６００への電力を監視し、及び／又はこれを制御してもよい。図３１Ｂで図示されている実施例では、各テストトラック１００内のテスト電子機器１６０は、少なくとも１つのテストスロット５００ａと通信している少なくとも１つの自己テストシステム１８０を含む。自己テストシステム１８０は、テストスロット５００ａ内に受け取られた記憶装置６００の自己テストを支持する。自己テストシステム１８０は、クラスターコントローラ１８１、テストスロット５００ａ内に受け取られた記憶装置（ＳＤ）６００とそれぞれが電気通信する１つ以上の接続インターフェース回路１８２、及びこの接続インターフェース回路１８２と電気通信する１つ以上のブロックインターフェース回路１８３を含む。クラスターコントローラ１８１は、いくつかの実施例では、約１２０個の自己テスト及び／又は６０個の記憶装置６００の機能性テストの容量で１つ以上のテストプログラムを実行するように構成されている。接続インターフェース回路１８２及びブロックインターフェース回路１８３は、記憶装置の自己テストを支援するように構成されている。記憶装置の自己テストは、記憶装置６００によって受け取られた電力量、動作温度、データの読み出し及び書き込み能力、並びに異なる温度におけるデータの読み出し及び書きこみ能力（例えば、熱い状態での読み出し、及び冷たい状態で書き込み、逆もまた同様）をテストすることを含み得る。記憶装置の自己テストは、記憶装置６００の全てのメモリセクタをテストしてもよく、又は無作為抽出でテストしてもよい。機能性テストは、記憶装置６００の動作温度、並びに記憶装置６００との通信のデータの完全性もテストしてもよい。クラスターコントローラ１８１は、イーサネット（例えばギガビットイーサネット）を介して自己テスト回路１８４と通信してもよく、これは汎用非同期送受信（ＵＡＲＴ）シリアルリンクを介して、ブロックインターフェース回路１８３と、そして接続インターフェース回路１８２及び記憶装置６００上で通信してもよい。ＵＡＲＴは通常、コンピュータ又は周辺装置のシリアルポートの上でシリアル通信のために使用される個々の集積回路（又はその一部）である。ブロックインターフェース回路１８３は、テストスロット５００ａの電力及び温度を制御するように構成され、各ブロックインターフェース回路１８３は、１つ以上のテストスロット５００ａ及び／又は記憶装置６００を制御してもよい。
【００９４】
いくつかの実施例では、テスト電子機器１６０はまた、少なくとも１つのテストスロット５００ａと通信している少なくとも１つの機能性テストシステム１９０を含んでもよい。機能性テストシステム１９０は、記憶装置搬送器４００によってテストスロット５００ａに保持され、及び／又は支持されている、受け取られた記憶装置６００が正しく機能しているかどうかをテストする。機能性テストは、記憶装置６００によって受け取られた電力量、動作温度、データの読み出し及び書き込み能力、並びに異なる温度におけるデータの読み出し及び書きこみ能力（例えば、熱い状態での読み出し、及び冷たい状態で書き込み、逆もまた同様）をテストすることを含み得る。機能性テストは、記憶装置６００の全てのメモリセクタをテストしてもよく、又は無作為抽出でテストしてもよい。機能性テストは、記憶装置６００の動作温度、並びに記憶装置６００との通信のデータの完全性もテストしてもよい。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１、及びこのクラスターコントローラ１８１と電気通信している少なくとも１つの機能性インターフェース回路１９１を含む。接続インターフェース回路１８２は、テストスロット５００ａ及び機能性インターフェース回路１９１内に受け取られた記憶装置６００と電気通信している。機能性インターフェース回路１９１は、記憶装置６００に機能性テストルーティンを通信するように構成されている。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１と、１つ以上の機能性インターフェース回路１９１との間に電気通信を提供する通信スイッチ１９２（例えばギガビットイーサネット）を含んでもよい。コンピュータ１３０、通信スイッチ１９２、クラスターコントローラ１８１、及び機能性インターフェース回路１９１はイーサネットのネットワーク上で通信することが好ましい。しかしながら、他の形態の通信が使用されてもよい。機能性インターフェース回路１９１は、パラレルＡＴアタッチメント（ＩＤＥ、ＡＴＡ、ＡＴＡＰＩ、ＵＤＭＡ及びＰＡＴＡとしても知られるハードディスクインターフェース）、ＳＡＴＡ、又はＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ）を介して接続インターフェース回路１８２に通信してもよい。
【００９５】
図３２Ａ及び３２Ｂを参照すると、ロボット３００はロボットアーム３１０、及びこのロボットアーム３１０の遠位端に配置されたマニピュレータ３１２（図３２Ａ）を含む。ロボットアーム３１０は、床面３１６に垂直である第１軸（図３２Ｂ）を規定し、ロボットの動作領域３１８内で、第１軸３１４を中心に所定の弧を通って回転し、第１軸３１４から放射状に延びるように動作し得る。ロボットアーム３１０は、例えば、搬送ステーション２００におけるトート２６０とテストラック１００との間で記憶装置６００を移送することによって、各テストスロット５００ａを個別にサービスするように構成されている。いくつかの実装では、ロボットアーム３１０は、搬送ステーション２００において１つの記憶装置レセプタクル２６４から記憶装置６００を回収し、記憶装置６００のテストのために、記憶装置６００をテストスロット５００ａ内に搭載する。いくつかの実装では、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて記憶装置搬送器４００をテストスロット５００ａのうちの１つから取り除き、次いで記憶装置搬送器４００を用いて、搬送ステーション２００において記憶装置６００を記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つから回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、その内部の記憶装置６００と共に、記憶装置６００のテストのためにテストスロット５００ａに戻すよう構成されている。テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００ａのうちの１つから、支持されている記憶装置６００（及び、該当する場合には、記憶装置搬送器４００を）回収し、それを、搬送ステーション２００において記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００ａのうちの別のものに移動させる）。
【００９６】
加熱アセンブリを備えるテストスロット
【００９７】
図３３に示されるように、テストスロット５００ａは、ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂ、並びに第１カバー５１４ａ及び第２カバー５１４ｂを含む。第１カバー５１４ａは、ベース５１０及び直立壁５１２ａ、５１２ｂと共に一体成型される。テストスロット５００ａは、後部５１８及び前部５１９を含む。後部５１８は接続インターフェースボード５２０を収容し、これは接続インターフェース回路１８２（図３１Ａ及び３１Ｂ）を担持している。図３４に示されるように、接続インターフェースボード５２０は、接続インターフェースボード５２０の遠位端５７３に沿って配置される電気コネクタ５２２を含む。電気コネクタ５２２は、接続インターフェース回路１８２（図３１Ａ及び３１Ｂ）と、関連付けられたテストラック１００におけるテスト回路（例えば、自己テストシステム１８０及び／又は機能性テストシステム１９０）との間に電気通信を提供する。接続インターフェースボード５２０はまた、テストスロットコネクタ５２４を含み、これは接続インターフェース回路１８２とテストスロット５００ａ内の記憶装置との間に電気通信を提供する。
【００９８】
テストスロット５００ａの前部５１９は、記憶装置６００を受け取り、支持するためのテスト区画５２６を画定し、又は所望により、記憶装置６００を運ぶための記憶装置搬送器４００を画定する。ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂ、及び第１カバー５１４ａは一緒に、第１開放端５２５を画定し、これは、テスト区画５２６へのアクセス（例えば記憶装置６００又は記憶装置搬送器４００の挿入及び取り外しのための）、及びベベルエッジ５１５を提供する。いくつかの実装では、ベベルエッジ５１５は、テストスロット５００ａに挿入された記憶装置搬送器４００の面板に突き当って、第１開放端５２５を介するテストスロット５００ａへの空気の出入りを阻止するシールを提供する。
【００９９】
図３５Ａ及び３５Ｂに示されるように、テストスロット５００ａは、クランプ機構４５０及び伝導加熱アセンブリ４９０を含む。伝導加熱アセンブリ４９０は、テストスロットにより支持される記憶装置が熱伝導によって加熱されるのを可能にする。クランプ機構４５０及び伝導加熱アセンブリ４９０は、いくつかの可能な構成においてはテストスロット５００ａに含まれてもよい。いくつかの実装では、クランプ機構４５０は、テストスロット５００ａの直立壁５１２ａ、５１２ｂに突き当る。記憶装置６００がテストスロット５００ａ内に挿入されるときに、クランプ機構４５０は、記憶装置６００を定位置に固定し、テストスロット５００ａに対する記憶装置６００の一部の動きを減少させる。いくつかの実装では、伝導加熱アセンブリ４９０は、クランプ機構４５０に突き当るように配置されてもよく、これによってクランプ機構４５０は、係合されたときに、伝導加熱アセンブリ４９０に圧力を適用し、そしてこれは記憶装置６００上に圧力を適用する。いくつかの実装では、伝導加熱アセンブリ４９０はクランプ機構４５０の圧力の位置とは異なる位置において記憶装置６００に接触する。例えば、これらの実装では、クランプ機構４５０は、記憶装置６００上に直接圧力を適用してもよく、又はクランプ機構４５０は、記憶装置６００を含む記憶装置搬送器４００に圧力を適用してもよい。いくつかの実装では、伝導加熱アセンブリ４９０は、記憶装置搬送器４００がテストスロット５００ａに挿入されたときに、伝導加熱アセンブリ４９０は、記憶装置搬送器４００によって受け取られ（例えば、搬送器における一対のポート又は開口部を通じて）、記憶装置６００と直接接触するように、テストスロット５００ａ内に配置される。
【０１００】
図３６に示されるように、クランプ機構４５０は、それぞれがアクチュエータ４５４及び一対のばねクランプ（即ち、近位ばねクランプ４５６ａ及び遠位ばねクランプ４５６ｂ）を含む、一対のクランプアセンブリ４５２を含む。クランプアセンブリ４５２の内面４３２におけるばねクランプの部分は、緩衝器４７４を有する係合部分４７２を含む。ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂは、例えば、テストスロット５００ａ内に記憶装置６００をクランプするために、アクチュエータ４５４と動作可能に関連付けられている。
【０１０１】
図３７を参照すると、アンカー４５４のそれぞれは、駆動機構を画定する内面４８１ａ及び外面４８１ｂを含む。駆動機構は楔４８２及び凹み４８３を含む。アクチュエータ４５４はまた、内面４８１ａと外面４８１ｂとの間に延びる開口部４８４を画定する。それらの近位端４８５において、アクチュエータ４５４は、テストスロット５００ａに対するアクチュエータ４５４の動きを制御するためにマニピュレータ３１２（図３２Ａ）と係合可能であるように構成されているアクチュエータソケット４８６を含む。例えば、マニピュレータ３１２は、アクチュエータ４５４と係合して、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂと係合し、記憶装置５００ａを定位置に固定する。
【０１０２】
図３８に示されているように、伝導加熱アセンブリ４９０は、一対のプリント配線板（即ち、第１プリント配線板４９１ａ及び第２プリント配線板４９１ｂ）、一対の圧板４９２、及び一対の弾性付勢機構（ばね板４９３の形態で示されている）を含み、これはプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを、アセンブリに従ってクランプアセンブリ４５２の内面４３２の方に付勢する。
【０１０３】
図３９を参照すると、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの対応する第１面４８８において、導電性層（例えば銅）に組み込まれている抵抗加熱器４８７を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、それらの対応する近位端４９４ａにおいて配線パッド４８９を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、配線パッド４８９においてプリント配線板４９１ａ、４９１ｂに半田付けされている配線４９５を介してお互いに電気的に接続され得る。第１プリント配線板４９１ａは、その遠位端４９４ｂにおいて一対のコンタクト端子４９６を含む。コンタクト端子４９６は、テストスロット５００ａ内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。いくつかの実装では、コンタクト端子４９６は、接続インターフェースボード５２０に恒久的に接続される（例えば半田付け）。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂはＦＲ ４基材から形成されてもよく、エッチングされた銅の表面層を備える。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、圧板４９２の関連付けられた１つに載置される（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。
【０１０４】
圧板４９２は実質的に平坦であり、金属又は硬質プラスチックから形成されてもよい。圧板４９２はそれぞれ、ばね板４９３の対応する１つに載置される。
【０１０５】
図４０を参照すると、テストスロット５００ａ内に完全に挿入された状態の記憶装置６００を共に、アクチュエータ４５４は、係合位置の方に動かされ、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの係合部材４７２をずらして、クランプアセンブリ４５２の内面４３２から外側に延びてもよい。係合位置では、係合部材４７２は、伝導加熱アセンブリ４９０のプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを記憶装置６００の方にずらして、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂと、記憶装置６００との間に良好な熱接触を提供する。この良好な熱的接触は、テスト中に抵抗加熱器４８７を介して、記憶装置６００の効率的な伝導加熱を可能にする。いくつかの実装では、このクランプの効果はまた、第１プリント配線板４９１ａのコンタクト端子４９６を、接続インターフェースボード５２０上のばね接点５２９と固く接触させる。いくつかの実装では、記憶装置６００は記憶装置搬送器４００内に収容され、クランプ機構４５０は、記憶装置搬送器４００に対する動きに抗して記憶装置６００をクランプする。
【０１０６】
動作の方法
【０１０７】
使用時に、ロボットアーム３１０は、搬送ステーション２００において１つの記憶装置レセプタクル２６４から記憶装置６００を回収し、記憶装置６００のテストのために、記憶装置６００を関連するテストスロット５００ａ内に搭載する。いくつかの実装では、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて、記憶装置搬送器４００をテストスロット５００ａから取り除き、記憶装置搬送器４００を用いて記憶装置６００を回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、記憶装置６００のテストのために関連付けられているテストスロット５００ａに戻す。テスト中は、テスト電子機器１６０は、とりわけ、テスト下の記憶装置６００の温度調節を含むテストアルゴリズムを実施する。例えば、テスト中に記憶装置６００はそれぞれ、約７０℃の温度まで加熱される。テスト電子機器１６０は、伝導加熱アセンブリ４９０の抵抗加熱器４８７への電流を制御することによって、テスト下の記憶装置６００の加熱を調節することができる。したがって、記憶装置６００の高効率な加熱は、主に受動素子（例えば抵抗加熱器４８７）のみを使用して達成することができる。
【０１０８】
テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００ａのうちの１つから、記憶装置６００（及び、幾つかの実施例では、記憶装置搬送器４００を）回収し、それを、搬送ステーション２００において記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００ａのうちの別のものに移動させる）。
【０１０９】
更なる実施形態
【０１１０】
例えば、抵抗加熱器が、一緒に配線されている比較的に剛性な一対のプリント配線板における回路に組み込まれている伝導加熱アセンブリの実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、抵抗加熱器はフレキシブルプリント回路の回路に組み込まれてもよい。実施例として、図４１は、一対の回路部分（即ち第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂ）と、第１回路部分７０２ａ及び第２回路と７０２ｂと一体である接続部分７０４と、を含むフレキシブルプリント回路７００を図示する。
【０１１１】
第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、導電性トレースによって画定されている抵抗加熱器７０６を含む。接続部分７０４はまた、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの抵抗加熱器７０６間に電気的接続を提供する、導電性トレース７０８を含む。第１回路部分７０２ａは、その遠位端７１２において一対のコンタクト端子７１０を含む。コンタクト端子７１０は、テストスロット５００ａ内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。組み込まれた抵抗加熱を備える好適なフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【０１１２】
図４２において示されるように、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、圧板プレート４９２の関連付けられている１つに載置されている（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。圧板４９２は、追加された剛性及び安定性のために、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの全体の裏面に沿って延在し、フレキシブルプリント回路７００上のコンタクト端子７１０と、接続インターフェースボード５２０上のばねコンタクト５２９（図１２）との間の良好な電気的接触を提供するのに役立つことができる。
【０１１３】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、テスト中に記憶装置搬送器において支持されている記憶装置の温度をモニタリングするために、１つ以上の温度センサを含んでもよい。例えば、図４３は、記憶装置６００の温度を測定するように配置されている熱電対７２０をプリント配線板４９１ａ、４９１ｂが含む、１つの実施形態を図示する。特に、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂが記憶装置６００に対してクランプされるときに、熱電対７２０は記憶装置６００の表面に接触し、これによって記憶装置６００の温度が測定されるのを可能にする。熱電対７２０は、熱電対７２０の温度に対する抵抗加熱器４８７の影響を制限するために、抵抗加熱器４８７から物理的に分離されてもよく、ないしは別の方法で、抵抗加熱器４８７から断熱されてもよい。いくつかの実装では、熱電対７２０は、記憶装置６００と近接する状態ではあるが直接接触しないときに、記憶装置６００の温度を測定する。
【０１１４】
抵抗加熱器４８７のためのコンタクト端子４９６に加えて、第１プリント配線板４９１ａはまた、熱電対７２０に電気的に接続されている熱電対コンタクト端子７２２が提供される。いくつかの実施例では、ばね接点又はポゴピンが、接続インターフェースボード５２０（図３４）上に提供されて、接続インターフェースボード５２０と熱電対７２０との間に電気通信を提供してもよい。
【０１１５】
熱電対７２０は、接続インターフェースボード５２０を介して、テスト電子機器１６０（図３１Ａ及び３１Ｂ）と電気通信している状態で配置されてもよい。テスト電子機器１６０は、少なくとも一部において熱電対７２０から受け取った信号に基づいて、抵抗加熱器４８７への電流を制御するように構成されてもよい。あるいは、接続インターフェースボード５２０は、少なくとも一部において熱電対７２０から受け取った信号に基づいて、抵抗加熱器４８７への電流を直接制御するように構成されてもよい。
【０１１６】
いくつかの構成では、テスト電子機器１６０は、記憶装置の実際の温度と、熱電対７２０によって測定された温度との間のいずれかの誤差を補正してもよい。例えば、記憶装置６００によって引かれた電力は熱として消散し、記憶装置内部の温度を上昇させるが、この温度上昇は、熱電対７２０によって十分に測定されない場合がある。テスト電子機器１６０は、記憶装置６００によって引かれた電力を測定し、この測定値を使用して、熱電対７２０によって測定された温度に関する補正値を算出し、記憶装置６００の実際の温度を推定する。熱電対７２０は、プリント配線板４９１ａのうちの１つに載置されている別個のデバイスの形態で提供されてもよく、又はそれは、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの導電性層に組み込まれてもよい。更に、熱電対が剛性のプリント配線板上に提供されている実施形態が記載されてきたが、熱電対は、例えば、図４２に関して上記の実施形態のように、フレキシブルプリント回路を採用する実施形態に組み込まれてもよい。組み込まれた熱電対及び／又は抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【０１１７】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、抵抗加熱器４８７と、記憶装置搬送器４００に支持されている記憶装置との間に追加層として、柔軟な材料、例えばBergquist Company（Chanhassen,MN）によって製造されているＳｉｌ−Ｐａｄなどを含んでもよい。例えば、図４４は、柔軟な材料７３０の層が、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの第１表面４８８に接着されている実施形態を図示する。柔軟な材料７３０は、テストスロット５００ａ内にクランプされたときに、支持されている記憶装置６００の擦過を阻止するのに役立つことができる。抵抗加熱器と記憶装置との間の柔軟な材料はまた、記憶装置６００の表面の不規則性を調節し、より効果的な熱移動を可能にする。
【０１１８】
圧板、及び関連付けられたプリント回路をクランプアセンブリの対応する内面の方へ付勢するために一対のばね板を利用する伝導加熱アセンブリの実施形態が記載されてきたが、他の弾性の付勢機構が可能である。
【０１１９】
複数のばねクランプを含むクランプ機構の実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、わずか１つのばねクランプが使用されてもよい。
【０１２０】
他の実施形態は、以下の「請求項の範囲」内である。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、テスト中の記憶装置の加熱に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスクドライブ製造者は典型的に、一連の要求仕様に従って製造されたディスクドライブをテストする。多数のディスクドライブを直列的に又は並列的にテストするテスト機器及び技術が存在する。製造者は多数のディスクドライブを同時にテストする傾向がある。ディスクドライブテストシステムは典型的には、テストのためにディスクドライブを受け取る多数のテストスロットを有する一つ以上のラックを含む。
【０００３】
ディスクドライブの直ぐ周辺のテスト環境は規制される。より高い容量と、より速い回転速度と、より小さいヘッドクリアランスを有する最新世代のディスクドライブは、振動により敏感である。過大な振動はテスト結果の信頼性と電気的接続の完全性に影響を与える場合がある。テスト条件下では、ドライブ自体が支持構造又は隣接するユニットへの固定を通して振動を伝播する場合がある。この震動の「クロストーク」は外部源の震動と共に、バンプエラー、ヘッドスラップ、及び非同期回転振れ精度（non repeatable run-out（ＮＲＲＯ））の一因となり、これは結果として、より低いテスト歩留り及び増加した製造コストとになり得る。
【０００４】
ディスクドライブ又は他の記憶装置の製造中に、記憶装置の温度を制御すること（例えば記憶装置が、所定の温度範囲にわたって動作するようにするために）は一般的である。この理由により、記憶装置の直ぐ周辺のテスト環境は規制される。テスト環境における最小の温度変動は、正確なテスト条件のために、及び記憶装置の安全のために重要であり得る。いくつかの周知のテストシステムでは、複数のディスクドライブデバイスの温度は、ディスクドライブデバイスの全てに共通している冷却空気又は加熱空気を使用することによって調節される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
概して、本開示は、テスト中の記憶装置の加熱に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様では、記憶装置を搬送するため、及び記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器が提供される。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されているフレームを含む。記憶装置搬送器はまた、フレームと関連付けられている伝導加熱アセンブリを含む。伝導加熱アセンブリは、フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。
【０００７】
別の態様において、テストスロットアセンブリは、記憶装置搬送器及びテストスロットを含む。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されているフレーム、及び伝導加熱アセンブリを含む。伝導加熱アセンブリは、フレームと関連付けられ、このフレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。テストスロットは、記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画を含む。
【０００８】
更なる態様では、記憶装置テストシステムは、記憶装置搬送器と、テストスロットと、テスト電子機器と、を含む。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されたフレーム、及び伝導加熱アセンブリを含む。伝導加熱アセンブリは、フレームと関連付けられ、このフレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。テストスロットは、記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画、及び接続インターフェース回路を含む。テスト電子機器は、テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されている。接続インターフェースボードは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、伝導加熱アセンブリとテスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成されている。
【０００９】
他の態様によると、方法は記憶装置の機能性をテストすることと、テスト中に熱伝導を介して記憶装置を加熱することと、を含む。
【００１０】
開示される方法の実施形態、システム、及びデバイスは、１つ以上の以下の特徴を含み得る。
【００１１】
いくつかの実施形態において、クランプ機構は、フレームと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリを動かして、フレームにより支持される記憶装置と接触するように動作し得る。クランプ機構は、テストスロットのテスト区画内の記憶装置搬送器をクランプするように構成されてもよい。
【００１２】
いくつかの場合には、伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメント（たとえば抵抗加熱器）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリはプリント回路（例えば、プリント配線板、フレキシルブルプリント回路等）を含んでもよい。プリント回路は１つ以上の導電性層を含んでもよい。１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の導電性層に組み込まれてもよい。
【００１３】
記憶装置搬送器はまた、温度センサ（例えば熱電対）を含んでもよい。温度センサは、記憶装置の温度を測定するために、フレームにより支持される記憶装置と接触するように配置されてもよい。いくつかの実施例では、クランプ機構は、フレームと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリ及び温度センサを動かして、フレームにより支持される記憶装置と接触するように動作し得る。
【００１４】
いくつかの場合では、伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメント（例えば抵抗加熱器）、及び１つ以上の電気加熱エレメントと電気通信するコンタクト端子を含んでもよく、テストスロットは、接続インターフェース回路、及びこの接続インターフェース回路と電気通信する導電性コンタクト（例えば、ばね接点、ポゴピン等）を含んでもよい。導電性コンタクトは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、伝導加熱アセンブリのコンタクト端子に係合するように配置され得る。
【００１５】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリは、１つ以上の電気加熱エレメント（例えば抵抗加熱器）、及びこの１つ以上の電気加熱エレメントと電気通信する第１ブラインドメイト・コネクタと、を含み、テストスロットは、接続インターフェース回路、及びこの接続インターフェース回路と電気通信する第２ブラインドメイト・コネクタを含む。第２ブラインドメイト・コネクタは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、第１ブラインドメイト・コネクタに係合するように配置され得る。
【００１６】
テスト電子機器は、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成され得る。いくつかの実施形態では、記憶装置搬送器は、温度センサ（例えば熱電対）を含み、接続インターフェースボードは、記憶装置搬送器がテスト区画内に配置されたときに、温度センサとテスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、テスト電子機器は、少なくとも一部において温度センサから受け取った信号に基づいて、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成されている。別の方法として又は追加で、制御ポイントとしての働きをすることができる別個の温度センサが接続インターフェースボード上に提供されてもよい。接地線に取り付けられている温度検知デバイスを有することも可能であり、これは記憶装置の温度と相関する。
【００１７】
方法は抵抗加熱器を用いて記憶装置を加熱することを含んでもよい。方法はまた、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることを含んでもよい。いくつかの場合では、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることは、抵抗加熱器を動かして、記憶装置と接触するようにクランプ機構を起動させることを含み得る。
【００１８】
方法は、記憶装置を支持する記憶装置搬送器を、テストスロット内へ挿入することも含み得る。記憶装置を加熱することは、記憶装置搬送器及び支持された記憶装置がテストスロット内に配置されている間に、記憶装置を熱伝導によって加熱することを含み得る。
【００１９】
別の態様では、テストスロットアセンブリは、テスト中に記憶装置を収容するために提供される。テストスロットアセンブリは、記憶装置を受け取り、支持するハウジングを含み、テスト中に記憶装置の温度を制御するために、制御された環境を提供する。
【００２０】
別の態様では、テストスロットアセンブリは、ハウジングと関連付けられている伝導加熱アセンブリも含む。伝導加熱アセンブリは、ハウジングによって収容される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。更なる態様では、記憶装置を搬送するため、及び記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器が提供される。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されている。この態様では、テストスロットアセンブリは、記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画、及び接続インターフェース回路を含む。
【００２１】
更なる態様では、記憶装置テストシステムは、テストスロット及びテスト電子機器を含む。テストスロットは、記憶装置及び伝導加熱アセンブリを受け取るように構成されたテスト区画を含む。伝導加熱アセンブリは、テスト区画と関連付けられ、テスト区画に収容される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている。テスト電子機器は、テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されている。
【００２２】
更なる態様では、記憶装置テストシステムのテストスロットは、記憶装置搬送器により支持される記憶装置を認識し、載置するように構成されている。記憶装置搬送器は、記憶装置を受け取り、支持するように構成されているフレームを含む。
【００２３】
他の態様によると、方法は記憶装置の機能性をテストすることと、テスト中に熱伝導を介して記憶装置を加熱することと、を含む。
【００２４】
開示される方法の実施形態、システム、及びデバイスは、１つ以上の以下の特徴を含み得る。
【００２５】
いくつかの実施形態において、クランプ機構は、テストスロットと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリを動かして、記憶装置と接触するように動作し得る。クランプ機構は、テストスロットのテスト区画内の記憶装置をクランプするように構成されてもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態において、クランプ機構は、テストスロットと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、テストスロットのテスト区画内の記憶装置及び記憶装置搬送器をクランプするように構成されてもよい。クランプ機構は、それが記憶装置搬送器によって支持されている間に、伝導加熱アセンブリを動かして、記憶装置と接触するように動作し得る。
【００２７】
いくつかの場合には、伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメント（たとえば抵抗加熱器）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリはプリント回路（例えば、プリント配線板、フレキシルブルプリント回路等）を含んでもよい。プリント回路は１つ以上の導電性層を含んでもよい。１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の導電性層に組み込まれてもよい。
【００２８】
テストスロットアセンブリはまた、温度センサ（例えば熱電対）を含んでもよい。温度センサは、記憶装置の温度を測定するように配置されてもよい。いくつかの実施例において、クランプ機構は、テストスロットと動作可能に関連付けられている。クランプ機構は、伝導加熱アセンブリ及び温度センサを動かして、支持される記憶装置と接触するように動作し得る。
【００２９】
いくつかの場合では、伝導加熱アセンブリは、１つ以上の電気加熱エレメント（例えば抵抗加熱器）を含んでもよく、テストスロットは、接続インターフェース回路と電気通信する接続インターフェース回路を含んでもよい。
【００３０】
いくつかの実施形態は、接続インターフェースボードを有する。接続インターフェースボードは、テスト電子機器との電気通信を提供するように構成されてもよく、テスト電子機器は、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成されてもよい。接続インターフェースボードは、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成され得る。いくつかの実施形態では、テストスロットアセンブリは、温度センサ（例えば熱電対）を含み、接続インターフェースボードは、温度センサとテスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、接続インターフェースボードは、少なくとも一部において温度センサから受け取った信号に基づいて、伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成されている。別の方法として又は追加で、制御ポイントとしての働きをすることができる別個の温度センサが接続インターフェースボード上に提供されてもよい。接地線に取り付けられている温度検知デバイスを有することも可能であり、これは記憶装置の温度を相関させる。いくつかの構成では、テスト電子機器は、記憶装置の出力を測定し、記憶装置の実際の温度と、温度センサによって測定された温度との間のいずれかの誤差を補正するように構成されている。いくつかの構成では、接続インターフェースボードは、記憶装置がテスト区画内に配置されたときに、伝導加熱アセンブリとの電気通信を提供する。
【００３１】
方法は抵抗加熱器を用いて記憶装置を加熱することを含んでもよい。方法はまた、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることを含んでもよい。いくつかの場合では、記憶装置を抵抗加熱器と接触させることは、抵抗加熱器を動かして、記憶装置と接触するようにクランプ機構を起動させることを含み得る。
【００３２】
方法は、記憶装置をテストスロット内へ挿入することも含み得る。記憶装置を加熱することは、支持された記憶装置がテストスロット内に配置されている間に、記憶装置を熱伝導によって加熱することを含み得る。
【００３３】
方法は、記憶装置を支持する記憶装置搬送器を、テストスロット内へ挿入することも含み得る。記憶装置を加熱することは、記憶装置搬送器及び支持された記憶装置がテストスロット内に配置されている間に、記憶装置を熱伝導によって加熱することを含み得る。
【００３４】
方法はまた、記憶装置を、テストスロットのテスト区画内に挿入することと、記憶装置をテストスロットのテスト区画内にクランプするため、及び伝導加熱アセンブリを記憶装置と物理的に接触させる両方のために、クランプ機構と係合することと、を含む。
【００３５】
実施形態では、以下の利点の１つ以上を挙げることができる。
【００３６】
伝導加熱は、テストスロットアセンブリと、その内部に支持される記憶装置との間に提供されてもよい。伝導加熱は、既知の対流加熱方法よりも、より有効であることができ、したがってエネルギー消費の低減に役立つことができる。
【００３７】
伝導加熱は、可動部（例えば、対流加熱にしばしば採用されているブロワー又はファン）の使用を伴わずに、又はこれらの限定された／低減された使用を伴って、実施することができ、したがって震動の発生を制限するのに役立つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】記憶装置テストシステムの斜視図。
【図２】テストスロットアセンブリの斜視図。
【図３Ａ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図３Ｂ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図４】搬送ステーションの斜視図。
【図５】トート及び記憶装置の斜視図。
【図６Ａ】記憶装置テストシステムの平面図。
【図６Ｂ】記憶装置テストシステムの斜視図。
【図７】記憶装置搬送器の分解斜視図。
【図８】クランプ機構の斜視図。
【図９Ａ】ばねクランプの斜視図。
【図９Ｂ】ばねクランプの斜視図。
【図１０】一対のアクチュエータの斜視図。
【図１１Ａ】記憶装置搬送器のフレームの斜視図。
【図１１Ｂ】記憶装置搬送器のフレームの斜視図。
【図１２】伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図１３】図１２の伝導加熱アセンブリからの一対のプリント配線板の平面図。
【図１４】一対のばね板の斜視図。
【図１５Ａ】記憶装置搬送器の側面図。
【図１５Ｂ】線１５Ｂ−１５Ｂに沿ってとった図１５Ａの記憶装置搬送器の断面図。
【図１５Ｃ】図１５Ｂからの詳細図。
【図１５Ｄ】線１５Ｄ−１５Ｄに沿ってとった図１５Ａの記憶装置搬送器の断面図。
【図１６Ａ】ばねクランプが係合位置にある記憶装置搬送器の断面平面図。
【図１６Ｂ】図１６Ａからの詳細図。
【図１６Ｃ】伝導加熱アセンブリが係合位置にある記憶装置搬送器の断面正面図。
【図１７Ａ】記憶装置を支持している記憶装置搬送器の斜視図及び平面図。
【図１７Ｂ】記憶装置を支持している記憶装置搬送器の斜視図及び平面図。
【図１８】記憶装置にクランプされた記憶装置搬送器（storage device transported）の平面図。
【図１９】テストスロットの斜視図。
【図２０】接続インターフェースボードの斜視図。
【図２１】図１９のテストスロット（前側カバーは取り外れされている状態の）からのテスト区画の斜視図。
【図２２Ａ】テストスロットに挿入された、記憶装置を支持している記憶装置搬送器を示す平面図。
【図２２Ｂ】図２２Ａからの詳細図。
【図２３】組み込まれた抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路の平面図。
【図２４】図２３のフレキシブルプリント回路を備える伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図２５】搬送器のフレーム（隠線で示されている）に載置された図２３のフレキシブルプリント回路を備える伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図２６】記憶装置を支持し、デバイスインターフェースボードとの接続のために位置合わせされる記憶装置搬送器の斜視図。
【図２７】記憶装置を支持し、デバイスインターフェースボードとの接続（ブラインドメイト・コネクタを介して）のために位置合わせされる記憶装置搬送器の斜視図。
【図２８】組み込まれた抵抗加熱器及び熱電対を備える一対のプリント配線板の平面図。
【図２９】プリント配線板の露出面上に柔軟な材料を備える温度検出アセンブリの斜視図。
【図３０Ａ】テストスロットアセンブリの斜視図。
【図３０Ｂ】テストスロットアセンブリ及び記憶装置の斜視図。
【図３１Ａ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図３１Ｂ】自己テスト及び機能性テスト回路の概略図。
【図３２Ａ】記憶装置テストシステムの平面図。
【図３２Ｂ】記憶装置テストシステムの斜視図。
【図３３】テストスロットの斜視図。
【図３４】接続インターフェースボードの斜視図。
【図３５Ａ】テストスロットアセンブリの分解斜視図。
【図３５Ｂ】テストスロットの斜視図。
【図３６】クランプ機構の斜視図。
【図３７】一対のアクチュエータの斜視図。
【図３８】伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図３９】図３８の伝導加熱アセンブリからの一対のプリント配線板の平面図。
【図４０】テストスロットに挿入された記憶装置を示す平面図。
【図４１】組み込まれた抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路の平面図。
【図４２】図４１のフレキシブルプリント回路を備える伝導加熱アセンブリの斜視図。
【図４３】組み込まれた抵抗加熱器及び熱電対を備える一対のプリント配線板の平面図。
【図４４】プリント配線板の露出面上に柔軟な材料を備える温度検出アセンブリの斜視図。
【００３９】
様々な図面における同様の参照記号は同様の要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
システムの概要
【００４１】
図１に示されるように、記憶装置テストシステム１０は、複数のテストラック１００（例えば、１０個のテストトラックが示されている）、装填ステーション２００、及びロボット３００を含む。各テストラック１００は複数のテストスロットアセンブリ１２０を保持する。図２に示されるように、各テストスロットアセンブリ１２０は、記憶装置搬送器４００及びテストスロット５００を含む。記憶装置搬送器４００は、記憶装置６００を捕捉するために（図５）（例えば装填ステーションから）、及び記憶装置６００をテストのためにテストスロット５００のうちの１つに搬送するために使用される。
【００４２】
本明細書で使用されるとき、記憶装置には、ディスクドライブ、半導体ドライブ、メモリ装置、及び検証のために非同期テストを必要とするあらゆる装置が挙げられる。ディスクドライブは一般に、磁気表面を備える高速回転する円盤上にデジタルにコード化されたデータを格納する不揮発性の記憶装置である。ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）は、永続データを保存するための半導体メモリを使用するデータ記憶装置である。ＳＲＡＭ又はＤＲＡＭ（フラッシュメモリの代わりに）を使用するＳＳＤは、ＲＡＭドライブと呼ばれることが多い。用語「ソリッドステート」は一般にソリッドステート電子機器を電気機械的な装置と区別する。
【００４３】
図３Ａを参照すると、いくつかの実装では、記憶装置テストシステム１０はまた、テストスロット５００と通信している少なくとも１つのコンピュータ１３０を含む。コンピュータ１３０は、記憶装置６００の在庫管理及び／又は記憶装置テストシステム１０を制御する自動化インターフェースを提供するように構成されてもよい。テストラック１００のそれぞれの内部で、テスト電子機器１６０は、各テストスロット５００と通信している。テスト電子機器１６０は、テストスロット５００内に受け取られたディスクドライブ６００と通信するように構成されている。テスト電子機器１６０は、テストアルゴリズムを実行し、テスト下の記憶装置の状態（例えば温度）をモニターする。
【００４４】
図３Ｂを参照すると、パワーシステム１７０は、記憶装置テストシステム１０に電力を供給する。パワーシステム１７０は、テストスロット５００に受け取られた記憶装置６００への電力を監視し、及び／又はこれを制御してもよい。図３Ｂで図示されている実施例では、各テストトラック１００内のテスト電子機器１６０は、少なくとも１つのテストスロット５００と通信している少なくとも１つの自己テストシステム１８０を含む。自己テストシステム１８０は、テストラック１００及び／又は特定のサブシステム（例えばテストスロット５００）が正しく機能しているかどうかをテストする。自己テストシステム１８０は、クラスターコントローラ１８１、テストスロット５００内に受け取られた記憶装置（ＳＤ）６００とそれぞれが電気通信する１つ以上の接続インターフェース回路１８２、及びこの接続インターフェース回路１８２と電気通信する１つ以上のブロックインターフェース回路１８３を含む。クラスターコントローラ１８１は、いくつかの実施例では、約１２０個の自己テスト及び／又は６０個の記憶装置６００の機能性テストの容量で１つ以上のテストプログラムを実行するように構成されている。接続インターフェース回路１８２及びブロックインターフェース回路１８３は、自己テストをするように構成されている。しかしながら、自己テストシステム１８０は、記憶装置テストシステム１０の１つ以上の構成要素上で自己テストルーティンを実施し、制御するように構成された自己テスト回路１８４を含んでもよい。クラスターコントローラ１８１は、イーサネット（登録商標）（例えばギガビットイーサネット）を介して自己テスト回路１８４と通信してもよく、これは汎用非同期送受信（ＵＡＲＴ）シリアルリンクを介して、ブロックインターフェース回路１８３と、そして接続インターフェース回路１８２及び記憶装置６００上で通信してもよい。ＵＡＲＴは通常、コンピュータ又は周辺装置のシリアルポートの上でシリアル通信のために使用される個々の集積回路（又はその一部）である。ブロックインターフェース回路１８３は、テストスロット５００の電力及び温度を制御するように構成され、各ブロックインターフェース回路１８３は、１つ以上のテストスロット５００及び／又は記憶装置６００を制御してもよい。
【００４５】
いくつかの実施例では、テスト電子機器１６０はまた、少なくとも１つのテストスロット５００と通信している少なくとも１つの機能性テストシステムを含んでもよい。機能性テストシステム１９０は、記憶装置搬送器４００によってテストスロット５００に保持され、及び／又は支持されている、受け取られた記憶装置６００が正しく機能しているかどうかをテストする。機能性テストは、記憶装置６００によって受け取られた電力量、動作温度、データの読み出し及び書き込み能力、並びに異なる温度におけるデータの読み出し及び書きこみ能力（例えば、熱い状態での読み出し、及び冷たい状態で書き込み、又はその逆）をテストすることを含み得る。機能性テストは、記憶装置６００の全てのメモリセクタをテストしてもよく、又は単に無作為にテストしてもよい。機能性テストは、記憶装置６００の動作温度、並びに記憶装置６００との通信のデータの完全性もテストしてもよい。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１、及びこのクラスターコントローラ１８１と電気通信している少なくとも１つの機能性インターフェース回路１９１を含む。接続インターフェース回路１８２は、テストスロット５００及び機能性インターフェース回路１９１内に受け取られた記憶装置６００と電気通信している。機能性インターフェース回路１９１は、記憶装置６００に機能性テストルーティンを通信するように構成されている。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１と、１つ以上の機能性インターフェース回路１９１との間に電気通信を提供する通信スイッチ１９２（例えばギガビットイーサネット）を含んでもよい。コンピュータ１３０、通信スイッチ１９２、クラスターコントローラ１８１、及び機能性インターフェース回路１９１はイーサネットのネットワーク上で通信することが好ましい。しかしながら、他の形態の通信が使用されてもよい。機能性インターフェース回路１９１は、パラレルＡＴアタッチメント（ＩＤＥ、ＡＴＡ、ＡＴＡＰＩ、ＵＤＭＡ及びＰＡＴＡとしても知られるハードディスクインターフェース）、ＳＡＴＡ、又はＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ）を介して接続インターフェース回路１８２に通信してもよい。
【００４６】
図４を参照すると、いくつかの実装では、搬送ステーション２００は、搬送ステーションハウジング２１０、この搬送ステーションハウジング２１０上に配置される複数のトート提示支持システム２２０を含む。各トート提示支持システム２２０は、記憶装置テストシステム１０によるサービスのための提示位置において、記憶装置トート２６０を受け取り、これを支持するように構成されている。
【００４７】
トート提示支持システム２２０は、搬送ステーションハウジング２１０の同じ側面上それぞれ配置されており、お互いに対して垂直に配置されている。各トート提示支持システム２２０は、お互いに対して異なる高さを有する。いくつかの実施例では、図４に示されるように、トート提示支持システム２２０は、記憶装置トート２６０によって画定される、対応するアーム溝部２６６（図５）によって受け取られるように構成されたトート支持アーム２２６を含む。
【００４８】
トート移動器２３０は、搬送ステーションハウジング２１０上に配置され、これに対して動くように構成されている。トート移動器２３０は、記憶装置テストシステム１０によるサービスのために（例えばロボット３００（図１）による）、トート提示支持システム２２０と、トート２６０がその中に載置され、搬送ステーション２００から（例えばオペレータによって）降ろされることができるステージ領域２５０との間にトート２６０を搬送するように構成されている。
【００４９】
図５に図示されるように、トート２６０は、トート本体２６２を含み、これはそれぞれが記憶装置６００を収容するように構成されている複数の記憶装置レセプタクル２６４（例えば示されるように１８個）を画定する。記憶装置レセプタクル２６４のそれぞれは、受け取られた記憶装置６００の中央部分を支持し、非中央部分に沿って（例えば、記憶装置の側面、前側エッジ及び／又は後ろ側エッジ）、記憶装置６００の操作を可能にするように構成された記憶装置支持２６５を含む。トート本体２６２はまた、搬送ステーションハウジング２１０のトート支持アーム２２６（図４）と係合するように構成されているアーム溝部２６６を画定し、これによってトート２６０を支持する（例えばロボット３００（図１）によるサービスのために）。
【００５０】
図６Ａ及び６Ｂを参照すると、ロボット３００はロボットアーム３１０、及びこのロボットアーム３１０の遠位端に配置されたマニピュレータ３１２（図６Ａ）を含む。ロボットアーム３１０は、床面３１６に垂直である第１軸（図６Ｂ）を規定し、ロボットの動作領域３１８内で、第１軸３１４を中心に所定の弧を通って回転し、第１軸３１４から放射状に延びるように動作し得る。ロボットアーム３１０は、搬送ステーション２００におけるトート２６０とテストラック１００との間で記憶装置６００を移送することによって、各テストスロット５００を個別にサービスするように構成されている。特に、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて記憶装置搬送器４００をテストスロット５００のうちの１つから取り除き、次いで記憶装置搬送器４００を用いて、搬送ステーション２００において記憶装置６００を記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つから回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、その内部の記憶装置６００と共に、記憶装置６００のテストのためにテストスロット５００に戻すように構成されている。テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００のうちの１つから記憶装置搬送器４００を、支持された記憶装置６００と共に回収し、それを記憶装置搬送器４００の操作によって（即ち、マニピュレータ３１２を用いて）搬送ステーション２００における記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００のうちの別のものに移動させる）。
【００５１】
記憶装置搬送器
【００５２】
図７に示されるように、記憶装置搬送器４００は、フレーム４１０、クランプ機構４５０、及び伝導加熱アセンブリ４９０を含む。伝導加熱アセンブリは、フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱されるのを可能にする。
【００５３】
図８に示されるように、クランプ機構４５０は、それぞれがアクチュエータ４５４及び一対のばねクランプ（即ち、近位ばねクランプ４５６ａ及び遠位ばねクランプ４５６ｂ）を含む、一対のクランプアセンブリ４５２を含む。図９Ａ及び９Ｂを参照すると、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂは、ベース部分４５８、並びにそれぞれがこのベース部分４５８に接続された近位端４６２及び変位可能な遠位端４６４を有する第１ばねアーム４６０ａ及び第２ばねアーム４６０ｂを含む。ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂは板金（例えばステンレス鋼）から形成されることができる。それらの近位端４６２と遠位端４６４との間では、ばねアーム４６０ａ、４６０ｂは、狭い領域４６６、広い領域４６８、及びそれらの間の一対のエッジ４７０を画定する。図９Ａで図示されるように、第１ばねアーム４６０ａは、緩衝器４７４を有する第１嵌合部材４７２を含む。緩衝器４７４は、例えば熱可塑材、熱硬化材等から形成することができる。図９Ｂに示されるように、第２ばねアーム４６０ｂは、突出部４７８を画定する第２嵌合部材４７６を含む。ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂのそれぞれはまた、ベース部分４５８から外側に延在する一対の載置タブ４８０を含む。フレーム４１０を備えるアセンブリに従って、載置タブ４８０は、フレーム４１０の側壁４１８内で（図１１Ａ及び１１Ｂ）ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂを定位置に保持するのに役立つ。アセンブリに従って、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂはフレーム４１０に載置され、アクチュエータ４５４と動作可能に関連付けられている（例えば、フレーム内の記憶装置６００をクランプするために、及び／又はテストスロット５００のうちの１つの内部でフレームをクランプするために）。
【００５４】
図１０を参照すると、アクチュエータ４５４のそれぞれは、駆動機構を画定する内面４８１ａ及び外面４８１ｂを含む。駆動機構は楔４８２及び凹み４８３を含む。アクチュエータ４５４はまた、内面４８１ａと外面４８１ｂとの間に延びる開口部４８４を画定する。それらの近位端４８５において、アクチュエータ４５４は、フレーム４１０に対するアクチュエータ４５４の動きを制御するためにマニピュレータ３１２（図６Ａ）と係合可能であるように構成されているアクチュエータソケット４８６を含む。
【００５５】
図１１Ａ及び１１Ｂに図示されるように、フレーム４１０は面板４１２を含む。第１面４１４に沿って、面板４１２はくぼみ４１６を画定する。くぼみ４１６は、ロボットアーム３１０のマニピュレータ３１２（図６Ａ）によって開放可能に係合されてもよく、これはロボットアーム３１０が記憶装置搬送器４００を把持し、動かすことを可能にする。面板４１２はまた、ベベルエッジ４１７（図１１Ｂ）を含む。記憶装置搬送器４００がテストスロット５００のうちの１つに挿入されたときに、面板４１２のベベルエッジ４１７は、テストスロット５００の相補的ベベルエッジ５１５（図１９）に突き当りシールを形成し、これは、以下に記載のとおり、テストスロット５００の中への空気の出入りを阻止するのに役立つ。
【００５６】
フレーム４１０はまた、面板４１２の第２面４２０から外側に延在する一対の側壁４１８、及び側壁４１８の間に延在し、これらを接続する底板４２２を含む。側壁４１８及び底板４２２は一緒に、実質的にＵ型の開口部を画定し、これは記憶装置搬送器４００がトート２２０内の記憶装置支持体２２６から記憶装置６００を把持して離すのに使用されるのを可能にする。
【００５７】
フレーム４１０はまた、記憶装置領域４０２ａとプレナム領域４０２ｂとの間に配置されているプレナム壁部４０１を含む。空気流（例えば搬送器４００に支持されている記憶装置を冷却するための）は、側壁４１８のうちの１つにおける入口の開口部４０３を介して、プレナム領域４０２ｂ内へと向けることができる。空気流は次いで、プレナム壁部４０１における空気流開口部４０４を通って記憶装置領域４０２ａの方に送達され得る。フレーム４１０は成型プラスチックから形成されてもよい。
【００５８】
重り４０５（例えば、銅ブロック）はプレナム領域４０２ｂ内に配置され、底板４２２に載置される。重り４０５は、支持された記憶装置とテストスロット５００との間のテスト中の振動の伝達を阻止するのに役立つことができる。
【００５９】
側壁４１８は、それらの間に記憶装置６００（図５）を受け取るように離間されており、記憶装置６００を支持するための表面４２４を画定する。側壁４１８はまた、後ろフック４２６を画定し、これは記憶装置６００をテストスロット５００から抽出するのに有用であり得る（例えば、テストスロット５００内の嵌合コネクタから記憶装置上のコネクタを分離するために）。後ろフック４２６は開口部４２７を含み、これは伝導加熱アセンブリ４９０を収容するのに役立つことができる。側壁４１８はまた、リードイン４２８（例えば面取りエッジ）を画定し、これはフレーム４１０において記憶装置６００を中心合わせする際に補助することができる。
【００６０】
側壁４１８はそれぞれ、一対の通過開口部４３０を画定し、これは側壁４１８の内面４３２ａと外面４３２ｂとの間に延びる。アセンブリに従って、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの対応する１つは通過開口部４３０のそれぞれと関連付けられている。側壁４１８はまた、側壁４１８の近位端４３５から遠位端４３６まで延在するアクチュエータスロット４３４を画定する。面板４１２は、その第１面４１４と第２面４２０との間に延びる一対の開口部４３７（図１１Ａ）を画定し、これはアクチュエータスロット４３４へのアクセスを可能にする。組み立てられたときに、アクチュエータ４５４（図８）は、アクチュエータスロット４３４の内部に摺動可能に配置され、ばねアーム４５６ａ、４５６ｂの移動を起動させるように配置されている。
【００６１】
更に図１１Ａ及び１１Ｂを参照すると、側壁４１８はまた貫通孔４３８を画定する。貫通孔４３８は、側壁４１８の内面４３２ａと外面４３２ｂとの間に延び、通貨する開口部４３０間の領域において、アクチュエータスロット４３４へのアクセスを可能にする。伝導加熱アセンブリはこれらの貫通孔４３８を介してフレーム４１０に載置されてもよい。
【００６２】
図１２に示されるように、伝導加熱アセンブリ４９０は、一対のプリント配線板（即ち、第１プリント配線板４９１ａ及び第２プリント配線板４９１ｂ）、一対の圧板４９２、及び一対の弾性付勢機構（ばね板４９３の形態で示されている）を含み、これはプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを、アセンブリに従ってフレーム４１０の側壁４１８の方に付勢するように動作する。図１３を参照すると、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの対応する第１面４８８において、導電性層（例えば銅）に組み込まれている抵抗加熱器４８７を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、それらの対応する近位端４９４ａにおいて配線パッド４８９を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、配線パッド４８９においてプリント配線板４９１ａ、４９１ｂに半田付けされている配線４９５を介してお互いに電気的に接続され得る。第１プリント配線板４９１ａは、その遠位端４９４ｂにおいて一対のコンタクト端子４９６を含む。コンタクト端子４９６は、テストスロット５００内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂはＦＲ ４基材から形成されてもよく、エッチングされた銅の表面層を備える。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、圧板４９２の関連付けられた１つに載置される（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。
【００６３】
圧板４９２は実質的に平坦であり、金属又は硬質プラスチックから形成されてもよい。圧板４９２はそれぞれ、ばね板４９３の対応する１つに載置される。
【００６４】
図１４を参照して、ばね板４９３はそれぞれ、本体部材４９７、並びに本体部材４９７の対抗する側部から外側に延在する上方エッジ４９８ａ及び下方エッジ４９８ｂを含む。本体部材４９７は、圧板４９２のうちの１つに取り付けられる（接着剤又は機械的締結具を介して）。ばね板４９３は、板金、例えばステンレス鋼から形成されてもよい。フレーム４１０と組み立てられたときに、ばね板４９３の上方エッジ４９８ａ及び下方エッジ４９８ｂは、アクチュエータスロット４３４内に位置し、本体部材４９７は、フレーム４１０におけるＵ型の開口部の方へ、側壁４１８における貫通孔４３８を通って延在する。
【００６５】
図１５Ａを参照すると、伝導加熱アセンブリ４９０、及びフレーム４１０を備えるクランプ機構のアセンブリに従って、アクチュエータ４５４はそれぞれ独立して、アクチュエータスロット４３４（図１１Ａ）の１つに対応する内部で摺動可能であり、開放位置と係合位置との間で側壁４１８に対して可動である。図１５Ｂ〜１５Ｃに図示されるように、アクチュエータ４５４が解放位置にあるときに、係合部材４７２、４７６は、それらがアクチュエータ４５４の凹み４８３（図１５Ｃ）内に収縮される停止位置の方へ付勢される。図１５Ｄに図示されるように、停止位置にある係合部材４７２、４７６と共に、ばね板４９３は、図１５Ｄに図示されるように圧板４９２を側壁４１８に対して位置するように強制する（付勢する）。
【００６６】
ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの第１係合部材４７２及び第２係合部材４７６は、面板４１４の第１面４１４の方へ、アクチュエータ４５４を内側に押すことによって係合されてもよい（図１６Ａに矢印６０によって示されているように）。図１６Ａ〜１６Ｂを参照すると、係合位置では、アクチュエータ４５４の楔４８２が、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂに係合して、ばねアーム４６０ａ、４６０ｂの第１係合部材４７２及び第２係合部材４７６を、側壁４１８の内面４３２ａ及び外面４３２ｂから外側に延在させる。図１６Ｂ及び１６Ｃに示されるように、係合位置では、緩衝器４７４（図１６Ｂ）は圧板４９２を係合することによって、圧板４９２、及び取り付けられたプリント基板４９１ａ、４９１ｂを側壁４１８から外へ強制する。
【００６７】
図１７Ａ及び１７Ｂに示されように、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂ、及び圧板４９２が収縮した状態で、アクチュエータ４５４が解放位置にあるとき、記憶装置６００（図１７Ｂでは隠れている）はプリント配線板４９１ａ、４９１Ｂ間でフレーム４１０内へ挿入され得る。記憶装置６００がフレーム４１０に挿入されている状態で、アクチュエータ４５４は、係合位置の方に動かされ、第１係合部材４７２をずらして圧板４９２と接触させることができ、これによって、プリント配線板が記憶装置６００に係合するように、圧板４９２及び取り付けられたプリント配線板４９１ａ、４９１ｂのずれを生じさせる。これは、抵抗加熱器４８７と記憶装置６００との間に良好な伝導熱移動のために、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの記憶装置６００との直接接触をもたらし、同時に、図１８に示されるように、フレーム４１０に対する動きに抗して記憶装置６００をクランプする。緩衝器４７４は、記憶装置搬送器４００と記憶装置６００との間の振動の移動を阻止するのに役立つことができる。加熱器エレメントと記憶装置との間に柔軟なインターフェース材料を添加して、記憶装置の表面の不規則性を調節することも可能である。
【００６８】
テストスロット
【００６９】
図１９に示されるように、テストスロット５００は、ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂ、並びに第１カバー５１４ａ及び第２カバー５１４ｂを含む。第１カバー５１４ａは、ベース５１０及び直立壁５１２ａ、５１２ｂと共に一体成型される。テストスロット５００は、後部５１８及び前部５１９を含む。後部５１８は接続インターフェースボード５２０を収容し、これは接続インターフェース回路１８２（図３Ａ及び３Ｂ）を担持する。図２０に示されるように、接続インターフェースボード５２０は、接続インターフェースボード５２０の遠位端５７３に沿って配置される電気コネクタ５２２を含む。電気コネクタ５２２は、接続インターフェース回路１８２（図３Ａ及び３Ｂ）と、関連付けられたテストラック１００におけるテスト回路（例えば、自己テストシステム１８０及び／又は機能性テストシステム１９０）との間に電気通信を提供する。接続インターフェースボード５２０はまた、テストスロットコネクタ５２４を含み、これは接続インターフェース回路１８２とテストスロット５００内の記憶装置との間に電気通信を提供する。
【００７０】
接続インターフェースボード５２０はばね接点５２９も含む。記憶装置搬送器４００がテストスロット５００に挿入されたときに、ばね接点５２９は、第１プリント配線板４９１ａ上のコンタクト端子４９６に係合するように配置され、これによってプリント配線板４９１ａ、４９１ｂと接続インターフェースボード５２０との間に電気通信を提供する。ポゴピンもまた、ばね接点５２９の代替として、又はこれと組み合わせて使用されてもよい。別の方法として又は追加で、ブラインド嵌合コネクタの嵌合（即ち、雄及び雌）を使用して、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂと接続インターフェースボード５２０との間に電気通信を提供してもよい。
【００７１】
テストスロット５００の前部５１９は、記憶装置搬送器４００のうちの１つを受け取り、支持するためのテスト区画５２６を画定する。ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂと、第１カバー５１４ａは一緒に、テスト区画５２６へのアクセス（例えば、記憶装置搬送器４００を挿入し取り除くための）を提供する第１開放端５２５、及びテストスロット５００中に挿入された記憶装置搬送器４００の面板４１２に突き当たって第１開放端５２５を介したテストスロット５００へ空気の出入りを阻止するシールを提供するベベルエッジ５１５を画定する。
【００７２】
図２１に示されるように、テスト区画５２６の領域において、直立壁５１２ａ、５１２ｂは係合特徴５２７を画定し、これは記憶装置搬送器４００のばねクランプ４５６ａ、４５６ｂのための嵌合面を提供し、記憶装置搬送器４００がテストスロット５００内でクランプされるのを可能にする。例えば、記憶装置搬送器４００内の記憶装置６００を用いて、並びに解放位置にあるアクチュエータ４５４を用いて、記憶装置６００上のコネクタ６１０（図１７Ａ）がテストスロットコネクタ５２４と嵌合するまで、記憶装置搬送器４００はテストスロット５００に挿入され得る。
【００７３】
記憶装置搬送器４００がテストスロット５００内の完全に挿入された位置にある状態で（即ち、記憶装置コネクタ６１０がテストスロットコネクタ５２４と嵌合している状態）、アクチュエータ４５４は係合位置に向けて動かすことができ、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの第１係合部材４７２及び第２係合部材４７６を、側壁４１８の内面４３２ａ及び外面４３２ｂから外側に延びるようにずらす。図２２Ａ及び２２Ｂを参照すると、係合位置においては、第２係合部材４７６は、側壁４１８の外面４３２ｂから外側に延び、テストスロット５００内の係合特徴５２７に係合して、テストスロット５００に対する動きに対して記憶装置搬送器４００をクランプする。同時に、第１係合部材４７２は、側壁４１８の内面４３２ａから外側に延び、伝導加熱アセンブリ４９０のプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを記憶装置６００の方にずらして、記憶装置搬送器４００に対する動きに対して記憶装置６００をクランプし、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂと記憶装置６００との間の良好な熱的接触を提供する。この良好な熱的接触は、テスト中に抵抗加熱器４８７を介して、記憶装置６００の効率的な伝導加熱を可能にする。このクランプの効果はまた、第１プリント配線板４９１ａのコンタクト端子４９６を、接続インターフェースボード５２０上のばね接点５２９と確実に接触させる。
【００７４】
動作の方法
【００７５】
使用時に、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて記憶装置搬送器４００をテストスロット５００のうちの１つから取り除き、次いで、記憶装置搬送器４００を用いて、搬送ステーション２００において記憶装置６００を１つの記憶装置レセプタクル２６４から回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、その内部の記憶装置６００と共に、記憶装置６００のテストのために関連付けられているテストスロット５００に戻す。テスト中は、テスト電子機器１６０は、とりわけ、テスト下の記憶装置６００の温度調節を含むテストアルゴリズムを実施する。例えば、テスト中に記憶装置６００はそれぞれ、約７０℃の温度まで加熱される。テスト電子機器１６０は、伝導加熱アセンブリ４９０の抵抗加熱器４８７への電流を制御することによって、テスト下の記憶装置６００の加熱を調節することができる。したがって、記憶装置６００の高効率な加熱は、主に受動素子（例えば抵抗加熱器４８７）のみを使用して達成することができる。
【００７６】
テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００から記憶装置搬送器４００を、支持された記憶装置６００と共に回収し、それを記憶装置搬送器４００の操作によって（即ち、マニピュレータ３１２を用いて）搬送ステーション２００における記憶装置レセプタクル２２４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００のうちの別のものに移動させる）。
【００７７】
他の実施形態
【００７８】
他の実施形態は、以下の「請求項の範囲」内である。
【００７９】
例えば、抵抗加熱器が、一緒に配線されている比較的に剛性な一対のプリント配線板における回路に組み込まれている伝導加熱アセンブリの実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、抵抗加熱器はフレキシブルプリント回路の回路に組み込まれてもよい。実施例として、図２３は、一対の回路部分（即ち、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂ）と、第１回路部分７０２ａ及び第２回路と７０２ｂと一体である接続部分７０４と、を含むフレキシブルプリント回路７００を図示する。
【００８０】
第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、導電性トレースによって画定されている抵抗加熱器７０６を含む。接続部分７０４はまた、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの抵抗加熱器７０６間に電気的接続を提供する、導電性トレース７０８を含む。第１回路部分７０２ａは、その遠位端７１２において一対のコンタクト端子７１０を含む。コンタクト端子７１０は、テストスロット５００内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。組み込まれた抵抗加熱を備える好適なフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【００８１】
図２４において示されるように、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、圧板プレート４９２の関連付けられている１つに載置されている（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。圧板４９２は、追加された剛性及び安定性のために、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの全体の裏面に沿って延在し、記憶装置搬送器４００がテストスロット５００に挿入されたときに、フレキシブルプリント回路７００上のコンタクト端子７１０と、接続インターフェースボード５２９上のばねコンタクト（図２０）との間の良好な電気的接触を提供するのに役立つことができる。
【００８２】
あるいは、図２５に図示されるように、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの遠位端７１２は、フレーム４１０の後ろフック４２６の周辺で、遠位端７１２がこのフックの形状に一致するように巻き付けられるのを可能にするために、圧板４９２によって支持されてないままであってよい。第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの遠位端７１２は、例えば接着剤を用いて、後ろフック４２６に取り付けられてもよい。図２６に図示されるように、接続インターフェースボード５２０は、いくつかの実施形態では、フレキシブルプリント回路７００のコンタクト端子７１０との電気接点のためのポゴピン５３０を含んでもよい。
【００８３】
別の方法又は追加で、記憶装置搬送器のプリント回路と、接続インターフェースボードとの間の電気的接続が、ブラインド嵌合コネクタによって提供されてもよい。例えば、図２７は、記憶装置搬送器４００のプリント回路７００と、接続インターフェースボード５２０との間の電気通信のために、嵌合するブラインド嵌合コネクタ（即ち雄ブラインド嵌合コネクタ７２１及び雌ブラインド嵌合コネクタ７２２）が提供されている実施形態を図示する。
【００８４】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、テスト中に記憶装置搬送器において支持されている記憶装置の温度をモニタリングするために、１つ以上の温度センサを含んでもよい。例えば、図２８は、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂが、記憶装置搬送器において支持されている記憶装置の温度を測定するように配置されている熱電対７２０を含む、１つの実施形態を図示する。特に、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂが記憶装置搬送器４００において支持されている記憶装置６００に対してクランプされるときに、熱電対７２０は記憶装置６００の表面に接触し、これによって記憶装置６００の温度が測定されるのを可能にする。
【００８５】
抵抗加熱器４８７のためのコンタクト端子４９６に加えて、第１プリント配線板４９１ａはまた、熱電対７２０に電気的に接続されている熱電対コンタクト端子７２２が提供される。追加のばね接点又はポゴピンが、接続インターフェースボード５２０（図２０）上に提供されて、接続インターフェースボード５２０と熱電対７２０との間に電気通信を提供してもよい。
【００８６】
熱電対７２０は、接続インターフェースボード５２０を介して、テスト電子機器１６０（図３Ａ及び３Ｂ）と電気通信している状態で配置されてもよい。テスト電子機器１６０は、少なくとも一部において熱電対７２０から受け取った信号に基づいて、抵抗加熱器４８７への電流を制御するように構成されてもよい。
【００８７】
熱電対７２０は、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのうちの１つに載置されている別個のデバイスの形態で提供されてもよく、又はそれはプリント配線板４９１ａ、４９１ｂの導電性層に組み込まれてもよい。更に、熱電対が剛性のプリント配線板上に提供されている実施形態が記載されてきたが、熱電対は、例えば、図２４〜２６に関して上記の実施形態のように、フレキシブルプリント回路を採用する実施形態に組み込まれてもよい。組み込まれた熱電対及び／又は抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【００８８】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、抵抗加熱器４８７と、記憶装置搬送器４００に支持されている記憶装置との間に追加層として、柔軟な材料、例えばBergquist Company（Chanhassen,MN）によって製造されているＳｉｌ−Ｐａｄなどを含んでもよい。例えば、図２９は、柔軟な材料７３０の層が、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの第１表面４８８に接着されている実施形態を図示する。柔軟な材料７３０は、記憶装置搬送器４００内にクランプされたときに、支持されている記憶装置の擦過を阻止するのに役立つことができる。柔軟な材料７３０はまた、記憶装置搬送器４００と支持されている記憶装置との間の震動の伝達を更に抑制するのに役立つこともできる。抵抗加熱器と記憶装置との間の柔軟な材料はまた、記憶装置の表面の不規則性を調節し、より効果的な熱移動を可能にする。
【００８９】
圧板、及び関連付けられたプリント回路を搬送器のフレームの対応する側壁の方へ付勢するために一対のばね板を利用する記憶装置搬送器の実施形態が記載されてきたが、他の弾性の付勢機構が可能である。
【００９０】
複数のばねクランプ（spring claims）を含むクランプ機構の実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、わずか１つのばねクランプが使用されてもよい。
【００９１】
テストスロットの他の実施形態が使用されてもよく、記憶装置搬送器は異なる形態をとってもよく、又はテストスロットアセンブリ中に存在しなくてもよい。図３０Ａに示されるように、各テストスロットアセンブリ１２０は、テストされる記憶装置６００を受け取るために、少なくとも１つのテストスロット５００ａを含んでもよい。図３０Ｂに示されるように、テストスロットアセンブリ１２０は、所望の記憶装置搬送器４００を含んでもよい。記憶装置搬送器４００は、記憶装置６００を捕捉するために（例えば装填ステーションから）、及び記憶装置６００をテストのためにテストスロット５００ａのうちの１つに移送するために使用されてもよい。記憶装置搬送器４００は、組み込まれた側壁４１８を有してもよい。いくつかの実装では、側壁は記憶装置搬送器４００には存在しない。
【００９２】
図３１Ａを参照して、いくつかの実装において、記憶装置テストシステム１０はまた、テストスロット５００ａと通信している少なくとも１つのコンピュータ１３０を含む。コンピュータ１３０は、記憶装置６００の在庫管理及び／又は記憶装置テストシステム１０を制御する自動化インターフェースを提供するように構成されてもよい。テストラック１００のそれぞれの内部で、テスト電子機器１６０は、各テストスロット５００ａと通信している。テスト電子機器１６０は、テストスロット５００ａ内に受け取られたディスクドライブ６００と通信するように構成されている。テスト電子機器１６０は、テストアルゴリズムを実行し、テスト下の記憶装置の状態（例えば温度）をモニターする。
【００９３】
図３１Ｂを参照すると、パワーシステム１７０は、記憶装置テストシステム１０に電力を供給する。パワーシステム１７０は、テストスロット５００ａに受け取られた記憶装置６００への電力を監視し、及び／又はこれを制御してもよい。図３１Ｂで図示されている実施例では、各テストトラック１００内のテスト電子機器１６０は、少なくとも１つのテストスロット５００ａと通信している少なくとも１つの自己テストシステム１８０を含む。自己テストシステム１８０は、テストスロット５００ａ内に受け取られた記憶装置６００の自己テストを支持する。自己テストシステム１８０は、クラスターコントローラ１８１、テストスロット５００ａ内に受け取られた記憶装置（ＳＤ）６００とそれぞれが電気通信する１つ以上の接続インターフェース回路１８２、及びこの接続インターフェース回路１８２と電気通信する１つ以上のブロックインターフェース回路１８３を含む。クラスターコントローラ１８１は、いくつかの実施例では、約１２０個の自己テスト及び／又は６０個の記憶装置６００の機能性テストの容量で１つ以上のテストプログラムを実行するように構成されている。接続インターフェース回路１８２及びブロックインターフェース回路１８３は、記憶装置の自己テストを支援するように構成されている。記憶装置の自己テストは、記憶装置６００によって受け取られた電力量、動作温度、データの読み出し及び書き込み能力、並びに異なる温度におけるデータの読み出し及び書きこみ能力（例えば、熱い状態での読み出し、及び冷たい状態で書き込み、逆もまた同様）をテストすることを含み得る。記憶装置の自己テストは、記憶装置６００の全てのメモリセクタをテストしてもよく、又は無作為抽出でテストしてもよい。機能性テストは、記憶装置６００の動作温度、並びに記憶装置６００との通信のデータの完全性もテストしてもよい。クラスターコントローラ１８１は、イーサネット（例えばギガビットイーサネット）を介して自己テスト回路１８４と通信してもよく、これは汎用非同期送受信（ＵＡＲＴ）シリアルリンクを介して、ブロックインターフェース回路１８３と、そして接続インターフェース回路１８２及び記憶装置６００上で通信してもよい。ＵＡＲＴは通常、コンピュータ又は周辺装置のシリアルポートの上でシリアル通信のために使用される個々の集積回路（又はその一部）である。ブロックインターフェース回路１８３は、テストスロット５００ａの電力及び温度を制御するように構成され、各ブロックインターフェース回路１８３は、１つ以上のテストスロット５００ａ及び／又は記憶装置６００を制御してもよい。
【００９４】
いくつかの実施例では、テスト電子機器１６０はまた、少なくとも１つのテストスロット５００ａと通信している少なくとも１つの機能性テストシステム１９０を含んでもよい。機能性テストシステム１９０は、記憶装置搬送器４００によってテストスロット５００ａに保持され、及び／又は支持されている、受け取られた記憶装置６００が正しく機能しているかどうかをテストする。機能性テストは、記憶装置６００によって受け取られた電力量、動作温度、データの読み出し及び書き込み能力、並びに異なる温度におけるデータの読み出し及び書きこみ能力（例えば、熱い状態での読み出し、及び冷たい状態で書き込み、逆もまた同様）をテストすることを含み得る。機能性テストは、記憶装置６００の全てのメモリセクタをテストしてもよく、又は無作為抽出でテストしてもよい。機能性テストは、記憶装置６００の動作温度、並びに記憶装置６００との通信のデータの完全性もテストしてもよい。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１、及びこのクラスターコントローラ１８１と電気通信している少なくとも１つの機能性インターフェース回路１９１を含む。接続インターフェース回路１８２は、テストスロット５００ａ及び機能性インターフェース回路１９１内に受け取られた記憶装置６００と電気通信している。機能性インターフェース回路１９１は、記憶装置６００に機能性テストルーティンを通信するように構成されている。機能性テストシステム１９０は、クラスターコントローラ１８１と、１つ以上の機能性インターフェース回路１９１との間に電気通信を提供する通信スイッチ１９２（例えばギガビットイーサネット）を含んでもよい。コンピュータ１３０、通信スイッチ１９２、クラスターコントローラ１８１、及び機能性インターフェース回路１９１はイーサネットのネットワーク上で通信することが好ましい。しかしながら、他の形態の通信が使用されてもよい。機能性インターフェース回路１９１は、パラレルＡＴアタッチメント（ＩＤＥ、ＡＴＡ、ＡＴＡＰＩ、ＵＤＭＡ及びＰＡＴＡとしても知られるハードディスクインターフェース）、ＳＡＴＡ、又はＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ）を介して接続インターフェース回路１８２に通信してもよい。
【００９５】
図３２Ａ及び３２Ｂを参照すると、ロボット３００はロボットアーム３１０、及びこのロボットアーム３１０の遠位端に配置されたマニピュレータ３１２（図３２Ａ）を含む。ロボットアーム３１０は、床面３１６に垂直である第１軸（図３２Ｂ）を規定し、ロボットの動作領域３１８内で、第１軸３１４を中心に所定の弧を通って回転し、第１軸３１４から放射状に延びるように動作し得る。ロボットアーム３１０は、例えば、搬送ステーション２００におけるトート２６０とテストラック１００との間で記憶装置６００を移送することによって、各テストスロット５００ａを個別にサービスするように構成されている。いくつかの実装では、ロボットアーム３１０は、搬送ステーション２００において１つの記憶装置レセプタクル２６４から記憶装置６００を回収し、記憶装置６００のテストのために、記憶装置６００をテストスロット５００ａ内に搭載する。いくつかの実装では、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて記憶装置搬送器４００をテストスロット５００ａのうちの１つから取り除き、次いで記憶装置搬送器４００を用いて、搬送ステーション２００において記憶装置６００を記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つから回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、その内部の記憶装置６００と共に、記憶装置６００のテストのためにテストスロット５００ａに戻すよう構成されている。テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００ａのうちの１つから、支持されている記憶装置６００（及び、該当する場合には、記憶装置搬送器４００を）回収し、それを、搬送ステーション２００において記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００ａのうちの別のものに移動させる）。
【００９６】
加熱アセンブリを備えるテストスロット
【００９７】
図３３に示されるように、テストスロット５００ａは、ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂ、並びに第１カバー５１４ａ及び第２カバー５１４ｂを含む。第１カバー５１４ａは、ベース５１０及び直立壁５１２ａ、５１２ｂと共に一体成型される。テストスロット５００ａは、後部５１８及び前部５１９を含む。後部５１８は接続インターフェースボード５２０を収容し、これは接続インターフェース回路１８２（図３１Ａ及び３１Ｂ）を担持している。図３４に示されるように、接続インターフェースボード５２０は、接続インターフェースボード５２０の遠位端５７３に沿って配置される電気コネクタ５２２を含む。電気コネクタ５２２は、接続インターフェース回路１８２（図３１Ａ及び３１Ｂ）と、関連付けられたテストラック１００におけるテスト回路（例えば、自己テストシステム１８０及び／又は機能性テストシステム１９０）との間に電気通信を提供する。接続インターフェースボード５２０はまた、テストスロットコネクタ５２４を含み、これは接続インターフェース回路１８２とテストスロット５００ａ内の記憶装置との間に電気通信を提供する。
【００９８】
テストスロット５００ａの前部５１９は、記憶装置６００を受け取り、支持するためのテスト区画５２６を画定し、又は所望により、記憶装置６００を運ぶための記憶装置搬送器４００を画定する。ベース５１０、直立壁５１２ａ、５１２ｂ、及び第１カバー５１４ａは一緒に、第１開放端５２５を画定し、これは、テスト区画５２６へのアクセス（例えば記憶装置６００又は記憶装置搬送器４００の挿入及び取り外しのための）、及びベベルエッジ５１５を提供する。いくつかの実装では、ベベルエッジ５１５は、テストスロット５００ａに挿入された記憶装置搬送器４００の面板に突き当って、第１開放端５２５を介するテストスロット５００ａへの空気の出入りを阻止するシールを提供する。
【００９９】
図３５Ａ及び３５Ｂに示されるように、テストスロット５００ａは、クランプ機構４５０及び伝導加熱アセンブリ４９０を含む。伝導加熱アセンブリ４９０は、テストスロットにより支持される記憶装置が熱伝導によって加熱されるのを可能にする。クランプ機構４５０及び伝導加熱アセンブリ４９０は、いくつかの可能な構成においてはテストスロット５００ａに含まれてもよい。いくつかの実装では、クランプ機構４５０は、テストスロット５００ａの直立壁５１２ａ、５１２ｂに突き当る。記憶装置６００がテストスロット５００ａ内に挿入されるときに、クランプ機構４５０は、記憶装置６００を定位置に固定し、テストスロット５００ａに対する記憶装置６００の一部の動きを減少させる。いくつかの実装では、伝導加熱アセンブリ４９０は、クランプ機構４５０に突き当るように配置されてもよく、これによってクランプ機構４５０は、係合されたときに、伝導加熱アセンブリ４９０に圧力を適用し、そしてこれは記憶装置６００上に圧力を適用する。いくつかの実装では、伝導加熱アセンブリ４９０はクランプ機構４５０の圧力の位置とは異なる位置において記憶装置６００に接触する。例えば、これらの実装では、クランプ機構４５０は、記憶装置６００上に直接圧力を適用してもよく、又はクランプ機構４５０は、記憶装置６００を含む記憶装置搬送器４００に圧力を適用してもよい。いくつかの実装では、伝導加熱アセンブリ４９０は、記憶装置搬送器４００がテストスロット５００ａに挿入されたときに、伝導加熱アセンブリ４９０は、記憶装置搬送器４００によって受け取られ（例えば、搬送器における一対のポート又は開口部を通じて）、記憶装置６００と直接接触するように、テストスロット５００ａ内に配置される。
【０１００】
図３６に示されるように、クランプ機構４５０は、それぞれがアクチュエータ４５４及び一対のばねクランプ（即ち、近位ばねクランプ４５６ａ及び遠位ばねクランプ４５６ｂ）を含む、一対のクランプアセンブリ４５２を含む。クランプアセンブリ４５２の内面４３２におけるばねクランプの部分は、緩衝器４７４を有する係合部分４７２を含む。ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂは、例えば、テストスロット５００ａ内に記憶装置６００をクランプするために、アクチュエータ４５４と動作可能に関連付けられている。
【０１０１】
図３７を参照すると、アンカー４５４のそれぞれは、駆動機構を画定する内面４８１ａ及び外面４８１ｂを含む。駆動機構は楔４８２及び凹み４８３を含む。アクチュエータ４５４はまた、内面４８１ａと外面４８１ｂとの間に延びる開口部４８４を画定する。それらの近位端４８５において、アクチュエータ４５４は、テストスロット５００ａに対するアクチュエータ４５４の動きを制御するためにマニピュレータ３１２（図３２Ａ）と係合可能であるように構成されているアクチュエータソケット４８６を含む。例えば、マニピュレータ３１２は、アクチュエータ４５４と係合して、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂと係合し、記憶装置５００ａを定位置に固定する。
【０１０２】
図３８に示されているように、伝導加熱アセンブリ４９０は、一対のプリント配線板（即ち、第１プリント配線板４９１ａ及び第２プリント配線板４９１ｂ）、一対の圧板４９２、及び一対の弾性付勢機構（ばね板４９３の形態で示されている）を含み、これはプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを、アセンブリに従ってクランプアセンブリ４５２の内面４３２の方に付勢する。
【０１０３】
図３９を参照すると、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの対応する第１面４８８において、導電性層（例えば銅）に組み込まれている抵抗加熱器４８７を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、それらの対応する近位端４９４ａにおいて配線パッド４８９を含む。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂは、配線パッド４８９においてプリント配線板４９１ａ、４９１ｂに半田付けされている配線４９５を介してお互いに電気的に接続され得る。第１プリント配線板４９１ａは、その遠位端４９４ｂにおいて一対のコンタクト端子４９６を含む。コンタクト端子４９６は、テストスロット５００ａ内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。いくつかの実装では、コンタクト端子４９６は、接続インターフェースボード５２０に恒久的に接続される（例えば半田付け）。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂはＦＲ ４基材から形成されてもよく、エッチングされた銅の表面層を備える。プリント配線板４９１ａ、４９１ｂのそれぞれは、圧板４９２の関連付けられた１つに載置される（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。
【０１０４】
圧板４９２は実質的に平坦であり、金属又は硬質プラスチックから形成されてもよい。圧板４９２はそれぞれ、ばね板４９３の対応する１つに載置される。
【０１０５】
図４０を参照すると、テストスロット５００ａ内に完全に挿入された状態の記憶装置６００を共に、アクチュエータ４５４は、係合位置の方に動かされ、ばねクランプ４５６ａ、４５６ｂの係合部材４７２をずらして、クランプアセンブリ４５２の内面４３２から外側に延びてもよい。係合位置では、係合部材４７２は、伝導加熱アセンブリ４９０のプリント配線板４９１ａ、４９１ｂを記憶装置６００の方にずらして、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂと、記憶装置６００との間に良好な熱接触を提供する。この良好な熱的接触は、テスト中に抵抗加熱器４８７を介して、記憶装置６００の効率的な伝導加熱を可能にする。いくつかの実装では、このクランプの効果はまた、第１プリント配線板４９１ａのコンタクト端子４９６を、接続インターフェースボード５２０上のばね接点５２９と固く接触させる。いくつかの実装では、記憶装置６００は記憶装置搬送器４００内に収容され、クランプ機構４５０は、記憶装置搬送器４００に対する動きに抗して記憶装置６００をクランプする。
【０１０６】
動作の方法
【０１０７】
使用時に、ロボットアーム３１０は、搬送ステーション２００において１つの記憶装置レセプタクル２６４から記憶装置６００を回収し、記憶装置６００のテストのために、記憶装置６００を関連するテストスロット５００ａ内に搭載する。いくつかの実装では、ロボットアーム３１０は、マニピュレータ３１２を用いて、記憶装置搬送器４００をテストスロット５００ａから取り除き、記憶装置搬送器４００を用いて記憶装置６００を回収し、次いで記憶装置搬送器４００を、記憶装置６００のテストのために関連付けられているテストスロット５００ａに戻す。テスト中は、テスト電子機器１６０は、とりわけ、テスト下の記憶装置６００の温度調節を含むテストアルゴリズムを実施する。例えば、テスト中に記憶装置６００はそれぞれ、約７０℃の温度まで加熱される。テスト電子機器１６０は、伝導加熱アセンブリ４９０の抵抗加熱器４８７への電流を制御することによって、テスト下の記憶装置６００の加熱を調節することができる。したがって、記憶装置６００の高効率な加熱は、主に受動素子（例えば抵抗加熱器４８７）のみを使用して達成することができる。
【０１０８】
テストの後で、ロボットアーム３１０は、テストスロット５００ａのうちの１つから、記憶装置６００（及び、幾つかの実施例では、記憶装置搬送器４００を）回収し、それを、搬送ステーション２００において記憶装置レセプタクル２６４のうちの１つに戻す（又は、それをテストスロット５００ａのうちの別のものに移動させる）。
【０１０９】
更なる実施形態
【０１１０】
例えば、抵抗加熱器が、一緒に配線されている比較的に剛性な一対のプリント配線板における回路に組み込まれている伝導加熱アセンブリの実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、抵抗加熱器はフレキシブルプリント回路の回路に組み込まれてもよい。実施例として、図４１は、一対の回路部分（即ち第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂ）と、第１回路部分７０２ａ及び第２回路と７０２ｂと一体である接続部分７０４と、を含むフレキシブルプリント回路７００を図示する。
【０１１１】
第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、導電性トレースによって画定されている抵抗加熱器７０６を含む。接続部分７０４はまた、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの抵抗加熱器７０６間に電気的接続を提供する、導電性トレース７０８を含む。第１回路部分７０２ａは、その遠位端７１２において一対のコンタクト端子７１０を含む。コンタクト端子７１０は、テストスロット５００ａ内で接続インターフェースボード５２０と電気通信するのを可能にする。組み込まれた抵抗加熱を備える好適なフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【０１１２】
図４２において示されるように、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂのそれぞれは、圧板プレート４９２の関連付けられている１つに載置されている（例えば接着剤又は機械的締結具を介して）。圧板４９２は、追加された剛性及び安定性のために、第１回路部分７０２ａ及び第２回路部分７０２ｂの全体の裏面に沿って延在し、フレキシブルプリント回路７００上のコンタクト端子７１０と、接続インターフェースボード５２０上のばねコンタクト５２９（図１２）との間の良好な電気的接触を提供するのに役立つことができる。
【０１１３】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、テスト中に記憶装置搬送器において支持されている記憶装置の温度をモニタリングするために、１つ以上の温度センサを含んでもよい。例えば、図４３は、記憶装置６００の温度を測定するように配置されている熱電対７２０をプリント配線板４９１ａ、４９１ｂが含む、１つの実施形態を図示する。特に、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂが記憶装置６００に対してクランプされるときに、熱電対７２０は記憶装置６００の表面に接触し、これによって記憶装置６００の温度が測定されるのを可能にする。熱電対７２０は、熱電対７２０の温度に対する抵抗加熱器４８７の影響を制限するために、抵抗加熱器４８７から物理的に分離されてもよく、ないしは別の方法で、抵抗加熱器４８７から断熱されてもよい。いくつかの実装では、熱電対７２０は、記憶装置６００と近接する状態ではあるが直接接触しないときに、記憶装置６００の温度を測定する。
【０１１４】
抵抗加熱器４８７のためのコンタクト端子４９６に加えて、第１プリント配線板４９１ａはまた、熱電対７２０に電気的に接続されている熱電対コンタクト端子７２２が提供される。いくつかの実施例では、ばね接点又はポゴピンが、接続インターフェースボード５２０（図３４）上に提供されて、接続インターフェースボード５２０と熱電対７２０との間に電気通信を提供してもよい。
【０１１５】
熱電対７２０は、接続インターフェースボード５２０を介して、テスト電子機器１６０（図３１Ａ及び３１Ｂ）と電気通信している状態で配置されてもよい。テスト電子機器１６０は、少なくとも一部において熱電対７２０から受け取った信号に基づいて、抵抗加熱器４８７への電流を制御するように構成されてもよい。あるいは、接続インターフェースボード５２０は、少なくとも一部において熱電対７２０から受け取った信号に基づいて、抵抗加熱器４８７への電流を直接制御するように構成されてもよい。
【０１１６】
いくつかの構成では、テスト電子機器１６０は、記憶装置の実際の温度と、熱電対７２０によって測定された温度との間のいずれかの誤差を補正してもよい。例えば、記憶装置６００によって引かれた電力は熱として消散し、記憶装置内部の温度を上昇させるが、この温度上昇は、熱電対７２０によって十分に測定されない場合がある。テスト電子機器１６０は、記憶装置６００によって引かれた電力を測定し、この測定値を使用して、熱電対７２０によって測定された温度に関する補正値を算出し、記憶装置６００の実際の温度を推定する。熱電対７２０は、プリント配線板４９１ａのうちの１つに載置されている別個のデバイスの形態で提供されてもよく、又はそれは、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの導電性層に組み込まれてもよい。更に、熱電対が剛性のプリント配線板上に提供されている実施形態が記載されてきたが、熱電対は、例えば、図４２に関して上記の実施形態のように、フレキシブルプリント回路を採用する実施形態に組み込まれてもよい。組み込まれた熱電対及び／又は抵抗加熱器を備えるフレキシブルプリント回路は、Watlow Electric Manufacturing Company（Columbia,Missouri）から入手可能である。
【０１１７】
いくつかの実施形態では、伝導加熱アセンブリ４９０はまた、抵抗加熱器４８７と、記憶装置搬送器４００に支持されている記憶装置との間に追加層として、柔軟な材料、例えばBergquist Company（Chanhassen,MN）によって製造されているＳｉｌ−Ｐａｄなどを含んでもよい。例えば、図４４は、柔軟な材料７３０の層が、プリント配線板４９１ａ、４９１ｂの第１表面４８８に接着されている実施形態を図示する。柔軟な材料７３０は、テストスロット５００ａ内にクランプされたときに、支持されている記憶装置６００の擦過を阻止するのに役立つことができる。抵抗加熱器と記憶装置との間の柔軟な材料はまた、記憶装置６００の表面の不規則性を調節し、より効果的な熱移動を可能にする。
【０１１８】
圧板、及び関連付けられたプリント回路をクランプアセンブリの対応する内面の方へ付勢するために一対のばね板を利用する伝導加熱アセンブリの実施形態が記載されてきたが、他の弾性の付勢機構が可能である。
【０１１９】
複数のばねクランプを含むクランプ機構の実施形態が記載されてきたが、いくつかの実施形態では、わずか１つのばねクランプが使用されてもよい。
【０１２０】
他の実施形態は、以下の「請求項の範囲」内である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器であって、
前記記憶装置搬送器は、
記憶装置を受け取り、支持するように構成されたフレームと、
前記フレームと関連付けられている伝導加熱アセンブリと
を含み、
前記伝導加熱アセンブリは、前記フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置される、記憶装置搬送器。
【請求項２】
前記フレームと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項３】
前記伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメントを含む、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項４】
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の抵抗加熱器を含む、請求項３に記載の記憶装置搬送器。
【請求項５】
前記伝導加熱アセンブリはプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記１つ以上の電気加熱エレメントは前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項６】
前記プリント回路はプリント配線板を含む、請求項５に記載の記憶装置搬送器。
【請求項７】
前記記憶装置の温度を測定するために、前記フレームにより支持される記憶装置に接触するように配置された温度センサを更に含む、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項８】
前記フレームと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリ及び前記温度センサを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項７に記載の記憶装置搬送器。
【請求項９】
Ａ．）記憶装置搬送器であって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたフレームと、
ｉｉ．）前記フレームと関連付けられ、前記フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている伝導加熱アセンブリと
を含む記憶装置搬送器と、
Ｂ．）テストスロットであって、
ｉ．）前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画を含むテストスロットと
を含む、テストスロットアセンブリ。
【請求項１０】
前記伝導加熱アセンブリは、
１つ以上の電気加熱エレメントと、
前記１つ以上の電気加熱エレメントと電気通信するコンタクト端子と
を含み、
前記テストスロットは、
接続インターフェース回路と、
前記接続インターフェース回路と電気通信し、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリの前記コンタクト端子に係合するように配置される導電性コンタクトと
を含む、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１１】
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の抵抗加熱器を含む、請求項１０に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１２】
前記伝導加熱アセンブリはプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記１つ以上の電気加熱エレメントは前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項１０に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１３】
前記導電性コンタクトは、ばね接点及びポゴピンからなる群から選択される、請求項１１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１４】
前記記憶装置搬送器は、前記記憶装置の温度を測定するために、前記フレームにより支持される記憶装置に接触するように配置された温度センサを更に含む、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１５】
前記記憶装置搬送器は、前記フレームと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１６】
前記クランプ機構は、前記テスト区画内の前記記憶装置搬送器をクランプするように動作し得る、請求項１５に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１７】
Ａ．）記憶装置搬送器であって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、支持するように構成されたフレームと、
ｉｉ．）前記フレームと関連付けられ、前記フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている伝導加熱アセンブリと
を含む記憶装置搬送器と、
Ｂ．）テストスロットであって、
ｉ．）前記記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画と、
ｉｉ．）接続インターフェースボードと
を含むテストスロットと、
Ｃ．）前記テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されたテスト電子機器と
を含み、
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成される、記憶装置テストシステム。
【請求項１８】
前記テスト電子機器は、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項１７に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項１９】
前記記憶装置搬送器は、前記記憶装置の温度を測定するために、前記フレームにより支持される記憶装置に接触するように配置された温度センサを更に含む、請求項１７に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項２０】
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、
前記テスト電子機器は、少なくとも一部において前記温度センサから受け取った信号に基づいて、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項１９に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項２１】
記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングと関連付けられ、前記記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置された伝導加熱アセンブリと
を含む、テストスロットアセンブリ。
【請求項２２】
前記伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメントを含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２３】
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の抵抗加熱器を含む、請求項２２に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２４】
前記伝導加熱アセンブリはプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項２２に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２５】
前記プリント回路はプリント配線板を含む、請求項２４に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２６】
前記プリント回路はフレキシブルプリント回路を含む、請求項２４に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２７】
前記ハウジングと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリを動かして、記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２８】
前記テストスロットアセンブリは、前記記憶装置の温度を測定するように配置された温度センサを更に含む、請求項２７に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２９】
前記クランプ機構は、前記温度センサを動かして、記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項２８に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３０】
前記温度センサは熱電対を含む、請求項２８に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３１】
前記記憶装置を支持する記憶装置搬送器を更に含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３２】
前記ハウジングは、前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するように構成される、請求項３１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３３】
Ａ．テストスロットであって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画と、
ｉｉ．）前記テスト区画と関連付けられ、前記記憶装置を熱伝導によって加熱するように配置された伝導加熱アセンブリと
を含むテストスロットと、
Ｂ．）前記テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されたテスト電子機器と
を含む、記憶装置テストシステム。
【請求項３４】
前記テストスロットは、前記テスト電子機器との電気通信を提供するように構成された接続インターフェースボードを更に含み、
前記テスト電子機器は、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３５】
前記テストスロットは、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成された接続インターフェースボードを更に含む、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３６】
前記テスト区画は、前記記憶装置の温度を測定するように配置された温度センサを更に含む、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３７】
前記テストスロットは、接続インターフェースボードを更に含み、
前記接続インターフェースボードは、前記温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、かつ、少なくとも一部において前記温度センサから受け取った信号に基づいて前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項３６に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３８】
前記テスト電子機器は、前記記憶装置の出力を測定し、前記記憶装置の実際の温度と、前記温度センサによって測定された温度との間のいずれかの誤差を補正するように構成される、請求項３６に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３９】
前記テストスロットは、前記記憶装置が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリとの電気通信を提供するように構成された接続インターフェースボードを更に含む、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項４０】
記憶装置を、テストスロットのテスト区画内に挿入することと、
前記記憶装置を前記テストスロットの前記テスト区画内にクランプするため、及び伝導加熱アセンブリを動かして前記記憶装置と物理的に接触させるための両方のためにクランプ機構を係合することと
を含む、方法。
【請求項１】
記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器であって、
前記記憶装置搬送器は、
記憶装置を受け取り、支持するように構成されたフレームと、
前記フレームと関連付けられている伝導加熱アセンブリと
を含み、
前記伝導加熱アセンブリは、前記フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置される、記憶装置搬送器。
【請求項２】
前記フレームと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項３】
前記伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメントを含む、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項４】
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の抵抗加熱器を含む、請求項３に記載の記憶装置搬送器。
【請求項５】
前記伝導加熱アセンブリはプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記１つ以上の電気加熱エレメントは前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項６】
前記プリント回路はプリント配線板を含む、請求項５に記載の記憶装置搬送器。
【請求項７】
前記記憶装置の温度を測定するために、前記フレームにより支持される記憶装置に接触するように配置された温度センサを更に含む、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項８】
前記フレームと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリ及び前記温度センサを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項７に記載の記憶装置搬送器。
【請求項９】
Ａ．）記憶装置搬送器であって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたフレームと、
ｉｉ．）前記フレームと関連付けられ、前記フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている伝導加熱アセンブリと
を含む記憶装置搬送器と、
Ｂ．）テストスロットであって、
ｉ．）前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画を含むテストスロットと
を含む、テストスロットアセンブリ。
【請求項１０】
前記伝導加熱アセンブリは、
１つ以上の電気加熱エレメントと、
前記１つ以上の電気加熱エレメントと電気通信するコンタクト端子と
を含み、
前記テストスロットは、
接続インターフェース回路と、
前記接続インターフェース回路と電気通信し、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリの前記コンタクト端子に係合するように配置される導電性コンタクトと
を含む、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１１】
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の抵抗加熱器を含む、請求項１０に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１２】
前記伝導加熱アセンブリはプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記１つ以上の電気加熱エレメントは前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項１０に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１３】
前記導電性コンタクトは、ばね接点及びポゴピンからなる群から選択される、請求項１１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１４】
前記記憶装置搬送器は、前記記憶装置の温度を測定するために、前記フレームにより支持される記憶装置に接触するように配置された温度センサを更に含む、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１５】
前記記憶装置搬送器は、前記フレームと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１６】
前記クランプ機構は、前記テスト区画内の前記記憶装置搬送器をクランプするように動作し得る、請求項１５に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１７】
Ａ．）記憶装置搬送器であって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、支持するように構成されたフレームと、
ｉｉ．）前記フレームと関連付けられ、前記フレームにより支持される記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置されている伝導加熱アセンブリと
を含む記憶装置搬送器と、
Ｂ．）テストスロットであって、
ｉ．）前記記憶装置搬送器を受け取り、支持するためのテスト区画と、
ｉｉ．）接続インターフェースボードと
を含むテストスロットと、
Ｃ．）前記テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されたテスト電子機器と
を含み、
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成される、記憶装置テストシステム。
【請求項１８】
前記テスト電子機器は、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項１７に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項１９】
前記記憶装置搬送器は、前記記憶装置の温度を測定するために、前記フレームにより支持される記憶装置に接触するように配置された温度センサを更に含む、請求項１７に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項２０】
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、
前記テスト電子機器は、少なくとも一部において前記温度センサから受け取った信号に基づいて、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項１９に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項２１】
記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングと関連付けられ、前記記憶装置を、熱伝導によって加熱するように配置された伝導加熱アセンブリと
を含む、テストスロットアセンブリ。
【請求項２２】
前記伝導加熱アセンブリは１つ以上の電気加熱エレメントを含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２３】
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の抵抗加熱器を含む、請求項２２に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２４】
前記伝導加熱アセンブリはプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記１つ以上の電気加熱エレメントは１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項２２に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２５】
前記プリント回路はプリント配線板を含む、請求項２４に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２６】
前記プリント回路はフレキシブルプリント回路を含む、請求項２４に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２７】
前記ハウジングと動作可能に関連付けられているクランプ機構を更に含み、
前記クランプ機構は、前記伝導加熱アセンブリを動かして、記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２８】
前記テストスロットアセンブリは、前記記憶装置の温度を測定するように配置された温度センサを更に含む、請求項２７に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２９】
前記クランプ機構は、前記温度センサを動かして、記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項２８に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３０】
前記温度センサは熱電対を含む、請求項２８に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３１】
前記記憶装置を支持する記憶装置搬送器を更に含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３２】
前記ハウジングは、前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するように構成される、請求項３１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３３】
Ａ．テストスロットであって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画と、
ｉｉ．）前記テスト区画と関連付けられ、前記記憶装置を熱伝導によって加熱するように配置された伝導加熱アセンブリと
を含むテストスロットと、
Ｂ．）前記テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されたテスト電子機器と
を含む、記憶装置テストシステム。
【請求項３４】
前記テストスロットは、前記テスト電子機器との電気通信を提供するように構成された接続インターフェースボードを更に含み、
前記テスト電子機器は、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３５】
前記テストスロットは、前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成された接続インターフェースボードを更に含む、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３６】
前記テスト区画は、前記記憶装置の温度を測定するように配置された温度センサを更に含む、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３７】
前記テストスロットは、接続インターフェースボードを更に含み、
前記接続インターフェースボードは、前記温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、かつ、少なくとも一部において前記温度センサから受け取った信号に基づいて前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項３６に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３８】
前記テスト電子機器は、前記記憶装置の出力を測定し、前記記憶装置の実際の温度と、前記温度センサによって測定された温度との間のいずれかの誤差を補正するように構成される、請求項３６に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３９】
前記テストスロットは、前記記憶装置が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリとの電気通信を提供するように構成された接続インターフェースボードを更に含む、請求項３３に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項４０】
記憶装置を、テストスロットのテスト区画内に挿入することと、
前記記憶装置を前記テストスロットの前記テスト区画内にクランプするため、及び伝導加熱アセンブリを動かして前記記憶装置と物理的に接触させるための両方のためにクランプ機構を係合することと
を含む、方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１５Ｃ】
【図１５Ｄ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１６Ｃ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０Ａ】
【図３０Ｂ】
【図３１Ａ】
【図３１Ｂ】
【図３２Ａ】
【図３２Ｂ】
【図３３】
【図３４】
【図３５Ａ】
【図３５Ｂ】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１５Ｃ】
【図１５Ｄ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１６Ｃ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０Ａ】
【図３０Ｂ】
【図３１Ａ】
【図３１Ｂ】
【図３２Ａ】
【図３２Ｂ】
【図３３】
【図３４】
【図３５Ａ】
【図３５Ｂ】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【公表番号】特表２０１２−５３３８３４（Ｐ２０１２−５３３８３４Ａ）
【公表日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５２０７７３（Ｐ２０１２−５２０７７３）
【出願日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０４２１１１
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／００８９３７
【国際公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【出願人】（５０２３９１８４０）テラダイン、 インコーポレイテッド (49)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０４２１１１
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／００８９３７
【国際公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【出願人】（５０２３９１８４０）テラダイン、 インコーポレイテッド (49)
【Ｆターム（参考）】
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