内視鏡装置
【課題】撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない内視鏡装置を提供する。
【解決手段】内視鏡装置１は、映像信号処理回路９を有する本体部２と内視鏡とを有する。内視鏡は、エミッタが抵抗器１３を介して電源に接続され、コレクタが接地され、かつCCD5からの映像信号処理回路９への出力信号がベースに入力されるPNP型トランジスタ１１、又はソースが抵抗器１３を介して電源に接続され、ドレインが接地され、かつCCD５からの映像信号処理回路９への出力信号がゲートに入力されるP型チャンネル電界効果トランジスタを含む内視鏡先端部を有する。
【解決手段】内視鏡装置１は、映像信号処理回路９を有する本体部２と内視鏡とを有する。内視鏡は、エミッタが抵抗器１３を介して電源に接続され、コレクタが接地され、かつCCD5からの映像信号処理回路９への出力信号がベースに入力されるPNP型トランジスタ１１、又はソースが抵抗器１３を介して電源に接続され、ドレインが接地され、かつCCD５からの映像信号処理回路９への出力信号がゲートに入力されるP型チャンネル電界効果トランジスタを含む内視鏡先端部を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内視鏡装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、内視鏡装置が工業分野及び医療分野で広く利用されている。ユーザは、内視鏡装置の挿入部を被検体の観察したい部分に向けることにより、挿入部の先端部に設けられた撮像素子により撮像された被検体映像をモニタに表示させて、被検体の検査等を行うことができる。
【０００３】
図６は、従来の内視鏡装置の構成を説明するための構成図である。内視鏡装置１０１は、本体部１０２と、本体部１０２に接続された挿入部１０３を含んで構成される。挿入部１０３の先端部１０４には、撮像素子としてのCCD１０５と、コンデンサ１０６と、出力用のバッファ回路１０７が含まれる。本体部１０２は、電源回路１０８と、映像信号処理回路１０９と、映像表示用のモニタ１１０を含んで構成されている。先端部１０４と映像信号処理回路１０９は、映像信号ラインSLと接地ラインGLを含む同軸ケーブル１１１により接続されている。同軸ケーブル１１１は、電源用の電源ラインVLとは別に設けられている。コンデンサ１０６は、高周波領域における電源VDDのインピーダンスを下げるための電源バイパス用コンデンサである。
【０００４】
CCD１０５の出力は、バッファ回路１０７を介して映像信号処理回路１０９に供給される。映像信号処理回路１０９は、受信した映像信号を処理して、モニタ１１０に映像信号に基づく映像を表示させる。
【０００５】
CCD１０５自体の出力回路のドライブ能力は高くないので、CCD１０５の出力が直近で映像信号処理回路１０９に接続される場合は、CCD１０５と映像信号処理回路１０９は直接接続することができる。しかし、内視鏡装置のように、CCD１０５の出力が長い挿入部１０３の長い信号ラインを介して映像信号処理回路１０９に接続される場合は、バッファ回路１０７を利用してドライブ能力を高くする必要がある。
【０００６】
そのバッファ回路１０７は、エミッタフォロワ回路であり、駆動用のトランジスタ（図６では２段のトランジスタ）と、過電圧保護用の複数のダイオードと抵抗器を含む。図６のバッファ回路１０７は、４つのピンを有するICチップである。このバッファ回路１０７により、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊されないように保護される。
【０００７】
また、過電圧保護機能を有しない出力バッファ回路を用いた内視鏡装置も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１４８４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述したバッファ回路１０７は、図６に示すように駆動用のトランジスタと、複数のダイオードと複数の抵抗器を含む。そのため、そのICチップ自体は、小さいとはいえチップのピンも複数有し、サイズも例えば２ｍｍ角はあり、内視鏡の先端部１０４の大きさに対して比較的大きい。例えば、挿入部１０３の径が５ｍｍ等の内視鏡装置の挿入部１０３の先端部１０４のような小さい容積の中では、そのICチップ自体は、比較的大きな容積を占めてしまう。よって、挿入部１０３のさらなる細径化を進める上では、バッファ回路１０４の大きさは、細径化の障害になっている。
【００１０】
そして、同軸ケーブル１１１の映像信号ラインSLの内部導体と接地ラインGLの外部導体が、バッファ回路１０７のそれぞれの端子ピンに半田付けにより接続される。
同軸ケーブルは例えば０．３ｍｍの細さであり、バッファ回路１０７のICチップも上述したように非常に小さいので、半田付けは、非常に細心の注意を必要とし作業性が悪い。半田付けが注意深く行われなければ、芯線である内部導体と外側線である外部導体との短絡、熱により絶縁層の溶解等が発生する。
【００１１】
また、挿入部の先端部の細径化のために、図６のようなバッファ回路を用いないで、CCD１０５の出力段に単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いることもできる。図７は、CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた例を示す構成図である。図７において、図６と同じ構成要素については同じ符号を付している。
【００１２】
内視鏡装置１０１Aにおいて、CCD１０５の出力は、単体のトランジスタ１２１を介して映像信号処理回路１０９へ供給される。トランジスタ１２１は、NPN型トランジスタである。トランジスタ１２１のエミッタは抵抗器１２２を介して同軸ケーブル１１１の映像信号ラインSLに接続されている。さらに、トランジスタ１２１のエミッタは抵抗器１２３を介して同軸ケーブル１１１の接地ラインGLにも接続されている。抵抗器１２２は、高周波の画像信号を同軸ケーブル１１１の映像信号ラインSLに歪みなく送信するためのインピーダンス整合用抵抗器である。抵抗器１２３は、トランジスタ１２１をバッファ回路として動作させるために、トランジスタ１２１に一定のエミッタ電流を常時流しておくための抵抗器である。
【００１３】
図７の場合、通常時、電流は、電源VDDからトランジスタ１２１と抵抗器１２３を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、抵抗器１２２の抵抗値は、抵抗器１２３の抵抗値よりも小さいので、抵抗器１２２には過大な電流が流れる。その結果、トランジスタ１２１あるいは抵抗器１２２が破壊する。
【００１４】
内視鏡装置の場合、電源電圧は１０数ボルトの電圧で比較的高圧である。よって、そのような短絡等があると、トランジスタ１２１は、許容電力損失が小さいと、容易に破壊されてしまう。
【００１５】
また、同様に、図８に示すような、CCD１０５の出力段に単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いることもできる。図８は、CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた他の例を示す構成図である。図８では、抵抗器１２３は、トランジスタ１２１のエミッタに直接接続せず、抵抗器１２２と映像信号ラインSLを介して接続されている。抵抗器１２３は、抵抗器１２２と映像信号ラインSLを介してトランジスタ１２１のエミッタに接続されていても、図７と同様の機能を果たす。図８において、図７と同じ構成要素については同じ符号を付している。
【００１６】
図８の場合も、通常時、電流は、電源VDDからトランジスタ１２１、抵抗器１２２、映像信号ラインSL及び映像信号処理回路１０９を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、抵抗器１２２の抵抗値は、抵抗器１２３の抵抗値よりも小さいので、電流は、電源VDDからトランジスタ１２１、抵抗器１２２及び映像信号ラインSLを介して接地ラインGLに流れる。すなわち、抵抗器１２２には過大な電流が流れる。その結果、トランジスタ１２１あるいは抵抗器１２２が破壊する。
【００１７】
従って、図７と図８に示すように、挿入部の細径化のために単体のトランジスタを使用することができるが、そのトランジスタの許容電力損失が小さいと、短絡時にトランジスタが破壊されてしまうという問題があった。
【００１８】
また、短絡によりトランジスタが破壊した場合に、先端部１０４からトランジスタだけを取り替えるということも、内視鏡先端部における作業スペースが狭く、容易ではない。
【００１９】
そこで、本発明は、撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない内視鏡装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一態様によれば、映像信号処理回路を有する本体部と、エミッタが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、コレクタが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がベースに入力されるPNP型トランジスタ、又はソースが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、ドレインが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がゲートに入力されるP型チャンネル電界効果トランジスタを含む内視鏡先端部を有する内視鏡挿入部と、を有する内視鏡装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の内視鏡装置によれば、撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる内視鏡装置の構成を示す構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係わる内視鏡装置１Aの構成を示す構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係わる内視鏡装置１Ｂの構成を示す構成図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の変形例に係る内視鏡装置１Cの構成を示す構成図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係わる、トランジスタとしてＰ型チャンネルFETを用いた内視鏡装置１Dの構成を示す構成図である。
【図６】従来の内視鏡装置の構成を説明するための構成図である。
【図７】CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた例を示す構成図である。
【図８】CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた他の例を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施の形態）
（構成）
まず図１に基づき、本実施の形態に係わる内視鏡装置の構成を説明する。図１は、本実施の形態に係わる内視鏡装置の構成を示す構成図である。
【００２４】
図１に示すように、内視鏡装置１は、本体部２と、本体部２に接続された内視鏡の挿入部３とを含んで構成されている。挿入部３の先端部４には、撮像素子としてのCCD５と、電源バイパス用のコンデンサ６と、コレクタ接地のPNP型トランジスタ１１と、抵抗器１２、１３とが含まれる。CCD５の出力は、PNP型トランジスタ１１と抵抗器１２を介して本体部の映像信号処理回路９に出力される。CCD５の出力は、PNP型トランジスタ１１のベースに接続されている。
【００２５】
PNP型トランジスタ１１のエミッタは、抵抗器１２と１３の接続点に接続されている。抵抗器１３の前記接続点とは反対側は、電源ラインVLに接続されている。
抵抗器１２の抵抗値は、抵抗器１３の抵抗値よりも小さい。例えば、抵抗器１２は略５０オームで、抵抗器１３は、略３００オームである。
【００２６】
抵抗器１２の前記接続点とは反対側は、映像信号ラインSLに接続されている。PNP型トランジスタ１１のコレクタは、接地ラインGLに接続されている。同軸ケーブル７の芯線と外側線が、それぞれ映像信号ラインSLと接地ラインGLである。
【００２７】
すなわち、内視鏡の挿入部３は、先端部４内にPNP型トランジスタ１１を含む内視鏡の先端部４を有する。そして、PNP型トランジスタ１１では、エミッタは、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３を介して電源回路８からの電源に接続され、コレクタは接地され、かつ撮像素子であるCCD５からの映像信号処理回路９への出力信号がベースに入力されている。
【００２８】
本体部２は、電源回路８と、映像信号処理回路９と、映像表示用のモニタ１０を含んで構成されている。
【００２９】
先端部４と映像信号処理回路９は、映像信号ラインSLと接地ラインGLを含む同軸ケーブル７により接続されている。同軸ケーブル７は、電源用の電源ラインVLとは別に設けられている。なお、CCD５の駆動パルス等のための信号ラインも挿入部３内に挿通されているが、ここでは、図示せず、省略している。
コレクタ接地のPNP型トランジスタ１１は、CCD５の出力を、抵抗器１２を介して映像信号処理回路９に供給する。映像信号処理回路９は、受信した映像信号を処理して、モニタ１０に映像信号に基づく映像を表示させる。
（作用）
通常時、電流は、電源VDDから抵抗器１３とPNP型トランジスタ１１を介して接地ラインに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、電流は、電源VDDから抵抗器１３と１２を介して接地ラインGLに流れる。
【００３０】
これは、抵抗器１２の抵抗値が抵抗器１３の抵抗値よりも小さく、短絡時にはPNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には逆方向バイアスがかかるので、PNP型トランジスタ１１には、電流が流れないからである。従って、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００３１】
例えば、CCD５の出力電圧が１３ボルトで、抵抗器１２の抵抗値R1は５０オームで、抵抗器１３の抵抗値R2が３００オームで、電源VDDが１５ボルトとする。
【００３２】
映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡時のPNP型トランジスタ１１のエミッタの電位Veは、次の式から決定される。
【００３３】
Ve＝VDD（R1／（R1+R2））＝１５（５０／（５０＋３００））＝２．１（V）
よって、短絡時のPNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間は、逆方向バイアスとなる。
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１が破壊しない。
（第２の実施の形態）
上記第１の実施の形態では、抵抗器１３は、内視鏡先端部４内に配置されているが、本第２の実施の形態は、抵抗器１３が本体部２側に設けられている点が、第１の実施の形態と異なる。
【００３４】
例えば、第１の実施の形態の構成の場合、上記のように、CCD５の出力電圧が１３ボルトで、抵抗器１２の抵抗値R1は５０オームで、抵抗器１３の抵抗値R2が３００オームで、電源VDDが１５ボルトとした場合、短絡時の抵抗器１２と１３に流れる電流I1は、次の式から決定される。
【００３５】
I1=VDD／（R1+R2）＝１５／（５０＋３００）＝０．０４３（A）
この電流I1は小さいが、抵抗器１３の消費電力W1は、次の式から決定される。
【００３６】
W1=R2＊I1２＝３００＊（０．０４３）２＝０．５５（W）
この消費電力W1は、十分には小さくない。もしも、抵抗器１３の許容電力が０．１ワットであるとすると、抵抗器１３が破壊してしまう可能性がある。
【００３７】
このように、抵抗器における消費電力が抵抗器の許容電力を超えて、短絡時に抵抗器が破壊されてしまうと、抵抗器１３だけを取り替えることは容易ではなく、先端部全体が使用できなくなる場合が発生し得る。
上述したように、例えば、先端部４の径が４ｍｍの先端部４の中の抵抗器１３だけを交換することは極めて困難である。
【００３８】
そこで、本実施の形態では、小さな先端部内に抵抗器１３を設けるのではなく、抵抗器１３を本体部２側に設けている。
（構成）
図２は、本実施の形態に係る内視鏡装置１Aの構成を示す構成図である。図２において、図１の内視鏡装置１と同じ構成要素については、同じ符号を付し説明は省略する。
図２の内視鏡装置１Aは、抵抗器１３の配置されている場所が本体部２である点が、図１の内視鏡装置１と異なる。
【００３９】
すなわち、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３は、本体部２内において、電源と出力信号の映像信号ラインSL間に設けられている。
PNP型トランジスタ１１のエミッタは、抵抗器１２と同軸ケーブル７の映像信号ラインSLとを介して、映像信号処理回路９に接続されている。また、映像信号処理回路９には、一端が電源VDDに接続された抵抗器１３の他端が接続されている。
（作用）
通常時、電流は、電源VDDから、抵抗器１３、同軸ケーブル７の映像信号ラインSL、抵抗器１２及びPNP型トランジスタ１１を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、電流は、電源VDDから、抵抗器１３を介して接地ラインGLに流れる。
【００４０】
これは、短絡時にPNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には逆方向バイアスがかかるので、PNP型トランジスタ１１と抵抗器１２には、電流が流れないからである。従って、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００４１】
上記同様に、例えば、CCD５の出力電圧が１３ボルトで、抵抗器１２の抵抗値R1は５０オームで、抵抗器１３の抵抗値R2が３００オームで、電源VDDが１５ボルトとする。
【００４２】
短絡時に抵抗器１３に流れる電流I2は、次の式から決定される。
【００４３】
I2＝VDD／R2＝１５／３００＝０．０５（A）
このときの消費電力W2は、次の式から決定される。
【００４４】
W2=R2＊（I2）２＝０．０５＊（０．０５）２＝０．７５（W）
よって、抵抗器１３の許容電力が例えば０．１ワットであると、抵抗器１３は破壊する虞があるが、抵抗器１３は、本体部２にあるため、作業スペースは広く、抵抗器１３の交換は容易である。
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１が破壊しない。さらに、抵抗器１３が破壊しても、その交換は容易である。
（第３の実施の形態）
上記第２の実施の形態では、抵抗器１３は、本体部２側に配置されているが、本第３の実施の形態は、抵抗器１３が本体部２と内視鏡のコネクタ部に設けられている点が、第２の実施の形態と異なる。
（構成）
図３は、本実施の形態に係る内視鏡装置１Ｂの構成を示す構成図である。図３に示すように、本実施の形態の内視鏡装置１Bでは、内視鏡の挿入部３を本体部２に対して着脱自在にするために、挿入部３の途中にコネクタ３１が設けられている。コネクタ３１は、挿入部３側のコネクタ部３１ａと、本体部２側のコネクタ部３１ｂとからなる。
なお、コネクタ部３１ｂは、本体部２側に固定されていてもよい。例えば、コネクタ３１は、コネクタ部３１ｂが本体部２に配設され、挿入部３側のコネクタ３１ａを本体部２に直付けするようなコネクタであってもよい。
【００４５】
コネクタ３１は、本体部２と挿入部３間の電源ラインVLと、同軸ケーブル７の映像信号ラインSLと、接地ラインGLを電気的に接続するコネクタである。なお、CCD５の水平及び垂直の駆動信号ライン等（図示せず）も、本体部２と挿入部３間でコネクタ３１によって電気的に接続されている。
抵抗器１３は、コネクタ部３１ａ内において、電源ラインVLと映像信号ラインSL間に設けられている。
すなわち、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３は、内視鏡の先端部４を含む挿入部３と本体部２とを接続するコネクタ内において、電源と出力信号の映像信号ラインSL間に設けられている。
（作用）
通常時、電流は、電源VDDから、抵抗器１３、同軸ケーブル７の映像信号ラインSL、抵抗器１２及びPNP型トランジスタ１１を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、電流は、電源VDDから、抵抗器１３を介して接地ラインGLに流れる。
【００４６】
すなわち、通常時と短絡時の電流の流れは、第２の実施の形態と同様である。よって、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００４７】
さらに、第２の実施の形態と同様に、抵抗器１３は、許容電力が低いと破壊されるが、挿入部３側のコネクタ部３１ａ内に設けられているため、作業スペースは広く、抵抗器１３の交換は容易である。
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１が破壊しない。さらに、抵抗器１３が破壊されても、抵抗器１３は、コネクタ３１内にあるので、交換が容易である。
（変形例）
なお、図３では、抵抗器１３は、コネクタ部３１ａに配置されたが、コネクタ部３１ｂに配置してもよい。図４は、第３の実施の形態の変形例に係る内視鏡装置１Cの構成を示す構成図である。図４に示すように、抵抗器１３は、コネクタ３１の本体部２側のコネクタ部３１ｂ内において、電源ラインVLと映像信号ラインSL間に設けられている。
【００４８】
このような構成においても、上述した図３の内視鏡装置１Bと同様の作用と効果を得ることができる。
【００４９】
以上のように、上述した各実施の形態及び変形例に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００５０】
さらになお、先端部３に設けられたトランジスタは、上述した各実施の形態及び変形例では、PNP型のバイポーラトランジスタであるが、さらなる変形例として、先端部３に設けられたトランジスタは、P型チャンネル電界効果トランジスタ（FET）でもよい。図５は、トランジスタとしてＰ型チャンネルFETを用いた内視鏡装置１Dの構成を示す構成図である。
【００５１】
図５に示すように、内視鏡装置１D において、CCD５の出力は、P型チャンネルFET４１のゲートに接続されている。P型チャンネルFET４１のソースは、抵抗器１２と抵抗器１３の接続点に接続されている。抵抗器１３の前記接続点とは反対側は、電源ラインVLに接続されている。P型チャンネルFET４１のドレインは、接地ラインGLに接続される。
【００５２】
すなわち、内視鏡の挿入部３は、先端部４内にP型チャンネル電界効果トランジスタ４１を含む内視鏡の先端部４を有する。そして、P型チャンネル電界効果トランジスタ４１では、ソースは、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３を介して電源回路８からの電源に接続され、ドレインは接地され、かつ撮像素子であるCCD５からの映像信号処理回路への出力信号がゲートに入力されている。
【００５３】
図５の構成において、P型チャンネルFET４１は、上記のPNP型トランジスタ１１と略同一の動作をする。
従って、図５の内視鏡装置１Dにおいても、図１の内視鏡装置１と同様に、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、P型チャンネルFET４１のゲート・ソース間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、P型チャンネルFETが破壊しない。
【００５４】
さらになお、図５の内視鏡装置１Dは、図１の構成におけるPNP型トランジスタ１１をP型チャンネルFETに置き換えた構成であるが、図２から図４の内視鏡装置におけるPNP型トランジスタをP型チャンネルFETに置き換えても、図２から図４のそれぞれと同様の動作と効果を有する。
【００５５】
以上説明したように、上述した各実施の形態及び各変形例によれば、撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない内視鏡装置を提供することができる。
【００５６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１、１B、１C、１D、１０１、１０１A、１０１B 内視鏡装置、２、１０２ 本体部、３、１０３ 内視鏡、４、１０４ 先端部、５、１０５ CCD、６、１０６ コンデンサ、７、１１１ 同軸ケーブル、８、１０８ 電源回路、９、１０９ 映像信号処理回路、１０、１１０ モニタ、１１ PNP型トランジスタ、３１ コネクタ、３１ａ、３１ｂ コネクタ部、４１ P型チャンネルFET
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内視鏡装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、内視鏡装置が工業分野及び医療分野で広く利用されている。ユーザは、内視鏡装置の挿入部を被検体の観察したい部分に向けることにより、挿入部の先端部に設けられた撮像素子により撮像された被検体映像をモニタに表示させて、被検体の検査等を行うことができる。
【０００３】
図６は、従来の内視鏡装置の構成を説明するための構成図である。内視鏡装置１０１は、本体部１０２と、本体部１０２に接続された挿入部１０３を含んで構成される。挿入部１０３の先端部１０４には、撮像素子としてのCCD１０５と、コンデンサ１０６と、出力用のバッファ回路１０７が含まれる。本体部１０２は、電源回路１０８と、映像信号処理回路１０９と、映像表示用のモニタ１１０を含んで構成されている。先端部１０４と映像信号処理回路１０９は、映像信号ラインSLと接地ラインGLを含む同軸ケーブル１１１により接続されている。同軸ケーブル１１１は、電源用の電源ラインVLとは別に設けられている。コンデンサ１０６は、高周波領域における電源VDDのインピーダンスを下げるための電源バイパス用コンデンサである。
【０００４】
CCD１０５の出力は、バッファ回路１０７を介して映像信号処理回路１０９に供給される。映像信号処理回路１０９は、受信した映像信号を処理して、モニタ１１０に映像信号に基づく映像を表示させる。
【０００５】
CCD１０５自体の出力回路のドライブ能力は高くないので、CCD１０５の出力が直近で映像信号処理回路１０９に接続される場合は、CCD１０５と映像信号処理回路１０９は直接接続することができる。しかし、内視鏡装置のように、CCD１０５の出力が長い挿入部１０３の長い信号ラインを介して映像信号処理回路１０９に接続される場合は、バッファ回路１０７を利用してドライブ能力を高くする必要がある。
【０００６】
そのバッファ回路１０７は、エミッタフォロワ回路であり、駆動用のトランジスタ（図６では２段のトランジスタ）と、過電圧保護用の複数のダイオードと抵抗器を含む。図６のバッファ回路１０７は、４つのピンを有するICチップである。このバッファ回路１０７により、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊されないように保護される。
【０００７】
また、過電圧保護機能を有しない出力バッファ回路を用いた内視鏡装置も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１４８４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述したバッファ回路１０７は、図６に示すように駆動用のトランジスタと、複数のダイオードと複数の抵抗器を含む。そのため、そのICチップ自体は、小さいとはいえチップのピンも複数有し、サイズも例えば２ｍｍ角はあり、内視鏡の先端部１０４の大きさに対して比較的大きい。例えば、挿入部１０３の径が５ｍｍ等の内視鏡装置の挿入部１０３の先端部１０４のような小さい容積の中では、そのICチップ自体は、比較的大きな容積を占めてしまう。よって、挿入部１０３のさらなる細径化を進める上では、バッファ回路１０４の大きさは、細径化の障害になっている。
【００１０】
そして、同軸ケーブル１１１の映像信号ラインSLの内部導体と接地ラインGLの外部導体が、バッファ回路１０７のそれぞれの端子ピンに半田付けにより接続される。
同軸ケーブルは例えば０．３ｍｍの細さであり、バッファ回路１０７のICチップも上述したように非常に小さいので、半田付けは、非常に細心の注意を必要とし作業性が悪い。半田付けが注意深く行われなければ、芯線である内部導体と外側線である外部導体との短絡、熱により絶縁層の溶解等が発生する。
【００１１】
また、挿入部の先端部の細径化のために、図６のようなバッファ回路を用いないで、CCD１０５の出力段に単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いることもできる。図７は、CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた例を示す構成図である。図７において、図６と同じ構成要素については同じ符号を付している。
【００１２】
内視鏡装置１０１Aにおいて、CCD１０５の出力は、単体のトランジスタ１２１を介して映像信号処理回路１０９へ供給される。トランジスタ１２１は、NPN型トランジスタである。トランジスタ１２１のエミッタは抵抗器１２２を介して同軸ケーブル１１１の映像信号ラインSLに接続されている。さらに、トランジスタ１２１のエミッタは抵抗器１２３を介して同軸ケーブル１１１の接地ラインGLにも接続されている。抵抗器１２２は、高周波の画像信号を同軸ケーブル１１１の映像信号ラインSLに歪みなく送信するためのインピーダンス整合用抵抗器である。抵抗器１２３は、トランジスタ１２１をバッファ回路として動作させるために、トランジスタ１２１に一定のエミッタ電流を常時流しておくための抵抗器である。
【００１３】
図７の場合、通常時、電流は、電源VDDからトランジスタ１２１と抵抗器１２３を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、抵抗器１２２の抵抗値は、抵抗器１２３の抵抗値よりも小さいので、抵抗器１２２には過大な電流が流れる。その結果、トランジスタ１２１あるいは抵抗器１２２が破壊する。
【００１４】
内視鏡装置の場合、電源電圧は１０数ボルトの電圧で比較的高圧である。よって、そのような短絡等があると、トランジスタ１２１は、許容電力損失が小さいと、容易に破壊されてしまう。
【００１５】
また、同様に、図８に示すような、CCD１０５の出力段に単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いることもできる。図８は、CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた他の例を示す構成図である。図８では、抵抗器１２３は、トランジスタ１２１のエミッタに直接接続せず、抵抗器１２２と映像信号ラインSLを介して接続されている。抵抗器１２３は、抵抗器１２２と映像信号ラインSLを介してトランジスタ１２１のエミッタに接続されていても、図７と同様の機能を果たす。図８において、図７と同じ構成要素については同じ符号を付している。
【００１６】
図８の場合も、通常時、電流は、電源VDDからトランジスタ１２１、抵抗器１２２、映像信号ラインSL及び映像信号処理回路１０９を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、抵抗器１２２の抵抗値は、抵抗器１２３の抵抗値よりも小さいので、電流は、電源VDDからトランジスタ１２１、抵抗器１２２及び映像信号ラインSLを介して接地ラインGLに流れる。すなわち、抵抗器１２２には過大な電流が流れる。その結果、トランジスタ１２１あるいは抵抗器１２２が破壊する。
【００１７】
従って、図７と図８に示すように、挿入部の細径化のために単体のトランジスタを使用することができるが、そのトランジスタの許容電力損失が小さいと、短絡時にトランジスタが破壊されてしまうという問題があった。
【００１８】
また、短絡によりトランジスタが破壊した場合に、先端部１０４からトランジスタだけを取り替えるということも、内視鏡先端部における作業スペースが狭く、容易ではない。
【００１９】
そこで、本発明は、撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない内視鏡装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一態様によれば、映像信号処理回路を有する本体部と、エミッタが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、コレクタが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がベースに入力されるPNP型トランジスタ、又はソースが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、ドレインが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がゲートに入力されるP型チャンネル電界効果トランジスタを含む内視鏡先端部を有する内視鏡挿入部と、を有する内視鏡装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の内視鏡装置によれば、撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる内視鏡装置の構成を示す構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係わる内視鏡装置１Aの構成を示す構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係わる内視鏡装置１Ｂの構成を示す構成図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の変形例に係る内視鏡装置１Cの構成を示す構成図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係わる、トランジスタとしてＰ型チャンネルFETを用いた内視鏡装置１Dの構成を示す構成図である。
【図６】従来の内視鏡装置の構成を説明するための構成図である。
【図７】CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた例を示す構成図である。
【図８】CCDの出力回路に、単体のトランジスタによるエミッタフォロワ回路を用いた他の例を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施の形態）
（構成）
まず図１に基づき、本実施の形態に係わる内視鏡装置の構成を説明する。図１は、本実施の形態に係わる内視鏡装置の構成を示す構成図である。
【００２４】
図１に示すように、内視鏡装置１は、本体部２と、本体部２に接続された内視鏡の挿入部３とを含んで構成されている。挿入部３の先端部４には、撮像素子としてのCCD５と、電源バイパス用のコンデンサ６と、コレクタ接地のPNP型トランジスタ１１と、抵抗器１２、１３とが含まれる。CCD５の出力は、PNP型トランジスタ１１と抵抗器１２を介して本体部の映像信号処理回路９に出力される。CCD５の出力は、PNP型トランジスタ１１のベースに接続されている。
【００２５】
PNP型トランジスタ１１のエミッタは、抵抗器１２と１３の接続点に接続されている。抵抗器１３の前記接続点とは反対側は、電源ラインVLに接続されている。
抵抗器１２の抵抗値は、抵抗器１３の抵抗値よりも小さい。例えば、抵抗器１２は略５０オームで、抵抗器１３は、略３００オームである。
【００２６】
抵抗器１２の前記接続点とは反対側は、映像信号ラインSLに接続されている。PNP型トランジスタ１１のコレクタは、接地ラインGLに接続されている。同軸ケーブル７の芯線と外側線が、それぞれ映像信号ラインSLと接地ラインGLである。
【００２７】
すなわち、内視鏡の挿入部３は、先端部４内にPNP型トランジスタ１１を含む内視鏡の先端部４を有する。そして、PNP型トランジスタ１１では、エミッタは、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３を介して電源回路８からの電源に接続され、コレクタは接地され、かつ撮像素子であるCCD５からの映像信号処理回路９への出力信号がベースに入力されている。
【００２８】
本体部２は、電源回路８と、映像信号処理回路９と、映像表示用のモニタ１０を含んで構成されている。
【００２９】
先端部４と映像信号処理回路９は、映像信号ラインSLと接地ラインGLを含む同軸ケーブル７により接続されている。同軸ケーブル７は、電源用の電源ラインVLとは別に設けられている。なお、CCD５の駆動パルス等のための信号ラインも挿入部３内に挿通されているが、ここでは、図示せず、省略している。
コレクタ接地のPNP型トランジスタ１１は、CCD５の出力を、抵抗器１２を介して映像信号処理回路９に供給する。映像信号処理回路９は、受信した映像信号を処理して、モニタ１０に映像信号に基づく映像を表示させる。
（作用）
通常時、電流は、電源VDDから抵抗器１３とPNP型トランジスタ１１を介して接地ラインに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、電流は、電源VDDから抵抗器１３と１２を介して接地ラインGLに流れる。
【００３０】
これは、抵抗器１２の抵抗値が抵抗器１３の抵抗値よりも小さく、短絡時にはPNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には逆方向バイアスがかかるので、PNP型トランジスタ１１には、電流が流れないからである。従って、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００３１】
例えば、CCD５の出力電圧が１３ボルトで、抵抗器１２の抵抗値R1は５０オームで、抵抗器１３の抵抗値R2が３００オームで、電源VDDが１５ボルトとする。
【００３２】
映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡時のPNP型トランジスタ１１のエミッタの電位Veは、次の式から決定される。
【００３３】
Ve＝VDD（R1／（R1+R2））＝１５（５０／（５０＋３００））＝２．１（V）
よって、短絡時のPNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間は、逆方向バイアスとなる。
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１が破壊しない。
（第２の実施の形態）
上記第１の実施の形態では、抵抗器１３は、内視鏡先端部４内に配置されているが、本第２の実施の形態は、抵抗器１３が本体部２側に設けられている点が、第１の実施の形態と異なる。
【００３４】
例えば、第１の実施の形態の構成の場合、上記のように、CCD５の出力電圧が１３ボルトで、抵抗器１２の抵抗値R1は５０オームで、抵抗器１３の抵抗値R2が３００オームで、電源VDDが１５ボルトとした場合、短絡時の抵抗器１２と１３に流れる電流I1は、次の式から決定される。
【００３５】
I1=VDD／（R1+R2）＝１５／（５０＋３００）＝０．０４３（A）
この電流I1は小さいが、抵抗器１３の消費電力W1は、次の式から決定される。
【００３６】
W1=R2＊I1２＝３００＊（０．０４３）２＝０．５５（W）
この消費電力W1は、十分には小さくない。もしも、抵抗器１３の許容電力が０．１ワットであるとすると、抵抗器１３が破壊してしまう可能性がある。
【００３７】
このように、抵抗器における消費電力が抵抗器の許容電力を超えて、短絡時に抵抗器が破壊されてしまうと、抵抗器１３だけを取り替えることは容易ではなく、先端部全体が使用できなくなる場合が発生し得る。
上述したように、例えば、先端部４の径が４ｍｍの先端部４の中の抵抗器１３だけを交換することは極めて困難である。
【００３８】
そこで、本実施の形態では、小さな先端部内に抵抗器１３を設けるのではなく、抵抗器１３を本体部２側に設けている。
（構成）
図２は、本実施の形態に係る内視鏡装置１Aの構成を示す構成図である。図２において、図１の内視鏡装置１と同じ構成要素については、同じ符号を付し説明は省略する。
図２の内視鏡装置１Aは、抵抗器１３の配置されている場所が本体部２である点が、図１の内視鏡装置１と異なる。
【００３９】
すなわち、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３は、本体部２内において、電源と出力信号の映像信号ラインSL間に設けられている。
PNP型トランジスタ１１のエミッタは、抵抗器１２と同軸ケーブル７の映像信号ラインSLとを介して、映像信号処理回路９に接続されている。また、映像信号処理回路９には、一端が電源VDDに接続された抵抗器１３の他端が接続されている。
（作用）
通常時、電流は、電源VDDから、抵抗器１３、同軸ケーブル７の映像信号ラインSL、抵抗器１２及びPNP型トランジスタ１１を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、電流は、電源VDDから、抵抗器１３を介して接地ラインGLに流れる。
【００４０】
これは、短絡時にPNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には逆方向バイアスがかかるので、PNP型トランジスタ１１と抵抗器１２には、電流が流れないからである。従って、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００４１】
上記同様に、例えば、CCD５の出力電圧が１３ボルトで、抵抗器１２の抵抗値R1は５０オームで、抵抗器１３の抵抗値R2が３００オームで、電源VDDが１５ボルトとする。
【００４２】
短絡時に抵抗器１３に流れる電流I2は、次の式から決定される。
【００４３】
I2＝VDD／R2＝１５／３００＝０．０５（A）
このときの消費電力W2は、次の式から決定される。
【００４４】
W2=R2＊（I2）２＝０．０５＊（０．０５）２＝０．７５（W）
よって、抵抗器１３の許容電力が例えば０．１ワットであると、抵抗器１３は破壊する虞があるが、抵抗器１３は、本体部２にあるため、作業スペースは広く、抵抗器１３の交換は容易である。
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１が破壊しない。さらに、抵抗器１３が破壊しても、その交換は容易である。
（第３の実施の形態）
上記第２の実施の形態では、抵抗器１３は、本体部２側に配置されているが、本第３の実施の形態は、抵抗器１３が本体部２と内視鏡のコネクタ部に設けられている点が、第２の実施の形態と異なる。
（構成）
図３は、本実施の形態に係る内視鏡装置１Ｂの構成を示す構成図である。図３に示すように、本実施の形態の内視鏡装置１Bでは、内視鏡の挿入部３を本体部２に対して着脱自在にするために、挿入部３の途中にコネクタ３１が設けられている。コネクタ３１は、挿入部３側のコネクタ部３１ａと、本体部２側のコネクタ部３１ｂとからなる。
なお、コネクタ部３１ｂは、本体部２側に固定されていてもよい。例えば、コネクタ３１は、コネクタ部３１ｂが本体部２に配設され、挿入部３側のコネクタ３１ａを本体部２に直付けするようなコネクタであってもよい。
【００４５】
コネクタ３１は、本体部２と挿入部３間の電源ラインVLと、同軸ケーブル７の映像信号ラインSLと、接地ラインGLを電気的に接続するコネクタである。なお、CCD５の水平及び垂直の駆動信号ライン等（図示せず）も、本体部２と挿入部３間でコネクタ３１によって電気的に接続されている。
抵抗器１３は、コネクタ部３１ａ内において、電源ラインVLと映像信号ラインSL間に設けられている。
すなわち、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３は、内視鏡の先端部４を含む挿入部３と本体部２とを接続するコネクタ内において、電源と出力信号の映像信号ラインSL間に設けられている。
（作用）
通常時、電流は、電源VDDから、抵抗器１３、同軸ケーブル７の映像信号ラインSL、抵抗器１２及びPNP型トランジスタ１１を介して接地ラインGLに流れる。
しかし、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡すると、電流は、電源VDDから、抵抗器１３を介して接地ラインGLに流れる。
【００４６】
すなわち、通常時と短絡時の電流の流れは、第２の実施の形態と同様である。よって、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００４７】
さらに、第２の実施の形態と同様に、抵抗器１３は、許容電力が低いと破壊されるが、挿入部３側のコネクタ部３１ａ内に設けられているため、作業スペースは広く、抵抗器１３の交換は容易である。
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１が破壊しない。さらに、抵抗器１３が破壊されても、抵抗器１３は、コネクタ３１内にあるので、交換が容易である。
（変形例）
なお、図３では、抵抗器１３は、コネクタ部３１ａに配置されたが、コネクタ部３１ｂに配置してもよい。図４は、第３の実施の形態の変形例に係る内視鏡装置１Cの構成を示す構成図である。図４に示すように、抵抗器１３は、コネクタ３１の本体部２側のコネクタ部３１ｂ内において、電源ラインVLと映像信号ラインSL間に設けられている。
【００４８】
このような構成においても、上述した図３の内視鏡装置１Bと同様の作用と効果を得ることができる。
【００４９】
以上のように、上述した各実施の形態及び変形例に係る内視鏡装置によれば、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、PNP型トランジスタ１１のベース・エミッタ間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、PNP型トランジスタ１１は破壊しない。
【００５０】
さらになお、先端部３に設けられたトランジスタは、上述した各実施の形態及び変形例では、PNP型のバイポーラトランジスタであるが、さらなる変形例として、先端部３に設けられたトランジスタは、P型チャンネル電界効果トランジスタ（FET）でもよい。図５は、トランジスタとしてＰ型チャンネルFETを用いた内視鏡装置１Dの構成を示す構成図である。
【００５１】
図５に示すように、内視鏡装置１D において、CCD５の出力は、P型チャンネルFET４１のゲートに接続されている。P型チャンネルFET４１のソースは、抵抗器１２と抵抗器１３の接続点に接続されている。抵抗器１３の前記接続点とは反対側は、電源ラインVLに接続されている。P型チャンネルFET４１のドレインは、接地ラインGLに接続される。
【００５２】
すなわち、内視鏡の挿入部３は、先端部４内にP型チャンネル電界効果トランジスタ４１を含む内視鏡の先端部４を有する。そして、P型チャンネル電界効果トランジスタ４１では、ソースは、抵抗成分を有する素子である抵抗器１３を介して電源回路８からの電源に接続され、ドレインは接地され、かつ撮像素子であるCCD５からの映像信号処理回路への出力信号がゲートに入力されている。
【００５３】
図５の構成において、P型チャンネルFET４１は、上記のPNP型トランジスタ１１と略同一の動作をする。
従って、図５の内視鏡装置１Dにおいても、図１の内視鏡装置１と同様に、映像信号ラインSLと接地ラインGLが短絡しても、P型チャンネルFET４１のゲート・ソース間には、逆方向バイアスがかかるようになっているので、P型チャンネルFETが破壊しない。
【００５４】
さらになお、図５の内視鏡装置１Dは、図１の構成におけるPNP型トランジスタ１１をP型チャンネルFETに置き換えた構成であるが、図２から図４の内視鏡装置におけるPNP型トランジスタをP型チャンネルFETに置き換えても、図２から図４のそれぞれと同様の動作と効果を有する。
【００５５】
以上説明したように、上述した各実施の形態及び各変形例によれば、撮像素子の出力回路として、過電圧保護回路のないトランジスタの回路を使用した場合に、映像信号ラインと接地ラインが短絡しても、トランジスタが破壊しない内視鏡装置を提供することができる。
【００５６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１、１B、１C、１D、１０１、１０１A、１０１B 内視鏡装置、２、１０２ 本体部、３、１０３ 内視鏡、４、１０４ 先端部、５、１０５ CCD、６、１０６ コンデンサ、７、１１１ 同軸ケーブル、８、１０８ 電源回路、９、１０９ 映像信号処理回路、１０、１１０ モニタ、１１ PNP型トランジスタ、３１ コネクタ、３１ａ、３１ｂ コネクタ部、４１ P型チャンネルFET
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号処理回路を有する本体部と、
エミッタが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、コレクタが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がベースに入力されるPNP型トランジスタ、
又は
ソースが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、ドレインが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がゲートに入力されるP型チャンネル電界効果トランジスタ
を含む内視鏡先端部を有する内視鏡挿入部と、
を有することを特徴とする内視鏡装置。
【請求項２】
前記抵抗成分を有する素子は、前記本体部内あるいは前記内視鏡先端部内において、前記電源と前記出力信号の映像信号ライン間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項３】
前記抵抗成分を有する素子は、前記内視鏡挿入部と前記本体部とを接続するコネクタ内において、前記電源と前記出力信号の映像信号ライン間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項４】
前記コネクタは、前記内視鏡挿入部を前記本体部に対して着脱自在にするコネクタであることを特徴とする請求項３に記載の内視鏡装置。
【請求項５】
前記抵抗成分を有する素子は、前記コネクタの前記内視鏡挿入部側のコネクタ部内に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の内視鏡装置。
【請求項６】
前記抵抗成分を有する素子は、前記コネクタの前記本体部側のコネクタ部内に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の内視鏡装置。
【請求項７】
前記内視鏡先端部からの映像信号は、同軸ケーブルにより前記本体部に接続されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の内視鏡装置。
【請求項８】
前記撮像素子は、CCDであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の内視鏡装置。
【請求項１】
映像信号処理回路を有する本体部と、
エミッタが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、コレクタが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がベースに入力されるPNP型トランジスタ、
又は
ソースが抵抗成分を有する素子を介して電源に接続され、ドレインが接地され、かつ撮像素子からの前記映像信号処理回路への出力信号がゲートに入力されるP型チャンネル電界効果トランジスタ
を含む内視鏡先端部を有する内視鏡挿入部と、
を有することを特徴とする内視鏡装置。
【請求項２】
前記抵抗成分を有する素子は、前記本体部内あるいは前記内視鏡先端部内において、前記電源と前記出力信号の映像信号ライン間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項３】
前記抵抗成分を有する素子は、前記内視鏡挿入部と前記本体部とを接続するコネクタ内において、前記電源と前記出力信号の映像信号ライン間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡装置。
【請求項４】
前記コネクタは、前記内視鏡挿入部を前記本体部に対して着脱自在にするコネクタであることを特徴とする請求項３に記載の内視鏡装置。
【請求項５】
前記抵抗成分を有する素子は、前記コネクタの前記内視鏡挿入部側のコネクタ部内に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の内視鏡装置。
【請求項６】
前記抵抗成分を有する素子は、前記コネクタの前記本体部側のコネクタ部内に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の内視鏡装置。
【請求項７】
前記内視鏡先端部からの映像信号は、同軸ケーブルにより前記本体部に接続されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の内視鏡装置。
【請求項８】
前記撮像素子は、CCDであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の内視鏡装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２２４２６３（Ｐ２０１１−２２４２６３Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９９０５１（Ｐ２０１０−９９０５１）
【出願日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【出願人】（００００００３７６）オリンパス株式会社 (11,466)
【Ｆターム（参考）】
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