冷凍冷蔵庫
【課題】冷凍冷蔵庫にマイクロ波処理装置を搭載した場合、マイクロ波を加熱対象物に照射されるため品質が劣化するおそれがあり、処理時間も長くなる課題がある。
【解決手段】対象物の処理前に、チャープ信号のマイクロ波を放射させ、反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて処理周波数を決定し、対象物の処理時に、処理周波数のマイクロ波を発生させることにより、発生する反射電力が低減されマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。
【解決手段】対象物の処理前に、チャープ信号のマイクロ波を放射させ、反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて処理周波数を決定し、対象物の処理時に、処理周波数のマイクロ波を発生させることにより、発生する反射電力が低減されマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波により対象物を処理する冷凍冷蔵庫に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１の冷凍冷蔵庫においては、マグネトロンを用いてマイクロ波を発生させ、マイクロ波のエネルギーを用いて食品を解凍する機能を有し、かつ回転羽根を用いて電波と空気を攪拌することで、解凍ムラや温度の一定化を図っているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−３１９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、冷凍冷蔵庫にマグネトロンを用いた場合、設置するスペースを広く取る必要があり、冷蔵庫の容量が大きく低下するため商品化が困難である。
【０００５】
また、設置するスペースを小さくする手段としてマグネトロンの代わりに半導体を用いることが考えられる。半導体を用いた加熱方法としては（特開昭５６−９６４８６号）が提案されているが、マイクロ波の周波数が掃引される際に非常に大きい反射電力が発生すると、その反射電力により発生する熱が放熱部材の放熱能力を超える場合があり、半導体素子が破損するおそれがある。また、マイクロ波の周波数が掃引される際、長時間マイクロ波を食品等の加熱対象物に照射されるため対象物の品質が劣化するおそれがあり、処理時間も長くなる課題がある。
【０００６】
本発明の目的は、電力変換効率を向上させるとともに、反射電力によるマイクロ波発生装置の破損を防止し、かつ高速で動作するマイクロ波処理装置を搭載した冷凍冷蔵庫を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る冷凍冷蔵庫では、マグネトロンの代わりに半導体を用いたマイクロ波処理装置を搭載し、マイクロ波を用いて対象物を処理するものであり、マイクロ波を搭載した冷凍冷蔵庫であって、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段により発生されるマイクロ波を対象物に放射する放射部と、前記放射部からの反射電力を検出する検出手段と、前記マイクロ波発生手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記マイクロ波発生手段によりチャープ信号のマイクロ波を前記放射部から対象物に放射させ、前記検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定した上で、前記処理周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生手段により発生させるものである。
【０００８】
このように、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。
【０００９】
これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上される。また、反射電力に起因してマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、その発熱量が低減される。その結果、反射
電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。制御手段は、対象物の処理前に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力を対象物の処理時に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力よりも小さい値に設定してもよい。
【００１０】
この場合、対象部の処理前にチャープ信号のマイクロ波を放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力が、対象物の処理時に放射されるマイクロ波の電力よりも小さいので、対象物の処理前に、対象物が大きな電力を有するマイクロ波により処理されることを防止できる。
【００１１】
それにより、対象物の処理前の電力消費が低減されるとともに、対象物が不所望の条件で処理されることと対象物の品質劣化が防止される。対象物の処理は加熱処理であってもよく、マイクロ波処理装置は、対象物を加熱のために収容する加熱室をさらに備えてもよい。
【００１２】
この場合、加熱室の内部に対象物を収容することにより、対象物の加熱処理を行うことができる。また、マグネトロンの代わりに半導体を用いることで設置するスペースが狭くでき、これにより冷蔵庫の容量が確保できるため商品化が容易である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。
【００１４】
これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上され、反射電力に起因する熱によるマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。また、マイクロ波の周波数が短時間で掃引されるため、食品等の劣化を防ぐことができ、小型かつ高速で処理可能なマイクロ波処理装置搭載の冷凍冷蔵庫を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係るマイクロ波発生装置の構成を示すブロック図
【図２】チャープ信号の説明図
【図３】ＦＦＴ処理結果の例を示す図
【図４】図１のマイクロ波発生装置の制御手順を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る冷凍冷蔵庫に搭載のマイクロ波処理装置について説明する。
【００１７】
（実施の形態１）構成の説明
図１は、冷凍冷蔵庫に搭載のマイクロ波処理装置の構成を示すブロック図である。図１に示すように、本実施の形態に係るマイクロ波処理装置は、チャープ信号発生装置１、増幅器２、サーキュレータ３、加熱室９、マイコン１１を備え、加熱室９にはアンテナ４、対象物８を含み、マイコン１１には周波数決定処理５、ＦＦＴ処理６、Ａ／Ｄ変換器７、制御部１０を含んでいる。
【００１８】
チャープ信号発生装置１では、直線状周波数変調方式により図２のような周波数ｆ０、ｆ１、ｆ２・・・ｆｎと連続可変された信号を出力する（直線状周波数変調方式、チャープ信号発生装置の詳細は、文献：改定レーダ技術、電子情報通信学会発行、Ｐ２７６参照）、例えば周波数帯域ＩＳＭ（Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｍｅｄｉｃａｌ）バンドを用いた場合、２４００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚの全周波数帯域において、設定された任意のステップで可変された周波数を連続波として発生できる、例
えば１０ＭＨｚステップとした場合、ｆ０＝２４００ＭＨｚ、ｆ１＝２４１０ＭＨｚ、ｆ２＝２４２０ＭＨｚ・・ｆｎ＝２５００ＭＨｚとなる。
【００１９】
また、チャープ信号発生装置１は、マイコン１１からの命令により任意の一定周波数の連続波も出力できる。前記増幅器２では前記チャープ信号発生装置１から出力した信号を所望の電力値に増幅させる。
【００２０】
サーキュレータ３は、前記増幅器２を安定に動作させると伴に、前記アンテナ４からの反射波を前記Ａ／Ｄ変換器７に伝送させる働きをする。アンテナ４は、金属あるいは電磁波を反射させる材料で生成された加熱室９内に設置され、前記増幅器２で増幅されたチャープ信号を放射させる働きをし、加熱室９を伝搬、反射もしくは直接、対象物８にチャープ信号が照射される。
【００２１】
ここで加熱室９では構造による固有値や対象物８の位置、大きさ、組成等により固有周波数が決まり、固有周波数以外の周波数は加熱室９外へ反射されることになる。例えば、固有周波数が、２４２０ＭＨｚの場合、チャープ信号が１０ＭＨｚステップで、ｆ０＝２４００ＭＨｚ、ｆ１＝２４１０ＭＨｚ、ｆ２＝２４２０ＭＨｚ・・ｆｎ＝２５００ＭＨｚで出力された場合、ｆ２の電力は加熱室９内で吸収され、それ以外の周波数の電力は反射されてアンテナ４で受信された後、前記サーキュレータ３を介してマイコン１１に伝送される。
【００２２】
マイコン１１では、前記Ａ／Ｄ変換器７によりデジタル信号に変換され、その後ＦＦＴ処理６にて時間軸から周波数軸に変換計算をすると、周波数単位における反射信号の電力値がわかる。前記の例では、図３に記載のように加熱室９内の固有周波数ｆ２＝２４２０ＭＨｚのみ、その他のｆ０，ｆ１，ｆ３・・・ｆｎより反射電力値が低くい結果となる。前記周波数決定処理５では、ＦＦＴ処理６の結果を受けて、電力値が最小および極小となる周波数を調べる。
【００２３】
上記の例の場合、対象物８を加熱するための最適周波数はｆ２＝２４２０ＭＨｚであると判断し、制御部１０では、チャープ信号発生装置１に対して、周波数２４２０ＭＨｚの連続波を出すよう設定を行うとともに、チャープ信号を出力したときの電力値より大きくなるよう増幅器２を調整し、対象物８を過熱させる。
【００２４】
また、マイクロ波処理装置のサイズは、前記のような構成だと、部品自身が小型であるため縦×横×高さ＝１０×１０×２ｃｍ以内に収めることが可能であり、一般的な小型マグネトロンのサイズ、縦×横×高さ＝１０×１０×１０ｃｍに比べて高さ方向が薄くできるため、冷蔵庫の容量値に影響を与えず搭載が可能である。
【００２５】
次に、動作フローの説明を行う。
【００２６】
図４は、図１のマイコン１１の制御手順を示すフローチャートである。図１のマイコン１１は、使用者の操作により対象物の加熱が指令されることにより以下に示すマイクロ波処理を行う。
【００２７】
図４に示すように、マイコン１１は制御部１０により増幅器２を制御することで、予め定められた第１の出力電力を設定する。この第１の出力電力は、後述の第２の出力電力よりも小さい。例えば、定格１０００Ｗの電子レンジに本実施の形態に係るマイクロ波処理装置を適用した場合、第２の出力電力は１０００Ｗとなり第１の出力電力は、これよりも小さい値であれば良く、１０００Ｗの１／５の２００Ｗでもよいし、１／１０の１００Ｗに設定してもよい。
【００２８】
また、チャープ信号発生装置１の出力電力が０．１Ｗで第１の出力電力が１００Ｗの場合、増幅器２が１０００倍の増幅ができるよう設定をする。次に、制御部１０は、チャープ信号発生装置１により発生されるマイクロ波の周波数を例えば２４００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚ（この周波数帯域はＩＳＭ：Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｍｅｄｉｃａｌバンドと呼ばれている）の全周波数帯域にかけて設定するとともに、１０ＭＨｚステップとした場合、ｆ０＝２４００ＭＨｚ、ｆ１＝２４１０ＭＨｚ、ｆ２＝２４２０ＭＨｚ・・ｆｎ＝２５００ＭＨｚのような設定をし、チャープ信号発生装置１をＯＮさせる。
【００２９】
例えば特許文献１の高周波加熱装置においては、所定の周波数帯域でマイクロ波の周波数が掃引され、反射電力が最小値を示すときのマイクロ波の周波数が記憶されるが、１回の掃引に１０ｍｓの時間を要する場合、ＩＳＭバンド全域では、１００ｍｓの時間が必要となるが、本実施の形態に係るマイクロ波処理装置を適用した場合１回の掃引でよく、１０ｍｓに抑えることができる。
【００３０】
次に図１のＡ／Ｄ変換器７をＯＮにして、検出される信号をＦＦＴ処理を行い、反射電力と周波数との関係を算出し結果を記憶する。なお、マイコン１１は、マイクロ波の周波数の全周波数帯域における反射電力と周波数との関係を記憶する代わりに、反射電力が極小値を示すときの反射電力と周波数との関係のみを記憶してもよい。この場合、マイコン１１内の記憶装置の使用領域を削減することができる。
【００３１】
続いて、周波数決定処理５は、ＩＳＭバンドから特定の周波数を抽出する周波数決定処理を行う。この周波数決定処理５では、例えば、記憶した反射電力から特定の反射電力（例えば、最小値）を識別し、その反射電力が得られたときの周波数を本加熱周波数として抽出する。
【００３２】
図３の例では、２４２０ＭＨｚを本加熱周波数とする。次に、制御部１０は、予め定められた第２の出力電力を設定する。この第２の出力電力は、図１の加熱室９内に配置された対象物を加熱するための電力である。そして、制御部１０は、チャープ信号発生装置１を本加熱周波数の連続波に設定し、次に第２の出力電力になるように増幅器２を設定する。
【００３３】
例えばチャープ信号発生装置１の出力電力が０．１Ｗで第２の出力電力が１０００Ｗの場合、増幅器２が１００００倍の増幅ができるよう設定をする。次にチャープ信号発生装置１をＯＮすることで本加熱周波数のマイクロ波をアンテナ４から加熱室９内に放射させる。これにより、加熱室９内に配置された対象物が加熱される（本加熱）。
【００３４】
以下、請求項の各構成要素と実施形態の各部との対応の例について説明するが
本発明は下記の例に限定されない。
本実施形態においてマイクロ波発生手段とは、チャープ信号発生装置１、増幅器２、サーキュレータ３に相当し、放射部とは、アンテナ４に相当する、検出手段とは、マイコン１１に含まれる周波数決定処理５、ＦＦＴ処理６、Ａ／Ｄ変換器７に相当し、制御手段とはマイコン１１に含まれる制御部１０に相当する。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、各種加熱装置、プラズマ発生装置、乾燥装置、および酵素反応を促進する装置等、反射電力が発生する処理装置に利用できる。
【符号の説明】
【００３６】
１ チャープ信号発生装置
２ 増幅器
３ サーキュレータ
４ アンテナ
５ 周波数決定処理
６ ＦＦＴ処理
７ Ａ／Ｄ変換器
８ 対象物
９ 加熱室
１０ 制御部
１１ マイコン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波により対象物を処理する冷凍冷蔵庫に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１の冷凍冷蔵庫においては、マグネトロンを用いてマイクロ波を発生させ、マイクロ波のエネルギーを用いて食品を解凍する機能を有し、かつ回転羽根を用いて電波と空気を攪拌することで、解凍ムラや温度の一定化を図っているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−３１９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、冷凍冷蔵庫にマグネトロンを用いた場合、設置するスペースを広く取る必要があり、冷蔵庫の容量が大きく低下するため商品化が困難である。
【０００５】
また、設置するスペースを小さくする手段としてマグネトロンの代わりに半導体を用いることが考えられる。半導体を用いた加熱方法としては（特開昭５６−９６４８６号）が提案されているが、マイクロ波の周波数が掃引される際に非常に大きい反射電力が発生すると、その反射電力により発生する熱が放熱部材の放熱能力を超える場合があり、半導体素子が破損するおそれがある。また、マイクロ波の周波数が掃引される際、長時間マイクロ波を食品等の加熱対象物に照射されるため対象物の品質が劣化するおそれがあり、処理時間も長くなる課題がある。
【０００６】
本発明の目的は、電力変換効率を向上させるとともに、反射電力によるマイクロ波発生装置の破損を防止し、かつ高速で動作するマイクロ波処理装置を搭載した冷凍冷蔵庫を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る冷凍冷蔵庫では、マグネトロンの代わりに半導体を用いたマイクロ波処理装置を搭載し、マイクロ波を用いて対象物を処理するものであり、マイクロ波を搭載した冷凍冷蔵庫であって、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段により発生されるマイクロ波を対象物に放射する放射部と、前記放射部からの反射電力を検出する検出手段と、前記マイクロ波発生手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記マイクロ波発生手段によりチャープ信号のマイクロ波を前記放射部から対象物に放射させ、前記検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定した上で、前記処理周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生手段により発生させるものである。
【０００８】
このように、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。
【０００９】
これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上される。また、反射電力に起因してマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、その発熱量が低減される。その結果、反射
電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。制御手段は、対象物の処理前に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力を対象物の処理時に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力よりも小さい値に設定してもよい。
【００１０】
この場合、対象部の処理前にチャープ信号のマイクロ波を放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力が、対象物の処理時に放射されるマイクロ波の電力よりも小さいので、対象物の処理前に、対象物が大きな電力を有するマイクロ波により処理されることを防止できる。
【００１１】
それにより、対象物の処理前の電力消費が低減されるとともに、対象物が不所望の条件で処理されることと対象物の品質劣化が防止される。対象物の処理は加熱処理であってもよく、マイクロ波処理装置は、対象物を加熱のために収容する加熱室をさらに備えてもよい。
【００１２】
この場合、加熱室の内部に対象物を収容することにより、対象物の加熱処理を行うことができる。また、マグネトロンの代わりに半導体を用いることで設置するスペースが狭くでき、これにより冷蔵庫の容量が確保できるため商品化が容易である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。
【００１４】
これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上され、反射電力に起因する熱によるマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。また、マイクロ波の周波数が短時間で掃引されるため、食品等の劣化を防ぐことができ、小型かつ高速で処理可能なマイクロ波処理装置搭載の冷凍冷蔵庫を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係るマイクロ波発生装置の構成を示すブロック図
【図２】チャープ信号の説明図
【図３】ＦＦＴ処理結果の例を示す図
【図４】図１のマイクロ波発生装置の制御手順を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る冷凍冷蔵庫に搭載のマイクロ波処理装置について説明する。
【００１７】
（実施の形態１）構成の説明
図１は、冷凍冷蔵庫に搭載のマイクロ波処理装置の構成を示すブロック図である。図１に示すように、本実施の形態に係るマイクロ波処理装置は、チャープ信号発生装置１、増幅器２、サーキュレータ３、加熱室９、マイコン１１を備え、加熱室９にはアンテナ４、対象物８を含み、マイコン１１には周波数決定処理５、ＦＦＴ処理６、Ａ／Ｄ変換器７、制御部１０を含んでいる。
【００１８】
チャープ信号発生装置１では、直線状周波数変調方式により図２のような周波数ｆ０、ｆ１、ｆ２・・・ｆｎと連続可変された信号を出力する（直線状周波数変調方式、チャープ信号発生装置の詳細は、文献：改定レーダ技術、電子情報通信学会発行、Ｐ２７６参照）、例えば周波数帯域ＩＳＭ（Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｍｅｄｉｃａｌ）バンドを用いた場合、２４００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚの全周波数帯域において、設定された任意のステップで可変された周波数を連続波として発生できる、例
えば１０ＭＨｚステップとした場合、ｆ０＝２４００ＭＨｚ、ｆ１＝２４１０ＭＨｚ、ｆ２＝２４２０ＭＨｚ・・ｆｎ＝２５００ＭＨｚとなる。
【００１９】
また、チャープ信号発生装置１は、マイコン１１からの命令により任意の一定周波数の連続波も出力できる。前記増幅器２では前記チャープ信号発生装置１から出力した信号を所望の電力値に増幅させる。
【００２０】
サーキュレータ３は、前記増幅器２を安定に動作させると伴に、前記アンテナ４からの反射波を前記Ａ／Ｄ変換器７に伝送させる働きをする。アンテナ４は、金属あるいは電磁波を反射させる材料で生成された加熱室９内に設置され、前記増幅器２で増幅されたチャープ信号を放射させる働きをし、加熱室９を伝搬、反射もしくは直接、対象物８にチャープ信号が照射される。
【００２１】
ここで加熱室９では構造による固有値や対象物８の位置、大きさ、組成等により固有周波数が決まり、固有周波数以外の周波数は加熱室９外へ反射されることになる。例えば、固有周波数が、２４２０ＭＨｚの場合、チャープ信号が１０ＭＨｚステップで、ｆ０＝２４００ＭＨｚ、ｆ１＝２４１０ＭＨｚ、ｆ２＝２４２０ＭＨｚ・・ｆｎ＝２５００ＭＨｚで出力された場合、ｆ２の電力は加熱室９内で吸収され、それ以外の周波数の電力は反射されてアンテナ４で受信された後、前記サーキュレータ３を介してマイコン１１に伝送される。
【００２２】
マイコン１１では、前記Ａ／Ｄ変換器７によりデジタル信号に変換され、その後ＦＦＴ処理６にて時間軸から周波数軸に変換計算をすると、周波数単位における反射信号の電力値がわかる。前記の例では、図３に記載のように加熱室９内の固有周波数ｆ２＝２４２０ＭＨｚのみ、その他のｆ０，ｆ１，ｆ３・・・ｆｎより反射電力値が低くい結果となる。前記周波数決定処理５では、ＦＦＴ処理６の結果を受けて、電力値が最小および極小となる周波数を調べる。
【００２３】
上記の例の場合、対象物８を加熱するための最適周波数はｆ２＝２４２０ＭＨｚであると判断し、制御部１０では、チャープ信号発生装置１に対して、周波数２４２０ＭＨｚの連続波を出すよう設定を行うとともに、チャープ信号を出力したときの電力値より大きくなるよう増幅器２を調整し、対象物８を過熱させる。
【００２４】
また、マイクロ波処理装置のサイズは、前記のような構成だと、部品自身が小型であるため縦×横×高さ＝１０×１０×２ｃｍ以内に収めることが可能であり、一般的な小型マグネトロンのサイズ、縦×横×高さ＝１０×１０×１０ｃｍに比べて高さ方向が薄くできるため、冷蔵庫の容量値に影響を与えず搭載が可能である。
【００２５】
次に、動作フローの説明を行う。
【００２６】
図４は、図１のマイコン１１の制御手順を示すフローチャートである。図１のマイコン１１は、使用者の操作により対象物の加熱が指令されることにより以下に示すマイクロ波処理を行う。
【００２７】
図４に示すように、マイコン１１は制御部１０により増幅器２を制御することで、予め定められた第１の出力電力を設定する。この第１の出力電力は、後述の第２の出力電力よりも小さい。例えば、定格１０００Ｗの電子レンジに本実施の形態に係るマイクロ波処理装置を適用した場合、第２の出力電力は１０００Ｗとなり第１の出力電力は、これよりも小さい値であれば良く、１０００Ｗの１／５の２００Ｗでもよいし、１／１０の１００Ｗに設定してもよい。
【００２８】
また、チャープ信号発生装置１の出力電力が０．１Ｗで第１の出力電力が１００Ｗの場合、増幅器２が１０００倍の増幅ができるよう設定をする。次に、制御部１０は、チャープ信号発生装置１により発生されるマイクロ波の周波数を例えば２４００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚ（この周波数帯域はＩＳＭ：Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｍｅｄｉｃａｌバンドと呼ばれている）の全周波数帯域にかけて設定するとともに、１０ＭＨｚステップとした場合、ｆ０＝２４００ＭＨｚ、ｆ１＝２４１０ＭＨｚ、ｆ２＝２４２０ＭＨｚ・・ｆｎ＝２５００ＭＨｚのような設定をし、チャープ信号発生装置１をＯＮさせる。
【００２９】
例えば特許文献１の高周波加熱装置においては、所定の周波数帯域でマイクロ波の周波数が掃引され、反射電力が最小値を示すときのマイクロ波の周波数が記憶されるが、１回の掃引に１０ｍｓの時間を要する場合、ＩＳＭバンド全域では、１００ｍｓの時間が必要となるが、本実施の形態に係るマイクロ波処理装置を適用した場合１回の掃引でよく、１０ｍｓに抑えることができる。
【００３０】
次に図１のＡ／Ｄ変換器７をＯＮにして、検出される信号をＦＦＴ処理を行い、反射電力と周波数との関係を算出し結果を記憶する。なお、マイコン１１は、マイクロ波の周波数の全周波数帯域における反射電力と周波数との関係を記憶する代わりに、反射電力が極小値を示すときの反射電力と周波数との関係のみを記憶してもよい。この場合、マイコン１１内の記憶装置の使用領域を削減することができる。
【００３１】
続いて、周波数決定処理５は、ＩＳＭバンドから特定の周波数を抽出する周波数決定処理を行う。この周波数決定処理５では、例えば、記憶した反射電力から特定の反射電力（例えば、最小値）を識別し、その反射電力が得られたときの周波数を本加熱周波数として抽出する。
【００３２】
図３の例では、２４２０ＭＨｚを本加熱周波数とする。次に、制御部１０は、予め定められた第２の出力電力を設定する。この第２の出力電力は、図１の加熱室９内に配置された対象物を加熱するための電力である。そして、制御部１０は、チャープ信号発生装置１を本加熱周波数の連続波に設定し、次に第２の出力電力になるように増幅器２を設定する。
【００３３】
例えばチャープ信号発生装置１の出力電力が０．１Ｗで第２の出力電力が１０００Ｗの場合、増幅器２が１００００倍の増幅ができるよう設定をする。次にチャープ信号発生装置１をＯＮすることで本加熱周波数のマイクロ波をアンテナ４から加熱室９内に放射させる。これにより、加熱室９内に配置された対象物が加熱される（本加熱）。
【００３４】
以下、請求項の各構成要素と実施形態の各部との対応の例について説明するが
本発明は下記の例に限定されない。
本実施形態においてマイクロ波発生手段とは、チャープ信号発生装置１、増幅器２、サーキュレータ３に相当し、放射部とは、アンテナ４に相当する、検出手段とは、マイコン１１に含まれる周波数決定処理５、ＦＦＴ処理６、Ａ／Ｄ変換器７に相当し、制御手段とはマイコン１１に含まれる制御部１０に相当する。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、各種加熱装置、プラズマ発生装置、乾燥装置、および酵素反応を促進する装置等、反射電力が発生する処理装置に利用できる。
【符号の説明】
【００３６】
１ チャープ信号発生装置
２ 増幅器
３ サーキュレータ
４ アンテナ
５ 周波数決定処理
６ ＦＦＴ処理
７ Ａ／Ｄ変換器
８ 対象物
９ 加熱室
１０ 制御部
１１ マイコン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を搭載した冷凍冷蔵庫であって、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段により発生されるマイクロ波を対象物に放射する放射部と、前記放射部からの反射電力を検出する検出手段と、前記マイクロ波発生手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記マイクロ波発生手段によりチャープ信号のマイクロ波を前記放射部から対象物に放射させ、前記検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定した上で、前記処理周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生手段により発生させることを特徴とする冷凍冷蔵庫。
【請求項２】
前記制御手段は、前記処理周波数を決定するために前記放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力は、前記放射部から対象物に放射される前記処理周波数のマイクロ波の電力よりも小さい値に設定することを特徴とする請求項１記載の冷凍冷蔵庫。
【請求項３】
前記マイクロ波発生手段は、半導体を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の冷凍冷蔵庫。
【請求項４】
前記対象物の処理は加熱処理であり、前記対象物を収容する加熱室をさらに備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の冷凍冷蔵庫。
【請求項１】
マイクロ波を搭載した冷凍冷蔵庫であって、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段により発生されるマイクロ波を対象物に放射する放射部と、前記放射部からの反射電力を検出する検出手段と、前記マイクロ波発生手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記マイクロ波発生手段によりチャープ信号のマイクロ波を前記放射部から対象物に放射させ、前記検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定した上で、前記処理周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生手段により発生させることを特徴とする冷凍冷蔵庫。
【請求項２】
前記制御手段は、前記処理周波数を決定するために前記放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力は、前記放射部から対象物に放射される前記処理周波数のマイクロ波の電力よりも小さい値に設定することを特徴とする請求項１記載の冷凍冷蔵庫。
【請求項３】
前記マイクロ波発生手段は、半導体を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の冷凍冷蔵庫。
【請求項４】
前記対象物の処理は加熱処理であり、前記対象物を収容する加熱室をさらに備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の冷凍冷蔵庫。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−７９７４５（Ｐ２０１３−７９７４５Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１９００１（Ｐ２０１１−２１９００１）
【出願日】平成２３年１０月３日（２０１１．１０．３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３日（２０１１．１０．３）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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