説明

半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置

【課題】半導体発光素子から発せられた熱を放熱する放熱作用を充分に高め、半導体発光素子の輝度の劣化を抑制することができる半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置を提供する。
【解決手段】収容部32の周囲を形成する樹脂部31と、収容部32の内面を形成する側部および底部を一体成形してなり側部がリフレクター10a、20aをなすカップ部10、20と、カップ部10、20の開口縁から連続する形状をなして収容部32の周縁部をなすパッケージ主面において樹脂部31から露出し、樹脂部31の外側に配置するリード部10c、20cとを備え、カップ部10、20がパッケージ主面に露出するリード部10c、20cより下方へ窪む凹状をなす。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置に関し、電子機器の液晶表示部のバックライト、照明等の各種光源として使用される半導体発光装置の技術に係るものである。
【背景技術】
【0002】
近年、高輝度、高出力な半導体発光装置としてLEDを備えたLED発光体等が開発されており、半導体発光装置は携帯型電子機器の液晶表示部のバックライト、照明用の各種光源として幅広く用いられている。
【0003】
半導体発光装置はその用途が拡大するにつれて今まで以上に信頼性の向上と高輝度化が求められており、半導体発光素子を収納する半導体発光装置用パッケージには、半導体発光素子から発光する光を効率よく照射することが要求されている。
【0004】
この種の半導体発光装置において、高輝度を得るために半導体発光素子に大電流を流すと半導体発光素子の温度が急激に上昇し、この温度上昇により半導体発光装置から発光する光の輝度の劣化が生じる。
【0005】
この高輝度化を実現するための従来の半導体発光装置としては、例えば図14に示すものがある。図14において、100は半導体発光装置用パッケージ、110aはリード部、110bはリフレクター、111aは半導体発光素子エリア、111bはワイヤーボンドエリア、112は収容部、113は樹脂材料、114は半導体発光素子、115はワイヤー、116は封止樹脂を各々示している。
【0006】
図14において、半導体発光装置は、半導体発光装置用パッケージ100の収容部112に半導体発光素子114と半導体発光素子114に電気的に接続して通電するワイヤー115を収容し、収容部112に充填する光透過性の封止樹脂116で半導体発光素子114およびワイヤー115を封止してなる。
【0007】
半導体発光装置用パッケージ100は収容部112に半導体発光素子114から照射された光を反射して反射率の向上を図るリフレクター110bを設けており、収容部112の外周囲を覆うように樹脂材料113を設けている。
【0008】
この構成では、リフレクター110bがリード部110aと連続することで半導体発光素子114から発する熱の放熱性を向上させている。
【特許文献1】特開2003−152228号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
ところで、上述した従来の半導体発光装置用パッケージ100では、図15(a)に示すように、銅板を打ち抜き加工することで、金属リードフレーム110にリード部110aおよびリフレクター形成部110cを形成し、図15(b)に示すように、リフレクター形成部110cを曲げ起こして基準面となる金属リードフレーム110の主面上に起立させ、さらに半導体発光素子114を囲むように曲げ加工を行ってリフレクター110bを形成している。
【0010】
このため、リフレクター110bは、その一部において半導体発光素子エリア111aおよびワイヤーボンドエリア111bに部分的に支持されているだけであるために、変形し易い構造をなし、その反射面の角度が必ずしも安定しておらず、加工精度のバラツキが大きくなる構造的要因を有している。
【0011】
また、切り曲げ加工によりリフレクター110bを形成する従来の構造では、リフレクター110bに継ぎ目110dや切れ目110eが生じ、この継ぎ目110dや切れ目110eがリフレクター110bにおける光の反射に影響を及ぼす要素となる。しかも継ぎ目110dや切れ目110eから漏出する樹脂材料113がリフレクター110bの内部に樹脂バリを形成し、この樹脂バリが輝度低下に影響する要因となる。
【0012】
さらに、樹脂材料113から露出するリフレクター110bの端面が打ち抜き加工した状態のままの粗い面をなすが、この構造では樹脂成形時にリフレクター110bの端面を通して樹脂材料113が封止樹脂116の側へ漏出して樹脂バリの原因となる。
【0013】
半導体発光装置用パッケージ100は、切り曲げ加工したリフレクター110bの強度を確保するためにリフレクター110bの外周囲に所定厚みの樹脂材料113を成形しているが、リフレクター形成部110cが基準面となる金属リードフレーム110の主面上に起立し、リフレクター110bの底部にリード部110aが位置するために、リフレクター形成部110cに続くリード部110aの一部は樹脂材料113の内部に封じ込められる構造となり、リード部110aにおける熱の放熱性を低下させる構造的要因を有し、温度上昇による半導体発光素子114の輝度劣化を必ずしも充分に抑制することが出来ないという課題を有していた。
【0014】
本発明は上記の課題を解決するものであり、半導体発光素子から発せられた熱を放熱する放熱作用を充分に高め、半導体発光素子の輝度の劣化を抑制することができる半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体発光装置用パッケージは、半導体発光素子および封止樹脂を収容する収容部を設けた半導体発光装置用パッケージであって、前記収容部の周囲を形成する樹脂部と、前記収容部の内面を形成する側部および底部を一体成形してなり前記側部がリフレクターをなすカップ部と、前記カップ部の開口縁から連続する形状をなして前記収容部の周縁部をなすパッケージ主面において前記樹脂部から露出し、前記樹脂部の外側に配置するリード部とを備え、前記カップ部が前記パッケージ主面に露出する前記リード部より下方へ窪む凹状をなすものである。
【0016】
また、カップ部が開口縁にパッケージ主面に沿って広がるフランジ部を有するものである。
また、所定間隙を介して一対のカップ部を相互に対向配置し、一方のカップ部が第一のリフレクターをなす側部と半導体発光素子エリアをなす底部とを一体成形してなり、他方のカップ部が第二のリフレクターをなす側部とワイヤーボンドエリアをなす底部とを一体成形してなるものである。
【0017】
また、前記カップ部の抜け止め用の係止部を双方のカップ部間の前記樹脂部に設けたものである。
本発明の半導体発光装置は、上記の何れかの半導体発光装置用パッケージの収容部に半導体発光素子および封止樹脂を収容したものである。
【発明の効果】
【0018】
以上のように、本発明の半導体発光装置用パッケージによれば、リード部がカップ部の開口縁から連続する形状をなし、カップ部がリード部より下方へ窪む凹状をなすことで、前記収容部の周縁部をなすパッケージ主面においてリード部がカップ部の開口縁から連続して樹脂部から露出するので、リード部の全体において樹脂部の外側に露出面を形成することが可能となる。このため、リード部における熱の放熱性の向上を図って温度上昇による半導体発光素子の輝度劣化を充分に抑制することができる。
【0019】
カップ部が収容部の内面を形成する側部と底部とを一体成形してなり、側部と底部が連続面をなすことで、カップ部の側部からなるリフレクターは変形し難くなってその反射面の角度が安定し、角度の加工精度にバラツキが生じることなくなる。また、カップ部は、従来のような切り曲げ加工によらず、プレスによる絞り加工やエッチング加工により側部と底部とを一体成形するので、リフレクターに継ぎ目や切れ目が生じず、光の反射に影響を及ぼして高輝度化を疎外する要素を無くすることができる。さらに、リフレクターに継ぎ目や切れ目が生じないことで、継ぎ目や切れ目から樹脂材料が漏出してリフレクターの内部側に樹脂バリを形成することがなく、輝度低下に影響する要因となる樹脂バリを無くすることができる。
【0020】
また、カップ部が開口縁にパッケージ主面に沿って広がるフランジ部を有することで、樹脂成形時に樹脂材料がカップ部内に漏出することがなく、輝度低下に影響する要因となる樹脂バリを無くすることができる。
【0021】
よって、本発明の半導体発光装置用パッケージは優れた放熱性と高輝度を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
実施の形態1
図1は本発明の実施の形態1に係る半導体発光装置用パッケージの斜視図である。図2は同半導体発光装置用パッケージを示し、(a)は底面図、(b)は縦断面図、(c)は背面図、(d)は上面図、(e)は正面図、(f)は側面図、(g)は横断面図である。
【0023】
図1〜図2において、10は第一のカップ部、10aは第一のリフレクター、10bは半導体発光素子(図示省略)を搭載する半導体発光素子エリア、10cは第一のリード部、10dは第一のフランジ部、20は第二のカップ部、20aは第二のリフレクター、20bはワイヤー(図示省略)を接続するワイヤーボンドエリア、20cは第二のリード部、20dは第二のフランジ部、30は半導体発光装置用パッケージ、31は熱可塑性樹脂等からなる樹脂部、32は収容部を各々示している。
【0024】
図1〜図2において、半導体発光装置用パッケージ30は凹状の収容部32を備えており、収容部32は半導体発光素子(図示省略)および半導体発光素子とワイヤーボンドエリア20bとを接続するワイヤ(図示省略)を封止する封止樹脂(図示省略)を収容するものである。
【0025】
半導体発光装置用パッケージ30は、収容部32の周囲に構造体をなす樹脂部31を形成しており、収容部32に第一のカップ部10と第二のカップ部20とが所定間隙を介して配置してある。
【0026】
第一のカップ部10と第二のカップ部20は収容部32の内面を形成する側部と底部とを一体成形してなり、第一のカップ部10は側部が第一のリフレクター10aをなし、底部が半導体発光素子エリア10bをなしており、第二のカップ部20は側部が第二のリフレクター20aをなし、底部がワイヤーボンドエリア20bをなしている。
【0027】
各カップ部10、20は開口縁にそれぞれ第一のフランジ部10d、第二のフランジ部20dを有しており、第一のフランジ部10d、第二のフランジ部20dは収容部32の周縁部をなすパッケージ主面に沿って広がっている。
【0028】
各カップ部10、20のそれぞれの開口縁から連続する形状をなす第一のリード部10cおよび第二のリード部20cは、収容部32の周縁部をなすパッケージ主面(上面)において樹脂部31から表面が露出し、樹脂部31の外側に配置する部位が樹脂部31の側面および底面に沿って折り曲げて配置してあり、第一のリード部10cおよび第二のリード部20cはその全長において樹脂部31から露出する面を有している。
リフレクター10a、20aの表面には、熱伝導率および反射率に優れた皮膜が施されている。皮膜としては金、銀、ニッケル、パラジウム、ロジウムなどを用いることが出来る。光の波長が450nmから800nmの可視光領域の場合、銀の皮膜が好適である。
また、皮膜を施す方法としては電気めっきや無電解めっきなどのめっき法、蒸着法、スパッタリング法などを用いることが出来る。複数が連続した条材に施すにはめっき法が好適である。
この構成によれば、反射率に優れた皮膜によって、半導体発光素子からの発光を効率よく半導体発光装置用パッケージ30から出射することができる。さらに、半導体発光素子の動作に起因する発熱をフランジ部10d、20dからも効率よく外部拡散することで放熱性を高め、半導体発光素子が高温に曝されることで生じる輝度低下を抑制することができる。
【0029】
以下に、カップ部10、20およびリード部10c、20cの成形について説明する。図5に示すように、銅板を打ち抜き加工することで、金属リードフレーム50にリード部10c、20cおよびカップ形成部50a、50bを形成する。
【0030】
次に、図3〜図4に示すように、カップ形成部50a、50bにプレスによる絞り加工やエッチング加工により基準面となる金属リードフレーム50の主面より下方に窪む凹状のカップ部10、20を形成する。
【0031】
次に、図示を省略するが、上記の半導体発光装置用パッケージ30の収容部32に半導体発光素子および封止樹脂を収容することで半導体発光装置となる。
上記した構成により、本発明の半導体発光装置用パッケージによれば、リード部10c、20cがカップ部10、20の開口縁から連続する形状をなし、かつカップ部10、20がリード部リード部10c、20cを基準として下方へ窪む凹状をなす構造を有することで、収容部32の周縁部をなすパッケージ主面においてリード部10c、20cおよびフランジ部10d、20dがカップ部10、20の開口縁から連続して樹脂部31から露出するので、リード部10c、20cの全体に樹脂部31の外側に露出する面を形成することが可能となる。よって、リード部10c、20cにおける熱の放熱性の向上を図って温度上昇による半導体発光素子の輝度劣化を充分に抑制することができる。
【0032】
また、カップ部10、20が収容部32の内面を形成する側部と底部とを一体成形してなり、第一のカップ部10では側部からなる第一のリフレクター10aと底部をなす半導体発光素子エリア10bとが全体的に連続面をなし、第二のカップ部20では側部からなる第二のリフレクター20aと底部をなすワイヤーボンドエリア20bとが全体的に連続面をなすことで、カップ部10、20の側部からなるリフレクター10a、20aは変形し難くなってその反射面の角度が安定し、角度の加工精度にバラツキが生じることがなくなる。
【0033】
また、カップ部10、20は、従来のような切り曲げ加工によらず、プレスによる絞り加工やエッチング加工により側部と底部とを一体成形するので、リフレクター10a、20aに継ぎ目や切れ目が生じず、光の反射に影響を及ぼして高輝度化を疎外する要素を無くすることができる。
【0034】
さらに、リフレクター10a、20aに継ぎ目や切れ目が生じないことで、継ぎ目や切れ目から樹脂材料が漏出してリフレクター10a、20aの内部側に樹脂バリを形成することがなく、輝度低下に影響する要因となる樹脂バリを無くすることができる。
【0035】
また、カップ部10、20が開口縁にパッケージ主面に沿って広がるフランジ部10d、20dを有することで、樹脂成形時に樹脂材料がカップ部10、20の内部に漏出することがなく、輝度低下に影響する要因となる樹脂バリを無くすることができる。
実施の形態2
カップ部10、20は、図6に示すように、フランジ部10d、20dの裏面側に樹脂部31へ突き出る突状部10e、20eを形成しても良く、この構造によりカップ部10、20と樹脂部31との密着性が向上する。
実施の形態3
カップ部10、20は、図7に示すように、フランジ部10d、20dの裏面側に段部10f、20fを形成しても良く、この構造によりカップ部10、20と樹脂部31との密着性が向上する。
実施の形態4
さらに、図8〜図9に示すように、収容部32の内側においてカップ部10、20の間の樹脂部31に抜け止め用の係止部31aを設け、係止部31aで双方のカップ部10、20のリフレクター10a、20aを係止することで、カップ部10、20と樹脂部31との密着性が向上する。
実施の形態5
また、図10〜図11に示すように、収容部32の内側においてカップ部10、20の間の樹脂部31に抜け止め用の係止部31bを設け、係止部31bで双方のカップ部10、20の半導体発光素子エリア10bおよびワイヤーボンドエリア20bを係止することで、カップ部10、20と樹脂部31との密着性が向上する。
実施の形態6
また、図12〜図13に示すように、収容部32の外側で、収容部32の周縁部をなすパッケージ主面においてカップ部10、20の間の樹脂部31に抜け止め用の係止部31cを設け、係止部31cで双方のカップ部10、20のフランジ部10d、20dを係止することで、カップ部10、20と樹脂部31との密着性が向上する。
【産業上の利用可能性】
【0036】
本発明は半導体発光装置用パッケージとして有用であり、特に高輝度で小型化が要求される半導体発光装置用パッケージに適している。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体発光装置用パッケージの斜視図
【図2】同半導体発光装置用パッケージを示し、(a)は底面図、(b)は縦断面図、(c)は背面図、(d)は上面図、(e)は正面図、(f)は側面図、(g)は横断面図
【図3】同半導体発光装置用パッケージのカップ部を示す斜視図
【図4】同半導体発光装置用パッケージのカップ部を示し、(a)は上面図、(b)は側面図、(c)は縦断面図、(d)は横断面図
【図5】同半導体発光装置用パッケージの金属リードフレームにおけるカップ形成部を示し、(a)は上面図、(b)は正面図
【図6】本発明の実施の形態2に係る半導体発光装置用パッケージの断面図
【図7】本発明の実施の形態3に係る半導体発光装置用パッケージの断面図
【図8】本発明の実施の形態4に係る半導体発光装置用パッケージの斜視図
【図9】同半導体発光装置用パッケージを示し、(a)は底面図、(b)は縦断面図、(c)は背面図、(d)は上面図、(e)は正面図、(f)は側面図、(g)は横断面図
【図10】本発明の実施の形態5に係る半導体発光装置用パッケージの斜視図
【図11】同半導体発光装置用パッケージを示し、(a)は底面図、(b)は縦断面図、(c)は背面図、(d)は上面図、(e)は正面図、(f)は側面図、(g)は横断面図
【図12】本発明の実施の形態6に係る半導体発光装置用パッケージの斜視図
【図13】同半導体発光装置用パッケージを示し、(a)は底面図、(b)は縦断面図、(c)は背面図、(d)は上面図、(e)は正面図、(f)は側面図、(g)は横断面図
【図14】従来の半導体発光装置用パッケージを示す断面図
【図15】従来の半導体発光装置用パッケージの金属リードフレームにおけるリフレクター形成部を示し、(a)は加工前の展開図、(b)は加工後の組立図
【符号の説明】
【0038】
10 第一のカップ部
10a 第一のリフレクター
10b 半導体発光素子エリア
10c 第一のリード部
10d 第一のフランジ部
10e 突状部
10f 段部
20 第二のカップ部
20a 第二のリフレクター
20b ワイヤーボンドエリア
20c 第二のリード部
20d 第二のフランジ部
20e 突状部
20f 段部
30 半導体発光装置用パッケージ
31 樹脂部
31a、31b、31c 係止部
32 収容部
50 金属リードフレーム
50a、50b カップ形成部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体発光素子および封止樹脂を収容する収容部を設けた半導体発光装置用パッケージであって、前記収容部の周囲を形成する樹脂部と、前記収容部の内面を形成する側部および底部を一体成形してなり前記側部がリフレクターをなすカップ部と、前記カップ部の開口縁から連続する形状をなして前記収容部の周縁部をなすパッケージ主面において前記樹脂部から露出し、前記樹脂部の外側に配置するリード部とを備え、前記カップ部が前記パッケージ主面に露出する前記リード部より下方へ窪む凹状をなすことを特徴とする半導体発光装置用パッケージ。
【請求項2】
カップ部が開口縁にパッケージ主面に沿って広がるフランジ部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置用パッケージ。
【請求項3】
所定間隙を介して一対のカップ部を相互に対向配置し、一方のカップ部が第一のリフレクターをなす側部と半導体発光素子エリアをなす底部とを一体成形してなり、他方のカップ部が第二のリフレクターをなす側部とワイヤーボンドエリアをなす底部とを一体成形してなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置用パッケージ。
【請求項4】
前記カップ部の抜け止め用の係止部を双方のカップ部間の前記樹脂部に設けたことを特徴とする請求項3に記載の半導体発光装置用パッケージ。
【請求項5】
請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体発光装置用パッケージの収容部に半導体発光素子および封止樹脂を収容したことを特徴とする半導体発光装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【公開番号】特開2009−9956(P2009−9956A)
【公開日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−167039(P2007−167039)
【出願日】平成19年6月26日(2007.6.26)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】