半導体装置および半導体装置の製造方法

【課題】
電気特性および放熱特性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体素子２は、搭載パッド部４ｂの略中央に実装される。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、Ｃｕからなる。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの上面には、ワイヤ５と外部電極３ｂとが接続するために、Ａｇ層３ａ，４ａが形成され、下面には、外部電極３ｂと搭載パッド部４ｂとが半田と接続するために、Ｓｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃが形成される。また、半導体素子２と外部電極３ｂとはＡｕのワイヤ５によって電気的に接続しており、６つの外部電極３ｂのうちの４つの外部電極３ｂと半導体素子２とが電気的に接続している。そして、半導体素子２、ワイヤ５、外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、エポキシ樹脂などからなる樹脂６によって封止される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電鋳フレームを用いたリードレスタイプの半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電鋳フレームを用いたリードレスタイプの半導体装置として、特許文献１の半導体装置が知られている。この半導体装置は、金属層に接着された半導体素子と、その半導体素子上の電極パッドと外部導出用の金属層とを電気的に接続するワイヤと、そのワイヤで配線を行った半導体素子を封止する樹脂パッケージとを備え、半導体素子が接着されている金属層裏面と外部導出用の金属層裏面とが樹脂パッケージ底面と同一平面である。
【特許文献１】特開２００２−１６１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に開示されている半導体装置では、金属層にＮｉ薄膜層またはＮｉ・Ｃｏ薄膜層が用いられているため、半導体素子のクロック数が上昇している今日において、半導体装置の電気特性と放熱特性とがよくないという問題点がある。また、金属層にＮｉ薄膜層やＮｉ・Ｃｏ薄膜層を用いるとめっきスピードが遅いため、電鋳による金属層の形成に時間がかかり、生産性が低いという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）請求項１の発明は、半導体素子と、半導体素子が搭載された搭載パッドと、半導体素子とワイヤにより電気的に接続している外部電極とを備え、半導体素子と搭載パッドとワイヤと外部電極とが樹脂によって封止されている半導体装置であって、搭載パッドと外部電極とは電鋳によるＣｕから成り、半導体装置の底面に露出していることを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、半導体素子と、半導体素子とフリップチップ接続により電気的に接続している外部電極とを備え、半導体素子と外部電極とが樹脂によって封止されている半導体装置であって、外部電極は電鋳によるＣｕから成り、半導体装置の底面に露出していることを特徴とする。
（３）請求項３の発明の半導体装置の製造方法は、パターニングされた電鋳によるＣｕ層が形成されている可撓性平板状の導電性基板を用い、Ｃｕ層に複数の半導体素子を隣接して搭載し、半導体素子とＣｕ層とを電気的に接続する半導体素子実装工程と、Ｃｕ層および半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、導電性基板を剥離して樹脂封止体を得る剥離工程と、樹脂封止体の導電性基板を剥離した剥離面に露出するＣｕ層に半田接続用金属層を形成する金属層形成工程と、金属層形成工程において半田接続用金属層が形成された樹脂封止体を切断して、個々の半導体装置に分割する分割工程とを備えることを特徴とする。
（４）請求項４の発明の半導体装置の製造方法は、パターニングされた半田接続用金属層と、その上に電鋳によるＣｕ層とが形成されている可撓性平板状の導電性基板を用い、Ｃｕ層に複数の半導体素子を隣接して搭載し、半導体素子とＣｕ層とを電気的に接続する半導体素子実装工程と、半田接続用金属層、Ｃｕ層および半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、導電性基板を剥離して樹脂封止体を得る剥離工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、外部電極の材料としてＣｕを使用しているので、電気特性の優れた半導体装置を得ることができる。また、電鋳に外部電極を金属板に形成する際、外部電極の材料としてＣｕを使用すると、金属板に流す電流の電流密度を大きくすることができるので、めっきスピードが速くなり、生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
−第１の実施の形態−
本発明の第１の実施形態の半導体装置１の構造について図１を参照して説明する。図１（ａ）は半導体装置１の断面図である。図１（ｂ）は半導体装置１の裏面図である。２は半導体素子であり、３ｂは外部電極であり、４ｂは搭載パッド部である。半導体素子２は、搭載パッド部４ｂの略中央に搭載される。搭載パッド部４ｂには不図示のボンディング剤が塗布され、半導体素子２は固定される。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、Ｃｕからなる。
【０００７】
外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの上面にはワイヤ５と接続するためのＡｇ層３ａ，４ａが形成され、下面には半田と接続する際の濡れ性向上のためのＳｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃが形成される。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの厚さは５０〜８０μｍであり、Ａｇ層３ａ，４ａの厚さは約２．５μｍであり、Ｓｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃの厚さは３〜２０μｍである。また、半導体素子２と外部電極３ｂとはＡｕのワイヤ５によって電気的に接続しており、図１（ｂ）に示すように、６つの外部電極３ｂのうちの４つの外部電極３ｂと半導体素子２とが電気的に接続している。
【０００８】
半導体素子２、ワイヤ５、外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、エポキシ樹脂などからなる樹脂６によって封止される。半導体装置２の底面には、図１（ｂ）に示すように、樹脂６と外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂに形成したＳｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃとが露呈している。
【０００９】
次に本発明の第１の実施形態の半導体装置１の製造方法について、図２〜図７を参照して説明する。本発明の第１の実施形態の半導体装置１の製造方法では、１つの金属板を用いて複数の半導体装置１を同時に作製する。第１の実施形態の半導体装置１の製造方法は、第１金属層形成工程と、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、第２金属層形成工程と、分割工程とからなる。
【００１０】
（イ）第１金属形成工程
第１金属層形成工程について、図２（ａ）〜（ｄ）および図３を参照して説明する。
図２（ａ）に示すように、レジスト２２を可撓性を有する金属板２１の両面に塗布またはラミネートする。金属板２１は、厚さ約０．１ｍｍの平板状のＪＩＳ規格のＳＵＳステンレス鋼板またはＣｕ板の金属薄板などからなる。次にアクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光する。そして、現像し、図２（ｂ）に示すように、金属層を形成する部分のレジスト２２を除去する。このときの金属板２１の平面方向の状態を図３に示すと、１つの半導体装置１を作製するためのレジスト２２ａ，２２ｂが縦横に複数並列して形成されている。
【００１１】
金属板２１の一方の面には金属層を形成しないので、レジスト２２によって全面が覆われる。次に、Ｈ_２ＳＯ_４−Ｈ_２Ｏ_２やＮａ_２Ｓ_２Ｏ_８などの酸化性溶液により、レジスト２２を除去した部分の金属板２１面のソフトエッチングを行う。そして、硫酸などの酸で酸洗いし、酸活性処理を行う。
【００１２】
次に、酸活性処理を行った金属板２１をＣｕめっき溶液に浸漬して金属板２１に電力を供給し、電鋳を行う。そして、Ｃｕ層２３を形成する。次に、Ａｇめっき溶液に金属板２１を浸漬して金属板２１に電力を供給する。そして、Ａｇ層２４を形成する。このようにして、図２（ｃ）に示すように、金属板２１に金属層として、パターニングされたＣｕ層２３とＡｇ層２４とを形成する。金属層を形成後、図２（ｄ）に示すように、レジスト２２を金属板２１から剥離する。
【００１３】
（ロ）半導体素子実装工程
半導体素子実装工程について図２（ｅ）を参照して説明する。
半導体素子２の搭載面に不図示のボンディング剤を塗布し、そして図２（ｅ）に示すように、複数の半導体素子２を隣接して搭載する。そして、ワイヤボンディングによって、Ａｇ層２４と半導体素子２とをワイヤ５によって接続し、半導体素子２をＣｕ層２３およびＡｇ層２４に実装する。
【００１４】
（ハ）樹脂封止工程
樹脂封止工程について、図２（ｆ）および図４を参照して説明する。
樹脂封止工程では、図２（ｆ）に示すように半導体素子２、ワイヤ５、Ｃｕ層２３およびＡｇ層２４を樹脂６によって封止する。樹脂封止は次のようにして行う。図４に示すように、金属板２１の半導体素子２が実装などされている面に金型４１が被せられる。そして、樹脂６が金型４１内に注入され、金属板２１に搭載された複数の隣接配置された半導体素子２などが一括に封止される。この樹脂封止工程では、金型４１は上型の役割を果たし、金属板２１は下型の役割を果たす。
【００１５】
（ニ）金属板剥離工程
金属板剥離工程について、図５（ａ）を参照して説明する。
樹脂６による封止が完了した後は、図５（ａ）に示すように、Ｃｕ層２３や樹脂６から金属板２１を剥離する。金属板２１は可撓性を有するので、容易に剥離することができる。この金属板２１を剥離したものを以下、樹脂封止体５０と呼ぶ。
【００１６】
（ホ）第２金属層形成工程
第２金属層形成工程について、図５（ｂ）および図６を参照して説明する。
樹脂封止体５０をＳｎ−Ｐｂめっき溶液に浸漬し、剥離面５１に電力を供給する。電力の供給は、図６に示すように樹脂封止体５０の両側を基板ホルダ６１ではさみ、基板ホルダ６１より電力を供給して、２箇所から通電するようにして行う。ところで、剥離面５１に露出されているＣｕ層２３は全ての外部電極３ｂの形成部分や搭載パッド部４ｂの形成部分において電気的に接続されている。したがって、矢印６２で示すように、全ての外部電極３ｂの形成部分や搭載パッド部４ｂの形成部分に基板ホルダ６１から供給された電流が流れる。そして、図５（ｂ）に示すように、樹脂封止体５０の剥離面５１にパターニングされたＳｎ−Ｐｂ層５２を形成する。
【００１７】
（ヘ）分割工程
分割工程について、図５（ｂ），（ｃ）および図７を参照して説明する。
図５（ｂ）の２点鎖線５３に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体５０をダイシングする。ダイジングは、ダイシングライン７５，７６において行われる。図７に示すように、Ｓｎ−Ｐｂ層で形成されためっきパターンの辺７１，７２および辺７３，７４はダイシングライン７５，７６に沿って形成されているので、辺７１，７２および辺７３，７４を目印として画像認識し、ダイシングを行うことができる。そして、図５（ｃ）に示すように、一つの樹脂封止体５０が分割され、半導体装置１が完成する。
【００１８】
以上の第１の実施形態による半導体装置１の製造方法は次のような作用効果を奏する。
（１）外部電極の材料としてＣｕを使用しているので、電気特性に優れた半導体装置１を得ることができる。
（２）搭載パッド部の材料としてＣｕを使用しているので、放熱特性の優れた半導体装置１を得ることができる。
（３）外部電極３ｂと搭載パッド部４ｂをＣｕで形成するので、電鋳によって形成する際、金属板２１に流す電流の電流密度を大きくすることができ、生産性を向上することができる。
（４）Ｃｕは樹脂６との密着性が強いため、Ｎｉと比較して外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの信頼性が向上する。
（５）個々の半導体装置１に切断する前に、樹脂封止体５０の剥離面５１のＣｕ層２３に半田接続用のＳｎ−Ｐｂ層５２を成膜する。したがって、個々の半導体装置１ごとの半田接続用のＳｎ−Ｐｂ層５２を成膜する工程が必要なく、半導体装置１の製造コストを安くすることができる。
（６）樹脂封止体５０の剥離面５１に形成されている外部電極３ｂや搭載パッド部４ｂに相当するＣｕ層２３は電気的に接続されるように形成されている。このため、半導体装置１の外部電極３ｂと搭載パッド部４ｂとにおけるＳｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃの膜厚および膜質を１回のめっき処理で安定的に精度よく均一にすることができる。
【００１９】
−第２の実施の形態−
次に本発明の第２の実施形態の半導体装置１の製造方法について、図８および図９を参照して説明する。第２の実施形態の半導体装置１の製造方法は、第１金属層形成工程と、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、第２金属層形成工程と、分割工程とからなる。第１の実施形態の半導体装置１の製造方法と共通する部分は同じ符号を使用する。
【００２０】
第１金属層形成工程について、図８（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
可撓性を有する金属板２１の一方の面にＣｕ箔をラミネートし、他方の面にレジスト２２を塗布またはラミネートする。次に、Ａｇめっき溶液に金属板２１を浸漬して金属板２１に電力を供給する。そして、Ａｇ層２４を形成する。以上のようにして、図８（ａ）に示すように、金属板２１にＣｕ層８１とＡｇ層２４とを形成する。次に、図８（ｂ）に示すように、レジスト２２を金属板２１のＡｇ層２４面に塗布またはラミネートする。そして、アクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光を行う。次に、現像を行い、図８（ｃ）に示すように、金属層を形成する部分以外のレジスト２２を除去する。そして、エッチングを行い、レジスト２２で被服されていない不要部分のＣｕ層８１およびＡｇ層２４を溶解除去する。次に、図８（ｄ）に示すように、レジスト２２を金属板２１から剥離する。
【００２１】
半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、第２金属層形成工程と、分割工程とは、第１の実施形態の半導体装置１の製造方法と共通するので、以下、説明を省略する。
【００２２】
以上の第２の実施形態による半導体装置１の製造方法は、第１の実施形態による半導体装置１の製造方法の実施形態による作用効果（１）（２）のほかに次のような作用効果を奏する。
（１）Ｃｕ層の形成にＣｕ箔を使用するので、均一なＣｕ層を形成することができる。したがって、樹脂封止体５０から分割した半導体素子１の電気特性のばらつきが小さくすることができる。
【００２３】
−第３の実施の形態−
本発明の第３の実施形態の半導体装置１００の構造について、図１０を参照して説明する。第１の実施形態の半導体装置１と共通する部分は同じ符号を使用し、共通する部分の説明は省略する。
【００２４】
図１０（ａ）は半導体装置１００の断面図である。図１０（ｂ）は半導体装置１００の裏面図である。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂ下面には、半田と接続するためのＡｕ層３ｄ，４ｄが形成される。また、半導体装置１Ａの底面において、Ａｕ層３ｄ，４ｄと樹脂６とは同一の平面に形成されている。半導体装置１Ａの底面には、図１０（ｂ）に示すように、樹脂６と外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂに形成したＡｕ層３ｄ，４ｄとが露呈している。
【００２５】
次に本発明の第３の実施形態の半導体装置１００の製造方法について、図１１および図１２を参照して説明する。第３の実施形態の半導体装置１００の製造方法は、第１金属層形成工程と、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、分割工程とからなり、第２金属形成工程を有さない点で第１の実施形態の半導体装置１の製造方法と異なる。第１の実施形態の半導体装置１の製造方法と共通する部分は同じ符号を使用する。
【００２６】
第１金属層形成工程について、図１１（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
図１１（ａ）に示すように、レジスト２２を可撓性を有する金属板２１の両面に塗布またはラミネートする。次にアクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光する。そして、現像し、図１１（ｂ）に示すように、金属層を形成する部分のレジスト２２を除去する。このとき、金属板２１の一方の面には金属層を形成しないので、全面をレジスト２２によって覆う。次に、レジスト２２を除去した部分の金属板２１面をソフトエッチングし、そして、酸活性処理を行う。
【００２７】
酸活性処理を行った金属板２１をＡｕめっき溶液に浸漬して金属板２１に電力を供給する。そして、Ａｕ層１１１を形成する。次に、Ｃｕめっき溶液に浸漬して金属板２１に電力を供給し、電鋳を行う。そして、Ｃｕ層２３を形成する。次に、Ａｇめっき溶液に金属板２１を浸漬して金属板２１に電力を供給する。そして、Ａｇ層２４を形成する。このようにして、図１１（ｃ）に示すように、金属板２１にＡｕ層１１１とＣｕ層２３とＡｇ層２４とを形成する。そして、図１１（ｄ）に示すように、レジスト２２を金属板２１から剥離する。以下、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、分割工程とは、第１の実施形態の半導体装置１の製造方法と同じなので説明を省略する。
【００２８】
以上の第３の実施形態による半導体装置１００の製造方法によれば、金属板２１を剥離した後、ダイシングで分割すれば半導体装置１００が完成する。ところで外部電極３ｂの下面にはＡｕ層３ｄが形成されているので、金属板２１の剥離のあと、半導体装置１００を半田接続用の金属層を形成する必要がない。したがって、金属板２１を樹脂封止体１２０から剥離した後のめっき処理の必要がないので、半導体装置の製造コストを安くすることができる。
【００２９】
以上の実施の形態の半導体装置１，１００を次のように変形することができる。
（１）半導体素子２と外部電極４ｂをワイヤ５で接続したが、図１３（ａ）および（ｂ）に示すようにハンダバンプ１３１でフリップチップ接続してもよい。ハンダバンプ１３１でフリップチップ接続する場合は、搭載パッド部４ｂを設けず、外部電極３ｂのみ設けることとなる。この場合においても、樹脂封止体５０の剥離面５１に形成されている外部電極３ｂに相当するＣｕ層２３，８１は図６と同様に電気的に接続されるように形成されている。また、ワイヤ５を用いて接続する場合に比べて、半導体装置１，１００をさらに低背化、小型化することができる。フリップチップ接続の場合は、半導体素子２は外部電極３ｂに搭載されるので、外部電極の材料としてＣｕを使用することによって、電気特性および放熱特性の優れた半導体装置１３０を得ることができる。
（２）ワイヤ接続用の金属層や半田接続用の金属層をめっき法によって形成したが、真空蒸着法やＣＶＤ法によって形成してもよい。
（３）Ｃｕ層２３，８１の上面側にＡｇ層２４を形成しているが、ワイヤ５とＣｕ層２３，８１とを接続できるようにするためのものであれば、Ａｇ層２４に限定されない。たとえば、Ａｕ層を形成してもよい。また、ワイヤ５を直接Ｃｕ層２３，８１に接続できる場合は、Ａｇ層２４を形成しなくてもよい。
（４）Ｃｕ層２３，８１の下面側にＳｎ−Ｐｂ層５２、Ａｕ層１１１を形成したが、外部電極４ｂと半田と接合するための半田接続用金属層であれば実施の形態に限定されない。たとえば、Ｓｎ−Ａｇ層、Ｓｎ−Ｃｕ層、Ｓｎ−Ｂｉ層またはＳｎ層を形成してもよい。
（５）外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの厚さは５０〜８０μｍであり、Ａｇ層３ａ，４ａの厚さは約２．５μｍであり、Ｓｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃの厚さは３〜２０μｍであったが、実施の形態には限定されない。
（６）以上の第１の実施の形態では、可撓性を有する金属板２１にＮｉ層２３やレジスト２２などを形成したが、可撓性を有し、導電性を有する導電性基板であればＳＵＳステンレス鋼板やＣｕ板に限定されない。たとえば、ＳＵＳステンレス鋼板やＣｕ板以外の金属薄板を使用してもよいし、導電性樹脂を使用してもよい。また、表面に導電膜を形成した基板を使用してもよい。
（７）以上の第２の実施の形態では、可撓性を有する金属板２１にＮｉ層２３やレジスト２２などを形成したが、可撓性を有する基板であればＳＵＳステンレス鋼板やＣｕ板に限定されない。たとえば、可撓性を有する樹脂基板を使用してもよい。
（８）搭載パッドや外部電極の材料であるＣｕには、Ｃｕを主成分としたＣｕ合金も含まれる。
（９）以上の第１の実施形態では、第２金属層形成工程について、電力の供給は、２箇所から通電するようにして行ったが、２箇所に限定されず、２箇所以上の複数箇所から通電してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体装置の構造を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるレジストが形成された金属板を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法における樹脂の封止を説明するための図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるＳｎ−Ｐｂめっき処理を説明するための図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するための図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態の半導体装置の構造を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】半導体素子をフリップチップ接続した半導体装置を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３１】
１，１００，１３０半導体装置
２半導体素子
３ａ，４ａ，２４Ａｇ層
３ｂ外部電極
３ｃ，４ｃ，５２Ｓｎ−Ｐｂ層
３ｄ，４ｄ，１１１Ａｕ層
４ｂ搭載パッド部
５ワイヤ
６樹脂
２１金属板
２２，２２ａ，２２ｂレジスト
２３，８１Ｃｕ層
４１金型
５０，１２０樹脂封止体
５１剥離面
６１基板ホルダ
１３１ハンダバンプ

【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載された搭載パッドと、
前記半導体素子とワイヤにより電気的に接続している外部電極とを備え、
前記半導体素子と前記搭載パッドと前記ワイヤと前記外部電極とが樹脂によって封止されている半導体装置であって、
前記搭載パッドと前記外部電極とは電鋳によるＣｕから成り、前記半導体装置の底面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と、
前記半導体素子とフリップチップ接続により電気的に接続している外部電極とを備え、
前記半導体素子と前記外部電極とが樹脂によって封止されている半導体装置であって、
前記外部電極は電鋳によるＣｕから成り、前記半導体装置の底面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
パターニングされた電鋳によるＣｕ層が形成されている可撓性平板状の導電性基板を用い、前記Ｃｕ層に複数の半導体素子を隣接して搭載し、前記半導体素子と前記Ｃｕ層とを電気的に接続する半導体素子実装工程と、
前記Ｃｕ層および前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記導電性基板を剥離して樹脂封止体を得る剥離工程と、
前記樹脂封止体の前記導電性基板を剥離した剥離面に露出するＣｕ層に半田接続用金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層形成工程において半田接続用金属層が形成された樹脂封止体を切断して、個々の半導体装置に分割する分割工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
パターニングされた半田接続用金属層と、その上に電鋳によるＣｕ層とが形成されている可撓性平板状の導電性基板を用い、前記Ｃｕ層に複数の半導体素子を隣接して搭載し、前記半導体素子と前記Ｃｕ層とを電気的に接続する半導体素子実装工程と、
前記半田接続用金属層、前記Ｃｕ層および前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、
前記導電性基板を剥離して樹脂封止体を得る剥離工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【図１】