半導体装置の製造方法及び製造装置

【課題】半導体バーに保護膜を形成する行程においてスペーサと半導体バーを短時間で分離する。
【解決手段】半導体バー１２とスペーサ１４とを交互に積層する。半導体バー１２は、複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成されている。スペーサ１４は、長手方向において半導体バー１２よりも長く、長手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有する。スペーサ１４の第１端面に切り欠きが設けられている。積層された半導体バー１２とスペーサ１４の露出端面に一体的に保護膜２４を形成する。スペーサ１４の切り欠き内において半導体バー１２の端面に第１押圧バー１６を押し当て、スペーサ１４の第２端面に第２押圧バー１８を押し当てる。これにより半導体バー１２に対してスペーサ１４を移動させて、半導体バー１２とスペーサ１４の境界に沿って保護膜２４をせん断応力により破断させる。積層された半導体バー１２をコレットにより順番に取り出す。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体バーとスペーサを交互に積層して半導体バーの端面に保護膜を形成する半導体装置の製造方法及び製造装置に関し、特に保護膜を形成した半導体バーをスペーサから短時間で確実に分離することができる半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光が出射する半導体レーザの端面を鏡面にするため、複数の半導体レーザが形成された半導体ウェハを劈開して端面が形成される。しかし、そのままでは端面への酸化膜の形成やレーザ光の吸収により端面が劣化してしまう。そこで、端面劣化を防止するために端面に保護膜が形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
半導体装置の製造方法では、まず半導体ウェハを劈開して複数の半導体レーザがバー状（短冊状）に一列に並んだ半導体バーを形成する。次に、専用の治具に半導体バーとスペーサを交互に積み重ねて保護膜を形成する。そして、保護膜を形成した半導体バーをスペーサから分離する（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
しかし、保護膜によって半導体バーとスペーサが一体化されるために、半導体バーをスペーサから確実に分離できない場合があった。この問題を解消するために、最上部のスペーサを取り出す場合は、そのスペーサの両端を積層方向下方に向けて押圧して撓ませていた。また、最上部の半導体バーを取り出す場合は、その半導体バーの下方に接するスペーサの両端を積層方向下方に向けて押圧して撓ませて両端を保持していた（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１２５９９４号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３３７４号公報
【特許文献３】特開２００８−３０６０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、積層されたスペーサと半導体バーをそれぞれ取り出す毎に上記処理を行っていたため、全てのスペーサと半導体バーを分離して取り出すには長い時間がかかるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、保護膜を形成した半導体バーをスペーサから短時間で確実に分離することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと、前記長手方向において前記半導体バーよりも長く、前記長手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有し、前記第１端面に切り欠きが設けられたスペーサとを交互に積層する工程と、積層された前記半導体バーと前記スペーサの端面に一体的に保護膜を形成する工程と、前記スペーサの前記切り欠き内において前記半導体バーの端面に第１押圧バーを押し当て、前記スペーサの前記第２端面に第２押圧バーを押し当てて前記半導体バーに対して前記スペーサを移動させて、前記半導体バーと前記スペーサの境界に沿って前記保護膜をせん断応力により破断させる工程と、前記保護膜を破断させた後に、積層された前記半導体バーをコレットにより順番に取り出す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、保護膜を形成した半導体バーをスペーサから短時間で確実に分離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図５】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図６】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図７】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図８】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図９】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図１０】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図１１】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図１２】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図１３】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図１４】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図１５】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図１６】実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図１７】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図１８】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図１９】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図２０】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図２１】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。
【図２２】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図２３】実施の形態４に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図２４】実施の形態４に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図２５】実施の形態４に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図２６】実施の形態４に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【図２７】実施の形態４に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１，３，５は実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。図２，４，６−８は実施の形態１に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。
【００１２】
実施の形態１に係る製造装置は、コーティング治具１０と、半導体バー１２と交互に積層されるスペーサ１４と、積層された半導体バー１２とスペーサ１４を挟む第１押圧バー１６及び第２押圧バー１８と、積層された半導体バー１２を順番に取り出すコレット２０とを備える。
【００１３】
半導体バー１２は、複数のレーザダイオード（半導体素子）が長手方向に連接されて板状に形成されている。スペーサ１４は、長手方向において半導体バー１２よりも長く、長手方向で互いに対向する第１端面１４ａ及び第２端面１４ｂを有する。
【００１４】
スペーサ１４の第１端面１４ａに切り欠き２２が設けられている。なお、切り欠き２２の形状は、本実施の形態ではＶ字状であるが、これに限らずＵ字状やコ字状でも良く、第１端面１４ａが凹んでいればどのような形状でも良い。第１押圧バー１６の先端部は、本実施の形態ではスペーサ１４の切り欠き２２に合致する形状であるが、これに限らず切り欠き２２に挿入できる形状であれば良い。
【００１５】
続いて、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図１及び図２に示すように、コーティング治具１０上に半導体バー１２とスペーサ１４とを交互に積層する。
【００１６】
次に、図３及び図４に示すように、積層された半導体バー１２とスペーサ１４の露出端面に一体的に光学薄膜などの保護膜２４をスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成する。積層された半導体バー１２とスペーサ１４の長手方向の両側に第１押圧バー１６と第２押圧バー１８をそれぞれ配置する。
【００１７】
次に、図５及び図６に示すように、積層された半導体バー１２とスペーサ１４を第１押圧バー１６と第２押圧バー１８で挟み、スペーサ１４の切り欠き２２内に第１押圧バー１６の先端部を挿入する。即ち、スペーサ１４の切り欠き２２内において半導体バー１２の端面に第１押圧バー１６を押し当て、スペーサ１４の第２端面１４ｂに第２押圧バー１８を押し当てる。これにより半導体バー１２に対してスペーサ１４を移動させて、半導体バー１２とスペーサ１４の境界に沿って保護膜２４をせん断応力により破断させる。
【００１８】
なお、上記動作を行う際に半導体バー１２とスペーサ１４が不用意に動いてしまう場合、保護膜２４を形成した面又はその面と対向する面を真空吸着して姿勢保持しても良い。また、第１押圧バー１６が半導体バー１２に接触し、第２押圧バー１８がスペーサ１４に接触した後の第１押圧バー１６と第２押圧バー１８の移動量は、保護膜２４を破断させる量で良いが、それより大きくても良い。当該移動量は保護膜２４の膜質や膜厚等で変化するので、必要に応じて調整する必要がある。
【００１９】
次に、図７及び図８に示すように、第１押圧バー１６と第２押圧バー１８を半導体バー１２及びスペーサ１４から離し、積層された半導体バー１２とスペーサ１４をコレット２０により順番に取り出す。なお、上記動作を行う際に半導体バー１２とスペーサ１４が不用意に動いてしまう場合、保護膜２４を形成した面又はその面と対向する面を真空吸着して姿勢保持しても良い。
【００２０】
本実施の形態に係る製造方法では、コレット２０により取り出す前に、積層された半導体バー１２とスペーサ１４の各境界に沿って保護膜２４を一括で破断させる。従って、半導体バー１２とスペーサ１４をコレット２０により取り出すたびに分離処理を行う必要は無い。よって、保護膜２４を形成した半導体バー１２をスペーサ１４から短時間で確実に分離することができる。
【００２１】
また、半導体バー１２の素子面では無い箇所を第１押圧バー１６と第２押圧バー１８により押圧するため、素子面を傷つけない。さらに、スペーサ１４を弾性変形させないため、スペーサ１４の上下の半導体バー１２には応力が発生せず、損傷を受けることもない。
【００２２】
実施の形態２．
図９，１１，１３は実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。図１０，１２，１４−１６は実施の形態２に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。実施の形態１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２３】
実施の形態２に係る製造装置では、スペーサ１４の切り欠き２２は、開口部の幅が内部の幅より小さい鍵穴状である。第１押圧バー１６は、切り欠き２２に引っ掛かる形状である。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００２４】
続いて、実施の形態２に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、コーティング治具１０上に半導体バー１２とスペーサ１４とを交互に積層する。次に、図９及び図１０に示すように、積層された半導体バー１２とスペーサ１４の露出端面に一体的に光学薄膜などの保護膜２４をスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成する。積層された半導体バー１２とスペーサ１４の長手方向の両側に第１押圧バー１６と第２押圧バー１８をそれぞれ配置する。
【００２５】
次に、図１１及び図１２に示すように、積層された半導体バー１２とスペーサ１４を第１押圧バー１６と第２押圧バー１８で挟み、スペーサ１４の切り欠き２２内に第１押圧バー１６の先端部を挿入する。即ち、スペーサ１４の切り欠き２２内において半導体バー１２の端面に第１押圧バー１６を押し当て、スペーサ１４の第２端面１４ｂに第２押圧バー１８を押し当てる。これにより半導体バー１２に対してスペーサ１４を移動させて、半導体バー１２とスペーサ１４の境界に沿って保護膜２４をせん断応力により破断させる。
【００２６】
次に、図１３及び図１４に示すように、第１押圧バー１６を切り欠き２２に引っ掛けた状態で第１押圧バー１６を移動させて、スペーサ１４を半導体バー１２に対して引き抜く。スペーサ１４を引き抜くと半導体バー１２間にスペーサ１４の厚み分の間隙が残る。この間隙の影響で半導体バー１２が倒れてコレット２０により取り出し難くなる場合、図１５に示すように、コレット２０により積層方向へ押し縮めて当該間隙を詰める。なお、上記動作を行う際に半導体バー１２とスペーサ１４が不用意に動いてしまう場合、保護膜２４を形成した面又はその面と対向する面を真空吸着して姿勢保持しても良い。
【００２７】
次に、図１６に示すように、第２押圧バー１８を半導体バー１２から離し、積層された半導体バー１２をコレット２０により順番に取り出す。
【００２８】
本実施の形態に係る製造方法では、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。さらに、第１押圧バー１６によりスペーサ１４だけを一括して取り除くことができるため、コレット２０により半導体バー１２だけを取り出せばよい。従って、処理時間を大幅に短縮することができる。
【００２９】
実施の形態３．
図１７，１９，２１は実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための上面図である。図１８，２０，２２は実施の形態３に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。実施の形態１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００３０】
実施の形態３に係る製造装置は、コーティング治具１０と、半導体バー１２と交互に積層されるスペーサ２６と、スペーサ２６を支持する支持バー２８，３０と、半導体バーに押し当てられる押圧バー３２と、積層された半導体バー１２を順番に取り出すコレット２０とを備える。
【００３１】
スペーサ２６は、長手方向において半導体バー１２よりも長く、短手方向で互いに対向する第１端面２６ａ及び第２端面２６ｂを有する。スペーサ２６の第２端面２６ｂに切り欠き３４が設けられている。なお、切り欠き３４の形状は、本実施の形態ではＵ字状であるが、これに限らずＶ字状やコ字状でも良く、第２端面２６ｂが凹んでいればどのような形状でも良い。押圧バー３２の先端部は、本実施の形態ではスペーサ２６の切り欠き３４に合致する形状であるが、これに限らず切り欠き３４に挿入できる形状であれば良い。
【００３２】
続いて、実施の形態３に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、コーティング治具１０上に半導体バー１２とスペーサ２６とを交互に積層する。次に、図１７及び図１８に示すように、積層された半導体バー１２とスペーサ２６の第１端面２６ａ側の露出端面に一体的に光学薄膜などの保護膜２４をスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成する。積層された半導体バー１２とスペーサ２６の長手方向の両側に支持バー２８，３０をそれぞれ配置し、保護膜２４を形成した面とは短手方向の反対側に押圧バー３２を配置する。
【００３３】
次に、図１９及び図２０に示すように、スペーサ２６の第１端面２６ａを支持バー２８，３０で支持しながら、スペーサ２６の切り欠き３４内において半導体バー１２の端面に押圧バー３２を押し当てる。これによりスペーサ２６に対して半導体バー１２を移動させて、半導体バー１２とスペーサ２６の境界に沿って保護膜２４をせん断応力により破断させる。
【００３４】
なお、押圧バー３２が半導体バー１２に接触した後の押圧バー３２の移動量は、保護膜２４を破断させる量で良いが、それより大きくても良い。当該移動量は保護膜２４の膜質や膜厚等で変化するので、必要に応じて調整する必要がある。
【００３５】
次に、図２１及び図２２に示すように、支持バー２８，３０と押圧バー３２を半導体バー１２及びスペーサ２６から離し、積層された半導体バー１２とスペーサ２６をコレット２０により順番に取り出す。なお、上記動作を行う際に半導体バー１２とスペーサ２６が不用意に動いてしまう場合、保護膜２４を形成した面又はその面と対向する面を真空吸着して姿勢保持しても良い。
【００３６】
本実施の形態に係る製造方法では、コレット２０により取り出す前に、積層された半導体バー１２とスペーサ２６の各境界に沿って保護膜２４を一括で破断させる。従って、半導体バー１２とスペーサ２６をコレット２０により取り出すたびに分離処理を行う必要は無い。よって、保護膜２４を形成した半導体バー１２をスペーサ２６から短時間で確実に分離することができる。
【００３７】
また、半導体バー１２の素子面では無い箇所を第１押圧バー３２と第２押圧バー１８により押圧するため、素子面を傷つけない。さらに、スペーサ２６を弾性変形させないため、スペーサ２６の上下の半導体バー１２には応力が発生せず、損傷を受けることもない。
【００３８】
実施の形態４．
図２３−２７は実施の形態４に係る半導体装置の製造方法及び製造装置を説明するための側面図である。実施の形態１と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００３９】
実施の形態４に係る製造装置は、コーティング治具１０と、半導体バー１２と交互に積層されるスペーサ３６と、積層された半導体バー１２とスペーサ３６を長手方向において挟み込んだ状態で回転することができる第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０と、積層された半導体バー１２を順番に取り出すコレット２０とを備える。スペーサ３６は、長手方向において半導体バー１２と同じ長さである。
【００４０】
続いて、実施の形態４に係る半導体装置の製造方法について説明する。まず、図２３に示すように、コーティング治具１０上に半導体バー１２とスペーサ３６とを交互に真っ直ぐに積層する。積層された半導体バー１２とスペーサ３６の長手方向の両側に第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０をそれぞれ配置する。
【００４１】
次に、図２４に示すように、積層された半導体バー１２とスペーサ３６の露出端面に一体的に光学薄膜などの保護膜２４をスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成する。真っ直ぐに積層された半導体バー１２とスペーサ３６を長手方向において第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０で挟み込む。第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０は、半導体バー１２及びスペーサ３６の端面と接触しても良いし、端面の近くで停止しても良い。
【００４２】
次に、図２５に示すように、第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０を同じ方向に回転させて半導体バー１２とスペーサ３６の積層状態を階段状に変形させる。これにより半導体バー１２とスペーサ３６の境界に沿って保護膜２４をせん断応力により破断させる。第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０の回転方向は、右回転でも左回転でも良い。
【００４３】
なお、上記動作を行う際に半導体バー１２とスペーサ３６が不用意に動いてしまう場合、保護膜２４を形成した面又はその面と対向する面を真空吸着して姿勢保持しても良い。また、第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０の回転量は、保護膜２４を破断させる量で良いが、それより大きくても良い。当該回転量は保護膜２４の膜質や膜厚等で変化するので、必要に応じて調整する必要がある。
【００４４】
次に、図２６に示すように、第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０を先ほどとは逆方向に回転させて半導体バー１２とスペーサ３６の積層状態を真っ直ぐに戻す。
【００４５】
次に、図２７に示すように、第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０を半導体バー１２及びスペーサ３６から離し、積層された半導体バー１２とスペーサ３６をコレット２０により順番に取り出す。なお、上記動作を行う際に半導体バー１２とスペーサ３６が不用意に動いてしまう場合、保護膜２４を形成した面又はその面と対向する面を真空吸着して姿勢保持しても良い。
【００４６】
本実施の形態に係る製造方法では、コレット２０により取り出す前に、積層された半導体バー１２とスペーサ３６の各境界に沿って保護膜２４を一括で破断させる。従って、半導体バー１２とスペーサ３６をコレット２０により取り出すたびに分離処理を行う必要は無い。よって、保護膜２４を形成した半導体バー１２をスペーサ３６から短時間で確実に分離することができる。
【００４７】
また、半導体バー１２の素子面では無い箇所を第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０により押圧するため、素子面を傷つけない。さらに、スペーサ３６を弾性変形させないため、スペーサ３６の上下の半導体バー１２には応力が発生せず、損傷を受けることもない。
【００４８】
なお、本実施の形態では第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０を回転軸に対して回転させている。これに限らず、第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０の上端と下端を逆方向へ移動させて第１回転支持バー３８及び第２回転支持バー４０を回転させても良い。
【００４９】
実施の形態１−４では、積層された半導体バー１２とスペーサ１４の一方の露出端面に一体的に保護膜２４を形成しているが、これに限らず保護膜２４を形成した面と対向する面にも保護膜を形成してもよい。即ち、半導体バー１２の対向する両方の露出端面に保護膜を形成してもよい。このように両面に保護膜を形成した後に、実施の形態１−４の分離工程を行うことで同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００５０】
１２半導体バー
１４，２６，３６スペーサ
１４ａ，２６ａ第１端面
１４ｂ，２６ｂ第２端面
１６第１押圧バー
１８第２押圧バー
２０コレット
２２切り欠き
２４保護膜
２８，３０支持バー
３２押圧バー
３８第１回転支持バー
４０第２回転支持バー

【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと、前記長手方向において前記半導体バーよりも長く、前記長手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有し、前記第１端面に切り欠きが設けられたスペーサとを交互に積層する工程と、
積層された前記半導体バーと前記スペーサの端面に一体的に保護膜を形成する工程と、
前記スペーサの前記切り欠き内において前記半導体バーの端面に第１押圧バーを押し当て、前記スペーサの前記第２端面に第２押圧バーを押し当てて前記半導体バーに対して前記スペーサを移動させて、前記半導体バーと前記スペーサの境界に沿って前記保護膜をせん断応力により破断させる工程と、
前記保護膜を破断させた後に、積層された前記半導体バーをコレットにより順番に取り出す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜を破断させた後に、前記第１押圧バーを前記切り欠きに引っ掛けた状態で前記第１押圧バーを移動させて、前記スペーサを前記半導体バーに対して引き抜くことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと、前記長手方向において前記半導体バーよりも長く、前記短手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有し、前記第２端面に切り欠きが設けられたスペーサとを交互に積層する工程と、
積層された前記半導体バーと前記スペーサの前記第１端面側の露出端面に一体的に保護膜を形成する工程と、
前記スペーサの前記第１端面を支持バーで支持しながら、前記スペーサの前記切り欠き内において前記半導体バーの端面に押圧バーを押し当て前記スペーサに対して前記半導体バーを移動させて、前記半導体バーと前記スペーサの境界に沿って前記保護膜をせん断応力により破断させる工程と、
前記保護膜を破断させた後に、積層された前記半導体バーをコレットにより順番に取り出す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと、前記長手方向において前記半導体バーと同じ長さのスペーサとを交互に真っ直ぐに積層する工程と、
積層された前記半導体バーと前記スペーサの端面に一体的に保護膜を形成する工程と、
真っ直ぐに積層された前記半導体バーと前記スペーサを前記長手方向において第１回転支持バー及び第２回転支持バーで挟み込んだ後に、前記第１回転支持バー及び第２回転支持バーを同じ方向に回転させて前記半導体バーと前記スペーサの積層状態を階段状に変形させて、前記半導体バーと前記スペーサの境界に沿って前記保護膜をせん断応力により破断させる工程と、
前記保護膜を破断させた後に、積層された前記半導体バーをコレットにより順番に取り出す工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと交互に積層され、前記長手方向において前記半導体バーよりも長く、前記長手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有し、前記第１端面に切り欠きが設けられたスペーサと、
前記スペーサの前記切り欠き内において前記半導体バーの端面に押し当てられる第１押圧バーと、
前記スペーサの前記第２端面に押し当てられる第２押圧バーと、
積層された前記半導体バーを順番に取り出すコレットとを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記スペーサの前記切り欠きは、開口部の幅が内部の幅より小さい鍵穴状であり、
前記第１押圧バーは、前記切り欠きに引っ掛かる形状であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと交互に積層され、前記長手方向において前記半導体バーよりも長く、短手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有し、前記第２端面に切り欠きが設けられたスペーサと、
前記スペーサの前記第１端面を支持する支持バーと、
前記スペーサの前記切り欠き内において前記半導体バーの端面に押し当てられる押圧バーと、
積層された前記半導体バーを順番に取り出すコレットとを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成された半導体バーと交互に積層され、前記長手方向において前記半導体バーと同じ長さのスペーサと、
積層された前記半導体バーと前記スペーサを前記長手方向において挟み込んだ状態で回転することができる第１回転支持バー及び第２回転支持バーと、
積層された前記半導体バーを順番に取り出すコレットとを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。

【図１】