【課題】半極性面上への半導体発光素子の作製において窒化物半導体領域に接触を成す電極上へ保護層のせり出しを低減することを可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体リッジ４２ａを形成した後に、窒化物半導体領域４２及び誘電体マスク３８ａ上に絶縁膜４６を形成する。絶縁膜４６の第１部分４６ａは、半導体リッジ４２ａ上の誘電体マスク３８ａの上面３８ｂ及び側面３８ｃ並びに樹脂犠牲層３６ａの側面３６ｃに成長され、絶縁膜４６の第２部分４６ｂは、窒化物半導体領域４２のエッチングされた表面４２ｂ、半導体リッジ４２ａの側面４２ｃ、電極３４ａの側面３４ｃ上に成長される。リフトオフにより樹脂犠牲層３６ａを除去することにより絶縁膜４６の第１部分４６ａを除去して、絶縁膜４６の第２部分４６ｂからなる保護層４８を窒化物半導体領域４２上に形成する。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極１８及びボンディングパッド２０を半導体積層構造１４上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー３０を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂが載置面４０の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー３０を載置面４０上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー３０の間にスペーサ４２を配置する工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂを覆うように保護膜３２を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体バーに保護膜を形成する行程においてスペーサと半導体バーを短時間で分離する。
【解決手段】半導体バー１２とスペーサ１４とを交互に積層する。半導体バー１２は、複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成されている。スペーサ１４は、長手方向において半導体バー１２よりも長く、長手方向で互いに対向する第１端面及び第２端面を有する。スペーサ１４の第１端面に切り欠きが設けられている。積層された半導体バー１２とスペーサ１４の露出端面に一体的に保護膜２４を形成する。スペーサ１４の切り欠き内において半導体バー１２の端面に第１押圧バー１６を押し当て、スペーサ１４の第２端面に第２押圧バー１８を押し当てる。これにより半導体バー１２に対してスペーサ１４を移動させて、半導体バー１２とスペーサ１４の境界に沿って保護膜２４をせん断応力により破断させる。積層された半導体バー１２をコレットにより順番に取り出す。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体基板（１０）と、所定の波長域の放射を生成する、半導体基板（１０）上に配置された少なくとも１つのアクティブ層（２０）と、アクティブ層（２０）の一端部に、当該アクティブ層に垂直に配置され、アクティブ層（２０）内で生成された放射の一部が出射する少なくとも１つのレーザーミラー（４０）とを備える半導体レーザーに関する。レーザーミラー（４０）には、レーザーミラー（４０）を通って出射する放射の光出力‐電流‐特性曲線の上昇を低減させることに適した吸収性材料層（５０，６０）が備えられている。 （もっと読む）

【課題】横基本モードでレーザ発振し易い、リッジ導波路型ＤＦＢレーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上側に形成された活性層と、前記活性層の上側に形成された回折格子層と、前記回折格子層の上側に形成された、リッジ状の上部クラッド層を有し、前記上部クラッド層の両脇に於ける前記回折格子層の山と谷の高低差が、前記上部クラッド層の下側に於ける前記回折格子層の山と谷の高低差より小さい半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。
【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】安定した水平横モードを有する窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面上に形成され、発光層を有する発光素子層１５を備えている。発光素子層１５は、（０００−１）面からなる第１側面１５ａと、第１側面１５ａに対して傾斜した第２側面１５ｂとを含み、第１側面１５ａと第２側面１５ｂとに囲まれた領域によって、[０００１]方向と垂直で、かつ、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面の面内方向に延びるリッジ３５およびダミーリッジ３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高出力化を妨げることなくレーザ光の水平広がり角を容易かつ十分に均一化することができるとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】青紫色半導体レーザ素子１００においては、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。ｐ型クラッド層１０４、ｐ型コンタクト層１０５およびｐ型オーミック電極１０６からなるリッジ部Ｒｉが形成されている。リッジ部Ｒｉの両側方に位置するｐ型クラッド層１０４の上面には、ＳｉＯ_２微粒子からなる第１の絶縁膜１０７ａ、およびＳｉＯ_２膜からなる第２の絶縁膜１０７ｂがこの順で形成されている。第１の絶縁膜１０７ａおよび第２の絶縁膜１０７ｂが電流狭窄層１０７を構成する。 （もっと読む）

【課題】歩留の低下や製造コストの上昇を招かず、窒化物半導体レーザのＣＯＤを抑止する。
【解決手段】半導体レーザ１０１は、第１クラッド層１０３、活性層１０５、第２クラッド層１０８を有している。レーザ共振器の前端面１１３および後端面１１４の近傍には、窒素よりも電気陰性度の大きい不純物元素であるフッ素を含有する窓領域１１５が形成されている。この窓領域１１５は前端面１１３および後端面１１４をそれぞれフッ化炭素（ＣＦ₄ ）プラズマに晒すことで形成される。窓領域１１５の活性層１０５の実効バンドギャップは、それ以外の活性層の実効バンドギャップよりも大きくなるので、ＣＯＤを抑止するための端面窓構造として機能する。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と電極パッドとの密着性が向上された半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体素子２上に設けられシリコン原子を含む樹脂層４ａの表面４ａｓを、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスから生成されたプラズマＰ１によって処理することにより、酸化膜６ａを形成する第１のプラズマ処理工程と、酸化膜６ａ上に金属からなる電極パッド８を形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザ及び整流ダイオードから構成される光素子において、温度上昇に伴う電極の断線による歩留まり及び信頼性の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】基板１表面に直交する方向にレーザ光を射出する面発光型半導体レーザＶと、面発光型半導体レーザＶと並列接続され、面発光型半導体レーザＶの逆バイアス電圧に対して整流作用を有する整流ダイオードＥとを同一基板１上に備える光素子において、面発光型半導体レーザＶの少なくとも一部を含む第１柱状部２０の側面及び上面の一部を覆うと共に整流ダイオードＥの少なくとも一部を含む第２柱状部２１の側面及び上面の全周を覆う絶縁層１６を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に電極を設ける際にショートが発生しにくく、接合層を介したｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリークやショートが発生しにくい構造を有し、発光効率や放熱性の良好な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】成長基板１２０の主面に対して傾斜した結晶面に沿って延在する活性層１３をｐ型半導体層及びｎ型半導体層で挟む構造で形成された後、支持基板１１１に転写されて成長基板１２０から分離された複数の半導体層１０１を具備する半導体発光素子であって、半導体層１０１は、金属層２０を介して支持基板１１１に接合されており、ｐ型半導体層の端部及び活性層１３の端部は、成長基板１２０から分離された半導体層の表面に到達しないように配置されており、金属層２０は、ｐ型半導体層及びｐ側電極２１に接触し、ｎ型半導体層及びｎ側電極１８に接触しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 光検出部を有すると共に、良好な高周波特性を有する電気光学素子および光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 基板に形成されている発光素子部３０と、前記基板における発光素子部３０の形成側面であって発光素子部３０の形成領域以外に形成されている受光素子部（光検出部）４０と、発光素子部３０から受光素子部４０にわたって形成されている透明部材からなる透明層５１と、透明層５１の少なくとも上面における発光素子部３０の発光軸の近傍以外に形成されている反射層５２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの向上、製造コストの低減をすることができる赤色レーザ光を出力するレーザダイオードチップ、該レーザダイオードチップを備えたレーザダイオード及びレーザダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５のレーザダイオードチップの中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ＧａＩｎＰ活性層４の端面であるへき開面から見たｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の形状は、山状にしてある。切り出された部分には、液体酸化膜を焼成した酸化膜からなる電流狭窄層７、７を設ける。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの向上、製造コストの低減をすることができ、複数の異なる波長のレーザ光を出力するレーザダイオードチップ、該レーザダイオードチップを備えたレーザダイオード及びレーザダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出されてある。へき開面から見たｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の形状、並びにｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の形状は、山状にしてある。切り出された部分には、液体酸化膜を焼成した酸化膜からなる電流狭窄層７、７、７を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 貫通転位の発生が抑制された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）単結晶膜をその表面に有する、半導体素子用基盤として有用な窒化アルミニウム結晶積層基板を提供する。
【解決手段】 サファイアなどの単結晶α−アルミナ基板上に直接還元窒化法により窒化アルミニウム単結晶が積層されてなり、両結晶の界面近傍に厚みが１０ｎｍ以下、刃状転位の転位層が存在する窒化アルミニウム単結晶積層基板であって、表面に存在する窒化アルミニウム単結晶膜には貫通転位がほとんど存在しない。 （もっと読む）